DK2684635T3 - Substrat og fremgangsmåde til brudforberedelse af et substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent - Google Patents

Substrat og fremgangsmåde til brudforberedelse af et substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent Download PDF

Info

Publication number
DK2684635T3
DK2684635T3 DK13152444.9T DK13152444T DK2684635T3 DK 2684635 T3 DK2684635 T3 DK 2684635T3 DK 13152444 T DK13152444 T DK 13152444T DK 2684635 T3 DK2684635 T3 DK 2684635T3
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
substrate
edges
along
laser beam
insulating material
Prior art date
Application number
DK13152444.9T
Other languages
English (en)
Inventor
Norbert Krauss
Georg Theis
Original Assignee
Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg filed Critical Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg
Application granted granted Critical
Publication of DK2684635T3 publication Critical patent/DK2684635T3/da

Links

Classifications

    • H10P52/00—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/389—Removing material by boring or cutting by boring of fluid openings, e.g. nozzles, jets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H10P52/402—
    • H10P54/00—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Claims (10)

1. Fremgangsmåde til brudforberedelse af et substrat (1) til i det mindste en effekthalvlederkomponent med følgende fremgangsmådetrin: a) tilvejebringelse af substratet (1), hvor substratet (1) har et elektrisk ikke-ledende isoleringsmaterialelegeme (2), b) materialefjernelse på isoleringsmaterialelegemet (2) langs ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) af substratet (1), hvor materialefjernelsen gennemføres sådan, at der i hjørneområder (14), ved hvilke i det mindste to ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) mødes, langs de i det mindste to ønskede brudkanter gennemføres en materialefjernelse, der er højere i forhold til den materialefjernelse, der gennemføres i de øvrige områder (17) af de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E), kendetegnet ved, at den langs en ønsket brudkant (A,B,C,D,E) forløbende længde (b) af et hjørneområde (14) udgør 0,5 % til 30 % af den langs den ønskede brudkant (A,B,C,D,E) forløbende afstand (a) mellem to tilstødende hjørnepunkter (30) af den ønskede brudkant (A,B,C,D,E), ved hvilke i det mindste to ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) mødes.
2. Fremgangsmåde ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at materialefjernelsen gennemføres ved hjælp af en laserstråle (20) .
3. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendetegnet ved, at materialefjernelsen gennemføres ved hjælp af en pulserende laserstråle (20), og den pulserende laserstråle (20) med henblik på opnåelsen af materialefjernelsen langs de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) indfører fordybninger (18,18',18") i isoleringsmaterialelegemet (2).
4. Fremgangsmåde ifølge krav 3, kendetegnet ved, at i hjørneområder (14), ved hvilke i det mindste to ønskede brudkanter mødes, indføres der af laserstrålen (20) i isoleringsmaterialelegemet (2) flere fordybninger (18,18') pr. længdeenhed langs de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) end i de øvrige områder (17) af de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E).
5. Fremgangsmåde ifølge krav 4, kendetegnet ved, at fordybningerne (18,18',18") indføres af den pulserende laserstråle (20) i isoleringsmaterialelegemet (2), idet der i et første delfremgangsmådetrin af laserstrålen (20) langs de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) af substratet (1) indføres første fordybninger (18') i isoleringsmaterialelegemet (2), og der i et andet delfremgangsmådetrin af laserstrålen (20) i de hjørneområder (14), ved hvilke i det mindste to ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) mødes, langs de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) indføres anden fordybninger (18') i isoleringsmaterialelegemet (2).
6. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at de første og anden fordybninger (18,18') er anbragt sådan, at midterne (M) af de første og anden fordybninger (18,18') stemmer stedligt overens, eller midterne (M) af de første og anden fordybninger (18,18') er anbragt forskudt i forhold til hinanden.
7. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 2 til 6, kendetegnet ved, at i de hjørneområder (14), ved hvilke i det mindste to ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) mødes, er laserstrålens (20) effekt højere end laserstrålens (20) effekt i de øvrige områder (17) af de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E).
8. Fremgangsmåde ifølge krav 5 eller 6, kendetegnet ved, at ved det første og andet delfremgangsmådetrin har laserstrålen (20) den samme effekt.
9. Fremgangsmåde til brydning af et substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent, hvor fremgangsmåden indebærer en fremgangsmåde til brudforberedelse af et substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent ifølge et af de foregående krav, med følgende yderligere fremgangsmådetrin: c) brydning af substratet (1) langs de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) af substratet (1).
10. Substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent, hvor substratet (1) har et elektrisk ikke-ledende isoleringsmaterialelegeme (2), hvor der langs ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) af substratet (1) fjernes materiale af isoleringsmaterialelegemet (2), hvor der i hjørneområder (14), ved hvilke i det mindste to ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) mødes, langs de i det mindste to ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) fjernes mere materiale pr. længdeenhed end i de øvrige områder langs de ønskede brudkanter (A,B,C,D,E), kendetegnet ved, at den langs en ønsket brudkant (A,B,C,D,E) forløbende længde (b) af et hjørneområde (14) udgør 0,5 % til 30 % af den langs den ønskede brudkant (A,B,C,D,E) forløbende afstand (a) mellem to tilstødende hjørnepunkter (30) af den ønskede brudkant (A,B,C,D,E), ved hvilke i det mindste to ønskede brudkanter (A,B,C,D,E) mødes.
DK13152444.9T 2012-07-11 2013-01-24 Substrat og fremgangsmåde til brudforberedelse af et substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent DK2684635T3 (da)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012212131.5A DE102012212131A1 (de) 2012-07-11 2012-07-11 Substrat und Verfahren zur Bruchvorbereitung eines Substrats für mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK2684635T3 true DK2684635T3 (da) 2016-09-19

Family

ID=47665940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK13152444.9T DK2684635T3 (da) 2012-07-11 2013-01-24 Substrat og fremgangsmåde til brudforberedelse af et substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP2684635B1 (da)
KR (1) KR101677792B1 (da)
CN (1) CN103545195B (da)
DE (1) DE102012212131A1 (da)
DK (1) DK2684635T3 (da)
ES (1) ES2590481T3 (da)
HU (1) HUE030505T2 (da)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201505042D0 (en) * 2015-03-25 2015-05-06 Nat Univ Ireland Methods and apparatus for cutting a substrate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4318241C2 (de) * 1993-06-02 1995-06-29 Schulz Harder Juergen Metallbeschichtetes Substrat mit verbesserter Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturwechselbeanspruchung
DE4319944C2 (de) * 1993-06-03 1998-07-23 Schulz Harder Juergen Mehrfach-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung
JPH07273069A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
JPH08293476A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法および半導体ウエハならびにフォトマスク
JPH09253879A (ja) * 1996-03-25 1997-09-30 Hitachi Ltd レーザビームによる脆性基板の割断方法及び装置
DE19758452C2 (de) * 1997-03-01 2001-07-26 Schulz Harder Juergen Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates und Metall-Keramik-Substrat
US6407360B1 (en) * 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
DE19927046B4 (de) * 1999-06-14 2007-01-25 Electrovac Ag Keramik-Metall-Substrat als Mehrfachsubstrat
WO2005091389A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Showa Denko K.K. Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof
JP4694795B2 (ja) * 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
CN101939129A (zh) * 2007-11-07 2011-01-05 陶瓷技术股份公司 用于激光蚀刻脆性构件的方法
JP5100917B1 (ja) * 2011-12-20 2012-12-19 三菱電機株式会社 レーザ加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103545195A (zh) 2014-01-29
CN103545195B (zh) 2017-11-03
KR20140008243A (ko) 2014-01-21
ES2590481T3 (es) 2016-11-22
DE102012212131A1 (de) 2014-06-26
HUE030505T2 (hu) 2017-05-29
KR101677792B1 (ko) 2016-11-18
EP2684635B1 (de) 2016-06-08
EP2684635A1 (de) 2014-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7704383B2 (ja) ワイヤボンドを有するパワーオーバーレイ構造体およびその製造方法
KR102055458B1 (ko) 전력반도체 모듈
US20190355644A1 (en) Insulated Gate Bipolar Transistor Module and Manufacturing Method Thereof
KR20120098575A (ko) 전자 장치
CN103928408B (zh) 功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法
JP6125089B2 (ja) パワー半導体モジュールおよびパワーユニット
KR20180091011A (ko) 구리 세라믹 기판, 구리 세라믹 기판을 제조하기 위한 구리 반제품 및 구리 세라믹 기판의 제조 방법
JP6159563B2 (ja) 少なくとも１つのパワー半導体コンポーネント用の基板を製造するための方法
JP6741419B2 (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
JP6139329B2 (ja) セラミック回路基板及び電子デバイス
US10170401B2 (en) Integrated power module
JP5916651B2 (ja) 電力用半導体装置の製造方法
KR20200005665A (ko) 금속-세라믹 기판의 레이저 어블레이션 방법； 해당 기판
US9543247B1 (en) Surface-mount electronic component
US9484294B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
DK2684635T3 (da) Substrat og fremgangsmåde til brudforberedelse af et substrat til i det mindste en effekthalvlederkomponent
KR102020070B1 (ko) 전력반도체 모듈 및 전력반도체 모듈의 제조 방법
KR20150009667A (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
CN105074913B (zh) 陶瓷衬底上的多层金属化
US20170271236A1 (en) Substrate for semiconductor devices
US9445497B2 (en) Semiconductor device
JP2020526927A (ja) 端子の脚部の下方の金属化層のディンプルを含むパワー半導体モジュール
JP6616166B2 (ja) 回路基板および電子装置
US12232253B2 (en) Printed circuit board
JP6367701B2 (ja) 回路基板およびその製造方法