DEP0036769DA - Einen Halbleiter enthaltende Anordnung - Google Patents

Description

Einen Halbleiter enthaltende Anordnung.

In letzter: Zeit sind unter dem Namen "Transistor" Anordnungen bekc,n;:itgev':.:;den.. die die Eigenart der Gberf laechensclricht von Halbleiter.:._i;, wie z.3. Gerauiä/am^ fuer Yörstaerkungszweelce ausnützen.

Ein Prinnip-5ehalt.-iiu einer Halbleiter-V erstaerkeranordnung zeigt die FIg₀ 1. An ei^ie kleine Gei'Jianiumscheibe I₁ ist ausatmen mit einer Gleic^stroüivorspannung (Spannungsquelle S) eine ßignalspannung (ij.isnalsp&mmn&squoile Z) gelegt und zwar so, dass der positive Pol der Vorspannungsquelle 2 usber eine Kontaktspitse 4;, die z.B. durali ein feines V/ol-fraiafaedchen gebildet an die Geiraräuaiooerflaeche goi'uehrt ist. Dor Ausgangskreis,, enthaJ-tard el;.i<.; Yorspannungsquelle,^ und dan Verbraucher 6₅ ist in der gleichen Vvüise an die GermaSiumscheibe angeschaltet; bei ihm liegt' jodcch dor negative pol ueber eine Kontaktspitze 7 an der German!L^iüberriaeche, Der Anstand der beiden Kontaktspitzen, ist sehr gering und liegt in der Groessenordnung von ot\?a 0,005 cm. Hit« einer derartigen Anordnung lassen sich Verstaerkerwirklingen er sielen ^ die etwa denen einer ..Vers taerkerroehre entsprechen,'.

Die Wirlvun^sweise dor skizzierten Halbleiter -Vers taerker anordnung hat iaan in folgender Weise zu erklaeren versucht- Durch den positiven Spitaenkontakt wird die Bildung von Stoerstellen in der Oberflaechenschicht des Halbleiters angeregt. Diese breiten sich von der Spitze weg laengs der Oberflaeche nach allen Seiten an:.; und werden von dem negativen Spitzenkonta&t angezogen. Sie ve^-> jrn den Strom iia Ausgangslsreis.

2.3.49
Kch/Sg.

ΡΛ 9/430/118b

Der Ein;vir;:u:igsberelch der positiven Kentaktspitze ist relr,v.;. Mein und j&schrcienkt sich auf die naoehste Umgebung der Ζοά tart spit ze .:.us dieseiü Grunde ordnet uan dia negative EontcutspitSG in unuiitGl-^rer iiäbCie der positiven Kontaktspitzo an, Andererseits ist der Abstand der Kontakt spitzen voneinander auch von Einfluss auf die uebertra&bare Fracuenz. Bei einem Abstain der Aontaktspitsen von 0,005 c-i ist die Anordnung unter Verwendung veh Germanium beispielsweise bis etwa 10 MHs verwendbar. ""

Die Erfindung gibt weitere Aiß?endun£s.iioeglichkeiten der eingangs skizzierten Halbleiter-Anordnung*

I_Λ " te i., r.t.''cniiie noiJi ji1j.io.cstens eine v/eiter^^poe-i^iv vorge-" * "^χ~ — ^J"· ^I"~~^{J 1}^"" ι einem· entsproch^a^Mn Abstand .von der

r ,einzelnen Kontalctspitaen voneinanen seinj ' dass eine selektive Verstaor-

g il positiv vorgespannten Kontaktspitzen

angelegtjji^.fechseispannungen erfolgt. Die Beaiessungen koennen '■aba,^,^ft€6fi derart sein, dass im Ausgang eine modulierte Spannung

Iiin "Prinzipbild einer Anordnung gesnoss der Erfindung zeigt die JJ¹Ig. C. Gegenuebor der Anordnung nccli Fig. 1 ist noch wenigstens ein v/eiterer .'^r eis mit einer Vor spannung s quelle B₃ einer Si^vlquclle 0 'und der positiv vergespannten Kontalrtspitze 10 g&troten., Fuer alle iCraise si:ixi getrennte Vorspanniingsquellen vorgesehen,

Die- Erfindung sieht weiter vor, die EingangskreiSG. und den h gaagskreis fuer 2±ψ: koaxial aufzubauen und den Halbleiter^ i»3,

cheibe zwischen den au^eineru koaxial en" System

in Fora einer S ^

vereinigten EinganRsK^eis und de:.u koaxial ausgebildeten auso;e:,i^skreis anzuordnen ulC 'feit dem gemeinsamen Kuockleiter leitend M^ verbinden. Es wird so ein; induktive u::id kapazitive kopplung . der Kreise weitgehevid ve'riüieöGn und die Anordnung in koaxiale· Ereise 'eins2b.altbar, Damit sirci cucü die Moeglichkeit ge-seliafferi, die'Hai vielter-Anordnung bis z\i sehr hohen Frequenzen su . verwenden.

PA £/4SG/il8b

Cq Γί Piguron 3 cjxi -~ sir*! A usfuehrungsformen gezeigt., bei c.enen die Halbleiterscheibe¹ so irischen den Eingangskreisen und do;: Ausgan&ski'cis angeordnet ist,, dass die Kontalctspitzan 4, 7 uiiQ 10 auf £ er gleichen Oberfläccbenseite des Halbleiters angr u:lf en. Die Zuführungen zu den Rontakt spitzen 4 "und 10 sind koaxial ausgebildet und zwar «xrd die eine Zufuehrung durch den Innen! ei tor 11 ιιηα die andere Zufuehrung durch ein ihn umgebendes konaontrische;-} Rohr-Iß .^obildet. Die Zufuehrung dos Ausgangskreises bildet ύοη Imc ,!.leiter 15 des zweiten koaxialen Syει.ι·ms, Gas .ic-ixialQ Ein^a2\;B£?ystem_ und das koaxiale AusgangssyF/com Ijabon einen gornuinsaa^/i Rueckieiter -14. Die Halbleiter-. scnüibü 1 r it st bt.i dor .!.usfuehrringsf orm nach Fig, 3 konzentrisch in einer pie TaIt rleni geraelnsaüien Kueckleiter 14 konzentrisch' ver;ⁱindcnd-.i'':i ScheiTi^; .15. oiü weist eine Bohrung auf., durch die die licintiiubspi Ize. a.D. des ;,;u3 gangs kreises hindurcligefuenrt· ist, Südnss clLo Ao_Lai:tspitscn auf der gleichen Seite des Halbleiters ί*ηζ5υ·.ί··.'3η. 36.1 der ,.usruehrungsform nach Fig.4 sitzt <i.or Halbleiter- so auf der Scheibe 1? auf., dass seine Oberflaeehe fuor saömtliche '.Xontaktspitzen i;ugaenglich ist.

Eine voellig :.-.oaxialo Anordnung ist in der Fig. 5 dargestellt,. Bei dieser Anorinun^ sitzeα die positiv vorgespannten Kontaktspitzen und di-j negativ vorgaspamitö Xontaktspitze auf verschiedenen Seiten der Hallleitorsüheibe auf. DiG Halbleiterseheibe ist wenigstens an. dieser Stelle so dnienn gehalten, dass sich, rlie negativ ν orgespannte Kontaktspibse .noch innerhalb des Eiiwir·- kujigsbereichs der positiv vorgespannten Kontakt spitzen boilix- ü. Diss kann dadurch erreicht werden, dass sich die'Halbleiterscheibe· nach der Mitte" zu. stetig verjuengt oder z.B. auch dadurchj, dass der \Lattl-ere Toil der 'Halbleiterscheibe durch eine sehr ducnne Platte und der aeussere Teil dui'ch einen "wesentlich staerkeren Ringteil gebildet ist. Eine sehr duenne Schichtdicke kann man beispielsweise dadurch erhalten, dass man den mittleren duennen Toil der Halbleiterscheibe¹* auf einen aeusseren ringfoermigen Teil ausdampft,; _l6auTsprit2t oder in aebnlicher Weise aufbringt.

Aussei- den in den Ausfuehrungsbeispielen dargestellten einfachen Anordnungen sind, auch Hintereinanderschaltungen verschiedener SystüiHG und z.B. auch Gegentaktanordnungen moCs₁Jlich·. Dann ist -aber durch "£inachf?.l'tung vcn Kondensatoren in die Innen- und/oder Aus·- 3e:"ileitt.r fuer .eine gleichstrommaessigü Trennung Sorge zu tragen. In die Gleichstromkreise koennen zv/ogkiaaessigervveise noch Hochfrequenadrossclh cinr;öschaltüt s ein.

Anlagen, β Patcntanspruücha
5 Figvcen

Claims (1)

1. Patentanmeldung ρ J6769 VIlIa/21a²D_s 7«2.50,

   BeschreibmiRseipf ügung;, zu setzen anstelle des dritten Absatzes der Seite 2 s

   Gemäss der Erfindung ist ausser der einen positiv vorgespannten Kontaktspitze noch mindestens eine weitere positiv vorgespannte Kontaktspitze in einem solchen Abstand von der Abnahmekontaktspitze angeordnet, dass diese noch im Einwirkungsbereich der positiv vorgespannten Kontakt spitzen sich befindet. Der weiteren, positiv vorgespannten Kontaktspitze sind dabei Spannungen einer anderen Frequenz beziehungsweise eines anderen Frequenzbereiches wie der ersten positiv vorgespannten Kontaktspitze zugeführt. Die Vorspannung und/oder die Entfernungen der einzelnen Kontaktsp.itzen voneinander können dabei so bemessen sein, dass eine selektive Verstärkung der an die einzelnen positiv vorgespannten Kontakt spit zen angelegten Wechsel spannungen erfolgt,, Die Bemessungen können aber auch derart sein, dass im Ausgang eine modulierte Spannung auftritt»

   ^ρΑ·219566·17.3.50

   Patentanmeldung ρ 36769 VIIIa/2ia² D: 7 ·2„'

   Neuer Patentanspruch 1

   Einen Halbleiter enthaltende Anordnung, bei welcher eine Signalspannung über eine positiv vorgespannte Kontaktspitze der Oberfläche eines Halbleiters zum Beispiel einer Germaniumscheibe zugeführt ist und über eine weitere in unmittelbarer Nähe der ersten Kontaktspitze angeordnete negativ vorgespannte weitere Kontaktspitze die Ausgangsspannung abgenommen ist, dadurch gekennzeichnet, dass ausser der einen positiv vorgespannten Kontakt spitze noch mindestens eine weitere positiv vorgespannte Kontakt spitze in einem solchen Abstand von der Abnähmekontakt spitze angeordnet ist, dass sich diese noch im Einwirkungsbereich der positiv vorgespannten Kontakt spitzen befindet und dass der weiteren positiv vorgespannten Kontaktspitze Spannungen einer anderen Frequenz beziehungsweise eines anderen Frequenzbereiches wie der ersten positiv vorgespannten. Kontaktspitze zugeführt sind.

   οι¹¹61798

   PA S/430/11Sb Patentansprueche.

   ttk

   ueber

   eine positiv vorgespanntjB.JSetitakt-he eines Kalbleiters^räT' einer Germa-

   spitze der Ofceri'laeche eines Kalbleiters i d bi

   p ^

   niumsche-ibe sugefuehrt ist und i^ebey^^ine weitere in unraittelbarer liaeh.-e der ersten K^ß*t1itspitze angeordnete negativ vorgespannte "weitere Kpfifaktspitse die A usgangs spannung aageuoiaraen ist_v aacl>H*dh gekennzeichnet, dass ausser der einen positiv vorgesr#imten Kontaktspitze noch mindestens eine weitere pos3.,fci#vorgespannte Kontaktspitze in einem/ entsjjr'ttchenden^Sstanci von der Abnahmel'.ontaktspit2e angeorclnet ist^M^ß. dass den positiv vorgespannten Kontakt spitzen 3ruijia§iiE '."ersciaiedener"Frequenz beaw» verschiedener

   2. 'Anordnung viacn Patentanspruch I₃ dadurch gekennzeichnet., dass di3 negativ vorgespannte Kontaktspitze raeuniLich etwa in der Mitte zwischen den positiv vorgespannten, Kontaktspitzen angeordn et ist.

   Z, Anordnung nach Patentanspruch 1 oder 2₃ gekennzeichnet durch getrennte Vorspannungsquellen fuer die positiv vorgespan:i~ ten ICoiitaictspitzen, f.

   6 \4

   4. Anordnung nach Jiateäwrens'pr uc.hQS^ gekennzeichnet'durch eine solche Beinessung der Vorspannungen und/oder der Entfernungen, der einzelnen Kontaktspitzen Voneinander^ dass eine selektive Verstaerkung der an den einzelnen, positiv vorgespannten Kontakt spitzen angelegten Öig:nalspannungen erfolgt.

   5. Anordnung nach <©«*e«tärisprüch|)3^ gekennzeichnet d.wch .oine solche Bemessung der Vorspannungen und/oder der Entfernungen der einzelnen Koiitakt'spitzen voneinander j dass im Ausgang eine modulierte Spannung auftritt.

   4^oder -5^v in: ihl

   öl 61798

   ΡΛ 9/450/113b

   Anordnung nach einem der Patentansprüche 4 bis ^> dadurch gekennzeichnet, dass d:.o Eingangskreise und der Ausgangs.'¹": eis f-uer sich koaxial aufgebaut sind und· dass der Halbleiter z.B. in Form einer Scheibe zwischen den zu einem koaxialen Systsia vereinigten Eingangskreisen und dem¹ koaxial ausgebildeten Ausgansskrels angeordnet · und mit dem gemeinsamen Ruocklß.iter leitend verbunden ist.

   Ai>:'rdnung nach Patentansprucb^Tj, dadurch¹ gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheioe konzentrisch z.B. in einer sie mit dem g-G-meinsauicn Aussenleiter leitend verbindenden'konzentrischenleitenden Scheibe angeordnet ist und die.positiv und negativ. vorgespannten Kontaktspitzen auf verschiedenen Seiten der Kalb'leiterseheiDe aufsitzen, wobei die Halbleiterschicht wenigstens an dieser Stelle so duenn gehalten ist₅ dass sich die negativ vcrgespannte Kontaktspitze noch innerhalb des Einwirlainijsbüreic'-.iS der positiv vorgespannten Kontalctspitzen befindet.