DE7533058U - Halbleiterlasergehäuse mit Mitteln zur Auskopplung der vom Laser erzeugten Strahlung - Google Patents
Halbleiterlasergehäuse mit Mitteln zur Auskopplung der vom Laser erzeugten StrahlungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 230000001808 coupling Effects 0.000 title claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 210000000614 Ribs Anatomy 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000001702 transmitter Effects 0.000 description 2
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 230000001427 coherent Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000051 modifying Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Description
It β ·
LICENTIA Pa t en t -^Ve rwal tungs -GmbH
6000 Prankfurt (Main) 70, Theodor-Stern-Kai 1
Ulm (Donau), 15. Okt. 1975 PT-UL/Bs/rß UL 75/113
"Halbleiterlasergehause mit Mitteln zur Auskopplung
der vom Laser erzeugten Strahlung"
Die Neuerung betrifft ein Halbleiterlasergehäuse mit Mitteln
zur Auskopplung der vom Laser erzeugten Strahlung.
Unter einem Halbleiterlaser versteht man ein Halbleiterbauelement mit wenigstens einer Sperrschicht zwischen zwei Halbleiterbereichen
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, das durch Stromdurchgang zur Abgabe von vorzugsweise kohärenter
Strahlung angeregt werden kann.
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Ein derartiger Halbleiterlaser wird wegen seiner Strahlungseigenschaften und nicht zuletzt auch wegen seiner leichten Modulierbarkeit
über den Betriebsstrom als geeignete Lichtquelle zum Einsatz als Lichtsender in breitbandigen optischen Nachrichtenübertragungssystemen
angesehen.
Ein Halbleiterlaser ist ein Bauelement mit typisch im Submillimeterbereich
liegenden Abmessungen, der jedoch während des Betriebs eine erhebliche Verlustwärme entwickelt, die abgeführt
werden muß, um den Halbleiterkristall vor Zerstörung zu bewahren.
Der Neuerung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gehäuse für einen
Halbleiterlaser zu schaffen, das eine leichte und bequeme Handhabbarkeit eines derartigen Miniaturbauelements ermöglicht und
dabei neben einer ausreichenden Wärmeabfuhr auch eine optimale Auskopplung der vom Laser emittierten Strahlung gewährleistet.
Neuerungsgemäß wird dieses Problem durch ein Hal,bleiterlasergehäuse
gelöst, das gekennzeichnet ist durch ein bis auf ringförmig hervorspringende Kühlrippen im wesentlichen hohlzylinderförmig
ausgebildetes, erstes Gehäuseteil mit in den Grundflächen zentrisch angeordneten öffnungen, in dem auf einer fest mit dem
Gehäuseteil verbundenen Wärmesenke ein Halbleiterlaser derart angeordnet ist, daß eine seiner Lichtaustrittsflächen der ersten,
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- 3 - UL 75/113
durch ein formschlüssig eingepaßtes lichtempfindliches Bauelement gasdicht abgeschlossenen öffnung gegenübersteht, und daß
seine weitere Lichtaustrittsfläche auf die zweite öffnung im Gehäuseteil gerichtet ist, die durch ein zweites als Flansch
mit hohlzylinderförmigem Ansatz und darin angeordnetem Lichtleiter ausgebildetetes Gehäuseteil ebenfalls gasdicht abgeschlossen
ist.
Ein solches Gehäuse schützt den Halbleiterlaser einerseits vor schädigenden Umwelteinflüssen oder zufälligen Berührungen, gewährleistet
weiterhin eine für einen zuverlässigen Betrieb erforderliche ausreichende Wärmeabfuhr und ermöglicht schließlich
eine optimale Auskopplung der vom Halbleiterlaser emittierten Strahlung und deren Weiterleitung in eine vorzugsweise aus
Lichtleitfasern bestehende optische Übertragungsstrecke.
Die Neuerung wird unter Bezug auf ein in der Figur dargestelltes Ausführungsbeispiel beschrieben.
Das Halbleiterlasergehäuse besteht aus einem ersten Gehäuseteil 10, das bis auf ringförmig hervorspringende Kühlrippen 11 im wesentlichen
hohlzylinderförmig ausgebildet ist. In beiden Grundflächen des Hohlzylinders sind zentrische öffnungen 12, 12' angeordnet.
Auf einer aus einem Kupferblock 13 und einer Diamant-
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UL 75/113
,jedoch lösbar scheibe 14 bestehenden Wärmesenke, die fest/mit diesem ersten
Gehäuseteil 10 verbunden ist, ist ein Halbleiterlaserkristall 15 derart angeordnet, daß eine seiner Lichtaustrittsflächen
der ersten öffnung 12 im Boden des Hohlzylinders 10 gegenüberliegt.
Der Halbleiterlaserkristall 15 ist in an sich bekannter Weise durch ein gut wärmeleitendes Lot mit der aus den Teilen
15, 14 bestehenden Wärmesenke verbunden. Die zweite Lichtaustrittsfläche 20' des Halbleiterlasers 15 ist auf die weitere
öffnung 12' in Gehäuseteil 10 gerichtet. Diese öffnung wird
durch ein weiteres Gehäuseteil abgeschlossen, das aus einem Plansch 16 mit hohlzylinderförmig ausgebildetem Ansatz 18 besteht,
in dem ein Lichtleiter 19 angeordnet ist. Zweckmäßig sind die beiden Gehäuseteile 16, 10 mittels eines aushärtbaren
Klebers, wie beispielsweise ein Epoxidharz,gasdicht miteinander verbunden. Dadurch kann das Eintreten von Feuchtigkeit in das
Innere des Gehäuses verhindert werden. Die vom Laser 15 über seine Lichtaustrittsfläche 20' ausgesandte Strahlung ist über
ι das lichtdurchlässige Lichtleiterstück 19 auskoppelbar. Der den Lichtleiter 19 enthaltende Hohlzylinder 18 ist zweckmässigerweise
als Steckerstift ausgebildet. Dadurch eröffnet sich eine vorteilhafte Ankopplungsmoglichkeit an einen Lichtleiter
mit einem diesem Stecker entsprechend ausgebildeten Gegenstück. Ein besonderer Vorteil dieses Lasergehäuses besteht darin, daß
bei einer Verbindung mit einem die Strahlung des Lasers weiterleitenden Lichtleiter keinerlei optische Justierungsmaßnahmen
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erforderlich sind. Eine für eine optimale Auskopplung der vom Laser 15 erzeugten Strahlung erforderliche Justierung erfolgt
bereits beim Zxisammenbau des Lasergehäuses in der Weise, daß
der Lichtleitea? 19 auf die Lichtaustrittsfläche 20' des Lasers
15 ausgerichtet wird, solange der noch nicht ausgehärtete, zur Verbindung der Gehäuseteile verwendete Kleber, ein Verschieben
des Flansches 16 gestattet. Nach Aushärten des Klebers ist eine unbeabsichtigte Dejustierung nicht mehr möglich. Die weitere
Öffnung 12 im Boden des Gehäuseteils 10 wird durch ein formschlüssig eingepaßtes, lichtempfindliches Bauelement 17 ebenfalls
gasdicht abgeschlossen. Von diesem optischen Bauelement 17, das beispielsweise eine Photodiode sein kann, deren lichtempfindliche
Fläche dam Halbleiterlaser 15 zugewandt ist, wird das über
die Lichtaustrittsfläche 20 abgestrahlte Licht aufgefangen und in ein entsprechendes elektrisches Signal umgewandelt, das an
den Ausgangsklemmen 21 des optischen Bauelementes außerhalb des Lasergehäuses zur Verfügung steht. Dieses elektrische Ausgangssignal
wird einer in der Figur nicht dargestellten Regelschaltung zugeführt, die über eire entsprechende Beeinflussung des
den Halbleiterlaser durchfließenden Betriebsstroms für eine möglichst konstant bleibende optische Ausgangsleistung sorgt. Dieses
Vorgehen hat sich als zweckmäßig erwiesen, weil Halbleiterlaser in Abhängigkeit von den jeweiligen Betriebsbedingungen ,
insbesondere aber mit wachsender Betriebsstundenzahl unerwünschte Veränderungen der optischen Ausgangsleistung zeigen.
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. * I 4 < 4
if 75/115
Nach dem heutigen Stand der Lasertechnik kann ein Halbleiterlaser nur eine begrenzte Anzahl von Betriebsstunden erreichen.
Danach kann er seine Funktion als Lichtsender in einem optischen Übertragungssystem nicht mehr erfüllen und muß durch einen neuen
Halbleiterlaser ersetzt werden. Das neuerungsgemäß vorgeschlagene Halbleiterlasergehäuse ermöglicht in kostensparender Weise einen
derartigen Austausch. Durch Erhitzen kann die Klebverbindung zwischen den beiden Gehäuseteilen 10 und 16 auf einfache Weise getrennt
werden. Der unbrauchbar gewordene Halbleiterlaser kann mitsamt seiner aus den Teilen 13 und 14 bestehenden Wärmesenke
aus dem Gehäuseteil 10 entfernt werden. Nach Einsetzen eines neuen, funktionsfähigen Halbleiterlasers werden die Gehäuseteile,
wie zuvor beschrieben, wieder miteinander verbunden. Durch Wiederverwendung aller übrigen Gehäuseteile ergeben sich erhebliche
Kosteneinsparungen.
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Claims (1)
- »lit f J- 7 - UL 75/115SchutzanspruchHalbleiterlasergehäuse mit Mitteln zur Auskopplung der vom Laser erzeugten Strahlung gekennzeichnet durch ein bis auf ringförmig hervorspringende Kühlrippen (11) im wesentlichen hohlaylinderförmig ausgebildetes, erstes Gehäuseteil (10) mit in den Grundflächen zentrisch angeordneten öffnungen (12, 12'), in dem auf einer fest mit dem Gehäuseteil (10) verbundenen Wärmesenke (13, 14·) ein Halbleiterlaser (15) derart angeordnet ist, daß eine seiner Lichtaustrittsflächen (20) der ersten, durch ein formschlüssig eingepaßtes lichtempfindliches Bauelement (17) gasdicht abgeschlossenen öffnung (12) gegenübersteht, und daß seine weitere Lichtaustrittsfläche (201) auf die zweite öffnung (121) im Gehäuseteil (10) gerichtet ist, die durch ein zweites, als Flansch (16) mit hohlzylinderformigem Ansata (18) und darin angeordnetem Lichtleiter (19) ausgebildetes Gehäuseteil ebenfalls gasdicht abgeschlossen ist.7533058 13.05.76
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE7533058U true DE7533058U (de) | 1976-05-13 |
Family
ID=31952855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE7533058U Expired DE7533058U (de) | Halbleiterlasergehäuse mit Mitteln zur Auskopplung der vom Laser erzeugten Strahlung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE7533058U (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3413749A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-10-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Optisches system |
DE3413748A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-10-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Optisches system |
DE10154567A1 (de) * | 2001-11-07 | 2003-05-22 | Conti Temic Microelectronic | Lichtleiter mit integriertem Befestigungsmittel |
-
0
- DE DE7533058U patent/DE7533058U/de not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3413749A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-10-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Optisches system |
DE3413748A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-10-17 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Optisches system |
DE10154567A1 (de) * | 2001-11-07 | 2003-05-22 | Conti Temic Microelectronic | Lichtleiter mit integriertem Befestigungsmittel |
DE10154567B4 (de) * | 2001-11-07 | 2016-06-09 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Lichtleiter mit integriertem Befestigungsmittel |
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