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Diese
Offenbarung betrifft Inspektionsmessungen und insbesondere ein Verfahren
und eine Vorrichtung zur Vornahme von Inspektionsmessungen mit geringeren
Messfehlern während
der Herstellung integrierter Schaltkreise.
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Um
die Qualität
von Produkten, zum Beispiel von integrierten Schaltkreisen, zu ermitteln,
verwendet man Überlagerungsmetrologie.
Insbesondere verwendet man Überlagerungsmetrologie
zum Ermitteln der Ausrichtung wesentlicher Merkmale, die zum Beispiel
einen IC-Baustein definieren. Eine Fehlausrichtung dieser Merkmale
kann elektrische Unterbrechungen oder Kurzschlüsse verursachen, wodurch die
Produktfunktionalität
zerstört
wird. Um die Qualität
von Produkten mit integrierten Schaltkreisen (IC) zu sichern, muss
die Überlagerungsmetrologie
mit hoher Genauigkeit und Präzision
erfolgen. Die Überlagerungsgenauigkeit
und -präzision
beträgt
in der Regel etwa 3 % der Mindestgröße der Strukturen oder Merkmale.
Ein Merkmal von 150 nm erfordert zum Beispiel eine Überlagerungsgenauigkeit
von ±5 nm.
Ein zur Messungsunsicherheit wesentlich beitragender Faktor ist
die Abhängigkeit
von dem gemessenen Merkmal. Bei Schaltkreisbauelementen mit immer
kleinerer Integrationsdichte hängt
die genaue Messung maßgeblicher
Merkmale stark von Instrumenten, wie beispielsweise Präzisionsmikroskopen, und
Computeralgorithmen ab. Um einen exakten Messwert über ein
Mikroskop zu erhalten, braucht man einen verlässlichen und sinnvollen Computeralgorithmus, IC-Bausteine
(Chips) werden auf Halhleitersubstratwafern hergestellt. Die Wafer
sind in der Regel rund, während
die IC-Chips eine rechteckige Form haben und in einer Gitterform über den
Wafer hinweg angeordnet sind. Während
der Verarbeitung ist es notwendig, das Gitter von einer Ebene zu
dem einer nachfolgenden Ebene zu überwachen und auszurichten,
um eine ordnungsgemäße Maskierung und
Materialabscheidung zu gewährleisten.
Dies ist notwendig, um eine bestimmungsgemäße Chip-Funktionalität zu erreichen.
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Um
die Ausrichtung von einer Ebene zur nächsten zu überwachen und beizubehalten,
werden Merkmale in die Chip-Struktur
eingebaut, die mit einem Mikroskop betrachtet werden. Man nennt
sie Überlagerungsmessungsstrukturen,
und sie bestehen aus einem "Bullet" (Markierungszeichen;
auf der Ausrichtungsebene) und einem "Target" (Ziel; der Ebene, auf die ausgerichtet
werden soll). Wenden wir uns 1 zu, wo
eine Draufsicht auf eine Standardüberlagerungsmetrologiestruktur 10 gezeigt
ist. Die Struktur 10 enthält Oberflächenmerkmale wie beispielsweise
Gräben
oder Plateaus 16 unter der Oberfläche und erhöhte Strukturen 12 über der
Oberfläche.
Jedes Merkmal hat Kanten 1a, die dafür verwendet werden können, Abmessungen
zwischen den Merkmalen zu Inspektionszwecken zu messen. Das veranschaulichende
Beispiel von 1 zeigt eine Struktur 12 als
ein Bullet und eine Grabenstruktur 16 als ein Target. Zur
weiteren Veranschaulichung der Struktur 10 ist in 2 eine
Querschnittsansicht gezeigt.
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Um
zwischen Kanten 14 und somit Markierungsmittelachsen zu
unterscheiden, wird in der Regel ein optisches Mikroskop, ein Rasterelektronenmikroskop
oder ein Atommikroskop verwendet, wobei reflektiertes Licht oder
Elektronen durch einen Fotosensor oder ein elektronenempfindliches
Sauelement aufgezeichnet werden und ein Intensitätsprofil der Struktur erstellt
wird (oder im Fall der Atommikroskopie werden Tasterauslenkungen
zur Erstellung des Intensitätsprofils
verwendet). 3 zeigt ein Beispiel eines Intensitätsprofils über die
Bullets und Targets hinweg in einer Richtung (x oder y) über die Struktur 10 hinweg
(1 und 2). Aufgabe der Messung in diesem
Beispiel ist es, eine Entfernung zwischen den Mittelachsen der Bullet-
und Target-Zeichen zu ermitteln und somit die resultierende Vektor-Nichtübereinstimmung
zwischen den Ausrichtungsebenen (Bullet zu Target) zu ermitteln.
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Das
Intensitätsprofil
zeigt Kanten 14 als eine Änderung der Intensität an. Zum
Beispiel zeigen abschüssige
Kurven 18, 20, 22 und 24 Kanten 14 für Strukturen 12 (Bullet)
an, und abschüssige
Kurven 26, 28, 30 und 32 zeigen
Kanten 14 für
Grabenstrukturen 16 (Target) an. Kanten sind mathematisch
als die Inflexionspunkte oder das Maximum oder Minimum von einer
ersten Ableitung definiert, die anhand des Strukturintensitätsprofils
berechnet werden. Ein Mittenabstand zwischen Kantenpaaren des Bullet, abschüssige Kurven 18 und 24,
wird mit einem Mittenabstand zwischen Kantenpaaren des Ziels, abschüssige Kurven 26 und 32,
verglichen, um einen Nichtübereinstimmungswert
in der x- oder y-Richtung zu
erhalten. Für
diese Kantenpaare kann die Nichtübereinstimmung
definiert werden als: CLBullet_außen – CLTarget_außen
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Wenn
verschiedene Kantenpaare des Bullets und des Targets verglichen
werden, zum Beispiel die abschüssigen
Kurven 20 und 22 relativ zu 28 und 32,
so kann ein geringfügig
anderer Nichtübereinstimmungswert
das Resultat sein, so dass: CLBullet_außen – CLTarget_außen ≠ CLBullet_innen – CLTarget_innen
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Das
oben beschriebene Verfahren hat Nachteile, wenn asymmetrische Signale
vorliegen. Wenn ein anderes Kantenpaar verwendet wird, um die Mittelachsen
zu bestimmen, so kann eine andere Position das Resultat sein, Der
Grund dafür
ist die Kantenschrägenvariation
des Intensitätsprofilsignals.
Das Intensitätsprofil
ist niemals vollkommen symmetrisch, was bedeutet, dass die Schrägen der
Kanten zwischen den Kanten und Gruppen von Kantenpaaren geringfügig verschieden
sind. Dieser Fehler ist unter der Bezeichnung "Mittelachsenverschiebung" bekannt und wurde
in der Größenordnung
von 10 nm σ festgestellt.
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Die
europäische
Patentanmeldung
EP 0444450
A1 offenbart ein Beispiel eines bekannten Verfahrens, das
die Verwendung von Verifizierungsmarken beinhaltet, um zu versuchen,
die Oberfläche eines
Wafers und eine Schicht eines Fotoresist aufeinander auszurichten.
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Die
Erfindung, die in dem unabhängigen
Verfahrensanspruch 1 definiert ist, will ein Verfahren zum Verringern
von Messungsunsicherheit in Inspektionssystemen, die mit Intensitätsprofilen
arbeiten, bereitstellen. Die Erfindung will des Weiteren ein Verfahren zum
Verringern von Kantenschrägenvariationen
in Intensitätsprofilen
bereitstellen, um für
Halbleiterwafer Mittelpunkte besser zu definieren und Nichtübereinstimmungen
exakter festzustellen.
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Bei
einem Verfahren zum Verringern von Messfehlern kann der Schritt
des Erstellens eines Intensitätsprofils
des Weiteren die Schritte des Bereitstellens einer Energiequelle
zum Bestrahlen des Oberflächenmerkmals
und des Erfassens von Intensitätsdaten
durch Messen der Intensität
reflektierter Strahlung von dem Oberflächenmerkmal enthalten. Der
Schritt des Erstellens eines Intensitätsprofils kann des weiteren
die Schritte des Abtastens des Oberflächenmerkmals zum Ermitteln
von Intensitätsunterschieden
und des Erfassens von Intensitätsdaten über das
Oberflächenmerkmal
hinweg enthalten. Es kann der Schritt des Verwendens von Schwerpunktstellen
und Intensitätsprofilbereichen
von zwei oder mehr Oberflächenmerkmalen
zum Beurteilen einer Messungsqualität enthalten sein. Es kann der Schritt
des Einstellens eines Fokus',
um ein besser definiertes Intensitätsprofil zu erhalten, wodurch
ein kleinerer Messfehler entsteht enthalten sein. Der Schritt des
Berechnens von Bereichen kann des Weiteren einen iterativen numerischen
Integrationsalgorithmus enthalten.
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Bei
alternativen Verfahren zum Verringern von Messungsunsicherheit für Referenzstellen
zwischen Verfahrensschritten kann der Schritt des Erstellens eines
Intensitätsprofils
des Weiteren die Schritte des Bereitstellens einer Energiequelle
zum Bestrahlen der Merkmale und des Erfassens von Intensitätsdaten
durch Messen der Intensität
reflektierter Strahlung von den Merkmalen enthalten. Der Schritt
des Erstellens eines Intensitätsprofils
kann des Weiteren die Schritte des Abtastens des Oberflächenmerkmals
zum Ermitteln von Intensitätsunterschieden
und des Erfassens von Intensitätsdaten über das
Oberflächenmerkmal
hinweg enthalten. Es kann der Schritt des Verwendens von Schwerpunktstellen
und Intensitätsprofilbereichen
von zwei oder mehr Oberflächenmerkmalen
zum Beurteilen einer Messungsqualität enthalten sein. Das Verfahren kann
des Weiteren den Schritt des Einstellens eines Fokus' enthalten, um ein
besser definiertes Intensitätsprofil
zu erhalten, wodurch ein kleinerer Messfehler entsteht. Der Schritt
des Berechnens des Bereichs kann des Weiteren einen iterativen numerischen
Integrationsalgorithmus enthalten. Die erste und die zweite Referenzstelle
können
Mittelachsen zwischen jeder Gruppe von Merkmalen sein. Die erste
und die zweite Referenzstelle kennen Punkte zwischen jeder Gruppe
von Merkmalen sein. Die erste Gruppe von Merkmalen kann im Wesentlichen
symmetrisch um einen ersten Mittelpunkt herum angeordnet sein, und
die zweite Gruppe von Merkmalen kann im Wesentlichen symmetrisch
um einen zweiten Mittelpunkt herum angeordnet sein, und das Verfahren
kann des Weiteren den Schritt des Messens der Nichtübereinstimmung
zwischen dem ersten und dem zweiten Punkt enthalten.
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Das
in Anspruch 10 definierte Intensitätsmessgerät der Erfindung kann eine Energiequelle zum
Bestrahlen der Oberflächenmerkmale
und zum Erfassen von Intensitätsdaten
durch Messen der Intensität
reflektierter Strahlung von den Oberflächenmerkmalen enthalten. Das
Berechnungsmittel kann einen Prozessor enthalten. Die Oberflächenmerkmale
können
auf einem Halbleiterwafer angeordnet sein. Die Messvorrichtung kann
ein optisches Mikroskop enthalten. Das Intensitätsmessgerät kann einen Fotosensor enthalten.
Die Messvorrichtung kann ein Rasterelektronenmikroskop enthalten.
Das Intensitätsmessgerät kann einen
Elektranensensor enthalten. Die Messvorrichtung kann ein Atommikroskop sein.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Verringern
von Messungsunsicherheit für
Referenzstellen zwischen Verfahrensschritten bereitgestellt, das
die folgenden Schritte umfasst: Erstellen eines Intensitätsprofils
für eine
erste Gruppe von Merkmalen eines ersten Verfahrensschrittes und
für eine
zweite Gruppe von Merkmalen eines zweiten Verfahrensschrittes; Berechnen
von Bereichen für
Regionen des Intensitätsprofils,
die durch Intensitätsdaten
der Merkmale und eine Schwellenintensität auf dem Intensitätsprofil
eingegrenzt sind; Bestimmen einer Schwerpunktstelle für die Regionen
aus den Bereichen oder anhand der Bereiche, die in dem vorangegangenen
Schritt berechnet wurden; Vergleichen von Schwerpunktstellen aus
der ersten Gruppe von Merkmalen zum Bestimmen einer ersten Referenzstelle;
Vergleichen von Schwerpunktstellen aus der zweiten Gruppe von Merkmalen
zum Bestimmen einer zweiten Referenzstelle; Auswerten eines Unterschieds
zwischen der ersten und der zweiten Referenzstelle zum Bestimmen
einer Nichtübereinstimmung
zwischen der ersten Gruppe von Merkmalen und der zweiten Gruppe von
Merkmalen.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung
zum Verringern von Messfehlern bereitgestellt, die ein Intensitätsmessgerät umfasst,
das dafür
geeignet ist, Intensitätsunterschiede
von Oberflächenmerkmalen
zu messen, und die einen Speicher zum Speichern von Intensitätsdaten
als eine Funktion der Position der Oberflächenmerkmale zum Erstellen
eines Intensitätsprofils
umfasst; wobei sie Folgendes umfasst: ein Mittel, das dafür geeignet
ist, Bereiche für
Regionen des Intensitätsprofils
zu berechnen, die durch Intensitätsdaten
der Merkmale und eine Schwellenintensität auf dem Intensitätsprofil
eingegrenzt sind; ein Mittel, das dafür geeignet ist, eine Schwerpunktstelle
für die
Regionen aus den errechneten Bereichen oder anhand der errechneten
Bereiche für
Regionen des Intensitätsprofils,
die durch Intensitätsdaten
der Merkmale und eine Schwellenintensität auf dem Intensitätsprofil
eingegrenzt sind, zu bestimmen; ein Mittel, das dafür geeignet
ist, Schwerpunktstellen aus der ersten Gruppe von Merkmale zu vergleichen,
um eine erste Referenzstelle zu bestimmen; ein Mittel, das dafür geeignet
ist, Schwerpunktstellen aus der zweiten Gruppe von Merkmalen zu
vergleichen, um eine zweite Referenzstelle zu bestimmen; ein Mittel, das
dafür geeignet
ist, einen Unterschied zwischen der ersten und der zweiten Referenzstelle
auszuwerten, um eine Nichtübereinstimmung
zwischen der ersten und der zweiten Gruppe von Merkmalen zu bestimmen.
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Für ein besseres
Verständnis
der vorliegenden Erfindung und zum Aufzeigen, wie sie in die Tat umgesetzt
werden kann, wird nun beispielhaft auf die begleitenden Zeichnungen
eingegangen, in denen Folgendes zu sehen ist:
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1 ist
eine Draufsicht auf eine zu messende Struktur.
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2 ist
eine Querschnittsansicht der Struktur von 1.
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3 ist
ein Diagramm eines Intensitätsprofils,
das durch Detektion von reflektiertem Licht oder Elektronen über die
Struktur von 1 hinweg erstellt wird.
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4 ist
ein weiteres Diagramm eines Intensitätsprofils von Grabenstrukturen,
wie sie in 1 und 2 gezeigt
sind.
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5 ist
ein Diagramm des Intensitätsprofils von 4,
das Bereichsberechnungsgrenzen zeigt.
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6 ist
ein Diagramm des Intensitätsprofils von 4,
das Schwerpunktstellen zeigt.
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7 ist
ein Diagramm des Intensitätsprofils von 4,
das eine Mittelachse zeigt, die unter Verwendung der Schwerpunktstellen
von 6 bestimmt wurde.
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8 ist
eine Draufsicht auf die in 1 gezeigte
Struktur mit Mittelachsen und Referenzpunkten gemäß der vorliegenden
Erfindung,
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9 ist
ein Blockschaubild einer Messvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Die
vorliegende Erfindung betrifft Inspektionsmessungen und insbesondere
ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Vornahme von Inspektionsmessungen
mit geringeren Messfehlern. Ein Verfahren zum Verringern von Messungsunsicherheit
für Inspektionssysteme,
das mit Intensitätsprofilen
arbeitet, enthält
das Bestimmen eines Schwerpunktes für eine Region des Intensitätsprofils.
Intensitätsdaten, die
durch Abtasten einer Waferoberfläche
aufgezeichnet werden, werden aufgezeichnet und in Diagrammform dargestellt.
Die Region unterhalb einer Intensitätsschwelle wird ausgewählt, und
der Bereich und der Schwerpunkt für die Region werden berechnet.
Der Schwerpunkt für
jede Region wird dann zum Bestimmen von Markierungsmittelachsen
verwendet. Auf der Grundlage des Schwerpunktkonzeptes werden die
Kantenschrägenvariationen
ausgemittelt und dadurch praktisch verringert. In dem folgenden
veranschaulichenden Beispiel der vorliegenden Erfindung wird auf
die Zeichnungen auf der Grundlage eines kartesischen Koordinatensystems
Bezug genommen. Das Koordinatensystem ist durch eine x-, eine y-
und eine z-Richtung
definiert, die willkürlich zugewiesen
wurden, und dem Fachmann ist klar, dass diese Bezeichnungen gegeneinander
austauschbar sind.
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Gehen
wir nun genauer auf die Zeichnungen ein, in denen gleiche Bezugszahlen
in den verschiedenen Ansichten ähnliche
oder identische Elemente bezeichnen. 4 ist ein
Intensitätsprofil
einer Abtastung von Resiststrukturen 12 und Grabenstrukturen 16 der 1 und 2.
Kantenschrägen 60 bis 67 zeigen
Variationen entlang jeder Kantenschrägenkurve. Kantenschrägenkurven
bezeichnen eine Änderung
der Intensität
infolge von Oberflächenmerkmalen.
Die Intensitätsänderung
wird relativ zu einer Ausgangs- oder
Schwellenintensität 68 beurteilt.
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Wenden
wir uns
5 zu, wo Regionen
70 bis
73 durch
Kantenschrägen
60 bis
67 begrenzt sind.
Die Regionen
70 bis
73 werden umschlossen, indem
man die Schwelle
68 über
jede Region hinweg verlängert
(durchbrochene Linie). Da das Intensitätsprofil in (kartesischen)
x- (oder y-) und z-Koordinaten aufgetragen
ist oder in solche umgewandelt werden kann, wird eine Technik gemäß der Erfindung
verwendet, um einen Bereich für
die Regionen
70 bis
73 zu berechnen. Bei einer
Ausführungsform
wird eine iterative numerische Integration verwendet, zum Beispiel
das Newtonsche Verfahren, wie es dem Fachmann bekannt ist. Bei anderen
Verfahren kann ein Bereich nach einer Trapezoid-Regel berechnet werden, die dem Fachmann
ebenfalls bekannt ist. In einem allgemeinen Fall kann der Bereich
A folgendermaßen
berechnet werden:
wobei a und b Grenzen entlang
einer gewählten
Bezugslinie und Schwelle auf dem Profil sind, wie veranschaulichend
für die
Region
70 in
5 angedeutet, und F(x) eine
Funktion ist, die einen Wert der Ordinate (in diesem Fall den z-Wert) an einer Grenze der
Region des Intensitätsprofils
ergibt, wenn ein Abszissenwert (x- oder y-Wert) bereitgestellt wird.
Die gewählte
Bezugslinie ist ein Referenzpunkt für die gemessene Intensität und ist
vorzugsweise ungefähr 0.
Die Schwelle wird ebenfalls als ein Sollwert der maximalen Intensität gewählt. Die
Schwelle wird bei einer Ausführungsform
so gewählt,
dass sie etwa 90 der maximalen Intensitätsabgabe von einer Energiequelle
beträgt.
Andere Schwellenwerte kommen je nach Anwendung ebenfalls in Betracht.
Die Schwellenwerte können
so gewählt
werden, dass sie die Leistungsfähigkeit
der Erfindung optimieren. Zum Beispiel können die Schwellenwerte entsprechend vom
Benutzer vorgegebenen Einstellungen gewählt werden, um die gewünschte Region, über die
hinweg integriert werden soll, zu definieren, um optimale Ergebnisse
für bestimmte
Anwendungen hervorzubringen. Das Intensitätsprofil wird zwischen der
Bezugslinie und der Schwelle erstellt, die entsprechend vorgegebenen
Kriterien gewählt
werden kann.
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Wenden
wir uns
6 zu. Die Bereiche für die Regionen
70 bis
73 werden
wie oben berechnet und werden zur Bestimmung des Wertes eines Schwerpunktes
für jede
Region verwendet. Der Schwerpunkt für jede Region wird folgendermaßen berechnet.
In kartesischen Koordinaten können
die x- (oder y-) und z-Komponenten des Schwerpunktes, die als x' (oder y') und z' bezeichnet sind,
gemäß den folgenden
Gleichungen berechnet werden:
wobei A der Bereich der Region
R ist und x und z die jeweiligen Koordinaten jedes differenziellen
Bereichsteils dA sind. Die Schwerpunktkoordinaten können zum
Bestimmen einer Mittelachsenverschiebung für jede Region zu messdiagnostischen
Zwecken verwendet werden. Obgleich kartesische Koordinaten gezeigt
sind, kommen auch andere Koordinatensysteme in Betracht. Die z-Komponente
des Schwerpunktes, z=, kann ebenfalls wie oben berechnet werden
und zum Bestimmen der Messqualität, wie
weiter unten beschrieben, verwendet werden.
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Die
Schwerpunkte 80 bis 83 können zum Darstellen der Position
der Merkmale in dem Intensitätsprofil
verwendet werden. Auf diese Weise werden die Variationen der Kantenschrägendaten
minimiert, und man erhält
einen besseren Bezugspunkt.
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Wenden
wir uns 7 zu, wo die Schwerpunktpositionen 80 bis 83 verglichen
werden, um eine erste Markierungsmittelachse CL1 auf
der Grundlage der Schwerpunkte des Targets (in diesem Beispiel die
Schwerpunktpositionen 81 und 82) zu bestimmen.
Es kann eine zweite Markierungsmittelachse CL2 auf
der Grundlage der Schwerpunkte des Bullets (in diesem Beispiel die
Schwerpunktpositionen 81 und 82) berechnet werden.
CL1 und CL2 können direkt
verglichen werden oder mit anderen Bezugspunkten kombiniert werden,
um eine Nichtübereinstimmung
zwischen Merkmalen oder Merkmalstrukturen zu ermitteln.
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Wenden
wir uns 8 zu. Die erste und die zweite
Markierungsmittelachse CL1 bzw. CL2 können entlang
einer anderen Symmetrieachse so erzeugt werden, dass sie sich an
einer ersten Markierungsmitte C1 schneiden,
und die zweite Markierungsmittelachse CL2 kann
so erzeugt werden, dass sie an einer äußeren Markierungsmitte C2 überschneidet.
Die erste und die zweite Markierungsmitte C1 bzw.
C2 werden dann verglichen, um den Betrag
der Überlagerungsnichtübereinstimmung
zu ermitteln (Bullet relativ zum Target, d. h. C2 zu
C1). Eine genauere Markierungsmittenposition
kann man unter Verwendung des Schwerpunktes erhalten, der für jede Region
berechnet wurde. Auf diese Weise werden die Kantenschrägenvariationen
vermieden. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung gestattet die
Durchführung einer
Einzelmittenbestimmung, ohne auf eine konstante Schwelle beschränkt zu sein,
mit der Fähigkeit,
eine Bezugslinie und eine Schwelle auszuwählen und Mittelachsen anhand
von Markierungsschwerpunkten zu berechnen. Mittelachsenverschiebungsfehler,
die bei herkömmlichen
Verfahren entstehen, können
auf weniger als 1 nm verringert werden.
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Wenden
wir uns 9 zu. Eine Messvorrichtung 100 enthält ein Mikroskop 102,
wie zum Beispiel Rasterelektronenmikroskop, ein optisches Mikroskop oder
ein Atommikroskop, mit einem Objektträger 104 zum Positionieren
einer zu messenden Struktur 106. Eine Energiequelle 108 bestrahlt
die Struktur 106. Ein lichtempfindliches Bauelement oder
ein elektronenempfindliches Bauelement 109 fängt reflektierte Intensitäten auf
und speichert die Daten in einer Speichervorrichtung 110.
Alternativ können
Auslenkungen eines (nicht gezeigten) Tasters verwendet werden, um
Intensitätsprofile
zu erstellen, und die Auslenkungsdaten können in einer Speichervorrichtung 110 gespeichert
werden. Ein Prozessor 112 dient der Durchführung von
Berechnungen an den Daten gemäß der vorliegenden
Erfindung. Außerdem kann
ein Monitor 114 zur Echtzeitbetrachtung von Strukturen 106 während des
Betriebes enthalten sein.
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Der
Schwerpunkt jeder Region kann optimiert werden, indem die Werkzeuge
auf die Messvorrichtung abgestimmt werden. Zum Beispiel kann ein Signalvergleich
mittels Abtasten durch den Fokus ausgeführt werden. Für das Intensitätsprofil
können symmetrischere
Signale erhalten werden, wenn zum Beispiel ein Wafer auf den Objektträger 104 gelegt wird
und – gemäß Bestimmung
durch den Fokus des Mikroskops 102 – außerhalb einer Isofokalebene
bewegt wird. Auf diese Weise kann ein besserer Fokus von Oberflächenmerkmalen
erhalten werden. Dies erreicht man, wenn der Objektträger 144 in
der z-Richtung abtasten kann. Dieses Verfahren ist iterativ. Es
wird eine erste Messung vorgenommen. Dann wird eine Justierung an
einer Fokussteuerung 1i6 (9) vorgenommen,
um den Fokus des Mikroskops 102 zu ändern. Es wird eine zweite
Messung vorgenommen, und die Qualität wird anhand der ersten Messung
beurteilt. Wenn eine Verbesserung vorhanden ist, so werden weitere
Iterationen vorgenommen, um die Messung weiter zu verfeinern. Wenn
es keine Verbesserung gibt, so können
weitere Justierungen vorgenommen werden, um die Qualität der Messung
zu verbessern. Ein Kriterium zum Bestimmen der Qualität der Messung
ist, z' wie oben
beschrieben zu berechnen. z' ist
die z-Komponente des Schwerpunktes und wird durch "H" in 6 angedeutet.
H1 und H2 werden
für zwei
Bullets, oder alternativ für
zwei Targets, bestimmt und werden relativ zur Bezugslinie gemessen.
Je näher
die Werte von H1 und H2 beieinander
liegen, desto besser ist die Qualität der Messung, was daran liegt,
dass aus den Bereichen der Regionen und den Werten von H1 und H2 Symmetrie
gefolgert wird. Es wird eine Übereinstimmungsmessung
vorgenommen, nachdem die verbesserte Messung erhalten wurde. Bei
weiteren bevorzugten Verfahren kann der Schwerpunkt durch Berechnen
einer optimalen Schwerpunktstelle auf eine optimale Position eingestellt
werden, und kann gemäß dem oben
beschriebenen Qualitätsbestimmungsverfahren
justiert werden. D. h. je näher
die Werte von H1 und H2 beieinander
liegen, desto besser ist die Qualität der Messung.
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Nachdem
nun veranschaulichende Ausführungsformen
zum Verringern von Messfehlern für
Inspektionsmessungen beschrieben wurden (die nur der Veranschaulichung
dienen und keine Einschränkung
darstellen), wird angemerkt, dass durch einen Fachmann vor dem Hintergrund
der obigen Lehren Modifikationen und Variationen vorgenommen werden
können.
Nachdem somit die Erfindung eingehend beschrieben wurde, wird nun
das, was beansprucht wird und geschützt werden soll, in den angehängten Ansprüchen dargelegt.
