DE69935064D1 - Halbleiteranordnung mit einer integrierten schaltung und keramischer sicherheitsschicht und verfahren zum herstellen solcher anordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einer integrierten schaltung und keramischer sicherheitsschicht und verfahren zum herstellen solcher anordnung

Info

Publication number
DE69935064D1
DE69935064D1 DE69935064T DE69935064T DE69935064D1 DE 69935064 D1 DE69935064 D1 DE 69935064D1 DE 69935064 T DE69935064 T DE 69935064T DE 69935064 T DE69935064 T DE 69935064T DE 69935064 D1 DE69935064 D1 DE 69935064D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layout
producing
integrated circuit
semiconductor arrangement
safety layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69935064T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69935064T2 (de
Inventor
A Verhaegh
Lierop G Van
Bommel J Van
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP BV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of DE69935064D1 publication Critical patent/DE69935064D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69935064T2 publication Critical patent/DE69935064T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/57—Protection from inspection, reverse engineering or tampering
    • H01L23/573—Protection from inspection, reverse engineering or tampering using passive means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
DE69935064T 1998-06-10 1999-06-03 Halbleiteranordnung mit einer integrierten schaltung und keramischer sicherheitsschicht und verfahren zum herstellen solcher anordnung Expired - Lifetime DE69935064T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP98201941 1998-06-10
EP98201941 1998-06-10
PCT/IB1999/001007 WO1999065074A2 (en) 1998-06-10 1999-06-03 Semiconductor device comprising an integrated circuit provided with a ceramic security coating and method of manufacturing such a device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69935064D1 true DE69935064D1 (de) 2007-03-22
DE69935064T2 DE69935064T2 (de) 2008-01-03

Family

ID=8233796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69935064T Expired - Lifetime DE69935064T2 (de) 1998-06-10 1999-06-03 Halbleiteranordnung mit einer integrierten schaltung und keramischer sicherheitsschicht und verfahren zum herstellen solcher anordnung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6198155B1 (de)
EP (1) EP1029347B1 (de)
JP (1) JP2002518829A (de)
DE (1) DE69935064T2 (de)
WO (1) WO1999065074A2 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW502286B (en) * 1999-12-09 2002-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Semiconductor device comprising a security coating and smartcard provided with such a device
US7525330B2 (en) * 2001-11-28 2009-04-28 Nxp, B.V. Semiconductor device, card, system, and methods of initializing and checking the authenticity and the identity of the semiconductor device
AU2002365497A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device, card, methods of initializing, checking the authenticity and the identity thereof
US7173323B2 (en) 2002-03-21 2007-02-06 Mxp B.V. Semiconductor device with a protective security coating comprising multiple alternating metal layers
US7758911B2 (en) * 2003-05-08 2010-07-20 Honeywell International Inc. Microelectronic security coatings
CN101031519A (zh) * 2004-09-30 2007-09-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 在衬底上形成涂层的方法以及由此形成的涂层
EP1949433B1 (de) * 2005-11-11 2011-08-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur herstellung mehrerer halbleiteranordnungen und trägersubstrat
DE102006051490B4 (de) * 2006-10-31 2010-07-08 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Technik zur Herstellung einer Passivierungsschicht ohne ein Abschlussmetall
CN101959973A (zh) * 2007-10-16 2011-01-26 Nxp股份有限公司 包含核与壳的粒子及其应用
ES2750216T3 (es) 2013-02-13 2020-03-25 Composecure Llc Tarjeta duradera
NZ726408A (en) 2014-05-22 2018-09-28 Composecure Llc Transaction and id cards having selected texture and coloring
US10783422B2 (en) * 2014-11-03 2020-09-22 Composecure, Llc Ceramic-containing and ceramic composite transaction cards
CN109427692B (zh) * 2017-08-23 2020-11-20 Tcl科技集团股份有限公司 封装薄膜及其应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4243427A (en) * 1977-11-21 1981-01-06 Trw Inc. High concentration phosphoro-silica spin-on dopant
US4849296A (en) * 1987-12-28 1989-07-18 Dow Corning Corporation Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia
US5221558A (en) * 1990-01-12 1993-06-22 Lanxide Technology Company, Lp Method of making ceramic composite bodies
US5203915A (en) * 1991-05-22 1993-04-20 Hubbell Incorporated Passivating coating for metal oxide varistors
US5591680A (en) * 1993-12-06 1997-01-07 Micron Communications Formation methods of opaque or translucent films
US5399441A (en) * 1994-04-12 1995-03-21 Dow Corning Corporation Method of applying opaque coatings
US5693701A (en) * 1995-10-26 1997-12-02 Dow Corning Corporation Tamper-proof electronic coatings

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999065074A2 (en) 1999-12-16
JP2002518829A (ja) 2002-06-25
US6198155B1 (en) 2001-03-06
EP1029347A1 (de) 2000-08-23
WO1999065074A3 (en) 2000-06-15
EP1029347B1 (de) 2007-02-07
DE69935064T2 (de) 2008-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE50005212D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum abschalten einer kaskodenschaltung mit spannungsgesteuerten halbleiterschaltungen
DE59910039D1 (de) Verfahren zum Parametrieren einer integrierten Schaltungsanordnung und integrierte Schaltungsanordnung hierfür
DE69931995D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abfasen einer Halbleiterplatte
DE69935064D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer integrierten schaltung und keramischer sicherheitsschicht und verfahren zum herstellen solcher anordnung
DE60020011D1 (de) Integrierte Schaltung mit einer mikromagnetischer Vorrichtung und sein Herstellungsverfahren
DE69128140D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer Schaltungsplatte zum Zusammenschalten und Verfahren zur Herstellung
DE69528084T2 (de) Verfahren zum Entwurf einer integrierten Halbleiter-Schaltung
DE69526895D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Anordnung und einer Halbleiterscheibe
DE19782253T1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Metallisieren von Siliciumkontakten mit großem Geometrieverhältnis auf Halbleiterbauelementen
DE3883792D1 (de) Verfahren zum Herstellen integrierter Halbleiterschaltungen mit polykristallinen Schichten und Kontakten.
DE69515560T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Schutz einer integrierten Schaltung
DE69903215D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Schleifen der Oberfläche einer Halbleiterscheibe
GB0100169D0 (en) Method for making an interconnect layer and a semiconductor device including the same
DE60143163D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum steuern einer halbleiter-herstellungsvorrichtung
DE3783405D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer duennschicht-verdrahtung und verfahren zum herstellen derselben.
DE68921550D1 (de) Verfahren und Gerät zur Bildung eines Pattern-Layouts einer integrierten Halbleiterschaltung.
DE69526486T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Kontaktfläche in einer integrierten Schaltung
DE69804704T2 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum Takten einer integrierten Schaltung mit hoher Genauigkeit und niedrigem Leistungsverbrauch
DE50208147D1 (de) Molekularelektronik-anordnung und verfahren zum herstellen einer molekularelektronik-anordnung
DE60219540D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Planarisieren einer Halbleiterscheibe
DE69428113D1 (de) Verfahren zum planarisieren von submikrondurchgängen und herstellung integrierter halbleiterschaltungen
DE69730064D1 (de) Prozess zum Takten einer integrierten Schaltung
DE59900829D1 (de) Vorrichtung zum bearbeiten einer fläche, insbesondere hubarbeitsbühne, und verfahren zum betrieb einer solchen vorrichtung
DE69529583D1 (de) Formbrett und Herstellungsverfahren für eine Halbleiteranordnung
DE59901572D1 (de) Vorrichtung zum herstellen und bearbeiten von halbleitersubstraten

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de
8370 Indication of lapse of patent is to be deleted
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NXP B.V., EINDHOVEN, NL

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: EISENFUEHR, SPEISER & PARTNER, 10178 BERLIN