DE967086C - Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender SubstanzInfo
- Publication number
- DE967086C DE967086C DEP38600A DEP0038600A DE967086C DE 967086 C DE967086 C DE 967086C DE P38600 A DEP38600 A DE P38600A DE P0038600 A DEP0038600 A DE P0038600A DE 967086 C DE967086 C DE 967086C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- germanium
- silicon carbide
- surface layer
- vol
- rectifiers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
- Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz Es sind Trockengleichrichter mit Germanium als halbleitender Substanz 'bekannt, bei denen Germaniumkristalle verwendet werden. Die Gewinnung größerer Kristalle bereitet erhebliche Schwierigkeiten. Ihrer Verwendung steht zudem entgegen, daß der Widerstand solcher Gleichrichter für den Vorwärtsstrom verhältnismäßig groß ist, weil die Halbleiterschicht nicht so dünn gemacht werden kann, wie durch Niederschlagen des Germaniums aus der Dampfphase möglich wäre. Leider erfüllen solche aus der Dampfphase niedergeschlagenen halbleitenden Schichten aus Germanium nur in sehr unvollkommener Weise die an Trockengleichrichter zu stellenden Bedingungen. Es ist vorgeschlagen worden, diesen Mangel durch eine nachträgliche Temperaturbehandlung des Niederschlags zu beheben. Dieses Verfahren führt jedoch nicht zum Erfolg. Weiterhin war es bekannt, das Germanium auf Graphit, Wolfram oder Molybdän aufzudampfen, aber auch dies führte nicht zu dem gewünschten Erfolg.
- Überraschenderweise erhält man jedoch Trockengleichrichter mit hervorragenden Eigenschaften, wenn man das Germanium aus der Dampfphase auf einer mindestens 17o° C, vorzugsweise auf über zgo° C, erhitzten kristallinen Unterlage aus Siliziumkarbid niederschlägt, dem geringfügige Beimengungen beigefügt sind, die gemischte Leitfähigkeit bewirken.
- Das erfindungsgemäße Verfahren führt zu besonders guten Gleichrichtern, weil der Bindungscharakter des Siliziumkarbids dem des Germaniums entspricht. Die aufgedampften Atome schließen sich bei der Kristallisation der Struktur der Unterlage an, und somit wird die Bildung einer einkristallinen Schicht begünstigt. Dieses erfindungsgemäße Verfahren bietet zudem den Vorteil; daß ein Arbeitsgang, nämlich die nachträgliche Temperaturbehandlung der halbleitenden Substanz, erspart oder zumindest verkürzt wird.
- Die kristalline Unterlage kann mit Vorteil auch durch chemische Umwandlung der Oberflächenschicht der Trägerelektrode gebildet werden. Will man beispielsweise Germaniumgleichrichter mit Siliziumkarbidunterlage herstellen, so kann man eine Trägerelektrode aus Kohlenstoff oder eine auf einer Trägerelektrode angebrachte Kohlenstoffschicht in einer Siliziumtetrachlorid und Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre mindestens bis zur Bildung einer dünnen Oberflächenschicht von Siliziumkarbid zur Reaktion bringen.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz, dadurch gekennzeichnet, daß das Germanium aus der Dampfphase auf einer mindestens auf I7o° C, vorzugsweise auf über I9o° C, erhitzten kristallinen Unterlage aus Silziumkarbid niedergeschlagen wird, dem geringfügige Beimengungen beigefügt sind, die gemischte Leitfähigkeit bewirken.
- 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die kristalline Unterlage durch chemische Umwandlung der Oberflächenschicht der Trägerelektroden gebildet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß eine Trägerelektrode aus Kohlenstoff oder eine auf einer Trägerelektrode angebrachte Kohlenstoffschicht in einer Siliziumtetrachlorid und Wasserstoff enthaltenden Atmosphäre mindestens bis zur Bildung einer dünnen Oberflächenschicht von Siliziumkarbid zur Reaktion gebracht wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 497 474; »Naturforschung und Medizin in Deutschland 1936/1g46«, Bd. 15, »Elektronenemission«, Teil I, S. 282; Annalen der Physik, 5. Folge, Bd. 26, 1936, S.233 bis 257. Entgegengehaltene ältere Rechte: Deutsche Patente Nr. 86o 973, 862 471, 966 387.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP38600A DE967086C (de) | 1949-04-01 | 1949-04-01 | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP38600A DE967086C (de) | 1949-04-01 | 1949-04-01 | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE967086C true DE967086C (de) | 1957-10-03 |
Family
ID=7375973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP38600A Expired DE967086C (de) | 1949-04-01 | 1949-04-01 | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE967086C (de) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE497474C (de) * | 1926-10-19 | 1930-05-08 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Elektrisches Ventil |
| DE860973C (de) * | 1944-08-21 | 1952-12-29 | Siemens Ag | Detektor |
| DE862471C (de) * | 1945-04-16 | 1953-01-12 | Sueddeutsche Telefon App | Verfahren zur Umkristallisation von Metallscheiben fuer die Herstellung von Trockengleichrichtern |
| DE966387C (de) * | 1942-10-02 | 1957-08-01 | Erich Holz | Elektrische Gleichrichteranordnung mit Germanium als Halbleiter und Verfahren zur Herstellung von Germanium fuer eine solche Gleichrichteranordnung |
-
1949
- 1949-04-01 DE DEP38600A patent/DE967086C/de not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE497474C (de) * | 1926-10-19 | 1930-05-08 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Elektrisches Ventil |
| DE966387C (de) * | 1942-10-02 | 1957-08-01 | Erich Holz | Elektrische Gleichrichteranordnung mit Germanium als Halbleiter und Verfahren zur Herstellung von Germanium fuer eine solche Gleichrichteranordnung |
| DE860973C (de) * | 1944-08-21 | 1952-12-29 | Siemens Ag | Detektor |
| DE862471C (de) * | 1945-04-16 | 1953-01-12 | Sueddeutsche Telefon App | Verfahren zur Umkristallisation von Metallscheiben fuer die Herstellung von Trockengleichrichtern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2701216A (en) | Method of making surface-type and point-type rectifiers and crystalamplifier layers from elements | |
| DE3856514T2 (de) | Sublimationsanwachsen von Siliziumkarbideinkristallen | |
| DE1614540C3 (de) | Halbleiteranordnung sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE112015004798B4 (de) | Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung | |
| EP0711363B1 (de) | Hochohmiges siliziumkarbid und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE1163981B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit pn-UEbergang und einer epitaktischen Schicht auf dem Halbleiterkoerper | |
| DE1640500A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Festkoerper-Schaltungsanordnungen | |
| DE1238105B (de) | Verfahren zum Herstellen von pn-UEbergaengen in Silizium | |
| DE853926C (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender Substanz | |
| DE1185293B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE967086C (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Germanium als halbleitender Substanz | |
| DE1126515B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und danach hergestellte Halbleiteranordnung | |
| DE1225148B (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines halbleitenden Elementes und eines Aktivator-stoffes aus einem Reaktionsgas | |
| DE2142342A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2830035C2 (de) | Verfahren, bei arsenhaltigen Oxidfilmen auf einer Halbleitervorrichtung die Verarmung an Arsen zu verhindern | |
| DE1247278B (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpern durch thermische Zersetzung gasfoermiger Verbindungen | |
| US3337375A (en) | Semiconductor method and device | |
| DE1764834C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekt-Transistors | |
| DE1282621B (de) | Verfahren zum Herstellen von insbesondere monokristallinem Siliziumkarbid | |
| DE1240819C2 (de) | Verfahren zum herstellen von hochreinen halbleitermaterial fuer elektronische halbleiterzwecke | |
| AT229373B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem einkristallinen Halbleiterkörper | |
| DE1037015B (de) | Stoerstellenhalbleiter vom N-Typ fuer Transistoren od. dgl. | |
| DE1249229B (de) | Verfahren zum Abscheiden einkristalliner, unterschiedliche Dotierung aufweisender Schichten aus Halbleitermaterial | |
| DE1287048C2 (de) | Verfahren zum lokalisierten Eindiffundieren von Aktivatormaterial in Silicium oder Germanium | |
| DE7216763U (de) | Ohmscher kontaktanschluss |