DE723526C - Process for the manufacture of copper oxide rectifiers - Google Patents
Process for the manufacture of copper oxide rectifiersInfo
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- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 29
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 title claims description 23
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 claims description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N iron;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Fe].[Fe] YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- LBJNMUFDOHXDFG-UHFFFAOYSA-N copper;hydrate Chemical compound O.[Cu].[Cu] LBJNMUFDOHXDFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
- H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
- H01L21/164—Oxidation and subsequent heat treatment of the foundation plate
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahrein zur Herstellung van Kupferoxydgleichrichtern, wobei das Kupfer zunächst bei einer ■Temperatur von etwa 950 bis 1100° C oxydiertj dann bei einer Temperatur von etwa 400 bis 6oo° C behandelt und darauf abgeschreckt wird, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die oxydierende Behandlung so weit geführt wird, daß sich eine stärkere Oxydschicht ausbildet, als in der endgültigen Form auf der Oberfläche des Kupfers erforderlich ist, und danach sowohl das entstandene schwarze Oxyd (Cuprioxyd) ganz als auch, das rote Oxyd (Cuprooxyd) teilweise bis. zu der vorgeseheneil Stärke der OxydscMcht entfernt wird.The invention relates to a method for the production of copper oxide rectifiers, the copper initially in a ■ Temperature of about 950 to 1100 ° C oxidizes then treated at a temperature of about 400 to 600 ° C. and then quenched which is characterized in that the oxidizing treatment is carried out so far it becomes that a thicker oxide layer is formed than required in the final form on the surface of the copper is, and then both the resulting black oxide (cuprioxide) whole and, the red oxide (cupro oxide) partially up to. removed to the intended strength of the oxide will.
Die Leistung eines Kupferoxydgleichrichters ist durch seine inneren Verluste bestimmt; durch die Anwendung von Kühlrippen und mittels Durchzuglüftung ist es möglich, eine erhöhte Kraftleistung zu erhalten.The performance of a copper oxide rectifier is determined by its internal losses; through the use of cooling fins and through ventilation, it is possible to create a to obtain increased strength output.
Versuche haben ergeben, daß die Wattverluste in der Sperrichtung des Gleichrichters viel schneller mit der Spannung ansteigen, als die Wattverluste in der Vorwärtsrichtung mit der Stromleistung. Die Verluste werden weiterhin noch dadurch, vergrößert, daß der Leitfähigkeitstemperaturkoeffizient etwa 60/0 je Grad für die Rückwärtsrichtung beträgt im Vergleich mit etwa 2 0/0 je Grad für die Vorwärtsrichtung. Die obenerwähnte Anwendung von Rippen und einer Ventilation steigert jedoch die Leistung in der Vorwärtsrichtung, während die Sperrwiderstandsverluste mit der Spannungssteigerung so stark ansteigen, daß die Leistung des Apparates deshalb sehr stark beschränkt werden muß. Diese Beschränkung der Sperrspannung ver-Tests have shown that the watt losses in the reverse direction of the rectifier increase much faster with the voltage than the watt losses in the forward direction with the power output. The losses are further increased by the fact that the conductivity temperature coefficient about 60/0 per degree for the backward direction is im Compare with about 2 0/0 per degree for the forward direction. The above mentioned application ribs and ventilation, however, increase performance in the forward direction, while the blocking resistance losses increase so strongly with the increase in voltage, that the performance of the apparatus must therefore be very limited. These Restriction of the reverse voltage
langt, daß ein zweiter Gleichrichter in. Serienschaltung mit dem ersten angewendet wird, wenn die Spannungsleistung auch, nur ι Volt gegenüber der Leistung der einzelnen -Scheibe gesteigert wird. Daraus ergibt sich, daß die Größe des Gleichrichters häufig verdoppelt werden muß, selbst wenn, nur ι Volt zusätzlicher Spannung benötigt wird. Diese Beschränkung der Spannungsbelastbarkeit ist ίο bei der Anwendung von Gleichrichtern in vielen Fällen sehr unvorteilhaft, z. B. beim Galvanisieren und anderen Anwendungen, welche vergleichsweise hohe Spannungen verlangen. ι oder 2 zusätzliche Volt Spannung bedeuten ein Verdoppeln der Gleichrichtergröße: was in gewissen Fällen die Hinzufügung von mehreren hundert Platten bedingt. Eine kleine Steigerung in der Voltleistung der Einrichtung, z. B. von ι oder 2 Volt, würde die Verdoppelung des Gleichrichters vermeiden und enorme Kosten- und Materialersparnis ergeben. It is sufficient that a second rectifier is used in series with the first if the voltage output is increased by only ι volts compared to the output of the individual disk. It follows that the size of the rectifier must often be doubled, even if only ι volts of additional voltage is required. This limitation of the voltage rating is ίο very disadvantageous when using rectifiers in many cases, e.g. B. in electroplating and other applications that require comparatively high voltages. ι or 2 additional volts means that the rectifier size is doubled : in certain cases this means adding several hundred plates. A small increase in the voltage output of the device, e.g. B. of ι or 2 volts, would avoid doubling the rectifier and result in enormous cost and material savings.
Durch die Erfindung wird diese Aufgabe in überraschend vorteilhafter und einfacher Weise gelöst.The invention makes this object surprisingly more advantageous and simpler Way solved.
Der neue Kupferoxydgleichrichter weist einen bedeutend geringeren Verluststrom, als die bisher verwendeten Einrichtungen dieser Art auf. Zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung wird am zweckmäßigsten in folgender Weise vorgegangen: Das Kupfermaterial, z. B. die allgemein verwendete Kupferscheibe, wird in bekannter Weise in einem Ofen oxydiert. Anstatt jedoch die Scheibe lediglich bis zu der gewünschten Dicke des roten Oxyds (Kupferoxyduls) zu oxydieren, wird die Oxydation so lange fortgeführt, bis das Kupferoxydul bedeutend dicker ist, als es in der endgültigen Form der oxydienen Platte erforderlich ist. Wenn z. B. die endgültige Form der Platte eine Kupferoxyduldicke von etwa 70 μ besitzen soll, wird nach der Erfindung die Oxydation so lange fortgeführt, bis die Dicke des Kupferoxyduls etwa 100 μ oder mehr, vorzugsweise etwa 140 μ beträgt. Diese Oxydauflage wird dadurch hergestellt, indem das Kupfer bei einer Temperatur oxydiert wird, die zwischen 9500 C und dem Schmelzpunkt des Kupfers, d.h. 10830C, liegt. Je nach der Oxydationstemperatur, gewöhnlich etwa ι ooo° C, kann die Dicke der Öxydlage durch die Zeitlänge, die das Kupfer in dem Ofen verbleibt und die gewöhnlich mehr als 8 Minuten, aber vorzugsweise weniger als 30 Minuten beträgt, bemessen werden. Nach ausreichender Oxydation werden die Scheiben aus dem Ofen entfernt und in einen weiteren Ofen gebracht. Nach einer Zeit von etwa 3 bis 15 Minuten ist die Temperatur fio der Scheiben auf etwa 500° C gesunken, worauf sie aus dem Ofen entfernt und in einer Flüssigkeit, z. B. in kaltem Wasser, abgeschreckt werden. Bisher hat man bei der Herstellung von Kupferoxydscheiben die oberflächliche Auflage von Cupri- oder schwärzem Oxyd entfernt. Wird lediglich das Cuprioxyd von diesen dickeren Scheiben entfernt, so besitzen solche Scheiben einen inneren Widerstand in Vorwärtsrichtung, der 1- bis 3mal mehr beträgt als die bisher angefertigten normalen Scheiben. Nach der Erfindung wird die überschüssige Dicke des Oxyds, die durch das beschriebene Oxydationsverfahren erhalten wird, entfernt, so daß die Kupferoxydullage dieselbe Dicke besitzt wie die einer nach einem bekannten Verfahren hergestellten Platte. Die Oxydschichtdicke bewegt sich ungefähr in der Größenordnung von 70 μ. Die überschüssige Dicke der Kupferoxydulschicht kann etwa 250/0 oder mehr der Dicke der Kupferoxydulauflage betragen, was von der Länge der Oxydation abhängt. Wenn die Kupferoxydulschicht 100 μ Dicke besitzt und 70 μ auf dem Endprodukt verlangt sind, werden demnach nur 300/0 der Kupferoxydulschicht entfernt, ist die Kupferoxydulschicht 140// dick, so werden 500/0 der Schicht entfernt, um die Kupferoxydulauflage auf die verlangte Dicke von 70 μ zu verringern.The new copper oxide rectifier has a significantly lower leakage current than the previously used devices of this type. To carry out the method according to the invention, the most expedient procedure is as follows: The copper material, e.g. B. the commonly used copper washer is oxidized in a known manner in a furnace. However, instead of oxidizing the disc to the desired thickness of the red oxide (copper oxide), the oxidation is continued until the copper oxide is significantly thicker than is necessary in the final form of the oxidized plate. If z. B. the final shape of the plate should have a copper oxide thickness of about 70 μ, the oxidation is continued according to the invention until the thickness of the copper oxide is about 100 μ or more, preferably about 140 μ. This Oxydauflage is prepared by the copper is oxidized at a temperature which is between 950 0 C and the melting point of copper, that is, 0 1083 C. Depending on the oxidation temperature, usually about 1000 ° C., the thickness of the oxide layer can be measured by the length of time the copper remains in the furnace, which is usually more than 8 minutes, but preferably less than 30 minutes. After sufficient oxidation, the panes are removed from the oven and placed in another oven. After a time of about 3 to 15 minutes, the temperature of the panes has dropped to about 500 ° C, whereupon they are removed from the oven and placed in a liquid, e.g. B. in cold water, quenched. So far, in the manufacture of copper oxide discs, the superficial layer of cupric or black oxide has been removed. If only the cupric oxide is removed from these thicker disks, then such disks have an internal resistance in the forward direction which is 1 to 3 times more than the normal disks previously made. According to the invention, the excess thickness of the oxide obtained by the oxidation process described is removed so that the copper oxide layer has the same thickness as that of a plate produced by a known process. The oxide layer thickness is roughly in the order of 70 μ. The excess thickness of the copper oxide layer can be about 250/0 or more of the thickness of the copper oxide layer, depending on the length of the oxidation. When the Kupferoxydulschicht has 100 μ thickness, and 70 μ are demands on the final product, thus only the 300/0 Kupferoxydulschicht be removed, the 140 // Kupferoxydulschicht thick, the layer may be removed 500/0 to the Kupferoxydulauflage to the required thickness decrease from 70 μ.
Es wurde gefunden, daß es zweckmäßig ist, eine verdünnte Lösung von Schwefelsäure mit einer Temperatur von 8o° C für die Beseitigung des schwarzen oder Kupferoxyds sowie für die Entfernung der überschüssigen Dicke des roten Oxyds oder Kupferoxyduls anzuwenden. Die Säurelösung enthält zweckmäßigerweise etwa 2 0/0 Schwefelsäure und 0,10/0 Salzsäure. Nach der Entfernung der Teile aus dem Bad werden sie in Leitungswasser gespült und einige Sekunden in konzentrierte io<> Salpetersäure getaucht. Danach folgt eine zweite starke Spülung, um alle Säurereste zu entfernen.It has been found that it is useful to use a dilute solution of sulfuric acid a temperature of 80 ° C for the removal of black or copper oxide as well to be used for removing excess thickness of red oxide or copper oxide. The acid solution expediently contains about 2% sulfuric acid and 0.10 / 0 Hydrochloric acid. After removing the parts from the bath, they are placed in tap water rinsed and a few seconds in concentrated io <> Dipped in nitric acid. This is followed by a second strong rinse to remove all acid residues remove.
Die Nachbehandlung im Ofen kann innerhalb eines verhältnismäßig weitgehenden Temperaturbereichs, innerhalb dessen brauchbare Gleichrichter erzielt werden können, vorgenommen werden. So haben sich im allgemeinen Temperaturen zwischen 425 bis 6000C, besonders von 500 bis 550'C, als no geeignet erwiesen.The post-treatment in the oven can be carried out within a relatively wide temperature range within which useful rectifiers can be achieved. Thus, at temperatures generally between 425 to 600 0 C, particularly from 500 to 550'C when no proven suitable.
Mit dem Gleichrichter, der nach dem Verfahren nach der Erfindung hergestellt wird, kann mit höheren Spannungen als bisher gearbeitet werden, ohne daß die bereits erwähnten Nachteile auftreten. Die neuartige Wirkung kann vielleicht so erklärt werden, daß durch die Entfernung der überschüssigen Dicke des Kupferoxyduls auch ein gewisser Teil der Oberfläche entfernt wird, der Un- 12c reinigkeiten des Kupfers enthält. Oder es wird eine etwa zwischen dem schwarzen Kup-With the rectifier, which is manufactured according to the method according to the invention, it is possible to work with higher voltages than before without the ones already mentioned Disadvantages occur. The novel effect can perhaps be explained in such a way that by removing the excess thickness of the copper oxide also a certain amount Part of the surface is removed that contains impurities in the copper. Or it is an approximately between the black copper
feroxyd und dem roten Kupferoxydul bestehende unerwünschte Grenzschicht entfernt. Versuche haben ergeben, daß Gleichrichter, die nach dem Verfahren gemäß der Er-; findung hergestellt wurden, allen anderen Kupferoxydgleichrichtern, die bisher erhältlich lieh waren, weitaus überlegen sind. Eine in üblicher Weise hergestellte normale Vorrichtung und eine solche, die nach dem der Erfindung zugrunde liegenden Verfahren hergestellt war, wurden gleichzeitig bei beinahe dem dreifachen Betrag der normalen Gleichstromspannung geprüft. Die normale Einheit versagte nach drei Tagen, während die andere Einheit, die nach der Erfindung hergestellt war, viele Wochen bei einer Temperaturerhöhung von nicht mehr als 110C arbeitete. Der niedrige Temperaturkoeffizient des neuen Kupferoxydgleichrichters verringert denferoxyd and the red copper oxide existing unwanted boundary layer removed. Experiments have shown that rectifiers, which according to the method according to the Er-; Findings were made, are far superior to all other copper oxide rectifiers that were previously available on loan. A conventionally made normal device and one made by the method underlying the invention were tested simultaneously at almost three times the normal DC voltage. The normal unit failed after three days, while the other unit, which was manufactured according to the invention, worked for many weeks at a temperature increase of no more than 11 ° C. The low temperature coefficient of the new copper oxide rectifier reduces the
zo Temperaturanstieg der Vorrichtung - und gestattet gleichbleibendes Arbeiten bei hohen Spannungen, was bisher nicht erreicht werden konnte.zo temperature rise of the device - and allowed constant work at high voltages, which has not yet been achieved could.
Die Erfindung kann auf alle Formen von Gleichrichtern, gleichgültig ob sie aus runden Scheiben, Platten oder anders geformten Teilen bestehen, angewendet werden. Sie bezieht sich auch auf die Gleichrichter, in denen das oxydierte Kupfer den größten Teil der Kupferfläche oder die Hälfte derselben oder nur einen kleinen Teil bedeckt.The invention can be applied to all forms of rectifiers, regardless of whether they are round Discs, plates or other shaped parts are used. She relates also apply to the rectifiers, in which the oxidized copper makes up most of the Copper area or half of it or only a small part covered.
Claims (6)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US206403A US2205263A (en) | 1938-05-06 | 1938-05-06 | Copper oxide rectifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE723526C true DE723526C (en) | 1942-08-06 |
Family
ID=22766210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES135552D Expired DE723526C (en) | 1938-05-06 | 1939-01-24 | Process for the manufacture of copper oxide rectifiers |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2205263A (en) |
DE (1) | DE723526C (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5814164A (en) * | 1994-11-09 | 1998-09-29 | American Scientific Materials Technologies L.P. | Thin-walled, monolithic iron oxide structures made from steels, and methods for manufacturing such structures |
US6045628A (en) * | 1996-04-30 | 2000-04-04 | American Scientific Materials Technologies, L.P. | Thin-walled monolithic metal oxide structures made from metals, and methods for manufacturing such structures |
US6461562B1 (en) | 1999-02-17 | 2002-10-08 | American Scientific Materials Technologies, Lp | Methods of making sintered metal oxide articles |
-
1938
- 1938-05-06 US US206403A patent/US2205263A/en not_active Expired - Lifetime
-
1939
- 1939-01-24 DE DES135552D patent/DE723526C/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US2205263A (en) | 1940-06-18 |
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