DE7106898U - Integrierter Hybrid Schaltkreis - Google Patents
Integrierter Hybrid SchaltkreisInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US1711470A | 1970-03-06 | 1970-03-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE7106898U true DE7106898U (de) | 1971-05-27 |
Family
ID=21780799
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE7106898U Expired DE7106898U (de) | 1970-03-06 | 1971-02-24 | Integrierter Hybrid Schaltkreis |
| DE19712108730 Pending DE2108730A1 (en) | 1970-03-06 | 1971-02-24 | Integrated hybrid circuit |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712108730 Pending DE2108730A1 (en) | 1970-03-06 | 1971-02-24 | Integrated hybrid circuit |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (2) | DE7106898U (cs) |
| NL (1) | NL7102760A (cs) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2159848A5 (cs) * | 1971-11-05 | 1973-06-22 | Bosch | |
| DE2554691C2 (de) * | 1974-12-10 | 1982-11-18 | Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter auf einem isolierenden Substrat und danach hergestellte Dünnschichtschaltung |
| US4016050A (en) | 1975-05-12 | 1977-04-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Conduction system for thin film and hybrid integrated circuits |
| US4054484A (en) * | 1975-10-23 | 1977-10-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of forming crossover connections |
| DE3107943A1 (de) * | 1981-03-02 | 1982-09-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von loetbaren und temperfaehigen edelmetallfreien duennschichtleiterbahnen |
-
1971
- 1971-02-24 DE DE7106898U patent/DE7106898U/de not_active Expired
- 1971-02-24 DE DE19712108730 patent/DE2108730A1/de active Pending
- 1971-03-02 NL NL7102760A patent/NL7102760A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2108730A1 (en) | 1971-09-16 |
| NL7102760A (cs) | 1971-09-08 |
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