DE733163C

DE733163C - Process for making barrier photocells

Info

Publication number: DE733163C
Application number: DEZ21427D
Authority: DE
Original assignee: Zeiss Ikon AG
Current assignee: Zeiss Ikon AG
Priority date: 1933-12-07
Filing date: 1933-12-08
Publication date: 1943-03-23

Description

Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtphotozellen Die bis jetzt hergestellten Sperrschichtphotozellen sind in der Hauptsache Selen-oder Kupferoxydulzellen. Es sind auch bereits Sperrschichtzellen mit Wolframoxyd und Zirconiumoxyd bekanntgeworden. Jede der genannten Syerrschichtzellen besteht aus der Kombination: Metall, Halbleiter, Sperrschicht, Metall. Als lichtdurchlässige Deckschicht wurden vorzugsweise Schichten aus Platin, Gold, Blei verwendet. Die A'erwendutig von Alkalioxyden als Halbleiterschicht mit daraufliegender Alkalimetallschicht ist zwar bei einer gewöhnlichen Alkalizelle, nicht aber bei einer Sp.errschichtphatozelle, bisher bekanntgeworden.Method of Making Barrier Photo Cells The up to now The barrier photocells produced are mainly selenium or copper oxide cells. Barrier layer cells with tungsten oxide and zirconium oxide have also become known. Each of the above-mentioned Syerr layer cells consists of the combination: metal, semiconductor, Barrier, metal. Layers were preferably used as the transparent cover layer used from platinum, gold, lead. The need for alkali oxides as a semiconductor layer with a layer of alkali metal on top of it, an ordinary alkali cell but not in a Sp.errschichtphatozelle, so far known.

Versuche mit zusammengesetzten Photokathoden regten nun Untersuchungen hinsichtlich der Sperrwirkung solcher Kathoden an. In der Tat beobachtet man gute Gleichricltterwirkung und einen Photostrom im Sinne eines Vorderwandeffektes an Kathoden mit hoher äußerer lichtelektrischer Emission, wenn man nach der im folgenden beschriebenen Erfndung verfährt.Experiments with composite photocathodes now stimulated investigations regarding the blocking effect of such cathodes. Indeed, one observes good ones Rectifying effect and a photocurrent in the sense of a front wall effect Cathodes with high external photoelectric emission, if one looks at the following described Erfndung proceeds.

Gemäß der- Erfindung wird eine Sperrschichtzelle hergestellt, indem eine Silberunterlage oxydiert und auf diese Alkalimetall derart aufgedampft wird, daß eine Alkalio:@ydschicht mit daraufliegender Mkatimetallsclticht entsteht und daß nach Aufbringen einer Gegenelektrode in Form eines Ringes oder Gitters die Zelle in ein Vakuumgefäß eingeschlossen wird. Der Schichtenaufbau der erfindungsgemäßen Zelle ist also folgender Metall, Alkalimetalloxyd, Alkalimetall, Sperrschicht, Gegenelektrode.According to the invention, a barrier cell is made by a silver base is oxidized and alkali metal is vapor-deposited onto it in such a way that that an alkali metal layer with an overlying Mkatimetallsklticht arises and that after applying a counter electrode in the form of a ring or grid, the cell is enclosed in a vacuum vessel. The layer structure of the invention Cell is therefore the following metal, alkali metal oxide, alkali metal, barrier layer, counter electrode.

Die Herstellung kann im einzelnen etwa folgendermaßen geschehen: Man dampft auf eine Glasplatte im Vakuum, z. B. mit Hilfe einer Wolframwendel, in der sich Silber befindet, Silber auf. Alsdann oxydiert man diese Schicht mit Hilfe einer Glimmentladung und bringt ein Alkalimetall auf die Schicht auf, die teilweise durch den Sauerstoff der Oxydtmterlage oxydiert wird. Auf diese fertig sensibilisierte Schicht wird eine Gegenelektrode in Form eines Gitters aufgelegt. Es wird so viel Alkalimetall verwendet, daß etwas überschüssiges Alkalimetall vorhanden bleibt.The production can be done as follows: Man evaporates on a glass plate in a vacuum, e.g. B. with the help of a tungsten filament in which there is silver, silver on. Then you oxidize this layer with the help of a Glow discharge and brings an alkali metal to the layer, which is partially through the oxygen of the Oxydtmterlage is oxidized. Sensitized to this ready Layer a counter electrode in the form of a grid is placed. It will be so much Alkali metal used so that some excess alkali metal remains present.

Noch größere Sperrschichtphotoströme erhält man, wenn man auf der Alkalimetallschicht noch eine dünne lichtdurchlässig Schicht eines Fremdmetalls niederschlägt.Even larger junction photocurrents are obtained by using the Alkali metal layer still a thin translucent layer of a foreign metal precipitates.

Derartige Zellen sind «-eggen der schnell oxvdierbaren Alkalimetalle in ein Vakuumgefäß einzuschließen.Such cells are harrows of rapidly oxidizable alkali metals to enclose in a vacuum vessel.

Eine geringe Gasfüllung eines chemisch inaktiven Gases wirkt sich nicht ungünstig aus. An Stelle von Sauerstoff kann in der Alkaliverbindung auch Schwefel, Selen oder Tellur verwendet werden.A low gas filling of a chemically inactive gas has an effect not unfavorable. Instead of oxygen, the alkali compound can also Sulfur, selenium or tellurium can be used.

Claims

PATENT CLAIMS: i. Procedure. for the production of barrier photocells, marked by the fact that a silver base oxidizes and @ # on this alkali metal is vapor deposited in such a way that an alkali oxide layer with an overlying alkali metal layer arises and .that after application of a counter electrode in the form of a ring or Grid, the cell is enclosed in a vacuum vessel.

2. The method according to claim i, characterized in that on the alkali metal layer as a counter electrode Foreign metal, for example silver, is vapor-deposited in a thin, translucent layer will.

3. The method according to claim i and 2, characterized in that cesium as Allzali metal is used.