DE69825800T2 - Laser with selectively modified current limiting layer - Google Patents

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Description

Hintergrund der Erfindungbackground the invention

Gebiet der Erfindung:Field of the invention:

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein einen Laser mit einer Strombegrenzungsschicht und insbesondere einen oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Hohlraum, oder VCSEL-Laser, mit einer Schicht aus oxidierbarem Material, welches selektiv oxidiert wird, um eine elektrisch isolierende Schicht mit einer sich durch die Schicht erstreckenden elektrisch leitenden Öffnung zu bilden, um den elektrischen Stromfluss durch eine aktives Gebiet des Lasers zu begrenzen.The The present invention relates generally to a laser having a current limiting layer and in particular a surface emitting Vertical cavity laser, or VCSEL laser, with one layer of oxidizable material which is selectively oxidized to a electrically insulating layer with a through the layer extending electrically conductive opening to form the electrical Limit current flow through an active area of the laser.

Beschreibung des Standes der Technik:Description of the state of the technique:

Viele verschiedene Arten von Halbleiterlasern sind der Fachwelt bekannt. Ein Lasertyp ist ein oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum, auch VCSEL-Laser genannt, der Licht in eine Richtung emittiert, welche im wesentlichen senkrecht zu einer oberen Oberfläche der Laserstruktur ist. Laser von diesem Typ umfassen mehrere Schichten aus Halbleitermaterial. Typischerweise ist ein Substrat an einem Ende eines Stapels aus Halbleiterschichten vorgesehen. Auf dem Substrat wird ein erster Spiegelstapel und ein zweiter Spiegelstapel angeordnet, wobei zwischen diesen Stapeln ein aktives Quantentopf-Gebiet liegt. Auf beiden Seiten des aktiven Gebietes können abgestufte oder nicht abgestufte Schichten als Beabstandungselement zwischen den Spiegeln vorgesehen sein. Auf dem zweiten Spiegelstapel ist ein elektrischer Kontakt angeordnet. Ein weiterer elektrischer Kontakt ist auf dem entgegengesetzten Ende der Schichtstapels in Kontakt mit dem Substrat angeordnet. Es wird erreicht, dass ein elektrischer Strom zwischen den beiden Kontakten fließt. Der elektrische Strom geht somit durch den zweiten Spiegelstapel, ein oberes Gradientenindexgebiet, das aktive Gebiet, ein unteres Gradientenindexgebiet, den ersten Spiegelstapel und das Substrat. Typischerweise wird ein vorgewählter Abschnitt der aktiven Schicht als das aktive Gebiet bezeichnet, und der elektrische Strom fließt durch das aktive Gebiet, um das Lasern zu erzeugen.Lots Various types of semiconductor lasers are known in the art. A laser type is a surface emitting Vertical cavity laser, also called VCSEL laser, the light emitted in a direction which is substantially perpendicular to an upper surface the laser structure is. Lasers of this type include multiple layers Semiconductor material. Typically, a substrate is at one end a stack of semiconductor layers is provided. On the substrate a first mirror stack and a second mirror stack are arranged, with an active quantum well region between these stacks. On both sides of the active area can be graduated or not graded layers as a spacer between the mirrors be provided. On the second mirror stack is an electrical Contact arranged. Another electrical contact is on the opposite end of the layer stack in contact with the substrate arranged. It is achieved that an electric current between flowing to the two contacts. The electric current thus passes through the second mirror stack, an upper gradient index area, the active area, a lower one Gradient index region, the first mirror stack and the substrate. Typically, a preselected Section of the active layer referred to as the active region, and the electric current flows through the active area to create the lasers.

In der Veröffentlichung mit dem Titel "Progress in Planarized Vertical Cavity Surface Emtting Laser Devices and Arrays von Morgan, Chirovski, Focht, Guth, Asom, Leibenguth, Robinson, Lee und Jewell, die im Band 1562 der "International Society for Optical Engeneering, Devices for Optical Processing (1991)" veröffentlicht wurde, ist eine VCSEL-Struktur im Detail beschrieben. Der Artikel beschreibt einen im Stapelbetrieb hergestellten VCSEL-Laser umfassend Gallium-Arsenid und Aluminium-Gallium-Arsenid. Verschiede unterschiedliche Größen der Vorrichtungen wurde experimentell studiert und sind in der Veröffentlichung beschrieben. Schwellenströme für kontinuierliche Wellen wurden mit 1,7 mA und Ausgabeleistungen größer als 3,7 mW bei Raumtemperatur gemessen. Die Veröffentlichung diskutiert auch bestimmte interessante Eigenschaften, wie z.B. differenzielle Quanten-Wirkungsgrade, welche eins überschreiten sowie, das Verhalten von mehreren Transversalmoden. In 1 dieser Veröffentlichung ist eine perspektivische Schnittansicht eines VCSEL-Lasers mit den verschiedenen identifizierten Schichten dargestellt. Um den Stromfluss durch das aktive Gebiet des Quantentopfes zu begrenzen, verwendet die in dieser Veröffentlichung beschriebene und gezeigte Vorrichtung eine Implantationstechnik mit Wasserstoffionen, um elektrisch isolierende Bereiche mit einer sich dadurch erstreckenden, elektrisch leitfähigen Öffnung zu erzeugen. Es wird erreicht, dass von dem oberen elektrischen Kontakt des VCSEL-Lasers Strom durch die elektrisch leitende Öffnung fließt und hierdurch durch ein vorgewähltes aktives Gebiet einer aktiven Schicht geleitet wird.In the publication titled "Progress in Planarized Vertical Cavity Surface Emitter Laser Devices and Arrays" by Morgan, Chirovski, Focht, Guth, Asom, Leibenguth, Robinson, Lee and Jewell, in Volume 1562 of the International Society for Optical Engineering, Devices for Optical Processing (1991), a VCSEL structure is described in detail The article describes a batch-produced VCSEL laser comprising gallium arsenide and aluminum gallium arsenide Various different sizes of devices have been experimentally studied and are Continuous wave threshold currents were measured at 1.7 mA and output powers greater than 3.7 mW at room temperature The paper also discusses certain interesting properties, such as differential quantum efficiencies exceeding one and the behavior of several transversal modes 1 In this publication, a perspective sectional view of a VCSEL laser with the various identified layers is shown. In order to limit the flow of current through the active region of the quantum well, the device described and shown in this publication uses a hydrogen ion implantation technique to produce electrically insulating regions with an electrically conductive opening extending therethrough. It is achieved that current flows from the upper electrical contact of the VCSEL laser through the electrically conductive opening and is thereby passed through a preselected active region of an active layer.

US Patent 5,245,622, erteilt für Jewell et al am 14. September 1993, zeigt einen oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Hohlraum mit einer Intra-Hohlraum-Struktur. In den Figuren des Patents von Jewell et al wird eine Stromblockierungsschicht durch das Bezugszeichen 44 identifiziert und es wird beschrieben, dass die Schicht durch eine ringförmige Protonenimplantation in das aktive Gebiet gebildet wird. Die Implantation wird verwendet, um den Stromfluss horizontal zu begrenzen. Die VCSEL-Laser, die in dem Patent von Jewell et al offenbart sind, weisen verschiedene Intra-Hohlraum-Strukturen auf, um einen niedrigen Reihenwiderstand, hohe Leistungswirkungsgrade und einen bestimmten Typ von modaler Strahlung zu erreichen. In einer Ausführungsform des beschriebenen VCSEL-Lasers umfasst der Laser einen Laser-Hohlraum, der zwischen einem oberen und einem unteren Spiegel angeordnet ist. Der Hohlraum umfasst eine obere und eine untere Beabstandungsschicht, die ein aktives Gebiet sandwichen. Eine geschichtete Elektrode zum Leiten von elektrischen Strom zum aktiven Gebiet umfasst den oberen Spiegel und das obere Beabstandungselement. Die geschichtete Elektrode umfasst eine Vielzahl von abwechselnden hochdotierten und niedrigdotieren Schichten, um einen niedrigen Reihenwiderstand zu erreichen, ohne die optische Absorption zu erhöhen. Der VCSEL-Laser umfasst ferner eine Stromöffnung in der Form eines scheibenförmigen Gebiets in der geschichteten Elektrode, um Strahlung in höheren Moden zu unterdrücken. Die Stromöffnung wird dadurch gebildet, dass die Leitfähigkeit der ringförmigen umgebenden Gebiete vermindert oder aufgehoben wird. In einer Ausführungsform wird eine Metallkontaktschicht mit einer optischen Öffnung auf dem oberen Spiegel des VCSEL-Lasers gebildet. Die optische Öffnung blockiert das optische Feld derart, dass sie Lasern in höheren Transversalmoden verhindert.U.S. Patent 5,245,622 issued to Jewell et al on September 14, 1993, shows a vertical cavity surface emitting laser having an intra-cavity structure. In the figures of the Jewell et al patent, a current blocking layer is denoted by the reference numeral 44 and it is described that the layer is formed by an annular proton implantation in the active region. The implantation is used to limit the flow of current horizontally. The VCSEL lasers disclosed in the Jewell et al patent have various intra-cavity structures to achieve low series resistance, high power efficiencies, and some type of modal radiation. In one embodiment of the described VCSEL laser, the laser comprises a laser cavity disposed between an upper and a lower mirror. The cavity includes upper and lower spacer layers that sandwich an active area. A layered electrode for conducting electrical current to the active area comprises the upper mirror and the upper spacer element. The layered electrode includes a plurality of alternating highly doped and low doped layers to achieve low series resistance without increasing optical absorption. The VCSEL laser further includes a current opening in the form of a disk-shaped region in the layered electrode to suppress radiation in higher modes. The current opening is formed by decreasing or canceling the conductivity of the annular surrounding areas. In one embodiment, a metal contact layer having an optical opening on the upper mirror of the VCSEL laser ge forms. The optical aperture blocks the optical field to prevent lasers in higher transverse modes.

US-Patent 5,258,990, welches für Olbright et al am 02. November 1993 erteilt wurde, beschreibt einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit sichtbarem Licht. In den Figuren des Patents von Olbright et al wird ein aktiver Quantentopf mit dem Bezugszeichen 34 identifiziert, wobei der Quantentopf durch eine ringförmige Zone, welche das Bezugszeichen 33 aufweist, definiert ist. Die ringförmige Zone umfasst implantierte Protonen, welche den aktiven Quantentopf umgeben und hierdurch den elektrischen Stromfluss im Quantentopf begrenzen. Der im Patent von Olbright et al beschriebene VCSEL-Laser umfasst einen Laserhohlraum, der zwischen zwei verteilten Bragg-Reflektoren ge sandwicht ist. Der Laserhohlraum umfasst ein Paar von Beabstandungsschichten, welche eine oder mehrere aktive, optisch emittierende Quantentopf-Schichten mit einer Bandlücke im sichtbaren Bereich, welche das aktive optisch emittierende Material der Vorrichtung darstellen, umgeben. Elektrisches Pumpen des Lasers wird durch eine starke Dotierung des untern Spiegels und des Substrats mit einem Leitfähigkeitstyps und durch eine starke Dotierung von Bereiche des oberen Spiegels mit dem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp erreicht, um eine Diodenstruktur zu bilden. Ferner wird eine geeignete Spannung an die Diodenstruktur angelegt. Spezielle Ausführungsformen der Vorrichtung werden in dem Patent von Olbright beschrieben, insbesondere Ausführungsformen, welche rote, grüne und blaue Strahlung erzeugen.U.S. Patent 5,258,990, issued to Olbright et al on November 2, 1993, describes a surface-emitting semiconductor laser with visible light. In the figures of the Olbright et al patent, an active quantum well is designated by reference numeral 34 identified, wherein the quantum well by an annular zone, which is the reference numeral 33 has defined. The annular zone comprises implanted protons which surround the active quantum well and thereby limit the flow of electrical current in the quantum well. The VCSEL laser described in the Olbright et al patent includes a laser cavity sandwiched between two distributed Bragg reflectors. The laser cavity includes a pair of spacer layers surrounding one or more active optically emitting quantum well layers having a bandgap in the visible region which is the active optically emitting material of the device. Electrical pumping of the laser is achieved by heavily doping the bottom mirror and the substrate with one conductivity type and by heavily doping regions of the top mirror with the opposite conductivity type to form a diode structure. Further, an appropriate voltage is applied to the diode structure. Specific embodiments of the device are described in the Olbright patent, particularly embodiments which generate red, green and blue radiation.

US-Patent 5,115,442, welches für Lee et al am 19. Mai 1992 erteilt wurde, offenbart einen oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Hohlraum. Es wird beschrieben, dass Laser von diesem Typ von der Emission durch eine geöffnete, obere Oberflächenelektrode abhängen. Biasstrom, der am Rande des Lasers eingeleitet wurde, folgt einem Weg, der mit dem aktiven Verstärkungsgebiet zusammenfließt, um effektiv die Laser-Schwellen zu erreichen. Der Weg des elektrischen Stroms geht durch eine Öffnung eines versenkten Gebiets mit erhöhtem Widerstand, welches den Laser am oder oberhalb des aktiven Gebiets umgibt. Das versenkte Gebiet wird durch einen mittels Ionenimplantation verursachten Schaden erreicht, wobei die Größe und das Spektrum der Ionenenergie derart gewählt ist, dass der geeignete Widerstandsgradient erzeugt wird. Integrierte und diskrete Laser werden in dem genannten Dokument beschrieben. Die Figuren des Patents von Lee et al zeigen die Position und die Form des Gebiets des Ionenimplantationsschadens, welcher verwendet wird, um den elektrischen Stromfluss durch ein aktives Gebiet innerhalb der aktiven Schicht zu begrenzen.US Patent 5,115,442, which is for Lee et al., Issued May 19, 1992 discloses a surface emitting Laser with vertical cavity. It is described that lasers of this type of emission through an opened, upper surface electrode depend. Bias current, which was initiated at the edge of the laser, follows one Way, with the active gain area merges to to effectively reach the laser thresholds. The way of the electric Strom goes through an opening a submerged area with elevated Resist the laser at or above the active area surrounds. The submerged area is by one by means of ion implantation caused damage, the size and the spectrum of ion energy chosen like that is that the appropriate resistance gradient is generated. integrated and discrete lasers are described in the cited document. The figures of the Lee et al patent show the position and the Form of the field of ion implantation damage, which uses is used to control the electrical current flow through an active area to limit the active layer.

In der Publikation von April 1993 in "IEEE Photonics Technology Letters", Band 4, Nr. 4, beschreibt ein Artikel mit dem Titel "Transverse Mode Control of Vertical-Cavity Top-Surface-Emitting Lasers" von Morgan, Guth, Focht, Asom, Kojima, Rogers und Callis Eigenschaften der transversalen Moden und die Steuerung von VCSEL-Lasern. Die Veröffentlichung diskutiert ein neues Konzept der örtlichen Filterung zur Steuerung der transversalen Moden eines VCSEL-Lasers, wobei 1,5 mW Leistung in bestimmten Emissionen von transversalen Moden von mit kontinuierlichen Wellen elektrisch angeregten VCSEL-Lasern erreicht wird. Die genannte Veröffentlichung zeigt auch die Verwendung von Ionenimplantation, um eine Strombegrenzung zu erreichen, und sie zeigt eine Schnittansicht dieser Technik in ihrer ersten Figur.In the publication of April 1993 in "IEEE Photonics Technology Letters", Vol. 4, No. 4, describes an article entitled "Transverse Mode Control of Vertical Cavity Top-surface-emitting Lasers "by Morgan, Guth, Focht, Asom, Kojima, Rogers and Callis properties of the transversal Modes and the control of VCSEL lasers. The publication discusses a new concept of local filtering for control the transverse modes of a VCSEL laser, with 1.5 mW power in certain emissions of transversal modes of continuous Waves electrically excited VCSEL lasers is achieved. The named publication also shows the use of ion implantation to limit the current and she shows a sectional view of this technique in her first figure.

Die am meisten verbreitete Technik, um ein Strombegrenzungsgebiet in einem VCSEL-Laser bereitzustellen, ist die Verwendung von Ionenbeschuss, um eine ringförmig geformtes Gebiet zu beeinflussen und seinen Widerstand in Bezug auf elektrischen Strom zu erhöhen. Durch die Bereitstellung einer elektrisch leitenden Öffnung in diesem Gebiet mit erhöhtem elektrischen Widerstand wird Strom durch die Öffnung mit höherer elektrischer Leitfähigkeit geleitet und kann deshalb durch ein vorgewähltes, aktives Gebiet innerhalb der aktiven Schicht geleitet werden. Es wäre vorteilhaft, wenn ein alternatives Verfahren eingesetzt werden könnte, um Strombegrenzung zu erreichen, ohne auf die Technik des Ionenbeschusses, die in den zuvor genann ten Veröffentlichungen und Patenten beschrieben wurde, zurückgreifen zu müssen.The most common technique to create a current limiting area in To provide a VCSEL laser is the use of ion bombardment a ring-shaped influence shaped area and its resistance in relation to increase electricity. By providing an electrically conductive opening in this area with elevated Electric resistance becomes current through the opening with higher electrical conductivity and can therefore by a selected, active area within be passed to the active layer. It would be beneficial if an alternative Method could be used to achieve current limiting, without relying on the technique of ion bombardment, those in the aforementioned publications and patents have been described.

US-Patent 5,373,522, welches für Holonyak et al am 13. Dezember 1994 erteilt wurde, zeigt eine Halbleitervorrichtung mit natürlichem Aluminiumoxidgebieten. Dieses Patent beschreibt ein Verfahren zur Bildung eines nativen Oxids aus einem Aluminium umfassenden Halbleitermaterial der III-V-Gruppe. In dem Verfahren wird Aluminium umfassendes Halbleitermaterial der III-V-Gruppe einer Wasser enthaltenden Umgebung und einer Temperatur von wenigstens 375°C ausgesetzt, um wenigstens einen Bereich des Aluminium umfassenden Materials in ein natürliches Oxid umzuwandeln, welches sich dadurch auszeichnet, dass die Dicke des natürlichen Oxids im Wesentlichen der Dicke des Bereichs des Aluminium beinhaltenden, umgewandelten Halbleitermaterials der III-V-Gruppe entspricht oder dünner ist. Das auf diese Weise gebildete native Oxid hat spezielle Vorteile in elektrischen und optoelektrischen Vorrichtungen, wie z.B. in Lasern.US Patent 5,373,522, which is for Holonyak et al., Issued December 13, 1994, shows a semiconductor device with natural Alumina areas. This patent describes a method of formation a native oxide of a semiconductor material comprising aluminum the III-V group. In the process, aluminum becomes semiconductor material the III-V group of a water-containing environment and a temperature of at least 375 ° C exposed to at least a portion of the aluminum comprising Material into a natural one Convert oxide, which is characterized in that the thickness of the natural oxide substantially the thickness of the area of the aluminum-containing, converted semiconductor material of the III-V group corresponds or is thinner. The native oxide formed in this way has special advantages in electrical and opto-electrical devices, e.g. in Lasers.

US-Patent 5,262,360, welches für Holonyak et al am 16. November 1993 erteilt wurde, zeigt ein natives AlGaAs-Oxid. Ein Verfahren zur Bildung eines nativen Oxids aus einem Aluminium umfassenden Halbleitermaterial der III-V-Gruppe wird beschrieben. In dem Verfahren wird das Aluminium beinhaltende Halbleitermaterial der III-V-Gruppe einer Wasser enthaltenden Umgebung und einer Temperatur von wenigstens 375°C ausgesetzt, um wenigstens einen Bereich des Aluminiums beinhaltenden Materials in ein natives Oxid umzuwandeln, welches sich dadurch auszeichnet, dass die Dicke des nativen Oxids im Wesentlichen der Dicke des Bereichs des Aluminium umfassenden, umgewandelten Halbleitermaterials der III-V-Gruppe entspricht oder dünner ist. Das auf diese Weise gebildete native Oxid weist besondere Vorteile in elektrischen und optoelektrischen Vorrichtungen, wie z.B. in Lasern, auf.U.S. Patent 5,262,360, issued to Holonyak et al on November 16, 1993, shows a native AlGaAs oxide. A method of forming a native oxide from an aluminum the semiconductor material of the III-V group is described. In the process, the III-V group aluminum-containing semiconductor material is exposed to a water-containing environment and a temperature of at least 375 ° C to convert at least a portion of the aluminum-containing material into a native oxide, which is characterized by thickness of the native oxide is substantially equal to or thinner than the thickness of the region of the converted aluminum semiconductor material of III-V group. The native oxide formed in this way has particular advantages in electrical and opto-electrical devices, such as in lasers.

Wesen der ErfindungEssence of invention

Die vorliegende Erfindung schafft eine Laserstruktur gemäß Anspruch 1.The The present invention provides a laser structure according to claim 1.

Die Laserstruktur kann die Merkmale von einem oder mehreren der abhängigen Ansprüche 2 bis 13 umfassen.The Laser structure may have the features of one or more of the dependent claims 2 to 13 include.

Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren nach Anspruch 14 bereit.The The present invention also provides a method according to claim 14 ready.

Das Verfahren kann die Merkmale von jedem der abhängigen Ansprüche 15 bis 26 umfassen.The Method may include the features of each of dependent claims 15 to 26 include.

Die vorliegende Erfindung schafft einen Laser, der ein oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum sein kann, welcher ein aktives Gebiet umfasst, das zwischen einem ersten und einem zweiten elektrischen Kontakt angeordnet ist. Eine erste Stromblockierungsschicht ist zwischen dem ersten und dem zweiten elektrischen Kontakt vorgesehen. Das Material der Stromblockierungsschicht ist speziell ausgewählt, um zu oxidieren, wenn es einem Oxidationsmittel ausgesetzt wird. Die vorliegende Erfindung umfasst ferner ein erstes Mittel, um einen Abschnitt der ersten Stromblockierungsschicht selektiv dem Oxidationsmittel auszusetzen, um ein erstes nicht oxidiertes Gebiet der ersten Stromblockierungsschicht zu definieren, welches durch ein erstes oxidiertes Gebiet der Stromblockierungs schicht umgeben ist. Das erste nicht oxidierte Gebiet der ersten Stromblockierungsschicht ist mit einem vorgewählten Gebiet eines aktiven Gebiets ausgerichtet. Das erste oxidierte Gebiet der Stromblockierungsschicht ist elektrisch isolierend, wohingegen das erste nicht oxidierte Gebiet der Stromblockierungsschicht elektrisch leitfähig ist.The The present invention provides a laser comprising a surface emitting Vertical cavity laser may be which is an active area includes, that between a first and a second electrical Contact is arranged. A first current blocking layer is provided between the first and the second electrical contact. The material of the current blocking layer is specially selected to oxidize when exposed to an oxidizing agent. The The present invention further comprises a first means to provide a Section of the first current blocking layer selectively the oxidizing agent to suspend a first non-oxidized region of the first current blocking layer to define, which through a first oxidized region of the current blocking layer is surrounded. The first non-oxidized region of the first current blocking layer is with a selected area an active area. The first oxidized area of the Current blocking layer is electrically insulating, whereas the first non-oxidized region of the current blocking layer electrically conductive is.

Die Laserstruktur kann ein oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum sein, dies ist jedoch nicht für alle Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung notwendig. Eine zweite Stromblockierungsschicht kann in der Laserstruktur vorgesehen sein und aus einem Material hergestellt sein, das oxidiert wird, wenn es einem Oxidationsmittel ausgesetzt wird. Diese Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ferner ein Mittel, um einen Abschnitt der zweiten Stromblockierungsschicht selektiv dem Oxidationsmittel auszusetzen, um ein zweites nicht oxidiertes Gebiet der zweiten Stromblockierungsschicht zu definieren, welches durch ein zweites oxidiertes Gebiet der zweiten Stromblockierungsschicht umgeben wird. Das nicht oxidierte Gebiet ist mit dem aktiven Gebiet des Lasers ausgerichtet. Analog zur ersten Stromblockierungsschicht ist das zweite oxidierte Gebiet elektrisch isolierend, wohingegen das zweite nicht oxidierte Gebiet elektrisch leitfähig ist. Wenn zwei Stromblockierungsschichten mit oxidierten und nicht oxidierten Gebieten in einem einzelnen Laser verwendet werden, sind die nicht oxidierten Gebiete der ersten und der zweiten Stromblockierungsschicht ausgerichtet, um Strom durch einen vorgewählten Abschnitt des aktiven Gebiets zu leiten.The Laser structure can be a surface emitting However, this is not true for all embodiments necessary for the present invention. A second current blocking layer may be provided in the laser structure and made of a material be oxidized if it is an oxidizing agent is suspended. This embodiment The present invention further comprises a means to a section the second current blocking layer selectively the oxidizing agent to suspend a second unoxidized area of the second Current blocking layer to define, which by a second surrounded by the oxidized region of the second current blocking layer. The non-oxidized area is with the active area of the laser aligned. The second is analogous to the first current blocking layer oxidized area electrically insulating, whereas the second is not oxidized area is electrically conductive. If two current blocking layers with oxidized and unoxidized areas in a single laser are used, the non-oxidized areas of the first and the second current blocking layer aligned to current through a selected one Section of the active area.

Zwei spezielle Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden beschrieben. In einer Ausfüh rungsform umfasst die Laserstruktur einen Substratteil, einen Laserteil, der auf dem Substratteil angeordnet ist, einen Kontaktunterstützungsteil, der auf dem Substratteil angeordnet ist, und einen Überbrückungsteil, das auf dem Substratteil angeordnet ist. Der Überbrückungsteil ist zwischen dem Laserteil und dem Kontaktunterstützungsteil angeordnet, und die erste Stromblockierungsschicht innerhalb des Laserteils ist an einer Randfläche freigelegt, damit sie selektiv oxidiert wird. In dieser speziellen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können entweder eine oder zwei Stromblockierungsschichten verwendet werden.Two special embodiments The present invention will be described below. In a Ausfüh approximate shape The laser structure comprises a substrate part, a laser part, the is disposed on the substrate part, a contact assisting part, which is arranged on the substrate part, and a bridging part, which is arranged on the substrate part. The bridging part is between the Laser part and the contact support part arranged, and the first current blocking layer within the Laser parts is on an edge surface exposed so that it is selectively oxidized. In this special embodiment of the present invention either one or two current blocking layers are used.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung erstreckt sich wenigstens eine geätzte Vertiefung von einer ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Körper der Laserstruktur und durch die erste Stromblockierungsschicht, um einen Teil der Stromblockierungsschicht gegenüber dem Oxidationsmittel während der Herstellung der Laserstruktur freizulegen. In bestimmten Ausführungsformen der Erfindung können vier geätzte Vertiefungen verwendet werden, um selektiv vier Gebiete der Stromblockierungsschicht einem oxidierendem Mittel auszusetzen.In a further embodiment According to the invention, at least one etched recess extends from a first one surface the laser structure in the body the laser structure and through the first current blocking layer, around a portion of the current blocking layer from the oxidant during the Exposure of the laser structure. In certain embodiments of the invention four etched Wells are used to selectively cover four areas of the current blocking layer to expose to an oxidizing agent.

Obwohl zwei spezielle Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Folgenden beschrieben werden, ist es ersichtlich, dass auch alternative Konfigurationen verwendet werden können, um die Vorteile der vorliegenden Erfindung zu erreichen, und diese alternativen Konfigurationen sollen im Schutzbereich der vorliegenden Erfindung liegen.Even though two special embodiments of the present invention will be described below, it will be apparent that also alternative configurations can be used to to achieve the advantages of the present invention, and these Alternative configurations are intended to be within the scope of the present invention Invention lie.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenShort description the drawings

Die vorliegende Erfindung wird besser und umfassender verstanden durch das Studium der Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform in Zusammenhang mit den Zeichnungen, wobeiThe The present invention will be better and more fully understood by the study of the description of a preferred embodiment in connection with the drawings, wherein

1: einen oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Hohlraum gemäß dem Stand der Technik zeigt; 1 Fig. 1 shows a vertical cavity surface emitting laser according to the prior art;

2: eine stark schematisierte Schnittansicht der vorliegenden Erfindung zeigt; 2 Fig. 1 shows a highly schematic sectional view of the present invention;

3A und 3B: eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; 3A and 3B Figure 1 shows an embodiment of the present invention;

4A und 4B: einen Zwischenschritt bei der Herstellung der in den 3A und 3B gezeigten Ausführungsform zeigen; 4A and 4B : an intermediate step in the production of the 3A and 3B shown embodiment;

5A und 5B: eine spätere Herstellungsstufe der in den 4A und 4B beschriebenen Vorrichtung zeigt. 5A and 5B : a later stage of production in the 4A and 4B described device shows.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformdescription the preferred embodiment

In der gesamten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform werden gleichen Komponenten mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.In the entire description of the preferred embodiment will be the same Components designated by the same reference numerals.

1 zeigt eine perspektivische Darstellung, die im Prinzip ähnlich zur 1 in der oben genannten Ver öffentlichung, Band 1562, mit dem Titel "Progress in Planarized Vertical Cavity Surface Emtting Laser Devices and Arrays" ist. Die perspektivische Ansicht der 1 zeigt eine typische Struktur für einen oberflächenemittierenden Laser 10 mit vertikalem Hohlraum, wie sie für einen Fachmann bekannt ist. Ein Galliumarsenid-Substrat 12 ist auf einem elektrischen Kontakt 14 vom N-typ angeordnet. Ein erster Spiegelstapel 16 und ein unteres Gradientenindexgebiet 18 werden nacheinander in Schichten auf dem Substrat 12 angeordnet. Ein aktives Quantentopf-Gebiet 20 ist auf einem oberen Gradientenindexgebiet 22 über dem aktiven Gebiet 20 angeordnet. Ein oberer Spiegelstapel 24 ist über dem aktiven Gebiet angeordnet und eine P-Typ-Leitfähigkeitsschicht 26 bildet einen elektrischen Kontakt. Strom kann von dem oberen Kontakt 26 zu dem unteren Kontakt 14 fließen. Dieser Strom geht durch das aktive Gebiet 20. Pfeile in 1 stellen den Durchgang von Licht durch eine Öffnung 30 im oberen Kontakt 26 dar. Weitere Pfeile in 1 zeigen den Stromfluss nach unten von dem oberen Kontakt 26 durch den oberen Spiegelstapel 24 und das aktive Gebiet 20. Eine Implantation 40 mit Wasserstoffionen bildet ein ringförmiges Gebiet aus Material mit elektrischem Widerstand. Eine zentrale Öffnung 42 von elektrisch leitfähigem Material wird während des Ionenimplantationsprozesses nicht beschädigt. Somit wird Strom, der von dem oberen Kontakt 26 zu dem unteren Kontakt 14 fließt, durch die leitfähige Öffnung 42 und dadurch selektiv durch einen vorbestimmten Abschnitt des aktiven Gebietes 20 geleitet. Die in 1 gezeigte Struktur ist dem Fachmann hinlänglich bekannt und sie ist eine akzeptierte Art, um Strombegrenzung in einem oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Hohlraum zu erreichen. Die vorliegende Erfindung erreicht eine Verbesserung der Techniken, welche für die Herstellung eines VCSEL-Lasers, welcher der in 1 gezeigten Struktur entspricht, erforderlich sind. 1 shows a perspective view, which in principle similar to 1 in the aforementioned publication, Vol. 1562, entitled "Progress in Planarized Vertical Cavity Surface Emittering Laser Devices and Arrays". The perspective view of 1 shows a typical structure for a surface emitting laser 10 with vertical cavity, as known to a person skilled in the art. A gallium arsenide substrate 12 is on an electrical contact 14 of the N-type arranged. A first mirror stack 16 and a lower gradient index area 18 be successively in layers on the substrate 12 arranged. An active quantum well area 20 is on an upper gradient index area 22 over the active area 20 arranged. An upper mirror stack 24 is disposed over the active region and a P-type conductivity layer 26 forms an electrical contact. Electricity can be from the upper contact 26 to the lower contact 14 flow. This stream goes through the active area 20 , Arrows in 1 set the passage of light through an opening 30 in the upper contact 26 dar. Other arrows in 1 show the flow of current down from the upper contact 26 through the upper mirror stack 24 and the active area 20 , An implantation 40 with hydrogen ions forms an annular region of electrically resistive material. A central opening 42 of electrically conductive material is not damaged during the ion implantation process. Thus, electricity is flowing from the upper contact 26 to the lower contact 14 flows through the conductive opening 42 and thereby selectively through a predetermined portion of the active area 20 directed. In the 1 The structure shown is well known to those skilled in the art and is an accepted way to achieve current limiting in a vertical cavity surface emitting laser. The present invention achieves an improvement in the techniques used for the fabrication of a VCSEL laser, which is the same as that used in U.S. Patent Nos. 4,774,866 and 4,605,874 1 shown structure are required.

Jede der in den oben genannten Patenten und Veröffentlichungen beschriebenen Laserstrukturen verwendet einen Typ von Ionenbeschuss oder Ionenimplantation, um ein beschädigtes, ringförmiges Gebiet mit erhöhtem elektrischen Widerstand zu erzeugen, welches ein Gebiet mit geringerem elektrischen Widerstand umgibt. Diese ringförmige Struktur leitet den elektrischen Strom durch einen vorgewählten Abschnitt eines aktiven Gebietes im Laser. Die vorliegende Erfindung weicht von den im Stand der Technik beschriebenen Techniken ab.each those described in the above patents and publications Laser structures uses a type of ion bombardment or ion implantation, around a damaged, annular area with elevated to produce electrical resistance, which is a region of lesser surrounding electrical resistance. This annular structure conducts the electrical Electricity through a selected one Section of an active area in the laser. The present invention deviates from the techniques described in the prior art.

2 zeigt eine stark vereinfachte schematische Darstellung einer Laserstruktur, welche in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde. Ein Substrat 12 ist mit einem elektrischen Kontakt 14 versehen. Ein oberer Kontakt 26 ist auch vorgesehen und weist eine Öffnung 30 auf, die sich durch seine Dicke erstreckt. Ein aktives Gebiet 20 wird durch gestrichelte Linien in dem zentralen Bereich der in 2 dargestellten Laserstruktur angedeutet. Eine Spannungsquelle 50 ist zwischen den zwei elektrischen Kontakten 14 und 26 geschaltet, um Stromfluss durch die verschiedenen Schichten der Laserstruktur zu verursachen. 2 shows a greatly simplified schematic of a laser structure made in accordance with the present invention. A substrate 12 is with an electrical contact 14 Mistake. An upper contact 26 is also provided and has an opening 30 which extends through its thickness. An active area 20 is indicated by dashed lines in the central area of 2 indicated laser structure indicated. A voltage source 50 is between the two electrical contacts 14 and 26 switched to cause current flow through the various layers of the laser structure.

In der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Strukturen anhand von Schichten, die zur Veränderung ihrer Leitfähigkeit oxidiert werden, dargestellt und beschrieben. Es ist jedoch ersichtlich, dass das gleiche Ziel auch durch die Verwendung eines Ätzmittels erreicht werden kann, welches selektiv die Schichten entfernt, anstatt sie zu oxidieren. Beide Verfahren können verwendet werden, um den erwünschten Effekt in den ausgewählten Schichten zu erzeugen. Falls der Oxidationsprozess verwendet wird, wird natürlich ein Oxidationsmittel verwendet, um das Material in den Schichten zu oxidieren. Falls andererseits der Ätzprozess verwendet wird, wird ein Ätzmittel verwendet, um selektiv die ausgewählten Schichten zu ätzen.In the following description of the preferred embodiment According to the present invention, the structures are determined by means of layers which to change their conductivity are oxidized, shown and described. It is apparent, however, that the same goal also by the use of an etchant can be achieved, which selectively removes the layers, instead to oxidize them. Both methods can be used to control the desired Effect in the selected To create layers. If the oxidation process is used, becomes natural an oxidizing agent is used to add the material in the layers oxidize. On the other hand, if the etching process is used an etchant used to selectively etch the selected layers.

Das generelle Konzept der Erfindung ist die Geometrie, die notwendig ist, um eine im wesentlichen planare Oberfläche aufrecht zu erhalten, wenn die darunter liegende Oberfläche dadurch modifiziert wird, dass sie einem vorgewählten Mittel ausgesetzt wird, wie etwa einem Oxidationsmittel oder einem Ätzmittel. In beiden Fällen wird die vorgewählte Schicht mit einer hohen Konzentration an Aluminium hergestellt. Durch diese Aluminiumkonzentration reagiert die vorgewählte Schicht besonders gut auf entweder Oxidation oder auf Ätzen. Da Ätzen würde einen Leerraum dort hinterlassen, wo die vorgewählte Schicht entfernt wurde, wohingegen die Oxidation eine Schicht aus Aluminiumoxid hinterlassen würde. Jeder Prozess führt zu einer effektiven optischen und elektrischen Strombegrenzung.The general concept of the invention is the geometry necessary to maintain a substantially planar surface, when the underlying surface is modified by exposure to a preselected agent, such as an oxidizer or an etchant. In both cases, the preselected layer is made with a high concentration of aluminum. Due to this concentration of aluminum, the preselected layer reacts particularly well to either oxidation or etching. Because etching would leave a void where the preselected layer was removed, the oxidation would leave a layer of alumina. Every process leads to an effective optical and electrical current limitation.

Falls selektives Ätzen als das Verfahren ausgewählt wird, um die vorliegende Erfindung umzusetzen, werden hohe Aluminiumschichten in geschichteten AlGaAs-Strukturen mit Hydrochlorsäure oder Hydrofluorsäure behandelt. Da der selektive Ätzprozess nicht perfekt ist, können die nach dem Ätzen gebildeten Kanten den Zacken eines Kamms ähneln, wobei die höchsten Aluminiumschichten tief in die Struktur hinein geätzt wurden und die niedrigeren Aluminiumschichten weniger stark geätzt wurden. Um diese problematische kammartige Stuktur zu entfernen, kann nach dem selektiven Ätzen ein nicht-selektiver Ätzschritt durchgeführt werden, der die Kanten glättet.If selective etching selected as the method In order to practice the present invention, high aluminum layers will be used in layered AlGaAs structures with hydrochloric acid or Hydrofluoric acid treated. Because the selective etching process is not is perfect, can the after etching formed edges resemble the crests of a comb, with the highest aluminum layers etched deep into the structure and the lower aluminum layers were less etched. To remove this problematic comb-like structure, you can the selective etching a non-selective etching step carried out which smoothes the edges.

In 2 sind zwei Stromblockierungsschichten dargestellt. Eine erste Stromblockierungsschicht 100 ist aus einem Material hergestellt, welches in Anwesenheit von einem Oxidationsmittel oxidiert wird. In bestimmten Ausführungsformen kann dieses Material AlxGa1-xAs sein, wobei x größer als 0,90 ist. In 2 ist auch eine zweite Stromblockierungsschicht 104 gezeigt, es ist jedoch ersichtlich, dass in bestimmten Implementationen nur eine einzelne Stromblockierungsschicht verwendet werden kann. Obwohl die Verwendung von zwei Stromblockierungsschichten 100 und 104 in bestimmten Ausführungsformen signifikante Vorteile hat, sind nicht in jeder Anwendung der vorliegenden Erfindung zwei Schichten erforderlich. Die zentralen Öffnungen 101 und 105 sind Abschnitte der Stromblockierungsschichten, welche nicht oxidiert wurden und somit elektrisch leitfähig sind. Die oxidierten Abschnitte der Stromblockierungsschichten werden elektrisch isolierend und verhindern hierdurch den elektrischen Stromfluss durch ihre Dicken. Somit wird elektrischer Strom, der von dem oberen Kontakt 26 zu dem unteren Kontakt 14 fließt, in die Richtungen geleitet, welche durch die Pfeile angedeutet sind, wobei dieses Durchschleusen des Stroms einen Stromfluss durch einen vorgewählten Abschnitt des aktiven Gebietes 20 in einer Art und Weise verursacht, welche allgemein ähnlich zu dem Stromweg in den oben beschriebenen Laserstrukturen des Standes der Technik ist.In 2 Two current blocking layers are shown. A first current blocking layer 100 is made of a material which is oxidized in the presence of an oxidizing agent. In certain embodiments, this material may be Al x Ga 1-x As, where x is greater than 0.90. In 2 is also a second current blocking layer 104 however, it will be appreciated that in certain implementations only a single current blocking layer can be used. Although the use of two current blocking layers 100 and 104 in certain embodiments has significant advantages, two layers are not required in each application of the present invention. The central openings 101 and 105 are portions of the current blocking layers which have not been oxidized and thus are electrically conductive. The oxidized portions of the current blocking layers become electrically insulating and thereby prevent the flow of electrical current through their thicknesses. Thus, electric current is flowing from the upper contact 26 to the lower contact 14 flows, directed in the directions indicated by the arrows, this passage of current through a current flow through a preselected portion of the active region 20 in a manner generally similar to the current path in the prior art laser structures described above.

Falls in 2 der Abschnitt der Laserstruktur, der sich oberhalb des Substrates 12 erstreckt, eine Vielzahl von Schichten umfasst, deren Ränder an den Seitenflächen der Struktur freigelegt sind, wird die Anwendung eines Oxidationsmittels selektiv diejenigen Gebiete oxidieren, welche aus einem Material hergestellt sind, das oxidiert werden kann, und die Oxidation wird an den Rändern der Struktur beginnen. Indem eine geeignetes Oxidationsmittel gewählt wird, wie etwa Stickstoffgas, welches mit Wasserdampf bei 80°C gesättigt ist und über Wafer bei 400°C fließt, und indem die Oxidationsperiode zeitlich abgestimmt wird, kann eine ringförmige oxidierte Struktur mit nicht oxidierten zentralen Gebieten, die in 2 mit den Bezugszeichen 101 und 105 bezeichnet sind, erzeugt werden. Jedoch existiert ein schwerwiegendes Herstellungsproblem mit einer Struktur, wie sie in 2 gezeigt ist. Es müssen Mittel bereit gestellt werden, welche den elektrischen Kontakt zwischen einer Spannungsquelle 50 und den elektrischen Kontakten 14 und 26 ermöglichen. In den meisten Strukturen dieses Typs kann der elektrische Kontakt zwischen der Spannungsquelle 50 und der leitfähigen Kontaktstelle 14 einfach erreicht werden. Jedoch ist wegen der extrem kleinen Größe der Struktur, die sich nach oben aus dem Substrat 12 erstreckt, eine Verbindung zwischen einer Spannungsquelle 50 und dem oberen elektrischen Kontakt 26 schwierig. Diese Schwierigkeit besteht unabhängig von dem verwendeten Verfahren, mit dem die Stromblockierungsschichten 100 und 104 erzeugt werden. Diese Anordnung zeigt ein Mittel, das die Verbindung zwischen der Spannungsquelle 50 und dem oberen elektrischen Kontakt 26 erleichtert.If in 2 the section of the laser structure that extends above the substrate 12 extends, comprises a plurality of layers whose edges are exposed at the side surfaces of the structure, the application of an oxidizing agent will selectively oxidize those regions made of a material that can be oxidized, and the oxidation will begin at the edges of the structure , By choosing a suitable oxidizing agent, such as nitrogen gas saturated with water vapor at 80 ° C and flowing over wafers at 400 ° C, and timing the oxidation period, a ring-shaped oxidized structure having unoxidized central regions which can be formed in 2 with the reference numerals 101 and 105 are designated to be generated. However, there is a serious manufacturing problem with a structure such as that in 2 is shown. Means have to be provided which determine the electrical contact between a voltage source 50 and the electrical contacts 14 and 26 enable. In most structures of this type, the electrical contact between the voltage source 50 and the conductive pad 14 easily achieved. However, because of the extremely small size of the structure, it is up from the substrate 12 extends, a connection between a voltage source 50 and the upper electrical contact 26 difficult. This difficulty is independent of the method used with which the current blocking layers 100 and 104 be generated. This arrangement shows a means of connecting the voltage source 50 and the upper electrical contact 26 facilitated.

3A zeigt eine Draufsicht auf eine Laserstruktur, welche in Übereinstimmung mit den Prinzipien der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde. Das Substrat 12 stützt eine vertikale Struktur, die drei Abschnitte umfasst. Ein Laserteil 110 und ein Kontaktunterstützungsteil 114 sind mittels eines Überbrückungsteils 118 verbunden. 3B zeigt eine Seitenansicht der in 3A gezeigten Struktur. 3A FIG. 10 shows a top view of a laser structure made in accordance with the principles of the present invention. FIG. The substrate 12 supports a vertical structure that includes three sections. A laser part 110 and a contact support part 114 are by means of a bridging part 118 connected. 3B shows a side view of in 3A shown structure.

In 3B sind die Ränder von bestimmten Schichten der Laserstruktur gezeigt. Obwohl verstanden werden sollte, dass der Laserteil 110, der Kontaktunterstützungsteil 114 und der Überbrückungsteil 118 eine Vielzahl von Schichten umfassen, welche das aktive Gebiet, die oberen und unteren Spiegel, die Gradierendenindexgebiete und die Kontakte bilden, ist 3B eine vereinfachte Darstellung, welche nur die ersten und die zweiten Stromblockierungsschicht der Erfindung zeigt. Die erste und die zweite Stromblockierungsschicht 100 und 104 sind oberhalb und unterhalb des aktiven Gebietes der Laserstruktur angeordnet.In 3B The edges of certain layers of the laser structure are shown. Although it should be understood that the laser part 110 , the contact support part 114 and the bridging part 118 include a plurality of layers forming the active region, the upper and lower mirrors, the grading index regions, and the contacts 3B a simplified view showing only the first and the second current blocking layer of the invention. The first and second current blocking layers 100 and 104 are arranged above and below the active region of the laser structure.

4A und 4B zeigen die gleiche Struktur, die im Vorangegangenen in Zusammenhang mit den 3A und 3B beschrieben wurde, jedoch sind die Stromblockierungsschichten selektiv oxidiert worden. 4A ist eine Schnittansicht der 4B durch die obere oder erste Stromblockierungsschicht 100. Da die Oxidation der Stromblockierungsschichten an den Rändern der vertikalen Struktur auf dem Substrat 12 beginnt, schreitet die Oxidation von diesen Rändern nach innen fort, wenn die Ränder einem Oxidationsmittel ausgesetzt werden. Das oxidierte Gebiet wächst von den äußeren Rändern und setzt sich mit der Zeit nach innen fort, bis ein nicht oxidierter Abschnitt, wie etwa die oben mit den Bezugszeichen 101 und 105 in 2 identifizierten Abschnitte, vom oxidierten Gebiet umgeben ist. In 4A wird das nicht oxidierte Gebiet des Laserteils 110 mit dem Bezugszeichen 130 identifiziert. Da sich die Oxidation in der Tendenz mit einer konstanten Rate in allen Bereichen der Struktur fortsetzt, existiert auch ein nicht oxidierter Abschnitt 134 des Kontaktunterstützungsteils 114. Der Überbrückungsteil 118, der in der Breite kleiner als die anderen beiden Teile ist, wird komplett oxidiert. Der Grad an Oxidation bzw. nicht vorhandener Oxidation, der in 4A gezeigt ist, wird dadurch verursacht, dass die Struktur einem Oxidationsmittel für eine vorgewählte Zeitperiode ausgesetzt wird, wobei die Zeitperiode eine Funktion von sowohl des verwendeten Oxidationsmittels als auch der Temperatur ist, unter welcher der Oxidationsprozess stattfindet. Viele verschiedene Optionen sind für diese Zwecke möglich. Der nicht oxidierte Abschnitt 130 des Laserteils 110 stellt einen Stromweg bereit, der elektrischen Strom durch den vorgewählten Abschnitt des aktiven Gebietes leitet. 4A and 4B show the same structure that in the preceding in connection with the 3A and 3B described wur de, however, the current blocking layers have been selectively oxidized. 4A is a sectional view of 4B through the upper or first current blocking layer 100 , As the oxidation of the current blocking layers at the edges of the vertical structure on the substrate 12 begins, the oxidation progresses inwardly from these edges when the edges are exposed to an oxidizing agent. The oxidized area grows from the outer edges and continues inward with time until an unoxidized portion, such as those indicated above by the reference numerals 101 and 105 in 2 identified sections, surrounded by the oxidized area. In 4A becomes the non-oxidized area of the laser part 110 with the reference number 130 identified. Since the oxidation tends to continue at a constant rate in all areas of the structure, there is also an unoxidized portion 134 the contact support part 114 , The bridging part 118 , which is smaller in width than the other two parts, is completely oxidized. The degree of oxidation or nonexistent oxidation, which in 4A is caused by exposing the structure to an oxidizer for a preselected period of time, the time period being a function of both the oxidant used and the temperature at which the oxidation process takes place. Many different options are possible for these purposes. The unoxidized section 130 of the laser part 110 provides a current path that conducts electrical current through the preselected portion of the active region.

5A und 5B zeigen die Struktur der 4A und 4B, nachdem eine weitere Bearbeitung abschlossen ist. In 5A ist leitfähiges Material, wie etwa Titanium oder Gold, auf der oberen Schicht des Laserteils 110, des Kontaktunterstützungsteils 114 und des Überbrückungsteils 118 aufgebracht. Das elektrisch leitfähige Material bildet eine ringförmige Form 140, um eine Öffnung 144 bereit zu stellen, durch welche Licht von dem Laserteil 110 emittiert werden kann. Auf dem Kontaktunterstützungsteil 114 ist die elektrische Kontaktstelle 148 derart geformt, dass sie groß genug ist, um eine Verbindung mit Hilfe bekannter Draht-Bonding-Techniken zwischen der Kontaktstelle 148 und einer Spannungsquelle, wie sie durch Bezugszeichen 50 in 2 identifiziert ist, zu ermöglichen. Zwischen dem ringförmigen Kontakt 140 und der Verbindungskontaktstelle 148 erstreckt sich ein leitfähiger Streifen 150 über den Überbrückungsteil 118. Dies ermöglicht einen elektrischen Kontakt zwischen der größeren leitfähigen Kontaktstelle 148 und dem ringförmigen Leiter 140, der die Öffnung 144 umgibt. 5A and 5B show the structure of 4A and 4B after finishing another edit. In 5A is a conductive material, such as titanium or gold, on the upper layer of the laser part 110 , the contact support part 114 and the bridging part 118 applied. The electrically conductive material forms an annular shape 140 to an opening 144 ready to put through which light from the laser part 110 can be emitted. On the contact support part 114 is the electrical contact point 148 shaped so that it is large enough to connect by means of known wire-bonding techniques between the contact point 148 and a voltage source, as indicated by reference numerals 50 in 2 is identified. Between the annular contact 140 and the connection point 148 extends a conductive strip 150 over the bridging part 118 , This allows electrical contact between the larger conductive pad 148 and the annular conductor 140 , the opening 144 surrounds.

5B ist eine Schnittansicht der 5A durch die Mitte des Laserteils 110, des Überbrückungsteils 118 und der Kontaktunterstützung 114. Folglich sind die erste und die zweite Stromblockierungsschicht 100 und 104 mit dem elektrisch leitfähigen Abschnitt gezeigt, der oben beschrieben wurde und mit Bezugszeichen 130 in Bezug auf 4A identifiziert wurde. Dieser elektrisch leitfähige Abschnitt der Stromblockierungsschichten ermöglicht den Stromfluss von dem oberen Kontakt 140 durch das aktive Gebiet 20, wie durch die Pfeile angedeutet ist. Obwohl die Größe des Laserteils 110 sehr klein ist, ermöglicht der größere Kontaktunterstützungsteil 114 eine relativ große Kontaktstelle 148, um die Vorrichtung mit einer Spannungsquelle mittels bekannter Draht-Bonding-Techniken zu verbinden. Der Überbrückungsteil 118 stellt den physikalischen Träger für den elektrischen Leiter 150 dar und erstreckt sich von dem Kontaktunterstützungsteil 114 zu dem Laserteil 110. Ein zusätzlicher Schritt, wie zum Beispiel eine Protonen-Implantation in allen Gebieten außer in einem kleinen Bereich in und um das Lasergebiet und einem kleinen Bereich innerhalb der Kontaktstelle kann eine elektrische Isolation von Vorrichtung zu Vorrichtung ermöglichen und minimiert die Kapazität der Vorrichtung. 5B is a sectional view of 5A through the middle of the laser part 110 , the bridging part 118 and contact support 114 , Consequently, the first and second current blocking layers are 100 and 104 shown with the electrically conductive portion described above and with reference numerals 130 in relation to 4A was identified. This electrically conductive portion of the current blocking layers allows the flow of current from the upper contact 140 through the active area 20 as indicated by the arrows. Although the size of the laser part 110 is very small, allows the larger contact support part 114 a relatively large contact point 148 to connect the device to a voltage source by means of known wire bonding techniques. The bridging part 118 represents the physical support for the electrical conductor 150 and extends from the contact support part 114 to the laser part 110 , An additional step, such as proton implantation in all areas except a small area in and around the laser area and a small area within the pad, can provide electrical device-to-device isolation and minimize device capacity.

Claims (26)

Laserstruktur, die folgendes umfaßt: einen Substratteil (12); einen auf dem Substratteil angeordneten Laserteil (110) mit einem darin befindlichen aktiven Gebiet (20); einen auf dem Substrat angeordneten Kontaktunterstützungsteil (114); einen Überbrückungsteil (118), der auf dem Substratteil angeordnet ist und zwischen den Laserteil (110) und den Kontaktunterstützungsteil (114) geschaltet ist; einen auf einer ersten Oberfläche der Laserstruktur angeordneten ersten elektrischen Kontakt (26); einen zweiten elektrischen Kontakt (14) und eine erste Stromblockierungsschicht (100), die, wenn sie einem vorgewählten Mittel ausgesetzt wird, einer physischen Änderung unterzogen wird und dazu bestimmt ist, einen zwischen dem ersten und zweiten Kontakt durch das aktive Gebiet fließenden Strom zu lenken, wobei der Laserteil durch eine Vertiefung mit einem Umfang definiert wird, die sich von einem ersten Punkt des Überbrückungsteils um einen ausgewählten Bereich des Laserteils herum zu einem gegenüberliegenden zweiten Punkt des Überbrückungsteils erstreckt, wobei sich die Vertiefung von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Körper der Laserstruktur und durch die erste Stromblockierungsschicht erstreckt, um einen Teil der ersten Stromblockierungsschicht gegenüber dem vorgewählten Mittel freizulegen, um ein erstes verändertes Gebiet in der ersten Stromblockierungsschicht um ein erstes unverändertes Gebiet herum zu definieren, und wobei das erste unveränderte Gebiet der ersten Stromblockierungsschicht auf ein vorgewähltes Gebiet des aktiven Gebiets ausgerichtet ist, wobei das erste veränderte Gebiet elektrisch isolierend ist und das erste unveränderte Gebiet elektrisch leitend ist.A laser structure comprising: a substrate part ( 12 ); a laser part arranged on the substrate part ( 110 ) with an active area ( 20 ); a contact support member (FIG. 114 ); a bridging part ( 118 ), which is arranged on the substrate part and between the laser part ( 110 ) and the contact support part ( 114 ) is switched; a first electrical contact (11) arranged on a first surface of the laser structure ( 26 ); a second electrical contact ( 14 ) and a first current blocking layer ( 100 ) which, when subjected to a preselected means, undergoes a physical change and is intended to direct a current flowing through the active region between the first and second contacts, the laser portion being defined by a perimeter of a perimeter, which extends from a first point of the bridging portion about a selected portion of the laser portion to an opposite second point of the bridging portion, the recess extending from the first surface of the laser structure into the body of the laser structure and through the first current blocking layer to form part of exposing the first current blocking layer to the preselected means to define a first changed region in the first current blocking layer around a first unchanged region, and wherein the first unchanged region is the first one Current blocking layer is aligned with a preselected region of the active region, wherein the first changed region is electrically insulating and the first unchanged region is electrically conductive. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die Vertiefung einen Teil der ersten Stromblockierungsschicht (100) gegenüber dem vorgewählten Mittel freilegt zum Definieren eines ersten unveränderten Gebiets der ersten Stromblockierungsschicht (100), umgeben von einem ersten veränderten Gebiet der ersten Stromblockierungsschicht (100), unabhängig vom Modifizieren des ersten unveränderten Gebiets, um bei Exposition mit dem vorgewählten Mittel einer physischen Veränderung standzuhalten.A laser structure according to claim 1, wherein said recess comprises a portion of said first current blocking layer (12). 100 ) against the preselected means for defining a first unaltered region of the first current blocking layer ( 100 ) surrounded by a first changed region of the first current blocking layer ( 100 ), irrespective of modifying the first unaltered area, to withstand physical change when exposed to the preselected means. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei der Laserteil (110), der Kontaktunterstützungsteil (114) und der Überbrückungsteil (118) jeweilige erste Oberflächen gegenüber dem Substrat aufweisen, die zueinander im wesentlichen koplanar sind.Laser structure according to claim 1, wherein the laser part ( 110 ), the contact support part ( 114 ) and the bridging part ( 118 ) have respective first surfaces opposite to the substrate that are substantially coplanar with each other. Laserstruktur nach Anspruch 3, wobei die jeweiligen ersten Oberflächen des Laserteils (110), des Kontaktunterstützungsteils (114) und des Überbrückungsteils (118) zu der ersten Ober fläche der Laserstruktur im wesentlichen koplanar sind.Laser structure according to claim 3, wherein the respective first surfaces of the laser part ( 110 ), the contact support part ( 114 ) and the bridging part ( 118 ) are substantially coplanar with the first surface of the laser structure. Laserstruktur nach Anspruch 3, wobei der erste Kontakt eine sich in Längsrichtung erstreckende Oberfläche aufweist, die die erste Oberfläche des Laserteils (110), den Kontaktunterstützungsteil (114) und den Überbrückungsteil (118) derart kontaktiert, daß die sich in Längsrichtung erstreckende Oberfläche des ersten Kontakts entlang ihrer Länge koplanar ist.A laser structure according to claim 3, wherein the first contact has a longitudinally extending surface which defines the first surface of the laser part (12). 110 ), the contact support part ( 114 ) and the bridging part ( 118 ) such that the longitudinally extending surface of the first contact is coplanar along its length. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei der Überbrückungsteil eine Breite aufweist, die geringer ist als die Breite sowohl des Kontaktunterstützungs- als auch des Laserteils und der erste und zweite Punkt des Überbrückungsteils durch die Breite des Überbrückungsteils getrennt sind.The laser structure of claim 1, wherein the bridging member has a width that is less than the width of both the Contact support as also the laser part and the first and second points of the bridging part by the width of the bridging part are separated. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei das vorgewählte Mittel ein oxidierendes Mittel ist, das die erste Stromblockierungsschicht oxidiert, wodurch ein Oxidationsabstand definiert wird, wobei der Überbrückungsteil eine Breite aufweist, die geringer ist als die Breite sowohl des Kontaktunterstützungs- als auch des Laserteils, wobei der Umfang der Vertiefung des Laserteils sich von einem ersten Punkt des Überbrückungsteils um einen ausgewählten Bereich des Laserteils herum zu einem gegenüberliegenden zweiten Punkt des Überbrückungsteils erstreckt und wobei der erste und zweite gegenüberliegende Punkt des Überbrückungsteils durch die Breite des Überbrückungsteils beabstandet sind und die Breite des Überbrückungsteils derart ist, daß der Überbrückungsteil über seine Breite hinweg von dem oxidierenden Mittel oxidiert wird.The laser structure of claim 1, wherein the preselected agent an oxidizing agent is the first current blocking layer oxidizes, thereby defining an oxidation distance, wherein the bridging part has a width that is less than the width of both the Kontaktunterstützungs- as well as the laser part, wherein the scope of the depression of the laser part from a first point of the bridging part around a selected one Area of the laser part around to an opposite second point of the bridging part and wherein the first and second opposing points of the bridging part by the width of the bridging part are spaced and the width of the bridging member is such that the bridging member over its Width is oxidized by the oxidizing agent. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei das vorgewählte Mittel die erste Stromblockierungsschicht durch einen Oxidierungsabstand oxidiert, um das erste veränderte Gebiet auszubilden, wobei der Oxidierungsabstand derart gewählt ist, daß das erste veränderte Gebiet das erste unveränderte Gebiet umgibt.The laser structure of claim 1, wherein the preselected agent the first current blocking layer by an oxidation distance oxidized to the first changed Area, wherein the oxidation distance is chosen such that this first changed Area the first unchanged Surrounding area. Laserstruktur nach Anspruch 1, weiterhin mit einer zweiten Stromblockierungsschicht (104), wobei die zweite Stromblockierungsschicht, wenn sie einem vorgewählten Mittel ausgesetzt wird, einer physischen Änderung unterzogen wird, wobei sich die Vertiefung von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Körper der Laserstruktur und durch die zweite Stromblockierungsschicht (104) erstreckt, um einen Teil der zweiten Stromblockierungsschicht gegenüber dem. vorgewählten Mittel freizulegen, um ein zweites unverändertes Gebiet (105) der zweiten Stromblockierungsschicht zu definieren, umgeben von einem zweiten veränderten Gebiet der zweiten Stromblockierungsschicht, und wobei das zweite unveränderte Gebiet der zweiten Stromblockierungsschicht auf das vorgewählte Gebiet des aktiven Gebiets ausgerichtet ist, wobei das zweite veränderte Gebiet elektrisch isolierend ist, wobei das zweite unveränderte Gebiet elektrisch leitend ist, wobei das erste und das zweite unveränderte Gebiet aufeinander ausgerichtet sind, um einen Stromkanal zu definieren, der sich durch das vorgewählte Gebiet des aktiven Gebiets erstreckt.A laser structure according to claim 1, further comprising a second current blocking layer ( 104 ), wherein the second current blocking layer is subjected to a physical change when exposed to a preselected means, wherein the recess extends from the first surface of the laser structure into the body of the laser structure and through the second current blocking layer (12). 104 ) extends to a portion of the second current blocking layer opposite to. unused funds to cover a second unaltered area ( 105 ) of the second current blocking layer surrounded by a second altered region of the second current blocking layer, and wherein the second unchanged region of the second current blocking layer is aligned with the preselected region of the active region, the second altered region being electrically insulating, the second unchanged region is electrically conductive, wherein the first and second unchanged regions are aligned to define a current channel extending through the preselected region of the active region. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die Laserstruktur ein oberflächenemittierender Laser (VCSEL) ist.The laser structure of claim 1, wherein the laser structure a surface emitting Laser (VCSEL) is. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei das vorgewählte Mittel ein Ätzmittel ist.The laser structure of claim 1, wherein the preselected agent an etchant is. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die erste Stromblockierungsschicht (100) ein aluminiumtragendes Material umfaßt.A laser structure according to claim 1, wherein the first current blocking layer ( 100 ) comprises an aluminum-bearing material. Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die erste Stromblockierungsschicht (100) in dem Laserteil, dem Überbrückungsteil und dem Kontaktunterstützungsteil angeordnet ist.A laser structure according to claim 1, wherein the first current blocking layer ( 100 ) is disposed in the laser part, the bridging part and the contact support part. Verfahren zum Ausbilden einer Laserstruktur, umfassend: Bereitstellen eines Substratteils (12); Anordnen eines Laserteils (110) auf dem Substrat mit einem aktiven Gebiet (20), einem Kontaktunterstützungsteil (114) auf dem Substratteil und einem Überbrückungsteil (118) auf dem Substratteil, der zwischen den Laserteil (110) und den Kontaktunterstützungsteil (114) geschaltet ist; Anordnen eines ersten elektrischen Kontakts (26) auf der ersten Oberfläche der Laserstruktur und eines zweiten elektrischen Kontakts (14); Bereitstellen einer ersten Stromblockierungsschicht (100), die, wenn sie einem vorgewählten ausgesetzt wird, einer physischen Änderung unterzogen wird, und dazu bestimmt ist, einen zwischen dem ersten und zweiten Kontakt durch das aktive Gebiet fließenden Strom zu lenken, Definieren eines ausgewählten Bereichs in dem Laserteil mit einer Vertiefung mit einem Umfang, der sich von einem ersten Teil des Überbrückungsteils um den ausgewählten Bereich des Laserteils herum zu einem gegenüberliegenden zweiten Punkt des Überbrückungsteils erstreckt, wobei sich die Vertiefung von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Körper der Laserstruktur und durch die erste Stromblockierungsschicht erstreckt, um einen Teil der Stromblockierungsschicht freizulegen; und Einwirken eines vorgewählten Mittels auf die Laserstruktur, um ein erstes verändertes Gebiet in der ersten Stromblockierungsschicht um ein erstes unverändertes Gebiet herum zu definieren, wobei das erste unveränderte Gebiet der ersten Stromblockierungsschicht auf ein vorgewähltes Gebiet des aktiven Gebiets ausgerichtet ist, wobei das erste veränderte Gebiet elektrisch isolierend und das erste unveränderte Gebiet elektrisch leitend ist.A method of forming a laser structure, comprising: providing a substrate part ( 12 ); Arranging a laser part ( 110 ) on the substrate with an active area ( 20 ), a contact support part ( 114 ) on the substrate part and a bridging part ( 118 ) on the substrate part, between the laser part ( 110 ) and the contact support part ( 114 ) is switched; Arranging a first electrical contact ( 26 ) on the first surface of the laser structure and a second electrical contact ( 14 ); Providing a first current blocking layer ( 100 ) which, when subjected to a preselected one, undergoes a physical change and is intended to direct current flowing between the first and second contacts through the active region, defining a selected region in the laser part having a depression with one A perimeter extending from a first portion of the bridging portion about the selected portion of the laser portion to an opposite second point of the bridging portion, the recess extending from the first surface of the laser structure into the body of the laser structure and through the first current blocking layer Expose part of the current blocking layer; and applying a preselected agent to the laser structure to define a first altered region in the first current blocking layer about a first unchanged region, wherein the first unchanged region of the first current blocking layer is aligned with a preselected region of the active region, wherein the first altered region electrically insulating and the first unchanged area is electrically conductive. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Schritt des Definierens eines ausgewählten Bereichs die Vertiefung definiert, um in dem Einwirkungsschritt einen Teil der ersten Stromblockierungsschicht dem vorgewählten Mittel auszusetzen, zum Definieren eines ersten unveränderten Gebiets der ersten Stromblockierungsschicht, umgeben von einem ersten veränderten Gebiet der ersten Stromblockierungsschicht, unabhängig vom Modifizieren des ersten unveränderten Gebiets, um bei Exposition mit dem vorgewählten Mittel einer physischen Veränderung standzuhalten.The method of claim 14, wherein the step of Defining a selected one Area defines the recess to a in the action step Part of the first current blocking layer to the preselected agent to suspend, to define a first unaltered area of the first Current blocking layer surrounded by a first modified Area of the first current blocking layer, independent of Modify the first unchanged Territory to a physical exposition with the preselected means To withstand change. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Laserteil (110), der Kontaktunterstützungsteil (114) und der Überbrückungsteil (118), angeordnet auf dem Unterstützungssubstrat in dem Anordnungsschritt, jeweilige erste Oberflächen gegenüber dem Unterstützungssubstrat aufweisen, die zueinander im wesentlichen koplanar sind.A method according to claim 14, wherein the laser part ( 110 ), the contact support part ( 114 ) and the bridging part ( 118 ) disposed on the support substrate in the arranging step, have respective first surfaces opposite to the support substrate which are substantially coplanar with each other. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die jeweiligen ersten Oberflächen des Laserteils (110), des Kontaktunterstützungsteils (114) und des Überbrückungsteils (118), in dem Anordnungsschritt angeordnet, mit der ersten Oberfläche der Laserstruktur im wesentlichen koplanar sind.Method according to claim 16, wherein the respective first surfaces of the laser part ( 110 ), the contact support part ( 114 ) and the bridging part ( 118 ) disposed in the arranging step are substantially coplanar with the first surface of the laser structure. Verfahren nach Anspruch 17 , wobei bei dem Ätzen der erste und der zweite Punkt des Überbrückungsteils um eine Distanz voneinander getrennt werden, die höchstens zweimal die Breite des ersten veränderten Gebiets der ersten Stromblockierungsschicht beträgt.The method of claim 17, wherein in the etching of first and the second point of the bridging part be separated by a distance that is at most twice the width of the first modified area of the first Current blocking layer is. Verfahren nach Anspruch 18, wobei der Überbrückungsteil eine Breite aufweist, die geringer ist als die Breite sowohl des Kontaktunterstützungs- als auch des Laserteils und wobei bei dem Ätzen der erste und der zweite Punkt des Überbrückungsteils voneinander um die Breite des Überbrückungsteils getrennt sind.The method of claim 18, wherein the bridging part has a width that is less than the width of both the Contact support as also the laser part and wherein in the etching of the first and the second Point of the bridging part from each other separated by the width of the bridging part are. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das in dem Einwirkungsschritt einwirkende vorgewählte Mittel ein oxidierendes Mittel ist, das die erste Stromblockierungsschicht für einen Oxidationsabstand oxidiert, um dadurch das erste veränderte Gebiet um das erste unveränderte Gebiet herum zu definieren, wobei der Überbrückungsteil eine Breite aufweist, die geringer ist als die Breite sowohl des Kontaktunterstützungs- als auch des Laserteils, wobei der Umfang der Vertiefung des Laserteils sich von einem ersten Punkt des Überbrückungsteils um einen ausgewählten Bereich des Laserteils herum zu einem gegenüberliegenden zweiten Punkt des Überbrückungsteils erstreckt und wobei der erste und der zweite gegenüberliegende Punkt des Überbrückungsteils durch die Breite des Überbrückungsteils getrennt sind und die Breite des Überbrückungsteils derart ist, daß der Überbrückungsteil über seine Breite hinweg von dem oxidierenden Mittel oxidiert wird.The method of claim 14, wherein in the exposing step acting selective Means is an oxidizing agent comprising the first current blocking layer for one Oxidation distance oxidized, thereby changing the first modified area around the first unchanged Area around, where the bridging part has a width, which is less than the width of both the contact support as well as the laser part, wherein the scope of the depression of the laser part from a first point of the bridging part around a selected one Area of the laser part around to an opposite second point of the bridging part and wherein the first and second opposing points of the bridging part by the width of the bridging part are separated and the width of the bridging part is such that the bridging part over its Width is oxidized by the oxidizing agent. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das vorgewählte Mittel des Einwirkungsschritts die erste Stromblockierungsschicht durch einen Oxidierungsabstand oxidiert, um das erste veränderte Gebiet auszubilden, wobei der Oxidierungsabstand derart gewählt ist, daß das erste veränderte Gebiet das erste unveränderte Gebiet umgibt.The method of claim 14, wherein the preselected agent of the action step, the first current blocking layer oxidizes an oxidation distance to form the first altered region, wherein the oxidation distance is selected such that the first changed region the first unchanged Surrounding area. Verfahren nach Anspruch 14, weiterhin mit der Bereitstellung einer zweiten Stromblockierungsschicht (104), wobei die zweite Stromblockierungsschicht, wenn sie einem vorgewählten Mittel ausgesetzt wird, einer physischen Änderung unterzogen wird, wobei sich die Vertiefung des Laserteils von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Körper der Laserstruktur und durch die zweite Stromblockierungsschicht (104) erstreckt, um einen Teil der zweiten Stromblockierungsschicht gegenüber dem vorgewählten Mittel freizulegen, um ein zweites unverändertes Gebiet (105) der zweiten Stromblockierungsschicht zu definieren, umgeben von einem zweiten veränderten Gebiet der zweiten Stromblockierungsschicht, und wobei das zweite unveränderte Gebiet der zweiten Stromblockierungsschicht auf das vorgewählte Gebiet des aktiven Gebiets ausgerichtet ist, wobei das zweite veränderte Gebiet elektrisch isolierend ist, wobei das zweite unveränderte Gebiet elektrisch leitend ist, wobei das erste und das zweite unveränderte Gebiet aufeinander ausgerichtet sind, um einen Stromkanal zu definieren, der sich durch das vorgewählte Gebiet des aktiven Gebiets erstreckt.The method of claim 14 further comprising providing a second current blocking layer (16). 104 ), wherein the second current blocking layer is subjected to a physical change when exposed to a preselected means, the recess of the laser part extending from the first surface of the laser structure into the body of the laser structure and through the second current blocking layer (10). 104 ) to expose a portion of the second current blocking layer opposite the preselected means to form a second unaltered region ( 105 ) of the second current blocking layer surrounded by a second altered region of the second current blocking layer, and wherein the second unchanged region of the second current blocking layer is aligned with the preselected region of the active region, the second altered region being electrically insulating, the second unchanged region electrically conductive with the first and second unchanged regions aligned to define a current channel extending through the preselected region of the active region. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Laserstruktur ein oberflächenemittierender Laser (VCSEL) ist.The method of claim 14, wherein the laser structure a surface emitting Laser (VCSEL) is. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das vorgewählte Mittel des Einwirkungsschritts ein Ätzmittel ist.The method of claim 14, wherein the preselected agent of the exposure step is an etchant. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die erste Stromblockierungsschicht (100) ein aluminiumtragendes Material umfaßt.The method of claim 14, wherein the first current blocking layer ( 100 ) comprises an aluminum-bearing material. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die erste Stromblockierungsschicht in dem Laserteil, dem Überbrückungsteil und dem Kontaktunterstützungsteil angeordnet ist.The method of claim 14, wherein the first current blocking layer in the laser part, the bridging part and the contact support part is arranged.
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