DE69833247D1 - Verfahren zur Herstellung eines Mehrpegel ROM Speichers in einem Doppelgate CMOS Prozess und entsprechende ROM Speicherzelle - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Mehrpegel ROM Speichers in einem Doppelgate CMOS Prozess und entsprechende ROM Speicherzelle

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Libera Giovanna Dalla
Nadia Galbiati
Bruno Vajana
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0991118B1 (de) 1998-10-02 2006-01-18 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Herstellung eines Mehrpegel ROM Speichers in einem Doppelgate CMOS Prozess und entsprechende ROM Speicherzelle
EP1024527A3 (de) * 1998-12-31 2001-05-23 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Herstellung eines mehrwertigen Festwertspeichers (ROM) durch ein Verfahren zur Herstellung eines EEPROM-Speichers
US6576517B1 (en) 1998-12-31 2003-06-10 Stmicroelectronics S.R.L. Method for obtaining a multi-level ROM in an EEPROM process flow
JP2003332582A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2004319853A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7777281B2 (en) * 2004-03-26 2010-08-17 Atmel Corporation Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set
WO2006051487A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flash- and rom- memory
US8692310B2 (en) 2009-02-09 2014-04-08 Spansion Llc Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device
CN104752354B (zh) * 2013-12-25 2019-01-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 光罩式只读存储器的结构及制造方法
CN104882445B (zh) * 2015-03-31 2018-02-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 掩膜只读存储器及其制造方法和使用方法
NL1042970B1 (en) * 2017-08-28 2019-06-26 Asml Netherlands Bv Memory device with predetermined start-up value

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5270944A (en) * 1988-06-09 1993-12-14 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same
JPH03177065A (ja) * 1989-12-06 1991-08-01 Kawasaki Steel Corp 半導体装置およびその製造方法
US5227326A (en) * 1991-12-23 1993-07-13 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating non-volatile memory cells, arrays of non-volatile memory cells
EP0575688B1 (de) * 1992-06-26 1998-05-27 STMicroelectronics S.r.l. Programmierung von LDD-ROM-Zellen
US5468666A (en) * 1993-04-29 1995-11-21 Texas Instruments Incorporated Using a change in doping of poly gate to permit placing both high voltage and low voltage transistors on the same chip
JPH06318683A (ja) * 1993-05-01 1994-11-15 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US5541876A (en) 1994-06-01 1996-07-30 United Microelectronics Corporation Memory cell fabricated by floating gate structure
US5844839A (en) * 1995-07-19 1998-12-01 Texas Instruments Incorporated Programmable and convertible non-volatile memory array
US5504030A (en) * 1995-07-21 1996-04-02 United Microelectronics Corporation Process for fabricating high-density mask ROM devices
JPH09232449A (ja) 1996-02-23 1997-09-05 Sony Corp マスクrom
US5780330A (en) * 1996-06-28 1998-07-14 Integrated Device Technology, Inc. Selective diffusion process for forming both n-type and p-type gates with a single masking step
DE69734509D1 (de) 1997-07-08 2005-12-08 St Microelectronics Srl Elektrisch programmierbare, nichtflüchtige Halbleiterspeicherzellenmatrix mit ROM-Speicherzellen
US5822243A (en) 1997-09-09 1998-10-13 Macronix International Co., Ltd. Dual mode memory with embedded ROM
EP0991118B1 (de) 1998-10-02 2006-01-18 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Herstellung eines Mehrpegel ROM Speichers in einem Doppelgate CMOS Prozess und entsprechende ROM Speicherzelle
US6191460B1 (en) * 1999-09-07 2001-02-20 Integrated Device Technology, Inc. Identical gate conductivity type static random access memory cell

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Publication number Publication date
US6177313B1 (en) 2001-01-23
EP0991118A1 (de) 2000-04-05
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US6521957B2 (en) 2003-02-18
JP2000114398A (ja) 2000-04-21
US20010001721A1 (en) 2001-05-24

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