EA008187B1 - Method of cleaning shadow masks in display production and device therefor - Google Patents
Method of cleaning shadow masks in display production and device therefor Download PDFInfo
- Publication number
- EA008187B1 EA008187B1 EA200501086A EA200501086A EA008187B1 EA 008187 B1 EA008187 B1 EA 008187B1 EA 200501086 A EA200501086 A EA 200501086A EA 200501086 A EA200501086 A EA 200501086A EA 008187 B1 EA008187 B1 EA 008187B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- mask
- ion
- ion source
- vacuum chamber
- holder
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Предлагаемые в качестве изобретения способ очистки теневых масок (варианты) и устройство для его реализации предназначены для использования в области вакуумной очистки теневых масок от наслоений органических и неорганических материалов в производстве ОЬЕО (Огдашс ЫдЫ Ешййпд Эюбс - дисплеев на органических светодиодах) дисплеев с применением реактивного ионно-лучевого травления загрязненной поверхности.Proposed as an invention, a method of cleaning shadow masks (options) and a device for its implementation are intended for use in the field of vacuum cleaning of shadow masks from layers of organic and inorganic materials in the production of OEO (Ogdashs Ydy Yyyypd Eyyub - displays on organic LEDs) displays using reactive ion - beam etching of a contaminated surface.
Известен способ очистки поверхности от механических загрязнений, состоящий в обработке очищаемой поверхности струёй сжатого углекислого газа - СО2, который при расширении в пространство превращается в микрочастицы сухого льда и этими частицами эффективно очищает поверхность от механических загрязнений и органических примесей [1].A known method of cleaning the surface from mechanical impurities, which consists in treating the surface to be cleaned with a stream of compressed carbon dioxide - CO 2 , which, when expanded into space, turns into microparticles of dry ice and effectively cleans the surface of mechanical impurities and organic impurities with these particles [1].
Недостатком этого способа является тот факт, что углекислый газ по своей химической природе является загрязняющей примесью и, кроме того, он хорошо растворяет в себе многие органические соединения, в том числе углеводороды, чем значительно повышает свою собственную загрязненность. И вследствие этого недостаточно эффективно очищает поверхности, например, сверхбольших интегральных схем.The disadvantage of this method is the fact that carbon dioxide by its chemical nature is a polluting impurity and, in addition, it dissolves well many organic compounds, including hydrocarbons, which significantly increases its own pollution. And as a result, it doesn’t clean enough surfaces, for example, of super-large integrated circuits.
Известен также способ очистки поверхности с использованием криогенного аэрозоля, в котором согласно изобретению пластину помещают в высокоочистную вакуумную камеру и обработку ее поверхности осуществляют интенсивной струёй сжиженных газов аргона и азота, температура которых близка к температуре плавления аргона.There is also a known method of cleaning the surface using a cryogenic aerosol, in which according to the invention the plate is placed in a high-purity vacuum chamber and its surface is treated with an intense jet of liquefied argon and nitrogen gases, the temperature of which is close to the melting temperature of argon.
При этом происходит обработка поверхности аэрозолем жидкого азота и микрочастицами твердого аргона, которые эффективно очищают обрабатываемую поверхность от механических загрязнений, включая субмикронные частицы и полимерные остатки после реактивно-ионного травления [2].In this case, the surface is treated with a liquid nitrogen aerosol and solid argon microparticles, which effectively clean the surface from mechanical impurities, including submicron particles and polymer residues after reactive-ion etching [2].
Известен способ очистки поверхности, включающий помещение очищаемой пластины в вакуумную камеру и обработку поверхности пластины интенсивной струёй криоаэрозоля азота и аргона, в котором согласно изобретению в криоаэрозоль азота и аргона вводят смесь кислорода, а очищаемую поверхность подвергают одновременно с обработкой струёй криоаэрозоля обработке ультрафиолетовым излучением с длиной волны менее 200 нм [3].A known method of cleaning the surface, comprising placing the wafer to be cleaned in a vacuum chamber and treating the wafer surface with an intense jet of nitrogen and argon cryo aerosol, in which according to the invention a mixture of oxygen is introduced into the nitrogen and argon cryo aerosol, and the surface to be cleaned is subjected to UV radiation treatment with a length of waves less than 200 nm [3].
Кроме того, в известном способе описано устройство, включающее вакуумную камеру, источник излучения и обрабатываемую пластину, поверхность которой обрабатывают ультрафиолетовым излучением [3].In addition, the known method describes a device comprising a vacuum chamber, a radiation source and a processing plate, the surface of which is treated with ultraviolet radiation [3].
Однако известные способы [2, 3] и устройство [3] имеют следующие недостатки: малоэффективны при очистке изделий от органических загрязнений; не исключают деформацию изделия при очистке сверхтонких изделий;However, the known methods [2, 3] and the device [3] have the following disadvantages: ineffective when cleaning products from organic contaminants; do not exclude the deformation of the product when cleaning ultra-thin products;
не обеспечивают высокое качество очистки;do not provide high quality cleaning;
не решают задачи, связанные с очисткой от неорганических примесей;do not solve the problems associated with cleaning from inorganic impurities;
имеют низкую производительность.have poor performance.
Наиболее близкими к предлагаемому изобретению по технической сущности являются способ и устройство, предназначенные для обработки изделий источником ионов.Closest to the proposed invention by technical nature are a method and apparatus for processing products by an ion source.
Известный способ включает формирование ионного пучка в вакуумной камере с помощью источника ионов, размещение изделия в вакуумной камере напротив эмиссионной поверхности источника, при этом, согласно изобретению, расстояние от изделия до эмиссионной поверхности источника ионов должно превышать длину свободного пробега ионов по отношению к процессу перезарядки.The known method includes the formation of an ion beam in a vacuum chamber using an ion source, placing the product in a vacuum chamber opposite the emission surface of the source, while, according to the invention, the distance from the product to the emission surface of the ion source must exceed the mean free path of the ions with respect to the recharging process.
А устройство, предназначенное для реализации данного способа, содержит вакуумную камеру, источник ионов и изделие, размещенное в вакуумной камере напротив эмиссионной поверхности источника ионов. При этом расстояние от изделия до эмиссионной поверхности источника ионов превышает длину свободного пробега ионов по отношению к процессу перезарядки [4].And the device intended for the implementation of this method contains a vacuum chamber, an ion source and an article placed in a vacuum chamber opposite the emission surface of the ion source. The distance from the product to the emission surface of the ion source exceeds the mean free path of ions with respect to the recharging process [4].
Однако известные способ и устройство не обеспечивают высокую производительность и качество очистки загрязненной поверхности изделия (например, маски), а также не гарантируют уход геометрических размеров изделия от первоначальных при обработке сверхтонких изделий.However, the known method and device do not provide high performance and quality of cleaning the contaminated surface of the product (for example, masks), and also do not guarantee the departure of the geometric dimensions of the product from the original when processing ultra-thin products.
Под изделием, используемым в заявляемых в качестве изобретений объектах, понимается теневая маска, предназначенная для использования в производстве ОЬЕО (Огдашс ЫдЫ Ешййпд Эюбс) дисплеев.The product used in the objects claimed as inventions is understood to be a shadow mask intended for use in the production of OJEO (Ogdashs Ydy Yyyypd Eyyubs) displays.
Такая маска представляет собой тонкую фольгу, приваренную к массивной металлической рамке в растянутом состоянии. Толщина такой маски составляет от 15 до 60 мкм. На ее поле сформирован регулярный рисунок из сквозных отверстий, через которые испаряемый материал попадает на подложку. Нанесение покрытия на подложку через упомянутую маску осуществляют в рабочей вакуумной камере. После нескольких циклов использования маски ее поверхность нуждается в очистке от всякого рода органических и неорганических наслоений. Для этого маску, не выводя за пределы вакуумной среды, из рабочей вакуумной камеры перемещают в транспортную вакуумную камеру, а из нее в вакуумную камеру очистки, где и осуществляют, собственно, очистку ее поверхности, обеспечивая тем самым возможность ее дальнейшего использования в рабочей вакуумной камере для нанесения покрытия на подложку.Such a mask is a thin foil welded to a massive metal frame in a stretched state. The thickness of such a mask is from 15 to 60 microns. A regular pattern of through holes is formed on its field through which evaporated material enters the substrate. Coating the substrate through said mask is carried out in a working vacuum chamber. After several cycles of using the mask, its surface needs to be cleaned of all kinds of organic and inorganic layers. To do this, the mask, without moving outside the vacuum medium, is transferred from the working vacuum chamber to the transport vacuum chamber, and from it to the vacuum cleaning chamber, where, in fact, its surface is cleaned, thereby providing the possibility of its further use in the working vacuum chamber for coating the substrate.
Специфика серийного производства ОБЕЭ дисплеев требует, чтобы очистка поверхности маски производилась в вакуумной камере, т.е. без извлечения маски из нее. В связи с этим, ионно-лучевоеThe specifics of mass production of OBEE displays requires that the surface of the mask be cleaned in a vacuum chamber, i.e. without removing the mask from it. In this regard, ion beam
- 1 008187 травление в вакууме является наиболее приемлемым процессом для очистки поверхности теневых масок от различного рода наслоений.- 1 008187 etching in vacuum is the most acceptable process for cleaning the surface of shadow masks from various kinds of layers.
Далее по тексту вакуумная камера очистки, в которой осуществляют ионно-лучевое травление поверхности маски, названа вакуумной камерой.Hereinafter, the vacuum cleaning chamber, in which ion-beam etching of the surface of the mask is carried out, is called the vacuum chamber.
Задачей предлагаемых изобретений является повышение скорости очистки изделия;The task of the invention is to increase the cleaning speed of the product;
снижение температуры очистки;reduction in cleaning temperature;
сокращение времени очистки изделий;reduction of product cleaning time;
повышение качества очистки сверхтонких (от 15 до 60 мкм) изделий (масок) от органических и неорганических наслоений;improving the quality of cleaning ultrafine (from 15 to 60 microns) products (masks) from organic and inorganic layers;
сохранение первоначальной геометрии сверхтонких изделий;preservation of the original geometry of ultra-thin products;
исключение повреждения и деформации изделий в процессе очистки;elimination of damage and deformation of products during the cleaning process;
повышение производительности.productivity increase.
Поставленная задача заявленными объектами изобретения (вариантами способа и устройством для их реализации) решена следующим образом.The problem is stated by the claimed objects of the invention (variants of the method and device for their implementation) is solved as follows.
В способе очистки теневых масок в производстве дисплеев по первому варианту, включающему формирование ионного пучка в вакуумной камере с помощью источника ионов, размещение маски в камере напротив эмиссионной поверхности источника ионов, согласно изобретению, в вакуумной камере устанавливают охлаждаемый держатель, в котором размещают маску, при этом ее обрабатываемую поверхность, обращенную в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, сканируют сфокусированными ленточньми пучками ионов, причем тангенциальную скорость сканирования выбирают таковой, чтобы доза энергии, получаемая элементом поверхности маски при однократном прохождении пучка ионов по этой поверхности, не превышала количество тепла, соответствующего максимально допустимому перегреву, а в качестве ион образующего газа используют кислород или его смесь.In the method for cleaning shadow masks in the production of displays according to the first embodiment, comprising forming an ion beam in a vacuum chamber using an ion source, placing the mask in the chamber opposite the emission surface of the ion source, according to the invention, a cooled holder is installed in the vacuum chamber, in which the mask is placed, Moreover, its machined surface facing the emission surface of the ion source is scanned by focused ribbon ion beams, and the tangential velocity is scanned. They choose such that the dose of energy received by the surface element of the mask during a single passage of the ion beam over this surface does not exceed the amount of heat corresponding to the maximum permissible overheating, and oxygen or its mixture is used as the ion of the generating gas.
Кроме того, кислород смешивают с газами из следующего ряда: Аг, Не, Кг, №, Ν2, СхНу, СхВу, а доля кислорода в смеси превышает 10%.In addition, oxygen is mixed with gases from the following series: Ar, He, Kg, No., Ν 2 , CxHy, CxBy, and the proportion of oxygen in the mixture exceeds 10%.
В способе очистки теневых масок в производстве дисплеев по второму варианту, включающему формирование ионного пучка в вакуумной камере с помощью источника ионов, размещение маски в камере напротив эмиссионной поверхности источника ионов, согласно изобретению, в вакуумной камере устанавливают охлаждаемый держатель, в котором размещают маску, при этом маску прижимают к держателю прижимным механизмом для обеспечения теплового контакта между охлаждаемым держателем и необрабатываемой поверхностью маски, а обрабатываемую поверхность маски, обращенную в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, сканируют сфокусированными ленточными пучками ионов, причем тангенциальную скорость сканирования выбирают таковой, чтобы доза энергии, получаемая элементом поверхности маски при однократном прохождении пучка ионов по этой поверхности, не превышала количество тепла, соответствующего максимально допустимому перегреву, а в качестве ионобразующего газа используют кислород или его смесь.In the method for cleaning shadow masks in the production of displays according to the second embodiment, comprising forming an ion beam in a vacuum chamber using an ion source, placing the mask in the chamber opposite the emission surface of the ion source, according to the invention, a cooled holder is installed in the vacuum chamber, in which the mask is placed, this mask is pressed to the holder by a clamping mechanism to ensure thermal contact between the cooled holder and the untreated surface of the mask, and the machined surface The ki facing the emission surface of the ion source is scanned by focused ribbon ion beams, and the tangential scanning speed is chosen such that the dose of energy received by the surface element of the mask when the ion beam passes through this surface once does not exceed the amount of heat corresponding to the maximum allowable overheating, and oxygen or a mixture thereof is used as the ion-forming gas.
Во втором варианте выполнения способа, как и в первом, кислород смешивают с газами из следующего ряда: Аг, Не, Кг, №, Ν2, СхНу, СхРу, а доля кислорода в смеси превышает 10%.In the second embodiment of the method, as in the first, oxygen is mixed with gases from the following series: Ar, He, Kg, No., Ν 2 , CxHy, CxPy, and the proportion of oxygen in the mixture exceeds 10%.
Кроме того, прижатие маски к поверхности охлаждаемого держателя по второму варианту способа осуществляют с помощью магнитного поля, создаваемого источником магнитного поля.In addition, pressing the mask to the surface of the cooled holder according to the second variant of the method is carried out using a magnetic field created by a magnetic field source.
На решение упомянутой задачи направлено также устройство, предназначенное для реализации способа по обоим вариантам.A device designed to implement the method according to both options is also directed at solving the aforementioned problem.
Данное устройство, содержащее вакуумную камеру и установленные в ней по крайней мере один источник ионов и маску, обрабатываемая поверхность которой направлена в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, согласно изобретению, дополнительно снабжено охлаждаемым держателем, размещенным внутри вакуумной камеры, и прижимным механизмом, размещенным над и/или внутри вакуумной камеры и предназначенным для прижатия маски к охлаждаемому держателю и обеспечения теплового контакта между охлаждаемым держателем и необрабатываемой (незагрязненной) поверхностью маски, при этом источник ионов выполнен с возможностью изменения координаты пересечения пучка ионов с обрабатываемой поверхностью маски.This device, containing a vacuum chamber and installed in it at least one ion source and a mask, the treated surface of which is directed towards the emission surface of the ion source, according to the invention, is additionally equipped with a cooled holder located inside the vacuum chamber, and a clamping mechanism placed above and / or inside the vacuum chamber and designed to press the mask to the cooled holder and ensure thermal contact between the cooled holder and the untreated the surface of the mask, while the ion source is configured to change the coordinate of the intersection of the ion beam with the treated surface of the mask.
Причем в качестве источника ионов может быть использован ускоритель с анодным слоем линейного типа. А сам источник ионов размещен в установочном элементе с зазором по отношению к охлаждаемому держателю.Moreover, an accelerator with an anode layer of a linear type can be used as a source of ions. And the ion source itself is placed in the installation element with a gap with respect to the cooled holder.
Установочный элемент снабжен поворотным механизмом, обеспечивающим его поворот вместе с источником ионов, причем ориентирован установочный элемент параллельно продольным осям источника ионов и охлаждаемого держателя.The installation element is equipped with a rotary mechanism, providing its rotation together with the ion source, and the installation element is oriented parallel to the longitudinal axes of the ion source and the cooled holder.
При этом величину угла поворота источника ионов вместе с установочным элементом определяют количество источников, установленных в вакуумной камере, и размеры (площадь) маски.In this case, the angle of rotation of the ion source together with the installation element determines the number of sources installed in the vacuum chamber, and the size (area) of the mask.
Кроме того, заявленное устройство может содержать два и более источника ионов, и если установочные элементы, в которых они размещены, например, параллельны, они лежат в одной плоскости, паIn addition, the claimed device may contain two or more sources of ions, and if the installation elements in which they are placed, for example, are parallel, they lie in the same plane, pa
- 2 008187 раллельной плоскости маски, а если непараллельны (например, взаимно перпендикулярны), то лежат в разных плоскостях.- 2 008187 of the parallel plane of the mask, and if they are not parallel (for example, mutually perpendicular), then they lie in different planes.
Поворотный механизм в предлагаемом устройстве выполнен с возможностью изменения скорости поворота установочного элемента.The rotary mechanism in the proposed device is configured to change the speed of rotation of the installation element.
Прижимной механизм, используемый в конструкции устройства, представляет собой многополюсную магнитную систему, которая установлена с обратной по отношению к маске стороны охлаждаемого держателя. Замыкает магнитную систему маска, выполненная из магнитного материала.The clamping mechanism used in the design of the device is a multi-pole magnetic system, which is installed on the reverse side of the cooled holder with respect to the mask. A mask made of magnetic material closes the magnetic system.
При этом многополюсная магнитная система представлена в виде комплекта постоянных магнитов и установлена с возможностью перемещения в направлении перпендикулярном плоскости обрабатываемой поверхности маски.In this case, the multi-pole magnetic system is presented in the form of a set of permanent magnets and is mounted with the ability to move in the direction perpendicular to the plane of the treated surface of the mask.
Заявленный в качестве изобретения способ очистки теневых масок в производстве дисплеев по первому варианту заключается в следующем.Claimed as an invention, a method for cleaning shadow masks in the manufacture of displays according to the first embodiment is as follows.
Загрязненную маску устанавливают в фиксирующее устройство, например в транспортную кассету, и помещают в держатель, размещенный в вакуумной камере. В охлаждаемый держатель подают холодную воду, а само изделие размещают на держателе таким образом, чтобы загрязненная поверхность маски находилась на позиции очистки - напротив эмиссионной поверхности источника ионов.The contaminated mask is installed in a fixing device, for example in a transport cartridge, and placed in a holder placed in a vacuum chamber. Cold water is supplied to the cooled holder, and the product itself is placed on the holder so that the contaminated surface of the mask is at the cleaning position - opposite the emission surface of the ion source.
Воздух из вакуумной камеры откачивают вакуумными насосами до предельного давления 5· 10-'1 - 10-3 Па.The air from the vacuum chamber is evacuated by vacuum pumps to a maximum pressure of 5 · 10 - ' 1 - 10 -3 Pa.
Охлаждение держателя необходимо для того, чтобы предотвратить перегрев маски в течение всего процесса ее очистки, то есть обеспечить отвод тепла таким образом, чтобы каждый участок маски полностью охлаждался между двумя последовательными сканированиями поверхности ионным пучком.Cooling the holder is necessary in order to prevent overheating of the mask during the entire cleaning process, that is, to ensure heat removal so that each section of the mask is completely cooled between two successive scans of the surface by an ion beam.
После этого в вакуумную камеру подают кислород или его смесь с другими газами, доводя давление в вакуумной камере до рабочего 5· 10-2 - 10-1 Па, и включают систему сканирования загрязненной поверхности маски пучком ионов, излучаемых источником ионов.After that, oxygen or its mixture with other gases is fed into the vacuum chamber, bringing the pressure in the vacuum chamber to the working 5 · 10 -2 - 10 -1 Pa, and turn on the scanning system of the contaminated surface of the mask with an ion beam emitted by the ion source.
Для этого на анод источника ионов подают положительный потенциал, после чего зажигается разряд, который и формирует пучок ионов ленточного типа, необходимый для очистки (травления) загрязненной поверхности маски.To do this, a positive potential is applied to the anode of the ion source, after which a discharge is ignited, which forms a bunch of ribbon-type ions, which is necessary for cleaning (etching) the contaminated surface of the mask.
Причем кислород или его смесь с газами используют для того, чтобы увеличить скорость очистки и, как следствие, повысить производительность процесса.Moreover, oxygen or its mixture with gases is used in order to increase the purification rate and, as a result, increase the productivity of the process.
Для обработки загрязненной поверхности из источника ионов формируют сфокусированные ленточные пучки ионов, тангенциальную скорость сканирования которых выбирают такой, чтобы доза энергии, получаемая элементом поверхности маски при однократном прохождении пучка ионов по этой поверхности, не превышала количество тепла, соответствующего максимально допустимому перегреву. При этом расчет этого количества тепла производят, исходя из теплоемкости и толщины материала маски.To treat a contaminated surface from the ion source, focused ribbon ion beams are formed, the tangential scanning speed of which is chosen so that the dose of energy received by the surface element of the mask during a single passage of the ion beam over this surface does not exceed the amount of heat corresponding to the maximum allowable overheating. At the same time, this amount of heat is calculated based on the heat capacity and thickness of the mask material.
Использование сфокусированных ленточных пучков позволяет осуществлять процесс очистки поверхности изделий большой площади.The use of focused tape bundles allows the process of cleaning the surface of large-area products.
Ионы пучка, двигаясь под углом к очищаемой поверхности изделия, осуществляют преимущественное травление в направлении своего движения и обеспечивают селективное (выборочное) удаление загрязнений с горизонтальных участков маски по сравнению с вертикальными.The beam ions, moving at an angle to the surface of the product being cleaned, preferentially etch in the direction of their movement and provide selective (selective) removal of contaminants from horizontal sections of the mask compared to vertical ones.
Тем самым предотвращают повреждение маски, а именно растрав окон-отверстий.Thereby, damage to the mask is prevented, namely, raster windows-holes.
Обработка поверхности изделия сфокусированным ионньм пучком ленточного типа позволяет существенно снизить тепловые нагрузки, предотвратить перегрев маски, ее деформацию и уход от первоначальных геометрических размеров. При этом тангенциальную скорость сканирования определяют: доза энергии, получаемая участком маски, ее теплоемкость и допустимая температура перегрева этого участка:Surface treatment of the product with a focused ion beam of the ribbon type can significantly reduce thermal loads, prevent overheating of the mask, its deformation and departure from the original geometric dimensions. In this case, the tangential scanning speed is determined by: the dose of energy received by the mask section, its heat capacity and the permissible overheating temperature of this section:
V = Ρί/Ы · Ον · й · АТ, где Ρί - мощность ионного пучка;V = Ρί / · · Ον · · · АТ, where Ρί is the ion beam power;
Ь1 - длина ионного источника;B1 is the length of the ion source;
Ον - объемная теплоемкость;Ον is the volumetric heat capacity;
й - толщина маски;d is the thickness of the mask;
АТ - допустимый перегрев при одноразовом сканировании поверхности маски.AT - permissible overheating during a one-time scan of the surface of the mask.
Использование кислорода или его смеси с газами позволяет значительно повысить производительность процесса очистки благодаря увеличению скорости очистки.The use of oxygen or its mixture with gases can significantly improve the performance of the cleaning process by increasing the cleaning speed.
Таким образом, при использовании заявляемого способа происходит сжигание органической основы загрязнения в кислороде и откачка продуктов сжигания вакуумными насосами. При этом все нелетучие материалы удаляют с обрабатываемой поверхности путем выбивания этих материалов пучком ионов, содержащим ионы инертных газов.Thus, when using the proposed method, the organic base of the pollution in oxygen is burned and the combustion products are evacuated by vacuum pumps. In this case, all non-volatile materials are removed from the treated surface by knocking out these materials with an ion beam containing inert gas ions.
Окончание процесса очистки (травления) определяют с помощью спектрофотометрического контроля. При соответствии очищенной поверхности маски необходимым параметрам выключают блок питания и систему сканирования источника ионов, прекращают подачу холодной воды в систему охлаждения держателя и рабочих газов в вакуумную камеру. Камеру заполняют воздухом, доводят значение давThe end of the cleaning process (etching) is determined using spectrophotometric control. If the cleaned surface of the mask meets the necessary parameters, turn off the power supply and the scanning system of the ion source, stop the supply of cold water to the cooling system of the holder and the working gases in the vacuum chamber. The chamber is filled with air;
- 3 008187 ления до атмосферного и очищенную маску перемещают из вакуумной камеры в рабочую вакуумную камеру для дальнейшего использования очищенной от наслоений маски в производстве ОБЕЭ дисплеев.- 3 008187 to atmospheric pressure and the cleaned mask is moved from the vacuum chamber to the working vacuum chamber for further use of the mask cleared of deposits in the manufacture of RBEE displays.
При осуществлении заявляемого в качестве изобретения способе очистки теневых масок по первому варианту в вакуумной камере могут быть установлены не один, а несколько источников ионов, при этом сканирование загрязненной поверхности осуществляют сразу несколькими пучками ионов.When implementing the inventive method for cleaning shadow masks according to the first embodiment, not one, but several ion sources can be installed in a vacuum chamber, while scanning a contaminated surface with several ion beams at once.
Это, с одной стороны, дает возможность очищать разные по площади поверхности: и малые, и большие, а с другой - повышает скорость и производительность очистки.This, on the one hand, makes it possible to clean surfaces of different sizes: both small and large, and on the other hand, it increases the speed and productivity of cleaning.
Пример конкретного выполнения способа по первому вариантуAn example of a specific implementation of the method according to the first embodiment
Загрязненное изделие (теневую маску) размером (540 х 430 мм) вместе с транспортной кассетой переводят из рабочей камеры кластерной системы производства ΘΕΕΌ дисплеев в транспортную вакуумную камеру, а оттуда в вакуумную камеру очистки (далее по тексту вакуумная камера).A contaminated product (shadow mask) of size (540 x 430 mm), together with the transport cassette, is transferred from the working chamber of the cluster system of production of ΘΕΕΌ displays to the transport vacuum chamber, and from there to the vacuum cleaning chamber (hereinafter referred to as the vacuum chamber).
С помощью направляющих механизмов маску помещают в охлаждаемый держатель таким образом, чтобы ее загрязненная поверхность находилась на позиции очистки - напротив эмиссионной поверхности источника ионов, на расстоянии 100 мм.Using guiding mechanisms, the mask is placed in a cooled holder so that its contaminated surface is at the cleaning position, opposite the emission surface of the ion source, at a distance of 100 mm.
Воздух из вакуумной камеры откачивают вакуумными насосами до предельного давления 5· 10-4 - 10-3 Па, а извне вакуумной камеры в охлаждаемый держатель подают холодную воду.The air from the vacuum chamber is evacuated with vacuum pumps to a maximum pressure of 5 · 10 -4 - 10 -3 Pa, and cold water is supplied to the cooled holder from the outside of the vacuum chamber.
После этого в вакуумную камеру подают смесь кислорода и аргона в процентном соотношении 65:35% и на анод ионного источника подают положительный потенциал 4,0 кВ. При зажигании разряда формируют пучок ионов ленточного типа с общим током 250 мА.After that, a mixture of oxygen and argon in a percentage ratio of 65: 35% is fed into the vacuum chamber and a positive potential of 4.0 kV is supplied to the anode of the ion source. When a discharge is ignited, a ribbon-type ion beam with a total current of 250 mA is formed.
При помощи поворотного механизма, размещенного на установочном элементе, в котором размещен источник ионов, осуществляют сканирование загрязненной поверхности изделия ионным пучком путем поворота ионного источника на угол 140°.Using a rotary mechanism located on the mounting element in which the ion source is located, a contaminated surface of the article is scanned by an ion beam by rotating the ion source at an angle of 140 °.
Скорость сканирования устанавливают на уровне 80 см/с, обеспечивая при этом допустимый перегрев маски на величину не более 30 К.The scanning speed is set at 80 cm / s, while ensuring a permissible overheating of the mask by no more than 30 K.
По окончании процесса очистки ионный источник выключают, прекращают подачу холодной воды в держатель изделия и рабочих газов в вакуумную камеру. В камеру впускают воздух до атмосферного давления и очищенное изделие (маску) вместе с транспортной кассетой снова перемещают сначала в транспортную вакуумную камеру кластерной системы, а затем в рабочую вакуумную камеру для дальнейшего использования в процессе нанесения покрытий через очищенную маску на подложку.At the end of the cleaning process, the ion source is turned off, the supply of cold water to the product holder and working gases to the vacuum chamber is stopped. Air is introduced into the chamber to atmospheric pressure and the cleaned product (mask) together with the transport cassette is again transferred first to the transport vacuum chamber of the cluster system and then to the working vacuum chamber for further use in the coating process through the cleaned mask on the substrate.
Таким образом, кассета с маской до, во время и после очистки не покидает вакуумную систему кластерной установки для производства ΘΕΕΌ дисплеев.Thus, the mask cartridge before, during and after cleaning does not leave the vacuum system of the cluster installation for the production of ΘΕΕΌ displays.
Второй вариант способа осуществляют точно так же как и первый, за тем исключением, что при реализации способа по второму варианту используют прижимной механизм, обеспечивающий прижатие маски к охлаждаемому держателю для создания плотного теплового контакта маски с охлаждаемым держателем.The second variant of the method is carried out in exactly the same way as the first, with the exception that when implementing the method of the second variant, a clamping mechanism is used to press the mask against the cooled holder to create close thermal contact between the mask and the cooled holder.
Это увеличивает отвод тепла от обрабатываемой (очищаемой) поверхности изделия и сводит к нулю деформацию маски в процессе сканирования ее загрязненной поверхности пучком ионов.This increases the heat removal from the treated (cleaned) surface of the product and reduces to zero the deformation of the mask in the process of scanning its contaminated surface with an ion beam.
Поскольку изделие (маска), как правило, выполнено из магнитного материала, то в качестве прижимного механизма используют магнитную систему, представляющую собой комплект постоянных магнитов и обеспечивающую контакт незагрязненной поверхности изделия (маски) с охлаждаемым держателем. При этом само изделие (маска) замыкает магнитный поток магнитной системы.Since the product (mask), as a rule, is made of magnetic material, a magnetic system is used as the clamping mechanism, which is a set of permanent magnets and provides contact of the unpolluted surface of the product (mask) with a cooled holder. In this case, the product itself (mask) closes the magnetic flux of the magnetic system.
Более того, прижимной механизм, представляющий собой комплект постоянных магнитов, устанавливают в вакуумной камере с возможностью перемещения в направлении перпендикулярном плоскости очищаемой поверхности маски.Moreover, the clamping mechanism, which is a set of permanent magnets, is installed in a vacuum chamber with the ability to move in the direction perpendicular to the plane of the cleaned surface of the mask.
Процесс перемещения прижимного механизма необходим для замыкания полюсов магнитной системы и обеспечения плотного теплового контакта необрабатываемой поверхности маски с охлаждаемым держателем, а также для их размыкания и обеспечения беспрепятственного извлечения изделия (маски) из вакуумной камеры очистки и ее перемещения внутри кластерной системы в рабочую вакуумную камеру для дальнейшего использования при нанесении покрытий на подложку.The process of moving the clamping mechanism is necessary to close the poles of the magnetic system and ensure tight thermal contact of the untreated surface of the mask with the cooled holder, as well as to open them and ensure unhindered extraction of the product (mask) from the vacuum cleaning chamber and its movement inside the cluster system into the working vacuum chamber for further use when coating the substrate.
Таким образом, во втором варианте осуществления способа после размещения маски в держателе и ее ввода в вакуумную камеру с помощью магнитной системы (например, системы постоянных магнитов) осуществляют прижатие незагрязненной поверхности маски к охлаждаемому держателю для обеспечения плотного теплового контакта этой поверхности с охлаждаемым держателем, что значительно увеличивает отвод тепла от обрабатываемой поверхности при ее сканировании пучком ионов в процессе очистки.Thus, in the second embodiment of the method, after placing the mask in the holder and introducing it into the vacuum chamber using a magnetic system (for example, a system of permanent magnets), the uncontaminated surface of the mask is pressed against the cooled holder to ensure tight thermal contact of this surface with the cooled holder, which significantly increases heat removal from the treated surface when it is scanned by an ion beam during the cleaning process.
Так же, как и в первом варианте осуществления способа, во втором варианте при сканировании загрязненной поверхности изделия могут использовать несколько ионных пучков, получаемых от нескольких источников ионов, размещенных в вакуумной камере.As in the first embodiment of the method, in the second embodiment, when scanning a contaminated surface of a product, several ion beams obtained from several ion sources placed in a vacuum chamber can be used.
Это дает возможность осуществлять очистку больших по площади масок;This makes it possible to clean large area masks;
обеспечить высокую скорость очистки разных по площади масок;provide high speed cleaning of masks of different sizes;
- 4 008187 значительно снизить нагрев очищаемой поверхности;- 4 008187 significantly reduce the heating of the surface being cleaned;
свести к нулю уход от первоначальных геометрических размеров маски;reduce to zero the departure from the initial geometric dimensions of the mask;
обеспечить высокую производительность и качество очистки.provide high performance and cleaning quality.
Предлагаемое в качестве изобретения устройство существенным образом отличается от известных устройств аналогичного назначения и предназначено для осуществления заявленного в качестве изобретения способа (обоих вариантов его осуществления).The device proposed as an invention differs significantly from known devices of a similar purpose and is intended to implement the method claimed as the invention (both variants of its implementation).
Каждую из вышеуказанных задач решают конструктивные элементы заявленного устройства.Each of the above tasks is solved by the structural elements of the claimed device.
Использование охлаждаемого держателя позволяет решить вопросы, связанные с отводом тепла с обрабатываемой поверхности изделия.The use of a cooled holder allows you to solve issues related to heat removal from the treated surface of the product.
При сканировании обрабатываемой поверхности изделия пучком ионов, в случае отсутствия охлаждаемого держателя, происходит локальный нагрев изделия, в результате чего происходит не только изменение его первоначальных геометрических размеров, но и полная деформация.When scanning the treated surface of the product with an ion beam, in the absence of a cooled holder, local heating of the product occurs, resulting in not only a change in its initial geometric dimensions, but also complete deformation.
В случае использования охлаждаемого держателя, благодаря тому, что необрабатываемая поверхность сверхтонкой маски примыкает к охлаждаемому держателю, а теплоемкость ее ничтожно мала, отвод тепла от изделия одинаково эффективен как для участков изделия, обрабатываемых в данный момент времени, так и для необрабатываемых участков изделия. Это, по сути дела, означает практическое равенство температуры по всей поверхности изделия и, следовательно, исключает его деформацию.In the case of using a cooled holder, due to the fact that the untreated surface of the ultrafine mask adjoins the cooled holder, and its heat capacity is negligible, the heat removal from the product is equally effective both for sections of the product being processed at a given time and for unprocessed sections of the product. This, in essence, means the practical equality of temperature over the entire surface of the product and, therefore, eliminates its deformation.
На решение этой же задачи направлено использование прижимного механизма, который обеспечивает надежный тепловой контакт необрабатываемой поверхности маски с охлаждаемым держателем.The use of a clamping mechanism, which provides reliable thermal contact of the untreated mask surface with a cooled holder, is aimed at solving the same problem.
В данном устройстве функцию прижимного механизма выполняет многополюсная магнитная система, представленная в виде комплекта постоянных магнитов и установленная, например, над охлаждаемым держателем внутри вакуумной камеры.In this device, the function of the clamping mechanism is performed by a multi-pole magnetic system, presented in the form of a set of permanent magnets and installed, for example, above the cooled holder inside the vacuum chamber.
Такая система обеспечивает плотный тепловой контакт охлаждаемого держателя с необрабатываемой поверхностью изделия, поскольку маска выполнена из магнитного материала и замыкает многополюсную магнитную систему прижимного механизма.Such a system provides close thermal contact of the cooled holder with the non-machined surface of the product, since the mask is made of magnetic material and closes the multipolar magnetic system of the clamping mechanism.
Таким образом, прижимной механизм еще больше увеличивает отвод тепла с поверхности изделия, а значит, повышает качество его обработки.Thus, the clamping mechanism further increases the heat removal from the surface of the product, and therefore, improves the quality of its processing.
Источник ионов, выполненный с возможностью изменения координаты пересечения ионного пучка с обрабатываемой (загрязненной) поверхностью изделия, позволяет осуществлять равномерное сканирование (обработку) ионным пучком больших по площади поверхностей, т.е. теневых масок большого размера.The ion source, configured to change the coordinate of the intersection of the ion beam with the treated (contaminated) surface of the product, allows uniform scanning (processing) of the ion beam of large surface areas, i.e. large shadow masks.
Согласно изобретению источник ионов размещен в установочном элементе, который, в свою очередь, снабжен поворотным механизмом, обеспечивающим поворот установочного элемента вместе с источником ионов на определенный угол. И, кроме того, в конструкции устройства предусмотрена возможность изменения скорости поворота установочного элемента.According to the invention, the ion source is placed in the mounting element, which, in turn, is equipped with a rotary mechanism that rotates the mounting element together with the ion source by a certain angle. And, in addition, the design of the device provides the ability to change the speed of rotation of the installation element.
При этом угол поворота источника ионов вместе с установочным элементом определяют: количество источников, установленных в вакуумной камере и размер (площадь) изделия.In this case, the angle of rotation of the ion source together with the installation element determines: the number of sources installed in the vacuum chamber and the size (area) of the product.
Возможность регулирования угла поворота источника ионов обеспечивает возможность изменения скорости сканирования поверхности изделия пучком ионов, а это в свою очередь позволяет регулировать температуру нагрева изделия при его обработке, то есть осуществлять дополнительное снижение температуры нагрева обрабатываемой поверхности, что предотвращает перегрев, повреждение и деформацию маски.The ability to control the angle of rotation of the ion source provides the ability to change the scanning speed of the surface of the product with an ion beam, and this, in turn, allows you to adjust the heating temperature of the product during its processing, that is, to further reduce the heating temperature of the treated surface, which prevents overheating, damage and deformation of the mask.
Размещение установочного элемента параллельно продольным осям источников ионов и охлаждаемого держателя дает возможность производить однородную обработку изделий большой площади.Placing the mounting element parallel to the longitudinal axes of the ion sources and the cooled holder makes it possible to perform uniform processing of large area products.
На решение этой же задачи направлено наличие зазора между источником ионов и охлаждаемым держателем.To solve this problem, the presence of a gap between the ion source and the cooled holder is directed.
Количество источников ионов, используемых в вакуумной камере для обработки изделия, определено размерами (площадью) изделия и величиной зазора между охлаждаемым держателем и источником ионов. При этом величина зазора напрямую зависит от объема вакуумной камеры и требований, предъявляемых к производительности устройства.The number of ion sources used in the vacuum chamber to process the product is determined by the size (area) of the product and the gap between the cooled holder and the ion source. Moreover, the size of the gap directly depends on the volume of the vacuum chamber and the requirements for the performance of the device.
Наличие всех перечисленных конструктивных особенностей устройства способствует повышению скорости очистки, предотвращению повреждений и деформации очищаемой поверхности и, как следствие, повышению качества очистки загрязненной поверхности маски и производительности устройства.The presence of all the listed design features of the device helps to increase the cleaning speed, prevent damage and deformation of the surface being cleaned and, as a result, improve the quality of cleaning the contaminated surface of the mask and the performance of the device.
Возможность использования в предлагаемой конструкции двух и более источников ионов позволяет осуществлять равномерную обработку поверхности в разных направлениях, позволяет повысить скорость очистки и сканирования и осуществить обработку больших по площади изделий.The possibility of using two or more ion sources in the proposed design allows for uniform surface treatment in different directions, improves the speed of cleaning and scanning, and enables processing of large area products.
Параллельное расположение установочных элементов двух и более источников ионов, лежащих в одной плоскости, параллельной плоскости изделия, и непараллельное расположение установочных элементов двух и более источников ионов, лежащих в разных плоскостях, значительно улучшает качество обработки всех горизонтально и вертикально ориентированных стенок маски при их очистке, толщина которых соизмерима с размерами отверстий в маске.The parallel arrangement of the installation elements of two or more ion sources lying in one plane parallel to the plane of the product, and the non-parallel arrangement of the installation elements of two or more ion sources lying in different planes, significantly improves the quality of processing of all horizontally and vertically oriented walls of the mask when they are cleaned, whose thickness is commensurate with the size of the holes in the mask.
- 5 008187- 5 008187
Возможность перемещения прижимного механизма в направлении перпендикулярном плоскости изделия обеспечивает свободное, беспрепятственное отделение изделия от охлаждаемого держателя и извлечение маски из зоны очистки по окончании процесса.The ability to move the clamping mechanism in the direction perpendicular to the plane of the product provides free, unobstructed separation of the product from the cooled holder and the removal of the mask from the cleaning zone at the end of the process.
Конструкция заявленного в качестве изобретения устройства такова, что оно позволяет реализовать оба варианта способа.The design of the claimed as an invention of the device is such that it allows you to implement both versions of the method.
Разница заключается лишь в том, что при осуществлении способа по первому варианту, прижимной механизм, используемый в конструкции устройства, не задействован и контакт изделия с поверхностью охлаждаемого держателя будет не очень плотным.The only difference is that when implementing the method according to the first embodiment, the clamping mechanism used in the design of the device is not involved and the contact of the product with the surface of the cooled holder will not be very tight.
На фиг. 1, 2 и 3 представлены чертежи предлагаемого в качестве изобретения устройства, предназначенного для реализации способа по обоим вариантам.In FIG. 1, 2 and 3 are drawings of a device proposed as an invention, intended for implementing the method according to both variants.
На фиг. 1 - общая схема устройства с одним источником ионов; на фиг. 2 - общая схема устройства с тремя источниками ионов и на фиг. 3 - схема устройства с взаимно перпендикулярным расположением одного из источников по отношению к двум другим.In FIG. 1 is a general diagram of a device with one ion source; in FIG. 2 is a general diagram of a device with three ion sources, and in FIG. 3 is a diagram of a device with a mutually perpendicular arrangement of one of the sources with respect to the other two.
Устройство, предназначенное для реализации способа очистки изделий, например теневых масок в производстве ΘΕΕΌ дисплеев и его вариантов, содержит вакуумную камеру 1 с отверстием 1,' предназначенным для ввода изделия в вакуумную камеру, источник 2 ионов с эмиссионной поверхностью 3, изделие (маска) 4 с обрабатываемой 5 поверхностью и необрабатываемой 6 поверхностью, охлаждаемый держатель 7, прижимной механизм 8, выполненный в виде магнитной системы 9, установочный элемент 10 и поворотный механизм 11.A device designed to implement a method of cleaning products, such as shadow masks in the manufacture of displays его and its variants, contains a vacuum chamber 1 with an opening 1, 'intended for introducing the product into the vacuum chamber, a source of 2 ions with an emission surface 3, the product (mask) 4 with surface 5 being machined and surface 6 not being machined, a cooled holder 7, a clamping mechanism 8, made in the form of a magnetic system 9, a mounting element 10 and a rotary mechanism 11.
При этом выходы установочного элемента 10 размещены за пределами вакуумной камеры 1, а поворотный механизм 11 расположен вне вакуумной камеры и на фиг. 1 показан условно. Все остальные элементы конструкции установлены внутри вакуумной камеры 1.The outputs of the mounting element 10 are located outside the vacuum chamber 1, and the rotary mechanism 11 is located outside the vacuum chamber and in FIG. 1 is shown conditionally. All other structural elements are installed inside the vacuum chamber 1.
Прижимной механизм 8, выполненный в виде многополюсной магнитной системы 9, представляющей собой комплект постоянных магнитов, изначально установлен на некотором расстоянии от охлаждаемого держателя 7.The clamping mechanism 8, made in the form of a multi-pole magnetic system 9, which is a set of permanent magnets, is initially installed at a certain distance from the cooled holder 7.
Однако предусмотренная в конструкции устройства возможность перемещения прижимного механизма в направлении перпендикулярном поверхности маски 4, выполненной из магнитного материала, позволяет замкнуть магнитный поток многополюсной магнитной системы. Поэтому при приближении прижимного механизма 8 к охлаждаемому держателю 7 изделие 4, замыкая поля магнитной системы 9, прижимается (притягивается) необрабатываемой 6 поверхностью к фронтальной поверхности охлаждаемого держателя 7. Это прижатие обеспечивает надежный плотный тепловой контакт между маской 4 и охлаждаемым держателем 7.However, the possibility of moving the clamping mechanism provided in the design of the device in the direction perpendicular to the surface of the mask 4 made of magnetic material allows the magnetic flux of the multi-pole magnetic system to be closed. Therefore, when the pressing mechanism 8 approaches the cooled holder 7, the product 4, closing the fields of the magnetic system 9, is pressed (drawn) by the non-machined surface 6 to the front surface of the cooled holder 7. This pressing provides reliable tight thermal contact between the mask 4 and the cooled holder 7.
В заявляемом устройстве обрабатываемая 5 поверхность маски 4 направлена в сторону эмиссионной поверхности 3 источника ионов 2, а необрабатываемая 6 поверхность маски 4 примыкает к охлаждаемому держателю 7.In the claimed device, the surface 5 of the mask 4 being processed 5 is directed towards the emission surface 3 of the ion source 2, and the surface of the mask 4 which is not processed 6 is adjacent to the cooled holder 7.
Установочный элемент 10, в котором размещен источник 2 ионов, снабжен поворотным механизмом 11, обеспечивающим поворот источника 2 ионов вместе с установочным элементом 10.The installation element 10, in which the ion source 2 is placed, is provided with a rotary mechanism 11, which provides rotation of the ion source 2 together with the installation element 10.
Устройство, предназначенное для реализации способа (варианты) работает следующим образом.A device designed to implement the method (options) works as follows.
Изделие, например теневую маску, помещенную в транспортную кассету, вводят в отверстие 1', выполненное в вакуумной камере 1.The product, for example a shadow mask placed in the transport cartridge, is introduced into the hole 1 'made in the vacuum chamber 1.
Маска 4 входит в охлаждаемый держатель 7, размещенный в вакуумной камере 1, таким образом, чтобы обрабатываемая 5 поверхность изделия 4 была обращена в сторону эмиссионной поверхности 3 источника 2 ионов, размещенного в установочном элементе 10, снабженном поворотным механизмом 11.The mask 4 is included in the cooled holder 7, placed in the vacuum chamber 1, so that the surface 5 of the product 4 being machined is facing the emission surface 3 of the ion source 2, which is located in the mounting element 10, equipped with a rotary mechanism 11.
Причем, установочный элемент 10 размещен параллельно продольным осям источника 2 ионов и охлаждаемого держателя 7. А источник 2 ионов размещен в установочном элементе 10 с зазором по отношению к охлаждаемому держателю 7.Moreover, the mounting element 10 is placed parallel to the longitudinal axes of the ion source 2 and the cooled holder 7. And the ion source 2 is placed in the mounting element 10 with a gap with respect to the cooled holder 7.
После установки маски 4 в охлаждаемом держателе 7 прижимной механизм 8, при необходимости, начинает перемещаться в направлении вертикально вниз, то есть к поверхности охлаждаемого держателя 7.After installing the mask 4 in the cooled holder 7, the pressing mechanism 8, if necessary, begins to move in the direction vertically downward, that is, to the surface of the cooled holder 7.
Поскольку маска 4 выполнена из магнитного материала, она замыкает магнитный поток магнитной системы 9 и прижимной механизм 8, плотно прижимает изделие 4 к охлаждаемому держателю 7, обеспечивая надежный тепловой контакт между изделием 4 и охлаждаемым держателем 7.Since the mask 4 is made of magnetic material, it closes the magnetic flux of the magnetic system 9 and the clamping mechanism 8, tightly presses the product 4 to the cooled holder 7, providing reliable thermal contact between the product 4 and the cooled holder 7.
После установки маски 4 в вакуумной камере 1 и ее прижатия к охлаждаемому держателю 7, отверстие 1' вакуумной камеры 1 герметично закрывают и давление в камере доводят до заданного рабочего (например, 5-10-4 - 10-3 Па).After installing the mask 4 in the vacuum chamber 1 and pressing it against the cooled holder 7, the hole 1 'of the vacuum chamber 1 is hermetically closed and the pressure in the chamber is adjusted to a predetermined working one (for example, 5-10 -4 - 10 -3 Pa).
Затем в источник 2 ионов подают смесь рабочих газов, включают его и полученным пучком ионов ленточного типа начинают сканировать обрабатываемую 5 (загрязненную) поверхность маски 4.Then, a mixture of working gases is supplied to the ion source 2, it is turned on, and the obtained beam of ribbon type ions begins to scan the treated 5 (contaminated) surface of the mask 4.
Одновременно извне вакуумной камеры 1 в охлаждаемый держатель 7 подают хладагент (например, холодную воду) для обеспечения отвода тепла с обрабатываемой 5 поверхности изделия 4.At the same time, refrigerant (for example, cold water) is supplied to the cooled holder 7 from the outside of the vacuum chamber 1 to ensure heat removal from the surface 5 of the article 4 being treated.
Во избежание перегрева обрабатываемой 5 поверхности изделия 4 источник 2 ионов, размещенный в установочном элементе 10, с помощью поворотного механизма 11 поворачивают таким образом, чтобы обеспечить изменение координаты пересечения пучка ионов с обрабатываемой 5 поверхностью изделия 4.In order to avoid overheating of the surface 5 of the product 4 being treated, the ion source 2 located in the mounting element 10 is rotated by means of the rotary mechanism 11 in such a way as to ensure a change in the coordinate of the intersection of the ion beam with the surface 5 of the product 4 being treated.
- 6 008187- 6 008187
Это делают для того, чтобы, с одной стороны, большая по площади обрабатываемая 5 поверхность изделия 4 обрабатывалась пучком ионов однородно, а с другой, чтобы период нагрева конкретного участка под воздействием пучка ионов сменялся охлаждением и таким образом не происходил перегрев сверхтонкого изделия во время очистки.This is done so that, on the one hand, the large surface treated by the surface 5 of the product 4 is treated uniformly by the ion beam, and on the other hand, so that the heating period of a particular section under the influence of the ion beam is replaced by cooling and thus the superfine product does not overheat during cleaning .
Перемещение пучка ионов в таком режиме исключает перегрев обрабатываемой 5 поверхности в целом, а также в отдельных ее точках, т. к. охлаждаемый держатель 7 осуществляет равномерный отвод тепла с обрабатываемой поверхности 5 изделия 4.Moving the ion beam in this mode eliminates overheating of the surface 5 treated as a whole, as well as at its individual points, since the cooled holder 7 evenly removes heat from the surface 5 of the product 4.
Кроме того, прижимной механизм 8, представляющий собой многополюсную магнитную систему 9, выполненную в виде комплекта постоянных магнитов, плотно прижимает изделие 4 к охлаждаемому держателю 7, что также увеличивает отвод тепла от обрабатываемой 5 поверхности изделия (фиг. 1).In addition, the clamping mechanism 8, which is a multi-pole magnetic system 9, made in the form of a set of permanent magnets, tightly presses the product 4 to the cooled holder 7, which also increases the heat dissipation from the treated surface 5 of the product (Fig. 1).
Такая конструкция устройства позволяет осуществить эффективный равномерный отвод тепла с необрабатываемой и обрабатываемой поверхностей изделия;This design of the device allows for effective uniform heat removal from unprocessed and machined surfaces of the product;
повысить скорость и снизить время обработки изделия;increase speed and reduce product processing time;
не допустить перегрев изделия, а значит и его деформацию;prevent overheating of the product, and hence its deformation;
осуществить эффективную и качественную обработку горизонтальных поверхностей изделия, не приводя к повреждению ее вертикальных частей. В предлагаемом устройстве можно использовать не один, а несколько источников ионов, например три (фиг. 2) и более.to carry out effective and high-quality processing of horizontal surfaces of the product, without causing damage to its vertical parts. In the proposed device, you can use not one but several sources of ions, for example three (Fig. 2) or more.
Использование нескольких источников ионов позволяет во-первых, повысить скорость и однородность очистки поверхности масок большого размера;The use of several ion sources allows, firstly, to increase the speed and uniformity of cleaning the surface of large-sized masks;
во-вторых, сократить время очистки до времени рабочего такта оборудования по производству ΘΕΕΌ дисплеев, где используются маски;secondly, to reduce the cleaning time to the time of the working cycle of the equipment for the production of displays, where masks are used;
в-третьих, гарантировать сохранение первоначальных геометрических размеров рисунка маски и избежать каких-либо, даже незначительных, повреждений ее материала.thirdly, to guarantee the preservation of the initial geometric dimensions of the pattern of the mask and to avoid any, even minor, damage to its material.
Такое устройство позволяет очищать от органических и неорганических наслоений сверхтонкие теневые маски (от 15 до 60 мкм), площадь которых может находиться в пределах от 1200 до 3600 см2.This device allows you to clean from organic and inorganic layers of ultrafine shadow masks (from 15 to 60 microns), the area of which can be in the range from 1200 to 3600 cm 2 .
Пример конкретного применения устройстваAn example of a specific application of the device
На предлагаемом устройстве, входящем в состав единой вакуумной системы кластерной установки для производства ΘΕΕΌ дисплеев, осуществляли очистку сверхтонких теневых масок (от 15 до 60 мкм), площадью 2320 см2 (540х430мм).On the proposed device, which is part of a single vacuum system of a cluster installation for the production of ΘΕΕΌ displays, ultra-thin shadow masks (from 15 to 60 μm) were cleaned with an area of 2320 cm 2 (540x430 mm).
Предварительно изделие 4 (маску), толщина которой составляет 40 мкм, помещают в транспортную кассету и вводят в рабочую вакуумную камеру, где через маску осуществляют напыление материала на подложку.Preliminarily, the product 4 (mask), whose thickness is 40 μm, is placed in the transport cassette and introduced into the working vacuum chamber, where the material is sprayed onto the substrate through the mask.
После проведения нескольких циклов напыления маску необходимо очистить от образовавшихся на ее поверхности органических и неорганических наслоений для дальнейшего использования в производстве.After several spraying cycles, the mask must be cleaned of organic and inorganic layers formed on its surface for further use in production.
С этой целью загрязненную поверхность маски вместе с транспортной кассетой перемещают из рабочей вакуумной камеры в транспортную вакуумную камеру, а оттуда - в вакуумную камеру очистки.To this end, the contaminated surface of the mask together with the transport cartridge is moved from the working vacuum chamber to the transport vacuum chamber, and from there to the cleaning vacuum chamber.
Далее дано описание работы устройства для реализации заявленного способа и его вариантов в вакуумной камере очистки (по тексту - вакуумная камера).The following is a description of the operation of the device for implementing the inventive method and its variants in a vacuum cleaning chamber (in the text - a vacuum chamber).
Транспортную кассету с загрязненной маской вводят в отверстие 1' вакуумной камеры 1 и помещают в охлаждаемый держатель 7, размещенный в вакуумной камере 1.A transport cartridge with a contaminated mask is introduced into the hole 1 'of the vacuum chamber 1 and placed in a cooled holder 7 located in the vacuum chamber 1.
Прижимной механизм 8, при необходимости, опускают на поверхность охлаждаемого держателя 7, обратную по отношению к той поверхности держателя, на которой закреплена маска. При этом маска своей необрабатываемой поверхностью прижимается к охлаждаемому держателю 7.The clamping mechanism 8, if necessary, is lowered to the surface of the cooled holder 7, inverse with respect to that surface of the holder on which the mask is fixed. In this case, the mask with its non-machined surface is pressed against the cooled holder 7.
После фиксации маски 4 с помощью прижимного механизма 8 в охлаждаемом держателе 7 давление внутри камеры 1 доводят до 10-3 Па.After fixing the mask 4 using the clamping mechanism 8 in the cooled holder 7, the pressure inside the chamber 1 is brought to 10 -3 Pa.
Обрабатываемую 5 поверхность маски 4 при установке в держатель 7 располагают напротив эмиссионной поверхности 3 источника 2 ионов, размещенного в вакуумной камере 1, а в охлаждаемый держатель 7 извне вакуумной камеры 1 подают холодную воду.The surface 5 of the mask 4 to be processed 5, when installed in the holder 7, is located opposite the emission surface 3 of the ion source 2 located in the vacuum chamber 1, and cold water is supplied to the cooled holder 7 from outside the vacuum chamber 1.
После этого в источник 2 ионов подают кислород или его смесь с инертными газами.After that, oxygen or its mixture with inert gases is supplied to the source of 2 ions.
В данном конкретном случае подавали смесь кислорода с аргоном (Аг), причем процентное соотношение газов в смеси с кислородом составляло 65:35%, соответственно. При этом температура воды, подаваемой извне вакуумной камеры 1, составляла от 15 до 18°С.In this particular case, a mixture of oxygen with argon (Ar) was supplied, and the percentage of gases in the mixture with oxygen was 65: 35%, respectively. The temperature of the water supplied from the outside of the vacuum chamber 1 ranged from 15 to 18 ° C.
Затем на анод источника 2 ионов подают положительный потенциал, равный 4 кВ, что приводит к зажиганию разряда, и источник 2 ионов формирует пучок ионов линейного типа, который обрабатывает поверхность 5 маски 4.Then, a positive potential of 4 kV is applied to the anode of the source of 2 ions, which leads to ignition of the discharge, and the source of 2 ions forms a beam of ions of a linear type, which processes the surface 5 of mask 4.
Размещенный в установочном элементе 10 источник 2 ионов с помощью поворотного механизма 11, установленного на элементе 10, поворачивается на ней на угол, равный ±60°, величина которого задана площадью обрабатываемой 5 поверхности (1200 см2) и количеством источников 2 ионов (в данном конкретном случае использованы два источника ионов), размещенных в вакуумной камере 1.The source of 2 ions located in the mounting element 10 with the help of a rotary mechanism 11 mounted on the element 10 is rotated on it by an angle equal to ± 60 °, the value of which is given by the surface area 5 to be treated (1200 cm 2 ) and the number of 2 ion sources (in this In a specific case, two ion sources were used), placed in a vacuum chamber 1.
- 7 008187- 7 008187
При этом скорость сканирования обрабатываемой 5 поверхности маски 4 пучком ионов регулируется поворотным механизмом 11, выполненным с возможностью изменения скорости поворота установочного элемента 10.In this case, the scanning speed of the surface 5 of the mask 4 being processed by the ion beam is regulated by a rotary mechanism 11, configured to change the rotation speed of the setting element 10.
Как правило, угол поворота элемента 10 вместе с источником 2 ионов находится в пределах от 90 до 140°, а скорость сканирования обрабатываемой 5 поверхности маски 4 при таком диапазоне угла поворота составляет от 0,8 до 1,0 м/с.As a rule, the angle of rotation of the element 10 together with the source of 2 ions is in the range from 90 to 140 °, and the scanning speed of the surface 5 of the mask 4 being processed in this range of the angle of rotation is from 0.8 to 1.0 m / s.
Время, в течение которого происходит полная очистка обрабатываемой 5 поверхности маски 4, лежит в диапазоне от 3 до 7 мин в зависимости от сорта органического материала, осажденного на маску 4 и ее площади.The time during which complete cleaning of the surface 5 of the mask 4 is carried out lies in the range from 3 to 7 minutes, depending on the type of organic material deposited on the mask 4 and its area.
В случае, когда размеры отверстий в маске соизмеримы с ее толщиной, становится проблематичной однородная по периметру этих отверстий очистка их вертикальных стенок, если сканирование осуществляют в одном направлении.In the case when the size of the holes in the mask is commensurate with its thickness, it becomes problematic to uniformly clean the vertical walls along the perimeter of these holes if scanning is carried out in one direction.
Для решения этой проблемы в вакуумной камере устанавливают три источника 2 ионов, каждый из которых размещают в отдельный установочный элемент 10. Причем два из них располагают параллельно друг другу, а третий перпендикулярно по отношению к ним (фиг. 3). Таким образом, два источника 2 размещены в одной плоскости и параллельны друг другу и плоскости изделия, а третий - перпендикулярно по отношению к первым двум (фиг. 3). И все три источника 2 ионов вместе с установочными элементами 10 лежат в разных плоскостях относительно обрабатываемой 5 поверхности маски 4 (на разных расстояниях от маски).To solve this problem, three sources of 2 ions are installed in the vacuum chamber, each of which is placed in a separate mounting element 10. Moreover, two of them are placed parallel to each other, and the third is perpendicular to them (Fig. 3). Thus, two sources 2 are placed in one plane and are parallel to each other and to the product plane, and the third is perpendicular to the first two (Fig. 3). And all three sources of 2 ions, together with the installation elements 10, lie in different planes relative to the surface 5 of the mask 4 being processed (at different distances from the mask).
Только так можно при наличии нескольких источников 2 ионов в вакуумной камере 1 достичь необходимого качества очистки поверхности изделия и обеспечить оптимальную величину всех параметров процесса: температуру, скорость, время и угол сканирования обрабатываемой 5 поверхности маски 4.Only in this way, if there are several sources of 2 ions in the vacuum chamber 1, it is possible to achieve the required quality of cleaning the surface of the product and ensure the optimal value of all process parameters: temperature, speed, time and scanning angle of the surface 5 of the mask 4.
Контроль и поддержание параметров технологического процесса очистки маски с помощью заявляемого устройства обеспечивается применением специализированных контроллеров и программируемых средств управления.Monitoring and maintaining the parameters of the technological process of cleaning the mask using the inventive device is ensured by the use of specialized controllers and programmable controls.
Предлагаемые в качестве изобретения способ и его варианты, а также устройство для реализации способа универсальны и уникальны при очистке теневых масок для производства ΟΕΕΌ дисплеев, поскольку на сегодняшний день не известны ни способы, ни устройства аналогичного назначения, позволяющие дать такие высокие выходные параметры, касающиеся очистки масок вообще и сверхтонких в частности, а именно время очистки маски внутри вакуумной камеры 3-7 мин;The method and its variants proposed as an invention, as well as the device for implementing the method, are universal and unique when cleaning shadow masks for the production of ΟΕΕΌ displays, since today neither methods nor devices of a similar purpose are known, which allow such high output parameters regarding cleaning masks in general and ultrafine in particular, namely, the cleaning time of the mask inside the vacuum chamber is 3-7 minutes;
температура маски в процессе очистки не более 50°С;mask temperature during cleaning no more than 50 ° С;
полное отсутствие повреждений маски;complete absence of mask damage;
отсутствие деформации маски;lack of deformation of the mask;
отсутствие необходимости извлечения маски из вакуумной камеры для проведения очистки ее поверхности для последующего использования.no need to remove the mask from the vacuum chamber to conduct cleaning of its surface for subsequent use.
Все заявляемые в качестве изобретения объекты направлены на снижение температуры нагрева обрабатываемой поверхности изделия;All claimed as an invention objects are aimed at reducing the heating temperature of the treated surface of the product;
повышение производительности процесса очистки изделия пучком ионов; исключение повреждений обрабатываемой поверхности при ее очистке;increasing the productivity of the process of cleaning the product with an ion beam; elimination of damage to the treated surface during its cleaning;
исключение деформации изделия (уход от первоначальных геометрических размеров); возможность обработки различных по площади изделий;exclusion of product deformation (avoiding the initial geometric dimensions); the ability to process products of various sizes;
возможность беспрепятственного отделения изделия от охлаждаемого держателя по окончании процесса обработки его поверхности;the possibility of unhindered separation of the product from the cooled holder at the end of the processing of its surface;
повышение качества обработки сверхтонких изделий, толщина которых лежит в диапазоне от 15 до 60 мкм.improving the quality of processing ultra-thin products, the thickness of which lies in the range from 15 to 60 microns.
Предлагаемые в качестве изобретения способ (варианты) и устройство для его осуществления являются промышленно применимыми, простыми в осуществлении процесса очистки теневых масок в производственных условиях, обеспечивают высокое качество очистки, высокую воспроизводимость масок и высокую производительность.Proposed as an invention, the method (options) and device for its implementation are industrially applicable, simple to implement the process of cleaning shadow masks in production conditions, provide high quality cleaning, high reproducibility of masks and high performance.
Источники информацииInformation sources
1. 81иат1 А. Ноешд/С1еашпд 8игГасс8 \νί11ι Оту 1се//Сошрте88еб Αίτ Мадахшс. Аидиз! 1986, р.22-24;1. 81iat1 A. Noeshd / C1eashpd 8igGass8 \ νί11ι Otu 1se // Sochrte88eb Αίτ Madahshs. Aidiz! 1986, p. 22-24;
2. Патент ЕР №0461476 от 29.05.91, МПК: Н01Ь 21/306;2. EP patent No. 0461476 from 05.29.91, IPC: H01 21/306;
3. Патент №2195046, МПК Н01Ь 3/06, опубл. 20.12.2002 г.;3. Patent No. 2195046, IPC Н01Ь 3/06, publ. December 20, 2002;
4. Патент №2071992, МПК С23С 14/46, опубл. 20.01.1997 г. (прототип).4. Patent No. 2071992, IPC С23С 14/46, publ. 01/20/1997 (prototype).
Claims (20)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200501086A EA008187B1 (en) | 2005-06-07 | 2005-06-07 | Method of cleaning shadow masks in display production and device therefor |
| CN200610081012A CN100577854C (en) | 2005-06-07 | 2006-05-19 | Method (variant) for cleaning shade in display production and apparatus for implementing the method |
| JP2006157099A JP2007007644A (en) | 2005-06-07 | 2006-06-06 | Cleaning method (deformation) and device of shadow mask in manufacture of display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200501086A EA008187B1 (en) | 2005-06-07 | 2005-06-07 | Method of cleaning shadow masks in display production and device therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA200501086A1 EA200501086A1 (en) | 2006-12-29 |
| EA008187B1 true EA008187B1 (en) | 2007-04-27 |
Family
ID=37509439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA200501086A EA008187B1 (en) | 2005-06-07 | 2005-06-07 | Method of cleaning shadow masks in display production and device therefor |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007007644A (en) |
| CN (1) | CN100577854C (en) |
| EA (1) | EA008187B1 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1998389B1 (en) | 2007-05-31 | 2018-01-31 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate |
| CN102934202B (en) | 2010-02-22 | 2015-05-13 | 株式会社富士金 | Mixture gas supply device |
| JP5478324B2 (en) * | 2010-03-30 | 2014-04-23 | 株式会社アルバック | Cleaning apparatus, film forming apparatus, and film forming method |
| KR20140130963A (en) * | 2013-05-02 | 2014-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Cleaning apparatus and cleaning method of organic materials |
| CN106540928A (en) * | 2016-10-24 | 2017-03-29 | 上海华力微电子有限公司 | For ohm Buddhist nun's probe repair needle device and Xiu Oumuni probes repair needle method |
| CN116347784A (en) * | 2023-04-03 | 2023-06-27 | 上海铭控传感技术有限公司 | Electronic circuit board cleaning system and method |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1237358A1 (en) * | 1984-04-04 | 1986-06-15 | Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт По Монтажным И Специальным Строительным Работам | Underlay for shaping back side of weld |
| SU1461595A1 (en) * | 1987-01-08 | 1989-02-28 | Институт Электросварки Им.Е.О.Патона | Method of unilateral welding |
| JPH0682369A (en) * | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Shincron:Kk | Method and apparatus for measuring refractive index of membrane |
| RU2071992C1 (en) * | 1991-12-24 | 1997-01-20 | Научно-производственное предприятие "Новатех" | Method of treating objects with an ion source |
| RU2089654C1 (en) * | 1993-10-26 | 1997-09-10 | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) | Device for cooling of substrates in vacuum |
| WO2000043119A1 (en) * | 1999-01-26 | 2000-07-27 | Symyx Technologies, Inc. | Programmable apparatus for graded composition coating by co-deposition |
| RU2155242C2 (en) * | 1998-01-13 | 2000-08-27 | Институт проблем машиноведения РАН | Device for applying coats under vacuum |
| JP2002241925A (en) * | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Ulvac Japan Ltd | Organic vapor deposition system, and organic thin film manufacturing method |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3050579B2 (en) * | 1990-09-12 | 2000-06-12 | 株式会社日立製作所 | Cleaning method and device |
| JP3365643B2 (en) * | 1992-07-06 | 2003-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | Ion implanter |
| JPH1064471A (en) * | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Hitachi Ltd | Ion-implanting device |
| US5922179A (en) * | 1996-12-20 | 1999-07-13 | Gatan, Inc. | Apparatus for etching and coating sample specimens for microscopic analysis |
| JP2000243598A (en) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Japan Atom Energy Res Inst | Neutral atom beam photo-ionization device |
| NL1015690C2 (en) * | 2000-07-12 | 2002-01-15 | Otb Group Bv | Lock for vacuum chamber. |
| JP2003173870A (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Sony Corp | Manufacturing device and manufacturing method of organic electroluminescent element |
-
2005
- 2005-06-07 EA EA200501086A patent/EA008187B1/en not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-05-19 CN CN200610081012A patent/CN100577854C/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-06 JP JP2006157099A patent/JP2007007644A/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1237358A1 (en) * | 1984-04-04 | 1986-06-15 | Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт По Монтажным И Специальным Строительным Работам | Underlay for shaping back side of weld |
| SU1461595A1 (en) * | 1987-01-08 | 1989-02-28 | Институт Электросварки Им.Е.О.Патона | Method of unilateral welding |
| RU2071992C1 (en) * | 1991-12-24 | 1997-01-20 | Научно-производственное предприятие "Новатех" | Method of treating objects with an ion source |
| JPH0682369A (en) * | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Shincron:Kk | Method and apparatus for measuring refractive index of membrane |
| RU2089654C1 (en) * | 1993-10-26 | 1997-09-10 | Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) | Device for cooling of substrates in vacuum |
| RU2155242C2 (en) * | 1998-01-13 | 2000-08-27 | Институт проблем машиноведения РАН | Device for applying coats under vacuum |
| WO2000043119A1 (en) * | 1999-01-26 | 2000-07-27 | Symyx Technologies, Inc. | Programmable apparatus for graded composition coating by co-deposition |
| JP2002241925A (en) * | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Ulvac Japan Ltd | Organic vapor deposition system, and organic thin film manufacturing method |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Danilin B.S. i dr. "Primenenie nizkotemperaturnoy plazmy dlya travleniya i ochistki materialov", M., Energoatomizdat, 1987, s. 27-29, tabl. 2.2 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA200501086A1 (en) | 2006-12-29 |
| CN1876888A (en) | 2006-12-13 |
| CN100577854C (en) | 2010-01-06 |
| JP2007007644A (en) | 2007-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5459326A (en) | Method for surface treatment with extra-low-speed ion beam | |
| JP5726928B2 (en) | Method and structure for reducing byproduct deposition in plasma processing systems | |
| EA008187B1 (en) | Method of cleaning shadow masks in display production and device therefor | |
| JP7122854B2 (en) | Plasma processing apparatus and member for plasma processing apparatus, or method for manufacturing plasma processing apparatus and method for manufacturing member for plasma processing apparatus | |
| JP5510437B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2003174012A5 (en) | ||
| JP6191887B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| WO2014065034A1 (en) | Plasma treatment device and method | |
| JPH0770509B2 (en) | Dry process equipment | |
| JP6465442B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| KR101164524B1 (en) | Laser processing apparatus which can control size of laser beam | |
| KR101688338B1 (en) | Plasma processing device, and plasma processing method | |
| JP6043968B2 (en) | Plasma processing method and electronic device manufacturing method | |
| JP5241169B2 (en) | Method for ion beam treatment of dielectric surface and apparatus for performing the method | |
| JPH0348421A (en) | Plasma treatment | |
| KR101210481B1 (en) | Methods of cleaning the shadow masks in the production of displays and decive for their realization | |
| JP2008047535A6 (en) | Method for ion beam treatment of dielectric surface and apparatus for performing the method | |
| JP2023088915A (en) | Texturing of surface without using bead blast | |
| JP5899422B2 (en) | Inductively coupled plasma processing apparatus and method | |
| TWI277230B (en) | Methods of cleaning the shadow masks in the production of displays (variants) and device for their realization | |
| JP2014060035A (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JPS6314862A (en) | Surface treatment device | |
| JP3513730B2 (en) | Laser annealing equipment | |
| JPS62278284A (en) | Surface treatment device | |
| JP2016119313A (en) | Plasma processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): BY RU |