DK142062B - Fremgangsmaade og apparat til digelfri zonesmeltning af halvlederstave ved hjaelp af en varmespole - Google Patents

Fremgangsmaade og apparat til digelfri zonesmeltning af halvlederstave ved hjaelp af en varmespole Download PDF

Info

Publication number
DK142062B
DK142062B DK212573AA DK212573A DK142062B DK 142062 B DK142062 B DK 142062B DK 212573A A DK212573A A DK 212573AA DK 212573 A DK212573 A DK 212573A DK 142062 B DK142062 B DK 142062B
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
control
semiconductor rod
sizes
semiconductor
circuit
Prior art date
Application number
DK212573AA
Other languages
English (en)
Other versions
DK142062C (da
Inventor
W Keller
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of DK142062B publication Critical patent/DK142062B/da
Application granted granted Critical
Publication of DK142062C publication Critical patent/DK142062C/da

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • C30B13/30Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1004Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

142062 i
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til digelfri zonesmeltning af en halvlederstav ved hjælp af en varme-spole, som aksialt omslutter halvlederstaven og kan forskydes parallelt med dennes akseretning, hvilken spole 5 fødes med elektrisk højfrekvensenergi og ved induktiv opvarmning tilvejebringer en gennem halvlederstaven vandrende smeltezone, ved hvilken fremgangsmåde den aksiale afstand mellem de to faste dele af halvlederstaven, der bærer smeltezonen, styres med en første 10 regulering samtidigt med, at energitilførslen til smeltezonen styres med en anden regulering, idet reguleringerne hver sker ved hjælp af afvigelsen af en smeltezonens tilstand bestemmende reguleringsstørrelse fra den tilsvarende bør-værdi, hvorved der som regule-15 ringsstørrelser anvendes frekvensen af den fra en HF-generator over en som elektrisk svingningskreds udformet varmestrømkreds til varmespolen afgivne varmstrøm, samt styrken af den til HF-generatoren førte anodestrøm.
Sådanne fremgangsmåder kendes og en beskrevet 20 udførligt i litteraturen, f.eks. i tysk patentskrift nr. 1.277.813. Principielt består fremgangsmåden i, at en varmespole, som omgiver halvlederstaven ringformet, føres i stavens længderetning, og at halvlederstaven ved induktiv opvarmning smeltes i det område, hvor varme-25 spolen befinder sig. Ved at føre smeltezonen gennem halvlederstaven opnås en omdannelse af halvlederstaven fra polykrystallinsk til enkrystallinsk materiale samt en rensning af materialet og en påvirkning af stavdiameteren.
30 Stavdiameteren kan i første linie påvirkes af størrelsen og formen af det emeltede volumen af smeltezonen, som kan bestemmes ved hjælp af stræknings-opstem-ningsmekanismen og ved tilføringen af højfrekvensener-gien. Med denne fremgangsmåde med anodestrømmen eller 35 varmekredsspændingen og generatorfrekvensen som reguleringsstørrelser trækkes der i overensstemmelse med et forelagt program for generatorfrekvens og anodestrøm (= varmestrøm) overgange fra den tynde kimkrystal til 2 1A 2 O 6 2 den foreskrevne diameter af halvlederstaven, og ligeledes reguleres diameteren til konstant værdi.
Det har imidlertid vist sig, at der med den tidligere anvendte elektriske diameterregulering med de to 5 reguleringsstørrelser - anodestrøm (= varmestrøm) eller varmekredsspænding og generatorfrekvens - ikke kan udreguleres for afvigelser fra den ønskede diameter af størrelsesordenen ca. 5 %, hvilket ikke kan tilfredsstille kravene ved den tendens, der findes til fremstil-10 ling af halvlederstave med større diameter på op til 100 mm og mere.
Disse afvigelser hidrører f.eks. fra, at det smeltede volumen af den induktivt med varmestrømkredsen koblede smeltezone af halvlederstaven inden for visse 15 grænser kan antage forskellige former og størrelser i afhængighed af trækningsprocessens forløb.
Ved varierende form af smeltezonen fås forskellige koblingsmodstande, og forløbet af den komplekse modstand af varmestrømkredsen ændrer sig med frekvensen.
20 Herved fås der imidlertid også forskelige resonanskurver, dvs. at resonansfrekvens, resonansmaksimum og hermed godhed og halwærdibredde af varmekredsen varierer med smeltezonens form. Alligevel kan kurverne skæres i trækningsprocessens arbejdspunkt.
25 Dette resulterer i, at stavdiameteren ved regule ring med to reguleringsstørrelser kan varierer i et vist område, f.eks. på grund af forskellige trækningsprocesforløb, uden at variationerne kan udreguleres ved denne fremgangsmåde.
30 Opfindelsen går ud på at udelukke diameterafvi geiserne ved den tidligere kendte elektriske diameterregulering med to reguleringsstørrelser.
Dette opnås ifølge opfindelsen ved, at der som tredje reguleringsstørrelse anvendes den ved hjælp af 35 spændingen på varmestrømkredsen vurderede godhed af denne kreds, og ved, at i det mindste en af de to reguleringer styres skiftevis af i det mindste to reguleringsstørrelser .
3 142062
Ved en grundregulering af diameteren ved hjælp af generatorfrekvensen og stræknings-opstemningsmekanismen tjener herved den ene af de tre reguleringsstørrelser, nemlig generatorfrekvens, anodestrøm eller varmestrøm-5 kredsspænding - efter sammenligning med de ønskede værdier - til regulering af stræknings-opstemnings-mekanismen eller generatorfrekvensen, medens de to andre reguleringsstørrelser skiftevis indkobles til regulering af henholdsvis generatorfrekvensen eller 10 stræknings-opstemningsmekanismen.
Stræknings-opstemningsmekanismen udgør det ene reguleringsobjekt og HF-generatorens frekvensindstillingsorgan det andet. Ved begrebet "stræknings-opstemningsmekanisme" skal forstås de i forhold til 15 hinanden aksialt forskydelige, holdere for halvlederstavens to ender, samt de drivmidler, der bevirker en forskydning på veldefineret måde, fi.eke. indstillings-motor og et mekanisk drev, der overfører bevægelsen.
Ved hjælp af den information, der tilføres en til 20 stræknings-opstemningsmekanismen knyttet reguleringskreds, bliver smeltezonen enten trykket noget sammen, dvs. opstemmet, eller trukket ud, dvs. strakt, hvorved der sker en ændring af det udkrystalliserede halvledermateriales diameter.
25 Med opfindelsen opnås den fordel, at halvleder staven kan trækkes med mere konstant diameter end ved trækningen med to reguleringsstørrelser.
Til bedre indbyrdes udligning, dvs. til opnåelse af en særlig ensartethed for alle zonesmeltningsproces-30 ser kan de tre reguleringsstørrelser ifølge opfindelsen tilføres begge reguleringerne i cyklisk ombytning.
Ifølge opfindelsen kan en ændring af tilførlngen af reguleringsstørrelserne til reguleringerne hensigtsmæssigt først ske, når er-værdien for en regulerings-35 størrelse er blevet lig med dennes bør-værdi. Det kan imidlertid være enklere, hvis ifølge opfindelsen reguleringen for den aksiale afstand mellem de to fast® dele af halvlederstaven, der bærer smeltezone, får fast 142062 4 tilført kun den ene af de tre reguleringsstørrelser.
Opfindelsen angår også et apparat til udøvelse af fremgangsmåden ifølge opfindelsen, indeholdende et første reguleringsobjekt, der bestemmer afstanden mellem 5 de to faste stavdele, som bærer smeltezonen, et andet reguleringsobjekt, som bestemmer energitilførslen til smeltezonen via frekvensen af den fra en HF-generator afgivne strøm, en delreguleringskreds med en er-værdi-måler for generatorfrekvensen, en bør-værdigiver og en 10 komparator og en anden delreguleringskreds med en anden er-værdimåler for generatorens anodestrøm, en anden bør-værdigiver og en anden komparator, hvilket apparat er ejendommeligt ved en tredje delreguleringskreds med en tredje er-værdimåler for spændingen på varmestrøm -15 kredsen, en tredje bør-værdigiver og en tredje komparator, samt en omskifter til at knytte hver af de to reguleringsobjekter til en af delreguleringskredsene, hvilkén omskifter er således udformet, at der ved hver betjening af omskifteren sker en omkobling af i det 20 mindste det ene af de to reguleringsobjekter til en af de andre delreguleringskredse.
Opfindelsen forklares i det følgende nærmere under henvisning til den skematiske tegning, der viser et apparat til udøvelse af fremgangsmåden ifølge opfin-25 delsen.
X det viste apparat findes en varmespole 2, som tilvejebringer smeltezonen i en halvlederstav 1, og som f.eks. over en spole 5 er forbundet med en højfrekvensgenerator 4 til en varmestrømkreds.
30 Varmestrømkredsens spænding, generatorens fre kvens og anodestrømmen måles ved hjælp af instrumenter 6, 7 og 8 og tilføres sammenligningstrin 9, 10 og 11 til sammenligning af er-værdien og bør-værdien. Reguleringsafvigelserne tilføres indstillingsmotorerne 35 for en stræknings-opstemningsmekanisme 13 og en frekvensreguleringsindretning for højfrekvensgeneratoren 4, efter at de i en kobling 12 er udvalgt i overensstemmelse med et forelagt program. Ifølge opfin

Claims (2)

142062 delsen sker dette således, at den ene af de tre reguleringsstørrelser tilføres indstillingsmotoren for stræk-ningsopstemningsmekanismen 13 eller for frekvensreguleringsindretningen for højfrekvensgeneratoren 4, 5 medens de to andre reguleringsstørrelser over en omskifterindretning i en kobling 12 vekselvis forbindes til indstillingsmotoren for frekvensreguleringsindretningen eller for stræknings-opsternningsmekanismen. Omskiftningen sker dog først, når den aktuelle værdi er lig med io den ønskede værdi for den udvalgte reguleringsstørrelse.
1. Fremgangsmåde til digelfri zonesmeltning af en halvlederstav ved hjælp af en varmespole, som aksialt 15 omslutter halvlederstaven og kan forskydes parallelt aed dennes akseretning, hvilken spole fødes med elektrisk højfrekvensenergi og ved induktiv opvarmning tilvejebringer en gennem halvlederstaven vandrende smeltezone# ved hvilken fremgangsmåde den aksiale afstand mellem de 20 to faste dele af halvlederstaven, der bærer smeltezonen, styres med en første regulering samtidigt med, at energitilførslen til smeltezonen styres med en anden regulering, idet reguleringerne hver sker ved hjælp af afvigelsen af en smeltezonens tilstand bestemmende 25 reguleringsstørrelse fra den tilsvarende bør-værdi, hvorved der som reguleringsstørrelser anvendes frekvensen af den fra en HF-generator over en som elektrisk svingningskreds udformet varmestrømkreds til varmespolen afgivne varmestrøm, samt styrken af den til HF-30 generatoren førte anodestrøm, kendetegnet ved, at der som tredje reguleringsstørrelse anvendes den ved hjælp af spændingen på varmestrømkredsen vurderede godhed af denne kreds, og ved, at i det mindste en af de to reguleringer styres skiftevis af i det 35 mindste to reguleringsstørrelser.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegne t ved, at de tre reguleringsstørrelser i cyklisk ombytning tilføres begge reguleringer.
DK212573A 1972-04-26 1973-04-17 Fremgangsmaade og apparat til digelfri zonesmeltning af halvlederstave ved hjaelp af en varmespole DK142062C (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2220519 1972-04-26
DE2220519A DE2220519C3 (de) 1972-04-26 1972-04-26 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DK142062B true DK142062B (da) 1980-08-18
DK142062C DK142062C (da) 1981-01-12

Family

ID=5843357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK212573A DK142062C (da) 1972-04-26 1973-04-17 Fremgangsmaade og apparat til digelfri zonesmeltning af halvlederstave ved hjaelp af en varmespole

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3880599A (da)
JP (1) JPS5910959B2 (da)
BE (1) BE798760A (da)
DE (1) DE2220519C3 (da)
DK (1) DK142062C (da)
NL (1) NL7216255A (da)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4176002A (en) * 1974-08-21 1979-11-27 Agence Nationale De Valorisation De La Recherche (Anvar) Controlling the melt temperature during zone refining and Czochralski crystal growth by sensing the viscous torque of the melt zone during operation
DK142586B (da) * 1977-07-07 1980-11-24 Topsil As Apparat til zonesmeltning af en halvlederstav.
JPS58831B2 (ja) * 1978-09-27 1983-01-08 東洋製罐株式会社 高周波誘導加熱回路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL135666C (da) * 1959-08-17
GB904100A (en) * 1959-09-11 1962-08-22 Siemens Ag A process for zone-by-zone melting of a rod of semi-conductor material using an induction coil as the heating means and an automatic arrangement for controlling the current through the coil
DE1209551B (de) * 1961-12-07 1966-01-27 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabfoermigen Halbleiterkoerpers miteiner Steuerung seines Durchmessers- bzw. Querschnittsverlaufs und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
US3284172A (en) * 1964-10-13 1966-11-08 Monsanto Co Apparatus and process for preparing semiconductor rods
US3321299A (en) * 1964-10-13 1967-05-23 Monsanto Co Apparatus and process for preparing semiconductor rods
US3617392A (en) * 1968-10-29 1971-11-02 Semimetals Inc Power control for crystal growing
DE1913881A1 (de) * 1969-03-19 1970-10-22 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Also Published As

Publication number Publication date
DK142062C (da) 1981-01-12
DE2220519A1 (de) 1973-11-15
JPS5910959B2 (ja) 1984-03-12
DE2220519B2 (de) 1981-02-26
NL7216255A (da) 1973-10-30
JPS4922384A (da) 1974-02-27
BE798760A (fr) 1973-10-26
US3880599A (en) 1975-04-29
DE2220519C3 (de) 1982-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2992311A (en) Method and apparatus for floatingzone melting of semiconductor rods
JP4957600B2 (ja) Fz法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置
GB849718A (en) Improvements in or relating to semi-conductor production
JPH03164224A (ja) 加熱温度制御装置
DK142062B (da) Fremgangsmaade og apparat til digelfri zonesmeltning af halvlederstave ved hjaelp af en varmespole
US3265470A (en) Method and apparatus for floating-zone melting of semiconductor material
US3270177A (en) Means and method for automatic zone refining a work piece
JP6332063B2 (ja) 半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶の製造方法
US3271115A (en) Apparatus for crucible-free zone melting of semiconductor material
US3658598A (en) Method of crucible-free zone melting crystalline rods, especially of semiconductor material
US4257991A (en) Method of and a regulator for adjusting the capacity and the diameter of an electric conductor
JP2013249220A (ja) 半導体単結晶棒の製造方法
JP4443433B2 (ja) 光ファイバ母材延伸方法
CN107299387A (zh) 单晶体的制造方法和装置
US3685973A (en) Method for crucible-free zone melting using a displaced heater
US1256929A (en) Process of producing metallic wires, filaments, and the like.
JPS6054917B2 (ja) 半導体の浮遊帯域溶融を開始する方法
US4107448A (en) Method and device for crucible-free floating zone melting
JPH01219092A (ja) 単結晶成長制御方法及び該制御方法を用いた単結晶製造方法
US20050213904A1 (en) Method and apparatus for processing a preform
JPH0365588A (ja) 単結晶成長制御方法及び該制御方法を用いた単結晶製造方法
RU2112328C1 (ru) Способ штучного нагрева заготовок из ферромагнитного материала токами высокой частоты
FR1455670A (fr) Procédé de fabrication de barreaux semi-conducteurs de diamètre pratiquement constant par fusion par zone sans creuset
JP5505359B2 (ja) ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置
JP3901877B2 (ja) ガラス母材延伸装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed