DE857527C - Process for the manufacture of dry surface contact rectifiers - Google Patents

Process for the manufacture of dry surface contact rectifiers

Info

Publication number
DE857527C
DE857527C DEW3259D DEW0003259D DE857527C DE 857527 C DE857527 C DE 857527C DE W3259 D DEW3259 D DE W3259D DE W0003259 D DEW0003259 D DE W0003259D DE 857527 C DE857527 C DE 857527C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal
rectifier
manufacture
surface contact
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEW3259D
Other languages
German (de)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Mobility Ltd
Original Assignee
Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Brake and Signal Co Ltd filed Critical Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE857527C publication Critical patent/DE857527C/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
    • H01L21/164—Oxidation and subsequent heat treatment of the foundation plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment

Description

(WiGBL S. 175)(WiGBL p. 175)

AUSGEGEBEN AM !.DEZEMBER 1952ISSUED DECEMBER 1952

IV 3J59 VIII c/JigIV 3J 59 VIII c / Jig

Die Erfindung !»trifft die Herstellung von Wechselstromgleichrichtern vom Trockenflächenberührungssystem, hei denen auf einem Metallkör] >er eine Verbindung des Metalls unmittelbar gebildet ist, und l>esonders Kupferoxydgleichrichter. The invention! »Meets the production of AC rectifiers from dry surface contact system, called those on a metal body a connection of the metal directly is formed, and l> especially copper oxide rectifier.

Bei Gleichrichtern dieser Art, wie sie nach den bisher benutzten Verfahren hergestellt werden, hat sich im Betrieb eine Erscheinung bezüglich des verhältnismäßig geringen Stromzuflusses durch den Gleichrichter in der Sperrichtung gezeigt, und zwar steigt dieser Strom verhältnismäßig schnell bei einer im wesentlichen konstanten Spannung in der Sperrrichtung, die dem Gleichrichter angelegt ist, bis der Strom einen scheinbar stabilen Wert erreicht, der ein Mehrfaches des anfänglichen Rückstromes bei erster Anlegung der Spannung sein kann. Der stabile Effektivwert des Rückstromes bei Anlegung einer Wechselstromspannung an den Gleichrichter wird infolge dieser Wirkung gesteigert, welche demgemäß die Spannung bestimmt, für welche der Gleichrichter befähigt ist, eine gute Gleichrichtung im Betrieb zu bewirken. Die Abnahme in dem scheinbaren Widerstand der Gleichrichter, die die Ursache dieser Erscheinung ist, welche kurz als Rückkriechen bezeichnet werden kann, ist nur zeitweilig, da der scheinbare Widerstand allmählich auf seinen ursprünglichen Wert anwächst, sobald die Spannung nicht weiter angelegt ist.In rectifiers of this type, as they are produced by the methods previously used, has In operation there is a phenomenon with regard to the relatively low current flow through the Rectifier shown in the reverse direction, and this current increases relatively quickly at a substantially constant reverse voltage applied to the rectifier until the Current reaches an apparently stable value that is a multiple of the initial reverse current at first application of voltage can be. The stable effective value of the return current when a AC voltage to the rectifier is increased due to this effect, which accordingly the voltage determines for which the rectifier is capable of good rectification during operation cause. The decrease in the apparent resistance of the rectifier that is causing this The phenomenon, which can be briefly described as creeping back, is only temporary, since the apparent resistance gradually increases to its original value as soon as the voltage is applied is no longer applied.

Die Abnahme in dem scheinbaren Widerstand, die das Rückkriechen darstellt, hängt von der physikalischen und chemischen Beschaffenheit des KupfersThe decrease in the apparent resistance that the creep back represents depends on the physical and chemical nature of copper

oder sonstigen Metalls, aus dem der Gleichrichter hergestellt ist, ab, und die Erfindung besteht in einem Verfahren der Vorbehandlung des Metallkörpers wodurch das Rückkriechen ganz oder teilweise vermieden werden kann.or other metal from which the rectifier is made, and the invention consists in one Process of pretreatment of the metal body whereby the creeping back completely or partially avoided can be.

Nach dem Hauptmerkmal der Erfindung wird dieses Ergebnis dadurch erreicht, daß das Kupfer oder sonstige Metall einer Vorbehandlung mit Wärme bei geeigneter Temperatur oder einem ίο Temperaturzyklus vor dem tatsächlichen Formierungsverfahren desiGleichrichters unterworfen wird. Im Fall von Kupfer wächst der Vorteil, der durch die vorangehende Wärmebehandlung erreicht wird, mit einer Steigerung der Behandlungstemperatur. Wird aber das Verfahren in Luft ausgeführt, so wird der Temperaturbereich durch die Bildung von überschüssigem Oxyd bei höheren Temperaturen, d. h. über 7000, und durch die Unwirksamkeit bei niedrigeren Temperaturen, d. h. unter 4000, begrenzt. Die Bildung von zuviel Oxyd ist an sich kein Nachteil, führt aber Schwierigkeiten bei der darauffolgenden Oxydation herbei.According to the main feature of the invention, this result is achieved in that the copper or other metal is subjected to a pretreatment with heat at a suitable temperature or a temperature cycle before the actual forming process of the rectifier. In the case of copper, the advantage achieved by the previous heat treatment increases with an increase in the treatment temperature. However, if the process in air executed, the temperature range is limited by the formation of excess oxide at higher temperatures, ie, above 700 0, and the inefficacy at lower temperatures, ie below 400 0th The formation of too much oxide is not in itself a disadvantage, but causes difficulties in the subsequent oxidation.

Wird das Verfahren im Vakuum ausgeführt, so wird die Bildung von Oxyd vermieden, und es können Temperaturen bis zu der des Schmelzpunktes des Metalls angewendet werden.If the process is carried out in a vacuum, the formation of oxide is avoided, and it Temperatures up to the melting point of the metal can be used.

Die zum Wirksamwerden des Verfahrens erforderliche Zeit wird durch Steigerung der Temperatur verkürzt. Zum Beispiel ist bei 6oo° 1 Stunde ausreichend, und zwar tritt der Hauptteil der Wirkung während der ersten 10 Minuten ein.The time required for the process to take effect is increased by increasing the temperature shortened. For example, at 600 ° 1 hour is sufficient, namely the main part of the Take effect during the first 10 minutes.

Nach Vollendung des Verfahrens kann man das Kupfer auf atmosphärische Temperatur abkühlen lassen, oder auf Wunsch auch sofort durch den Hauptoxydationszyklus führen.After the process is complete, the copper can be cooled to atmospheric temperature leave, or, if desired, lead immediately through the main oxidation cycle.

Wenn nach der Wärmevorbehandlung das Metall in geeigneter Weise chemisch behandelt wird, z. B. im Fall von Kupfer durch Ätzen der Oberfläche mit einer Säure oder einem anderen Ätzmittel, zeigt der Gleichrichter nach der Fertigstellung eine Erscheinung, die negatives Kriechen genannt werden kann. Bei einem Gleichrichter, der diese Charakteristik des negativen Kriechens aufweist, nimmt der Strom in der Sperrichtung, der durch eine angelegte Spannung verursacht wird, anstatt, wie oben beschrieben, mit der Zeit von seinem Anfangswert an zu wachsen, zuerst ab und kann dann wieder langsam ansteigen mit dem Endergebnis, daß der stabile Wert des Rückstromes erheblich niedriger sein kann als der eines in' der normalen Weise gebildeten Gleichrichters und sogar niedriger als der eines Gleichrichters, welcher einer Wärmel>ehandlung, jedoch ohne nachfolgende chemische Behandlung, unterworfen war.If, after the pre-heat treatment, the metal is chemically treated in a suitable manner, e.g. B. in the case of copper, by etching the surface with an acid or other etchant, the shows Rectifier after completion a phenomenon that can be called negative creep. For a rectifier that has this negative creep characteristic, the current will decrease in the reverse direction caused by an applied voltage instead of, as described above, with the time to grow from its initial value, first decreases and can then slowly increase again with the end result that the stable value of the return current can be considerably lower than that a rectifier formed in the normal way and even lower than that of a rectifier which does heat dissipation, however without subsequent chemical treatment.

Es ist zu bemerken, daß ein unter geeigneten Bedingungen im Vakuum, wo kein Oxyd gebildet wird, erhitztes Gleichrichtermaterial das negative Kriechen ohne die oben angegebene chemische Behandlung zeigt.It should be noted that under suitable conditions in a vacuum where no oxide is formed is heated rectifier material the negative creep without the above chemical Treatment shows.

Die Erfindung soll niicht auf die Wärmebehandlung bei den besonderen, obenerwähnten Temperaturen, die nur beispielsweise angegeben sind, l>eschränkt sein, vielmehr fällt unter die Erfindung jede solche Behandlung bei irgendeiner Temperatur, die zurErreichung des oben dargelegten Ergebnisses geeignet ist undunter atmosphärischen Bedingungen oder im Vakuum mit oder ohne einen folgenden chemischen Reinigungsprozeß bewirkt wird.The invention is not intended to apply to heat treatment at the particular temperatures mentioned above, which are only given by way of example are restricted, but rather falls under the invention any such treatment at any temperature necessary to achieve the result set forth above is suitable and under atmospheric conditions or in a vacuum with or without any of the following chemical cleaning process is effected.

Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: i. Verfahren zur Herstellung von Trockenflächenberührungs-Gleichrichtern, bestehend aus einem Metallkörper, auf dem eine unmittelbar auf dem Metall gebildete Verbindung desselben liegt, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallkörper einer Wärmebehandlung bei einer geeigneten Temperatur oder Temperaturzyklus vor der eigentlichen Behandlung zur Bildung der Verbindung auf dem Metall unterworfen wird, zu dem Zweck, den Widerstand des Gleichrichters bei Stromfluß in der Sperrichtung zu erhöhen und: zu stabilisieren.i. Process for the manufacture of dry surface contact rectifiers, consisting of a metal body on which a connection formed directly on the metal thereof lies, characterized in that the metal body is subjected to a heat treatment at a suitable temperature or temperature cycle prior to the actual treatment for forming the connection on the metal is subjected, for the purpose of increasing the resistance of the rectifier when current flows in the reverse direction and : to stabilize. 2. Verfahren nach Anspruch 1 in seiner Anwendung auf die Herstellung von Kupferoxydgleichrichtern, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmevorbehandlung bei einer Temperatur von 400 bis 7000 bewirkt wird.2. The method according to claim 1 in its application to the production of copper oxide rectifiers, characterized in that the heat pretreatment at a temperature of 400 to 700 0 is effected. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmevorbehandlung im luftverdünnten Raum bewirkt wird.3. The method according to claim 1, characterized in that that the heat pre-treatment is effected in the air-diluted space. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Metalls nach der Wärmevorbehandlung geätzt oder in anderer Weise chemisch behandelt wird.4. The method according to claim 1, characterized in that that the surface of the metal is etched or chemically treated in some other way after the heat pretreatment. I 5513 11.52I 5513 11.52
DEW3259D 1937-02-08 1937-09-21 Process for the manufacture of dry surface contact rectifiers Expired DE857527C (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB3718/37A GB491785A (en) 1937-02-08 1937-02-08 Improvements relating to the manufacture of alternating electric current rectifiers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE857527C true DE857527C (en) 1952-12-01

Family

ID=9763650

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW3259D Expired DE857527C (en) 1937-02-08 1937-09-21 Process for the manufacture of dry surface contact rectifiers
DEW104793D Expired DE763878C (en) 1937-02-08 1938-12-25 Process for manufacturing copper oxide rectifier elements

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW104793D Expired DE763878C (en) 1937-02-08 1938-12-25 Process for manufacturing copper oxide rectifier elements

Country Status (5)

Country Link
US (1) US2201709A (en)
DE (2) DE857527C (en)
FR (2) FR832708A (en)
GB (1) GB491785A (en)
NL (1) NL54236C (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2508161A (en) * 1945-11-13 1950-05-16 Westinghouse Electric Corp Rectifier element
US6045628A (en) * 1996-04-30 2000-04-04 American Scientific Materials Technologies, L.P. Thin-walled monolithic metal oxide structures made from metals, and methods for manufacturing such structures
US5814164A (en) * 1994-11-09 1998-09-29 American Scientific Materials Technologies L.P. Thin-walled, monolithic iron oxide structures made from steels, and methods for manufacturing such structures
US6461562B1 (en) 1999-02-17 2002-10-08 American Scientific Materials Technologies, Lp Methods of making sintered metal oxide articles

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT111459B (en) * 1925-03-28 1928-11-26 Westinghouse Brake & Signal Method of manufacturing a rectifier.
US1936792A (en) * 1929-02-06 1933-11-28 Westinghouse Electric & Mfg Co Method of making copper oxide rectifiers for high voltage application
US1820166A (en) * 1930-06-18 1931-08-25 Union Switch & Signal Co Copper oxide rectifier

Also Published As

Publication number Publication date
GB491785A (en) 1938-09-08
DE763878C (en) 1952-10-06
FR832708A (en) 1938-10-03
NL54236C (en) 1943-04-15
US2201709A (en) 1940-05-21
FR49946E (en) 1939-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1246890B (en) Diffusion process for manufacturing a semiconductor component
DE2453134B2 (en) PLANAR DIFFUSION METHOD
DE857527C (en) Process for the manufacture of dry surface contact rectifiers
DE1614995B1 (en) Method for producing aluminum contacts on planar semiconductor devices
DE1170555B (en) Method for manufacturing a semiconductor component with three zones of alternating conductivity types
DE856663C (en) Process for the manufacture of selenium rectifiers
DE2112114C3 (en) Process for the production of a high frequency planar silicon transistor
DE1261965C2 (en) METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL DIODES
DE262775C (en)
DE2152057A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor structure
DE2107671A1 (en) Semiconductor component and method for its manufacture
DE1194064B (en) Process for electrolytic etching of the surface of an npn transistor provided with alloy electrodes made of a lead alloy with a semiconductor body made of germanium
DE723526C (en) Process for the manufacture of copper oxide rectifiers
AT201114B (en) Process for the manufacture of semiconducting devices
DE1212218B (en) Method for producing a semiconductor component with at least one p pn or n np zone sequence in the silicon semiconductor body
DE624114C (en) Method of manufacturing a copper oxide rectifier
DE1564770A1 (en) Method for the simultaneous manufacture of a multiplicity of semiconductor components
DE851981C (en) Process for the production of copper oxide dry rectifiers
DE1071846B (en)
DE863965C (en) Process for the production of AC rectifiers according to the dry surface contact system
DE1228339B (en) Process for the selective diffusion of doping material in semiconductor bodies for the production of pn junctions
DE581159C (en) Process for the treatment of compact copper oxide bulbs
DE1539870C3 (en) Method for manufacturing a planar transistor
DE1521968C3 (en) Etchant for a process to manufacture a mesa transistor *
DE736805C (en) Process for the manufacture of copper oxide rectifiers by oxidizing copper disks after prior heating in a vacuum