Verfahren zur Erhöhung der Sekundäremissionsfähigkeit von Berylliumlegierungen
Zusatz zum Patent 731423 Das Hauptpatent betrifft ein Verfahren zur Erhöhung der
Sekundärernissionsfähigkeit einer im @iochvakuum zunächst dumch kurzeitige Erhitzung
auf etwa i i oo° C vorbereiteten und alsdann ;etwa i Stunde oder mehr bei ,etwa
700°C oder mehr geglühten Legierung von Beryllium mit einem - oder mehreren Metallen,
in denen Beryllium bei höheren, nicht aber bei- tieferen Temperaturen löslich ist,
insbesondere mit Nickel, Kobalt, Eisen, Kupfer, Wolfram oder Molybdän, vorzugsweise
für Vervielfacher. Nach dem Hauptpatent wird die Schicht nach denn Glühen im Vakuum
einer Wärmebehandlung bei etwa 700°C unter Zutritt von Sauerstoff oder sauerstoffhaltigen
Gasen, wie Luft, unter .einem Druck, .der über dem vorher angewendeten Hochvakuum
über io-5mmHg), aber unter der Größe (von etwa io-5mm Hg) liegt, bei dereine kompakte
Oxydschicht entsteht, unterworfen. Eine Abwandlung dieses Verfahrens besteht nach
dem Hauptpatent darin, daß die Schicht nach dem. Glühen im Vakuum und erfolgter
Abkühlung etwa i/2 Stunde lang Sauerstoff oder -spuerstoffhaltigen Gasen, wie Luft,
bei einem Druck, von etwa i o-2 rnm Hg oder meh$ ausgesetzt und alsdann im Hochvakuum,
vorzugsweise unter dauerndem Anschluß des die zu behandelnde Schicht ,enthaltenden
Rohres an die Ho,chvakuLunp,umpe, bei etwa 700'C geglüht wird, und.daß diese
Prozesse gqgebenenfalls nacheinander wiederholt werden. Bei genügend langer Fortsetzung
dieser Sauerstoffglühbehandlüng kann der Sekundäremissionsfakter einen Wert bis
zu etwa 12 im Maximum der Ausbeutekurveerreichen.Method for increasing the secondary emission capacity of beryllium alloys Addition to patent 731423 The main patent relates to a method for increasing the secondary emission capacity of a prepared in a high vacuum first by brief heating to about 100 ° C and then; about 1 hour or more at about 700 ° C or more annealed alloy of beryllium with one or more metals in which beryllium is soluble at higher, but not at lower temperatures, especially with nickel, cobalt, iron, copper, tungsten or molybdenum, preferably for multipliers. According to the main patent, the layer is then annealed in a vacuum heat treatment at about 700 ° C with the admission of oxygen or oxygen-containing gases, such as air, under .a pressure that is above the previously applied high vacuum above 10-5 mmHg), but below the Size (of about 10 -5 mm Hg), at which a compact oxide layer is formed, is subject. A modification of this process is, according to the main patent, that the layer after. Annealing in vacuum and subsequent cooling for about 1/2 hour exposed to oxygen or oxygen-containing gases, such as air, at a pressure of about 10-2 mm Hg or more and then in a high vacuum, preferably with continuous connection of the gas to be treated Layer, containing tube to the Ho, chvakuLunp, umpe, is annealed at about 700'C , and that these processes are repeated one after the other if necessary. If this oxygen treatment is continued for a sufficiently long time, the secondary emission factor can reach a value of up to about 12 at the maximum of the yield curve.
Die Erfindung betrifft eine Weiterbildung des Verfahrens nach dem
Hauptpatent. Das Verfahren nach dem Hauptpatent verlangt nämlich eine- außerordentlich
vorsichtige Durchführung der Formierung, wenn man zu den höchsten Ausbeuten gelangen
will. Hier gibt die vorliegende Erfindung einten Weg an, um diese hohen Ausbeuten
mixt größerer Sicherheit zu erreichen, Überdies wird auch in den Fällen, in denen
man die hohen Ausbeuten bereits nach dem. Hauptpatent erreichen könnte, die Dauer
des Verfahrens wesentlich abgekürzt.
Erfindungsgemäß wird zur Verkürzung
der erforderlichen Einwirkungszeit von Sauerstoff oder sauerstoffhaltigen Gasen
auf die Schicht in,- der Sauerstoffatmosphäre während der Wärmebehandlung eine Gasentladung
in -unmittelbarer Nähe der Schicht aufrechterhalten. Es hat sich z. B. als zweckmäßig
erwiesen, die Gasentladung bei Sauerstoffdrucken von i o-2 bis i o-1 mm H,- etwa
i o sec lang aufrechtzuerhalten. Dabei können z. B. Ströme von etwa 3o mA bei Spannungen
von 5oo bis 8oo Volt fließen. Es ist verständlich, daß höhere Drücke kürzere Behandlungsdauern
oder aber kleinere Ströme oder geringere Spannungen bedingen, und umgekehrt. Die
zu behandelnde Schicht kann dabei als eine Elektrode der Gasentladung geschaltet
werden. Ist sie Kathode der Entladung, so ist die Dauer der Gasentladung ziemlich
kritisch, weil leicht eine zu starke Oxydation und damit eine Überformierung der
Schicht ,erhalten wird. Am günstigsten sind die Verhältnisse, wenn die zu behandelnde
Schicht als Anode der Entladung geschaltet wird oder aber wenn unmittelbar vor ihr
die gasdurchlässig, z. B. als Blende oder Netz, ausgebildete Anode der Entladung
. -tnzl -ebracht wird.The invention relates to a further development of the method according to the main patent. The process according to the main patent requires that the formation be carried out extremely carefully if the highest yields are to be achieved. Here the present invention provides a way to achieve these high yields mixes with greater safety. Main patent could achieve significantly shortened the duration of the procedure. According to the invention, in order to shorten the required exposure time of oxygen or oxygen-containing gases to the layer in the oxygen atmosphere during the heat treatment, a gas discharge is maintained in the immediate vicinity of the layer. It has z. B. proven to be useful to maintain the gas discharge at oxygen pressures of 10 -2 to 10 -1 mm H, - for about 10 seconds. It can, for. B. Currents of about 30 mA flow at voltages of 500 to 800 volts. It is understandable that higher pressures result in shorter treatment times or else smaller currents or lower voltages, and vice versa. The layer to be treated can be connected as an electrode of the gas discharge. If it is the cathode of the discharge, the duration of the gas discharge is quite critical, because too strong an oxidation and thus an overforming of the layer is easily obtained. The conditions are most favorable if the layer to be treated is connected as the anode of the discharge or if the gas-permeable, z. B. as a diaphragm or network, formed anode of the discharge . -tnzl-is brought.