DE7315364U - Keramischer kondensator - Google Patents
Keramischer kondensatorInfo
- Publication number
- DE7315364U DE7315364U DE7315364U DE7315364U DE7315364U DE 7315364 U DE7315364 U DE 7315364U DE 7315364 U DE7315364 U DE 7315364U DE 7315364 U DE7315364 U DE 7315364U DE 7315364 U DE7315364 U DE 7315364U
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- capacitor
- layer
- reduction
- layers
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 101100365384 Mus musculus Eefsec gene Proteins 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229940099259 vaseline Drugs 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
CRL Electronic. |8·672 Selb, d»m U. April 1973
Bauelemente GmbH ,y2P-.Pl/es LL
KERAMlSCIiER KONDENSATOR
Die Erfindung betrifft einen Sperrschichtkondensator, bestehend aus einer Reduktionsschicht und einer diese umgebende Reoxidationsschicht
5 insbesondere einen, Mehrfach-Sperrschichtkondensator.
Derartige Sperrschichtkondensatoren besitzen bei niedrigen Nennspannungen hohe Volumenkapazitäten und werden in transistorisierten
Geräten verwendet.
Wo noch höhere Kapazitätswerte erforderlich sind, werdenbislang
Elektrolytkondensatoren eingesetzt.
Werden die Volumenlcapazitäten einiger Kondensatorbauformen
gegenübergestellt, so ergibt sich nach H. Nottebrock: "Kondensatoren", Teil 1, 19^9
Bauform Nennspannung Volumenkapazität
(V-) (nF/mm3)
Vaselinekondensator Metallpapierkond. Kunstfolienkond.
Sperrschichtkond.(herk.) Elektrolvtkondensator
Elektrolytkondensatoren haben bei sehr hoher Volumenkapazität den Nachteil einer begrenzten Lagerfähigkeit und eines hohen
Verlustfaktors. Die bekannten Sperrschichtkondensatoren mit
160 | 0,011 |
i6o | o,ooG |
32 | lti88 |
i6 | 1,666 |
12 | |
zwei gegenüberliegenden. Elektrodenflächen und zentraler, nicht
an die Oberfläche des Keramikkörpers herausgeführter Redukticnsschicht
haben den Nachteil, ihr Dielektrikum in Bezug auf hohe Volumenkapazität nicht auszunutzen, weil es sich bei herkö.rjnlichen
Sperrschichtkondensatoren um eine Serienschaltung der beiden Teilkapazitäten handelt. Die Kapazität pro reoxidierter
Dielektrikurnsschicht ist doppelt so groß, als der an den Kondensatoranschlüssen
gemessene Kapazitätswert.
Aus der US-Patentschrift 2 520 376 ist ein Verfahren zur Herstellung
eines Kondensatorkörpers in Schichtform mit hoher Dielektrizitätskonstante bekannt, der nach dem Prinzip eines
Sperrschichtkondensators aufgebaut ist. Dabei besteht das keramische Dielektrikum aus einer Mischung aus Erdalkalititanaten
mit einem Oxidzusatz seltener Erden, welcher als Reduktionskatalysator wirkt und ein Teil des Kondensatorkörpers in oxidierender
Atmosphäre und ein anderer Teil in reduzierender Atmosphäre gebrannt wird.
Die deutsche Patentschrift 879 920 beansprucht ein Verfahren
zur Herstellung eines bimorphen Titanates und ist dadurch gekennzeichnet,
daß zunächst ein Keratnikstreifen aus Metalltitanaten,
TiO oder Mischungen von solchen geformt, und dieser dann so behandelt wird, daß der Keramikkörper teilweise reduziert
und sein elektrischer Widerstand verringert wird, wonach man nur einen Teil des Streifens in der Weise einer Oxidationsbehandlung
unterwirft, daß im Ergebnis wenigstens zwei Schichten verschiedener elektrischer Leitfähigkeit entstehen. Dieses Verfahren
bezieht sich auf die Herstellung bimorpher Übertragerelemente und nicht auf Sperrschichtkondensatoren, obwohl das
beanspruchte Verfahren prinzipiell auf die Herstellung von Sperrschichtkondensatoren anwendbar ist und damit zum.Stand
der Technik gerechnet \iorden kann wie er im Oberbegriff des
Hauptanspruchs gewürdigt wird.
7315364 24.0676
Desgleichen ist auch aus der DT-AS 1 097 568 ein Verfahren
zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem gleichmäßig
gesinterten Körper aus Erdalkaiititanaten, z.B. Gleichrichter oder Kondensatoren bekannt, wobei der gesinterte
Körper durch allseitige Reduktion in einer reduzierenden Atmosphäre zu einem η-leitenden Halbleiterkörper mit einer
Dielektrizitätskonstante von etwa 6000 umgewandelt wird, daß auf diesem Halbleiterkörper 2 Elektroden aus Silber,
Platin, Zink oder Graphit so aufgebracht werden, daß zwischen mindestens einer Elektrode und dem Halbleiterkörper eine isolierende
Grenzschicht von etwa 0,0025 <^° Dicke entsteht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Reoxidations-Dielektrikum
bei einem an sich bekannten Sperrschichtkondensator voll auszunutzen, d.h. aus der Serienschaltung der Dielektrika
eine Parallelschaltung zu machen, so daß sich eine viermal höhere Volumenkapazität von ungefähr k,7 nF/mm ergibt,
die wesentlich über der des Elektrolytkondensators liegt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
Reduktionsschicht bis an die Oberfläche des keramischen Kondensatorkörpers herausgeführt und hier sperrschichtfrei j
mit einem Anschluß kontaktiert wird, so daß sich bei elektrisch leitender Kontaktierung der nebeneinanderliegenden
Elektrodenflächen und sperrschichtfreier Kontaktierung der
Reduktionsschicht(en) eine Parallelschaltung der Reoxidations-Dielektrikurasschichten
ergibt.
Dabei können die Einzelscheiben durch Pressen kreis- oder rechteck - bzw. quadratförmig sein oder es kann ein Keramikstrang
gezogen werden. Nach dem üblichen Sinterbrand und der anschließenden thermischen Reduktionsbehandlung werden die
durchreduzierten, leitenden Keramikscheiben bzw. der Strang tauchmetallisiert■>
wobei jedoch ein Teil der Scheibe bzw. des Stranges aus dem Metallisierungsbad heraussteht, so daß ein
7315364 24.06.78
Teil der KeramikoberiTläche von der Metallisierung frei bleibt.
Diese Metallisierung wird beispielsweise in einem Silberbnd vorgenommen. Anschließend wird die Metallisierung in einer
oxidierenden Atmosphäre auf der Keramikoberfläche derart eingebrannt,
daß eine Oberflächenschicht des reduzierten Keramikkörpers
reoxidiert und damit nichtleitend wird. Diese Reoxidationsschicht
bildet das Dielektrikum eines Sperrschichtkondensators. Der im Inneren des Keraaiikkörpers verbleibende reduzierte
und damit leitende Kern ergibt bsi herkömmlichen
Sperrschichtkondensatoren die Gegenelektrode zu den aufgebrachten Außenelektroden. Bei Anschluß an den beiden Außenelektroden
ergibt sich somit eine Serienschaltung der beiden Sperrschichtteilkapazitäten. Werden die Einzelscheiben oder
der Strang mit rechteckigem Querschnitt jedoch bis auf eine Teilfläche tauchmetallisiert, die Metallisierung oxidierend
eingebrannt und die von der Metallisierung freibleibende Teiloberfläche
derart auseinandergetrennt, daß die im Inneren der Keramik befindliche Reduktionsschicht an die durch das Abtrennen
entstandene Oberfläche herausreicht, so ergibt sich bei sperrschichtfreier Kontaktierung der Redulctionsschicht zwischen
dieser und der oxidierend eingebrannten Tauchmetallisierung eine Parallelschaltung der beiden Reoxidations-Dielektrikumsschichten
und damit gegenüber herkömmlichen Sperrschichtkondensatoren die vierfache Volumenkapazität.
Bei dünnwandigen Keramikscheiben von beispielsweise 0,6 mm Wandstärke ist die sperrschichtfreie Kontaktierung mittels
z.B. leitfähigem Kleber durch Walzen, Stempeln oder Pinseln möglich. Einfacher wird das Aufbringen der sperrschichtfreien
Kontaktierung auf größeren ebenen Flächen, insbesondere bei einem erfindungsgemäßen, aus mehreren Scheiben zusammengesetzten
Sperrschichtkondensator.
Werden gepreßte Einzelscheiben zu einem erfindungsgemäßen
Sperrschichtkondensator zusammengesetzt, so kann das Abtrennen eines Teiles des Keramikkörpers bei der Einzelscheibe nach
7315364 24.oa76
- 5
dem Einbrand der Außeiimetallisiörung oder er?t nach dem elektrisch
leitenden., mechanisch festen Kontaktieren der nebeneinander
liegenden Elektrodenfliachen geschehen. Im ersten
Fall ist es möglich, Scheiben mit lieoxidationsausfall auszusortieren;
im zweiten Fall erhält man auf einfachste V/eise eine ebene Fläche zur sperrschichtfreien Kontaktierung der
Reduktionsschichten der einzelnen Scheiben.
Bei Verwendung eines stranggezogenen Keramikkörpers rechteckigen Querschnitts vereinfacht sich die Außenmetallisierung
erheblich, da der ganze Strang in einem Tauchvorgang metalli·*
siert wird. Nach dem oxidierenden Einbrand der Außenmetallisierung wird der Strang in einem Mehrfachschneidwerkzeug in
gleiche Einzellängen zersägt, die anschließend wie bei den gepreßten Scheiben beschrieben, weiterverarbeitet werden.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, im Vergleich zu herkömmlichen Sperrschichtkondensatoren
bei gleicher Spannungsfestigkeit die vierfache Volumenkapazität
und bei Mehrfach-Sperrschichtkondensatoren eine große Fläche
zur sperrschichtfreien Kontaktierung der Anschlüsse an die
Reduktionsschichten zu erreichen, wobei die Parallelschaltung
der einzelnen Dielektrikumsschichten ohne weitere Hilfsmittel einfach durch Aneinanderlegen der Einzelscheiben, elektrisch
leitende Verbindung aneinanderliegender Elektrodenmetallisierungen
und sperrschichtfreie Kontaktierung der Reduktionsschichten hergestellt wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 einen Sperrschichtkondensator in Einscheibenbauform
im Querschnitt,
Fig. 2 einen Sperrschichtkondensator in Mehrscheibenbauform
im Querschnitt,
Fig. 3 einen Einscheiben-Sperrschichtkondensator mit schematisch
angedeuteter Trennlinie,
Fig. k einen stranggezogenen Keramikkörper .in räumlicher
Darstellung, <
Fig. 5 eine kreisförmige Keramikscheibe in Auf- und Seitenansicht,
Fig. 6 eine Darstellung der Scheibe entlang der Schnittlinie AD aus Fig. 5t
Fig. 7 eine räumliche Darstellung eines Mehrfach-Sperrschichtkondensators
mit rechteckiger Grundfläche und
Fig. 8 eine räumliche Darstellung eines Mehrfach-Sperrschichtkondensators
mit kreisförmiger Grundfläche.
Fig. l zeigt einen Querschnitt durch einen Sperrschichtkondensator
1 kreis- oder rechteckförmiger Grundfläche, bestehend
aus der Reduktionsschicht 6 und der diese umgebenden Reoxidationsschicht 5» welche das Kondensator dielektrikum bildet«. An
der Scheibenoberfläche befindet sich die Metallisierung 2,
■welche durch Tauchen hergestellt wird und die den Scheibenkörper
nicht vollständig umgibt. Die zwischen der Metallisierung 2 und der Reduktionsschicht 6 befindlichen Dielektrikunis
schicht en 5 sind dabei parallel geschaltet. Die Reduktionsschicht 6 reicht an der von der Außenmetallisierung 2 nicht bedeckten
Oberfläche an diese heraus und wird hier sperrschichtfrei mit einem Anschluß 9 elektrisch leitend verbunden, wobei
die sperrschichtfreie Kontaktierung 8 beispielsweise ein elektrisch
leitender Kleber ergibt. Der zweite Anschluß 9 ist an der Außenmetallisierung 2 elektrisch leitend verbunden. Der
mit Anschlüssen 9 versehene Sperrschichtkondensator ist mit einer Umhüllung 10 zum Schutz gegen Feuchtigkeit umgeben.
Fig. 2 zeigt einen Sperrschichtkondensator in Scheibenbauform,
bei dem die von der Reoxidationsschicht 5 umgebenen Reduktionsschichten 6 sperrschichtfrei metallisiert 8 sind und die Außenmetallisierungen
2 durch Verbindungsschichten 7 aus z.B. Lötzinn elektrisch leitend verbunden sind, wobei nach Anbringen
der Anschlüsse 9 der Kondensator mit einer Umhüllung lO versehen
wird.
Fig· 3 zeigt einen Querschnitt durch einen Sperrschichtkondensator
1 mit Außenmetallisierung 2, die oxidierend auf der durchreduzierten Keramikscheibe eingebrannt wird, so daß sich die
Oxidationsschicht 5 um die verbleibende Redukv.ionsschicht 6
ausbildet. Durch Trennen des Keramikkörper» entlang der Schnittlinie k wird die Reduktionsschicht 6 an dieser Stelle an die
Scheibenoberfläche verlegt.
Fig. 4 zeigt einen stranggezogenen Keramikkörper 1 mit rechteckigem
Querschnitt, der nach dem Sinterbrand und thermischer Behandlung in reduzierender Atmosphäre durch eine Tauchvorgang
an der Oberfläche metallisiert wird, wobei die Außenmetallisierung 2 nicht die gesarate Oberfläche bedeckt. Nach dem oxidierenden
Einbrand der Außenmetallisierung 2 wird der Strang entlang der Schnittlinien 3 auseinander geschnitten und vor
oder nach dem Zusammenbau zu einem Mehrfach - Sperrschichtkondensator entlang der Schnittlinie k auseinandergetrennt,
so daß die Reduktionsschichten an den Scheibenoberflächen zu
liegen kommen. Die Schnitte entlang der Schnittlinien 3 können jedoch auch vor dem Tauchmetallisiervorgang durchgeführt werden,
so daß die Außenmetallisierung auch die im ersten Fall freibleibenden Querschnittsflächen entsprechend bedeckt. Wesentlich ist
der Schnitt entlang der Schnittlinie 4, der den leitfähigen
(reduzierten) Kern freilegt.
Fig. 5 zeigt eine kreisförmige Keramikscheibe 1 in Auf- und
Seitenansicht mit der Außenmetallisierung 2. Strichpunktiert
ist die Schnittlinie h dargestellt, die parallel zum Metallisierungsrand
verläuft und an der die Scheibe auseinandergetrennt wird.
Fig. 6 zeigt einen Schnitt entlang der Schnittlinie AB aus Fig. 5 mit der Außenihetallisierung 2, der Reoxidationsschicht
5 und der Reduktionsschicht 6, die durch Trennen des Keramikkörpers
1 entlang der Schnittlinie k an die Oberfläche herausragt.
Fig, 7 zeigt eine räumliche Darstellung eines Mehrscheiben Sperrschichtkondensators
mit Anschlüssen 9 und Umhüllung lO
Fig. 8 zeigt eine räumliche Darstellung eines Mehrscheiben Sperrschichtkondensators
kreisförmiger Grundfläche mit den
Außenmetallisierungen 2, der zum Metallisierungsrand parallel verlaufenden Schnittlinie 4, mit der sperrschichtfreien Kontaktierung 8 und den Anschlüasen 9·
Außenmetallisierungen 2, der zum Metallisierungsrand parallel verlaufenden Schnittlinie 4, mit der sperrschichtfreien Kontaktierung 8 und den Anschlüasen 9·
■ ANSPRUCHE
Claims (2)
1. Sperrschichtkondensator, bestehend aus einer Reduktionsschicht und einer diese umgebenden Reoxidationsschicht,
dadxirch gekennzeichnet, daß die Reduktionsschicht an eine
Teiloberfläche des keramischen Kondensatorkö'rpers herausreicht
und hier sperrschichtfrei mit einem Anschluß kontaktiert ist, während der zweite Kondensatoranschluß an
der oxidierend eingebrannten Metallelektrode befestigt ist, welche die Reduktionsschicht bis in die Nähe dieser
Teilfläche umschließt.
2. Sperrschichtkondensator, bestehend aus mehreren Kondensatoren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kondensatoren nebeneinander angeordnet und die Reduktionsschichten alle auf der gleichen Seite an die Oberfläche
herausgeführt sind, so daß sich bei elektrisch leitender
Kontaktierung der nebeneinanderliegenden Elektrodenflächen und sperrschichtfreier Kontaktierung der Reduktionsschichten
eine Parallelschaltung sämtlicher Reoxidations - Dielektrikumsschichten ergibt.
3· Sperrschichtkondensator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß er Kreis- oder Rechteck - Scheibenform
besitzt und die Reduktionsschicht bzw. Reduktionsschichten durch Abtrennen aines Teiles des / der Keramikkörper an
die Oberfläche herausreicht, wobei der Trennschnitt parallel zum Rand der oxidierend eingebrannten Metallelektrode verläuft.
7315364 24.0R76
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE7315364U DE7315364U (de) | 1973-04-21 | 1973-04-21 | Keramischer kondensator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE7315364U DE7315364U (de) | 1973-04-21 | 1973-04-21 | Keramischer kondensator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE7315364U true DE7315364U (de) | 1976-06-24 |
Family
ID=31956191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE7315364U Expired DE7315364U (de) | 1973-04-21 | 1973-04-21 | Keramischer kondensator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE7315364U (de) |
-
1973
- 1973-04-21 DE DE7315364U patent/DE7315364U/de not_active Expired
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4008507C2 (de) | Laminiertes LC-Filter | |
EP0189087A1 (de) | Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor) | |
EP1369880B1 (de) | Elektrisches Vielschichtbauelement und Schaltungsanordnung | |
EP1425762B1 (de) | Elektrisches vielschichtbauelement | |
DE3211541A1 (de) | Stromschiene hoher kapazitanz | |
EP1369881B1 (de) | Elektrisches Vielschichtbauelement | |
DE3825024C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Keramikkondensators mit hoher Durchschlagsfestigkeit | |
DE2545672C3 (de) | Mehrschichtkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP1497838B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines ptc-bauelements | |
DE2320482A1 (de) | Keramischer kondensator | |
DE7315364U (de) | Keramischer kondensator | |
DE10018377C1 (de) | Keramisches Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung | |
EP0184645B1 (de) | Chip-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1391898A1 (de) | Elektrisches Vielschichtbauelement | |
DE3905444C2 (de) | Keramischer Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP2191483B1 (de) | Elektrisches vielschichtbauelement | |
DE10134751C1 (de) | Elektrokeramisches Bauelement | |
EP1315253A1 (de) | Kondensator-Körper sowie Filterstecker mit einen damit versehenen Kondensator | |
DE10110680A1 (de) | Elektrisches Bauelement | |
DE10057084B4 (de) | Chip-Thermistoren und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE2845931C2 (de) | Verfahren zur Herstellung keramischer Sperrschichtkondensatoren | |
DE1464629A1 (de) | Elektrische Bauelemente auf dielektrischem Koerper,der Teile mit verschiedenen elektrischen Eigenschaften hat,und keramische Massen dafuer | |
DE3240412A1 (de) | Laminierte sammelschiene hoher kapazitaet | |
DE3744453A1 (de) | Sammelschiene hoher kapazitaet mit mehrschichtkondensatorelementen | |
DE2850845A1 (de) | Sperrschichtkondensator und verfahren zu seiner herstellung |