DE19945134C2 - Light-emitting semiconductor component with high ESD strength and method for its production - Google Patents
Light-emitting semiconductor component with high ESD strength and method for its productionInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Halbleiterbau element nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren zu seiner Herstellung nach Patentanspruch 9.The invention relates to a light-emitting semiconductor structure element according to the preamble of claim 1 and a Process for its production according to claim 9.
Ein derartiges Bauelement ist aus der DE 24 30 873 A1 be kannt. Bei dem bekannten lichtemittierenden Halbleiterbauele ment handelt es sich um eine Leuchtdiode, die von einem pn- Übergang in einem Substrat gebildet ist. Neben der Leucht diode ist eine epitaktische Schicht auf das Substrat aufge bracht. In der epitaktischen Schicht ist eine weitere paral lel zur Leuchtdiode geschaltete Schutzdiode ausgebildet, die bei Spannungen oberhalb des Arbeitspunkt der Leuchtdiode eine größere Leitfähigkeit als die Leuchtdiode aufweist und da durch die Leuchtdiode vor Überspannungen in Flußrichtung schützt.Such a component is from DE 24 30 873 A1 known. In the known light-emitting semiconductor components ment is a light emitting diode that is Transition is formed in a substrate. In addition to the luminous diode is an epitaxial layer on the substrate introduced. Another is paral in the epitaxial layer lel trained to the light emitting diode, the at voltages above the operating point of the LED has greater conductivity than the light emitting diode and there through the light-emitting diode against overvoltages in the direction of flow protects.
Ein Nachteil des bekannten lichtemittierenden Halbleiterbau elements ist, daß sein Aufbau einen mehrstufigen Herstel lungsprozeß mit einer getrennten Herstellung des Schutz diodenabschnitts und des lichtemittierenden Abschnitts erfor dert.A disadvantage of the known light-emitting semiconductor construction elements is that its structure is a multi-stage manufacture Development process with a separate production of protection diode section and the light emitting section changed.
Weiterhin sind Halbleiter-Laserdioden, insbesondere sogenann te Vertikalresonator-Laserdioden (VCSELs) bekannt, die ein zunehmendes Interesse in der optischen Datenübertragung und in der Sensorik finden. Den vielen positiven Eigenschaften von VCSELs steht jedoch der Nachteil gegenüber, daß diese Bauelemente eine relativ geringe Festigkeit gegen ESD- (Electro Static Discharge) Schäden aufweisen. Gerade für An wendungen im kommerziellen und industriellen Bereich werden von den Kunden jedoch ESD-sichere Bauelemente gefordert, d. h. in der Regel müssen die Bauelemente eine ESD-Spannung von 2000 V unbeschadet überstehen können. Dabei wird das sogenann te Human-Body-Modell zugrundegelegt, bei dem eine bestimmte Kapazität mit der entsprechenden Spannung aufgeladen wird und die Entladung der Kapazität über das zu testende Bauelement erfolgt.Furthermore, semiconductor laser diodes, especially so-called te vertical resonator laser diodes (VCSELs) known to be a increasing interest in optical data transmission and find in the sensors. The many positive qualities However, VCSELs have the disadvantage that they are Components have a relatively low strength against ESD (Electro Static Discharge) damage. Especially for An applications in the commercial and industrial sectors however, customers require ESD-safe components, d. H. As a rule, the components must have an ESD voltage of Can survive 2000 V without damage. The so-called te human body model, in which a certain Capacity is charged with the appropriate voltage and the discharge of the capacitance via the component to be tested he follows.
Die Bauelementeigenschaften dürfen sich trotz der kurzzeiti gen hohen Strom-Spannung-Belastung nicht verändern. VCSELs besitzen je nach Bauform jedoch nur ESD-Festigkeiten im Be reich einiger 100 V. Belastungen in Sperrrichtung der Diode ergeben dabei wesentlich kleinere ESD-Festigkeiten als in Flußrichtung. Daher sind für die ESD-Festigkeit von VCSELs die Belastungen in Sperrrichtung entscheidend.The component properties may vary despite the short term do not change due to high current-voltage load. VCSELs Depending on the design, however, they only have ESD strengths in the loading range of some 100 V. loads in the reverse direction of the diode result in much lower ESD strengths than in Flow direction. Therefore, for the ESD resistance of VCSELs the loads in the blocking direction are decisive.
Um Bauelemente mit geringen ESD-Festigkeiten zu verarbeiten, müssen spezielle ESD-Sicherheitsvorkehrungen getroffen wer den, was in den meisten Anwendungsfällen von der Anwendersei te her nicht akzeptabel ist. Messungen an VCSEL-Bauelementen mit unterschiedlichem Durchmesser haben ergeben, daß die ESD- Festigkeit von VCSELs abhängig von der Größe der aktiven Flä che ist. Dabei zeigte sich, daß eine größere aktive Fläche auch eine größere ESD-Festigkeit bewirkt. Da aber die aktive Fläche von VCSELs auch entscheidend andere Bauelemente- Eigenschaften, wie Schwellstrom, Widerstand, Strahlqualität, usw. bestimmt, kann nicht einfach eine größere Bauelementflä che gewählt werden, um die ESD-Festigkeit zu verbessern. Die se Schwierigkeit tritt nicht nur bei VCSEL-Dioden, sondern auch bei anderen lichtemittierenden Halbleiterbauelementen, wie beispielsweise kantenemittierenden Laserdioden und LED's, auf.In order to process components with low ESD strengths, special ESD safety precautions must be taken what is used by the user in most applications te here is not acceptable. Measurements on VCSEL components with different diameters have shown that the ESD The strength of VCSELs depends on the size of the active area che is. It was found that a larger active area also causes greater ESD resistance. But since the active Area of VCSELs also significantly other components Properties such as threshold current, resistance, beam quality, etc. determined, can not simply a larger component area be selected to improve the ESD resistance. the This difficulty arises not only with VCSEL diodes, but also also with other light-emitting semiconductor components, such as edge-emitting laser diodes and LEDs, on.
Aus der EP 0 933 842 A2 ist daher eine Anordnung mit einem VCSEL bekannt, zu dem eine Schutzdiode antiparallel geschal tet ist. Sowohl der VCSEL als auch die Schutzdiode sind auf einem Substrat in einer Halbleiterschichtenfolge ausgebildet, wobei die Schutzdiode durch bis zum Substrat reichende Gräben vom VCSEL elektrisch isoliert ist. Schutzdiodenabschnitt und lichtemittierender Abschnitt sind bei der bekannten Anordnung daher räumlich getrennt.EP 0 933 842 A2 therefore describes an arrangement with a VCSEL known, to which a protective diode is antiparallel is. Both the VCSEL and the protection diode are open a substrate is formed in a semiconductor layer sequence, the protective diode through trenches reaching to the substrate is electrically isolated from the VCSEL. Protection diode section and light emitting section are in the known arrangement therefore spatially separated.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein einfach herstellbares lichtemittie rendes Halbleiterbauelement hoher ESD-Festigkeit und ein Ver fahren zu seiner Herstellung anzugeben, wobei die übrigen Bauelementeigenschaften nicht wesentlich beeinträchtigt wer den sollen.The invention is based on this prior art based on the task of an easy to produce light emitter semiconductor component with high ESD strength and a ver drive to specify its manufacture, with the rest Component properties not significantly impaired who that should.
Diese Aufgabe wird mit den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.This task is carried out with the characteristic features of the Claim 1 solved.
Demgemäß beschreibt die Erfindung ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat und einer auf dem Halbleitersubstrat aufgebrachten Halbleiterschichten folge, wobei die Halbleiterschichtenfolge einen einen lich temittierenden pn-Übergang enthaltenden lichtemittierenden Abschnitt und einen Schutzdioden enthaltenden Schutzdiodenab schnitt aufweist, die zusammenhängend nebeneinander ausgebil det sind, eine erste Kontaktmetallisierung auf der Substrato berfläche und eine zweite Kontaktmetallisierung auf der der Substratoberfläche gegenüberliegenden Oberfläche der Halblei terschichtenfolge aufgebracht ist, und der Schutzdiodenab schnitt derart ausgebildet ist, daß der Schutzdiodenabschnitt eine höhere Flußspannung und bei einer zwischen den Kontakt metallisierungen an das Bauelement angelegten Spannung, die höher als die Flußspannung des Schutzdiodenabschnitts ist, einen geringeren elektrischen Widerstand als der lichtemit tierende Abschnitt aufweist. Der lichtemittierende Abschnitt und der Schutzdiodenabschnitt in der Halbleiterschichtenfolge sind zusammenhängend nebeneinander angeordnet, wobei ein sich von der zweiten Kontaktmetallisierung bis vor den pn-Übergang des Bauelements erstreckender, den lichtemittierenden Ab schnitt und den Schutzdiodenabschnitt elektrisch voneinander isolierender Abschnitt ausgebildet ist, der lichtemittierende pn-Übergang ein Teil eines sich über den lichtemittierenden Abschnitt und den Schutzdiodenabschnitt erstreckenden pn- Übergangs ist, und der Schutzdiodenabschnitt aus dem anderen Teil des pn-Übergangs und einer weiteren Diode gebildet ist.Accordingly, the invention describes a light emitting one Semiconductor component with a semiconductor substrate and a semiconductor layers applied to the semiconductor substrate follow, the semiconductor layer sequence a Lich light emitting containing pn junction Section and a protective diode containing protective diodes cut, which is formed contiguously side by side are a first contact metallization on the substrate surface and a second contact metallization on the Substrate surface opposite surface of the semi-lead Layer sequence is applied, and the protective diodes cut is formed such that the protective diode section a higher forward voltage and one between the contacts metallizations applied to the component voltage is higher than the forward voltage of the protective diode section, a lower electrical resistance than the light emitter ting section. The light emitting section and the protection diode section in the semiconductor layer sequence are arranged contiguously next to each other, with one from the second contact metallization to before the pn junction of the component extending, the light emitting Ab cut and the protective diode section electrically from each other Isolating section is formed, the light emitting pn junction part of a light emitting over the Section and the protective diode section extending pn- Transition is, and the protection diode section from the other Part of the pn junction and a further diode is formed.
Die Schutzdioden des Schutzdiodenabschnitts sind somit dem pn-Übergang des lichtemittierenden Abschnitts parallel ge schaltet und weisen eine höhere Durchbruchs- oder Knickspan nung als der pn-Übergang auf. Im normalen Arbeitsbetrieb des Halbleiterbauelements fließt praktisch der gesamte Strom über den lichtemitterenden Abschnitt, da die an den lichtemittie renden Abschnitt und die Schutzdioden parallel angelegte Spannung unterhalb der Durchbruchsspannung der Schutzdioden liegt. Während also bei normalem Betrieb praktisch kein Strom über die parallel geschalteten Schutzdioden fließt, bewirkt eine hohe Spannung während einer ESD-Belastung eine Durch schaltung der Schutzdioden. Aufgrund des dann sehr niedrigen elektrischen Widerstands des Schutzdiodenabschnitts gegenüber dem lichtemittierenden Abschnitt fließt der überwiegende Teil des ESD-Belastungsstromes über die parallelen Schutzdioden. Dadurch wird das eigentliche lichtemittierende Halbleiter bauelement geschützt.The protective diodes of the protective diode section are thus pn junction of the light-emitting section parallel ge switches and have a higher breakthrough or crease than the pn junction. In normal operation of the Semiconductor component flows over practically all of the current the light-emitting section since the light-emitting renden section and the protective diodes applied in parallel Voltage below the breakdown voltage of the protection diodes lies. So during normal operation there is practically no electricity flows across the protective diodes connected in parallel a high voltage during a ESD exposure a through circuit of the protection diodes. Because of the very low then electrical resistance of the protective diode section the predominant part flows into the light-emitting section of the ESD load current via the parallel protective diodes. This makes the actual light-emitting semiconductor component protected.
Insbesondere ist vorgesehen, daß die Kennlinien einen Über kreuzungspunkt oberhalb der Knick- oder Durchbruchsspannung der Schutzdioden aufweisen.In particular, it is provided that the characteristic curves have an over crossing point above the break or breakdown voltage the protective diodes.
Weiterhin ist vorgesehen, daß der pn-Übergang sich über die gesamte Breite des Halbleiterbauelements erstreckt und eine der Schutzdioden durch den in dem Schutzdiodenabschnitt be findlichen Abschnitt des pn-Übergangs gebildet ist. Die wei tere Diode ist dabei vorzugsweise durch einen Schottky- Kontakt zwischen dem zweiten elektrischen Kontaktanschluß und der Oberfläche der Halbleiterschichtstruktur des Schutz diodenabschnitts gebildet. It is also envisaged that the pn transition will be via the extends the entire width of the semiconductor device and a of the protective diodes by the be in the protective diode section sensitive portion of the pn junction is formed. The white tere diode is preferably by a Schottky Contact between the second electrical contact connection and the surface of the semiconductor layer structure of the protection diode section formed.
Dabei können ferner der lichtemittierende Abschnitt und der Schutzdiodenabschnitt als freistehende oder sogenannte me saförmige Strukturen oberhalb des pn-Übergangs ausgebildet sein und die den Seitenwänden der Strukturen benachbarten Ab schnitte, insbesondere der isolierende Abschnitt zwischen dem lichtemittierenden Abschnitt und dem Schutzdiodenabschnitt können mit einem isolierenden Material aufgefüllt sein.The light-emitting section and the Protective diode section as a free-standing or so-called me Safeshaped structures formed above the pn junction and the Ab adjacent to the side walls of the structures cuts, especially the isolating section between the light emitting section and the protective diode section can be filled with an insulating material.
In einer speziellen Ausführungsform der vorliegenden Erfin dung kann der lichtemittierende Abschnitt durch eine Verti kalresonator-Laserdiode (VCSEL) gebildet sein, bei der der pn-Übergang zwischen einer ersten Bragg-Reflektorschichten folge und einer zweiten Bragg-Reflektor-Schichtenfolge, von denen jede eine Mehrzahl von Spiegelpaaren aufweist, angeord net ist, die beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen einen Laser-Resonator bilden und eine der beiden Bragg-Reflektor- Schichtenfolgen für die in dem lichtemittierenden Abschnitt des pn-Übergangs erzeugte Laserstrahlung teildurchlässig ist. Dabei kann zusätzlich vorgesehen sein, daß in einer der bei den Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen mindestens eine Strom apertur zur Begrenzung des gepumpten aktiven Bereichs des lichtemittierenden Abschnitts des pn-Übergangs durch Bünde lung des im Betrieb der Vertikalresonator-Laserdiode durch den lichtemittierenden Abschnitt des pn-Übergangs fließenden Betriebsstroms vorhanden ist. Die Stromapertur kann in be kannter Weise bei einem Halbleiterbauelement auf der Basis eines III-V-Materialsystems durch seitliche Oxidation von Schichten mit relativ hohem Aluminiumgehalt bei einer me saförmig geätzten VCSEL-Laserstruktur hergestellt werden.In a special embodiment of the present invention The light-emitting section can be formed by a verti Kalresonator laser diode (VCSEL) can be formed, in which the pn junction between a first Bragg reflector layer and a second Bragg reflector layer sequence, from each of which has a plurality of mirror pairs net, the two Bragg reflector layer sequences one Form laser resonator and one of the two Bragg reflector Layer sequences for those in the light-emitting section of the pn junction generated laser radiation is partially transparent. It can also be provided that in one of the at least one current follows the Bragg reflector layers aperture to limit the pumped active area of the light-emitting section of the pn junction through frets development of the vertical resonator laser diode the light emitting section of the pn junction flowing Operating current is present. The current aperture can be in known in a semiconductor device based of a III-V material system by lateral oxidation of Layers with a relatively high aluminum content at a me Safely etched VCSEL laser structure can be produced.
Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf VCSELs be schränkt, sondern kann ebenso auf andere oberflächenemittie rende Laserdioden, kantenemittierende Laserdioden, wie auch auf LEDs, angewendet werden. However, the present invention is not based on VCSELs limits, but can also on other surface emitters rende laser diodes, edge emitting laser diodes, as well on LEDs.
Die Erfindung beschreibt außerdem ein Verfahren zur Herstel
lung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements, mit den
Verfahrensschritten
The invention also describes a method for producing a light-emitting semiconductor component, with the method steps
- a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats;a) providing a semiconductor substrate;
- b) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge enthaltend einen pn-Übergang;b) containing a semiconductor layer sequence a pn junction;
- c) Durchführung von Ätzschritten zur Erzeugung eines mesaförmigen, lichtemittierenden Abschnitts und eines mesaförmigen Schutzdiodenabschnitts, welche oberhalb des pn-Übergangs ausgebildet sind;c) performing etching steps to produce a mesa-shaped, light-emitting section and one mesa-shaped protective diode section, which above the pn junction are formed;
- d) Auffüllen der den mesaförmigen Strukturen benachbarten Abschnitte, insbesondere des zwischen den mesaförmigen Strukturen liegenden Abschnitts mit einem isolierenden Material;d) filling in the mesa-like structures Sections, especially that between the mesa-shaped Structural section with an insulating Material;
- e) Aufbringen einer ersten Kontaktmetallisierung auf der Substratoberfläche;e) applying a first contact metallization on the Substrate surface;
- f) Aufbringen einer zweiten Kontaktmetallisierung auf den der Substratoberfläche gegenüberliegenden Oberflächen der mesaförmigen Strukturen, wobei im Bereich des licht emittierenden Abschnitts ein ohmscher Kontakt und im Be reich des Schutzdiodenabschnitts ein Schottky-Kontakt erzeugt wird.f) applying a second contact metallization to the surfaces opposite the substrate surface of the mesa-shaped structures, whereby in the area of light emitting section an ohmic contact and in the loading a Schottky contact in the protective diode section is produced.
Der Schottky-Kontakt in dem Schutzdiodenabschnitt kann insbe sondere dadurch erzeugt werden, daß im Verfahrensschritt b) eine oberste relativ stark dotierte Halbleiterschicht aufge bracht wird, im Verfahrensschritt f) vor dem Aufbringen der zweiten Kontaktmetallisierung die oberste Schicht im Bereich des Schutzdiodenabschnitts abgeätzt wird, so daß zwischen der zweiten Kontaktmetallisierung und der unter der abgeätzten Schicht befindlichen Halbleiterschicht ein Schottky-Kontakt und im Bereich des lichtemittierenden Abschnitts ein ohmscher Kontakt gebildet wird.The Schottky contact in the protective diode section can in particular are generated in particular by the fact that in method step b) an uppermost, relatively heavily doped semiconductor layer is brought, in step f) before the application of second contact metallization the top layer in the area of the protective diode section is etched off, so that between the second contact metallization and that under the etched Layer located semiconductor layer a Schottky contact and an ohmic in the area of the light-emitting section Contact is formed.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Er findung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen: In the following, embodiments of the present Er finding explained in more detail with reference to the drawings. Show it:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in Form einer VCSEL-Halbleiterlaserdiode mit paral lel geschaltetem Schutzdiodenbereich, bestehend aus dem pn-Übergang und einer Schottky-Diode; Figure 1 shows an embodiment of the present invention in the form of a VCSEL semiconductor laser diode with a parallel protection diode region, consisting of the pn junction and a Schottky diode.
Fig. 2a ein elektrisches Ersatzschaltbild der in Fig. 1 dargestellten VCSEL-Halbleiterlaserdiode und Fig. 2a is an electrical equivalent circuit diagram of the VCSEL semiconductor laser diode shown in Fig. 1 and
Fig. 2b eine schematische Darstellung der Strom-Spannungs- Kennlinien der in Fig. 1 dargestellten VCSEL- Halbleiterlaserdiode und der Schutzdioden. Fig. 2b is a schematic representation of the current-voltage characteristics of the VCSEL semiconductor laser diode shown in Fig. 1 and the protection diodes.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist aus einem lichtemittierenden Abschnitt 10 und einem Schutzdiodenab schnitt 20 aufgebaut. Im folgenden wird zuerst der lichtemit tierende Abschnitt 10 beschrieben.The semiconductor device according to the invention is made up of a light-emitting section 10 and a protective diode section 20 . In the following, the light-emitting section 10 is first described.
Die in Fig. 1 dargestellte VCSEL-Halbleiterlaserdiode mit parallel geschalteten Schutzdioden ist auf der Basis eines III-V-Materialsystems aufgebaut. Auf einem GaAs-Substrat 6 befindet sich eine erste, untere Bragg-Reflektor- Schichtenfolge 2, die aus einzelnen identischen Spiegelpaaren aufgebaut ist. Die Spiegelpaare bestehen jeweils aus zwei Al- GaAs-Schichten unterschiedlicher Aluminiumkonzentration. In gleicher Weise ist eine zweite, obere Bragg-Reflektor- Schichtenfolge 4 aus entsprechenden Spiegelpaaren aufgebaut. Zwischen der unteren und der oberen Bragg-Reflektor- Schichtenfolge ist eine den pn-Übergang bildende aktive Schichtenfolge 3 eingebettet. Diese kann entweder aus einem einfachen pn-Übergang aus Volumenmaterial oder eine Einfach- Quantentrogstruktur oder eine Mehrfach-Quantentrogstruktur sein. Das Material der aktiven Schichtenfolge 3 bzw. die Schichtdicken von Quantentrogstrukturen können beispielsweise derart gewählt sein, daß die Emissionswellenlänge der Laser diode 850 nm beträgt. Auf der oberen Oberfläche der Laser diode befindet sich eine erste Metallisierungsschicht 7, die für den elektrischen Anschluß der p-dotierten Seite der Laserdiode verwendet wird. Die erste Metallisierungsschicht 7 weist in dem lichtemittierenden Ab schnitt eine zentrale Apertur- oder Lichtaustrittsöffnung 7a für den Durchtritt der Laserstrahlung auf. Die n-dotierte Seite des Bauelements wird üblicherweise über eine am Sub strat 6 kontaktierte zweite Metallisierungsschicht 8 elek trisch angeschlossen.The VCSEL semiconductor laser diode shown in FIG. 1 with protective diodes connected in parallel is based on a III-V material system. On a GaAs substrate 6 there is a first, lower Bragg reflector layer sequence 2 , which is made up of individual identical pairs of mirrors. The pairs of mirrors each consist of two Al-GaAs layers of different aluminum concentrations. In the same way, a second, upper Bragg reflector layer sequence 4 is constructed from corresponding mirror pairs. An active layer sequence 3 forming the pn junction is embedded between the lower and the upper Bragg reflector layer sequence. This can be either a simple pn junction from bulk material or a single quantum well structure or a multiple quantum well structure. The material of the active layer sequence 3 or the layer thicknesses of quantum well structures can, for example, be chosen such that the emission wavelength of the laser diode is 850 nm. On the upper surface of the laser diode is a first metallization layer 7 , which is used for the electrical connection of the p-doped side of the laser diode. The first metallization layer 7 has a central aperture or light exit opening 7 a in the light-emitting section for the passage of the laser radiation. The n-doped side of the component is usually connected electrically via a substrate 6 contacted to the second metallization layer 8 .
Die obere Bragg-Reflektor-Schichtenfolge 4 enthält in dem Ausführungsbeispiel ein Spiegelpaar, welches eine sogenannte Stromapertur 41 enthält. Der Stromapertur 41 sorgt für eine laterale Strombegrenzung und definiert damit den eigentlichen aktiven gepumpten Bereich in dem lichtemittierenden Abschnitt des pn-Übergangs 3. Der Stromfluß wird auf den Öffnungsbe reich der Stromapertur 41 beschränkt. Wie durch das Strompro fil 9 angedeutet ist, kann somit der aktive gepumpte Bereich auf einen sehr kleinen Abschnitt 3a des pn-Übergangs begrenzt werden. Somit liegt der gepumpte Bereich im wesentlichen di rekt unterhalb dieses Öffnungsbereichs in dem pn-Übergang 3. Die Stromapertur 41 kann in bekannter Weise durch partielle Oxidation der AlGaAs-Schichten des betreffenden Spiegelpaares oder durch Ionen- oder Protonenimplantation hergestellt wer den. Es können auch gewünschtenfalls mehrere Stromaperturen angeordnet werden.In the exemplary embodiment, the upper Bragg reflector layer sequence 4 contains a pair of mirrors which contains a so-called current aperture 41 . The current aperture 41 ensures a lateral current limitation and thus defines the actual active pumped area in the light-emitting section of the pn junction 3 . The current flow is limited to the opening area of the current aperture 41 . As indicated by the current profile 9 , the active pumped area can thus be limited to a very small section 3 a of the pn junction. Thus, the pumped area lies essentially di rectly below this opening area in the pn junction 3 . The current aperture 41 can be produced in a known manner by partial oxidation of the AlGaAs layers of the mirror pair in question or by ion or proton implantation. If desired, several current apertures can also be arranged.
Der lichtemittierende Abschnitt 10 des Bauelements ist in Form einer Mesa-Struktur oberhalb des pn-Übergangs 3 struktu riert. Das bedeutet, daß durch vertikale Ätzprozesse bis zu einer Tiefe knapp oberhalb des pn-Übergangs 3 eine bestimmte Größe und Struktur des lichtemittierenden Abschnitts 10 auf der darunterliegenden Halbleiterschichtstruktur erzeugt wird. Nach diesen Ätzprozessen kann die mindestens eine Stromaper tur 41 durch Oxidation der AlGaAs-Schichten gebildet werden. Im Anschluß daran werden die geätzten Bereiche durch einen Isolator, wie eine geeignete Passivierungsschicht 11, aufge füllt. The light-emitting section 10 of the component is structured in the form of a mesa structure above the pn junction 3 . This means that a certain size and structure of the light-emitting section 10 is produced on the underlying semiconductor layer structure by vertical etching processes to a depth just above the pn junction 3 . After these etching processes, the at least one current aperture 41 can be formed by oxidation of the AlGaAs layers. Subsequently, the etched areas are filled up by an insulator, such as a suitable passivation layer 11 .
Ein isolierender Abschnitt 15 dieser Passivierungsschicht 11 trennt den lichtemittierenden Abschnitt 10 von dem Schutz diodenabschnitt 20 des Halbleiterbauelements. Dieser geht aus derselben Halbleiterschichtstruktur hervor wie der lichtemit tierende Abschnitt 10. Er besteht ebenfalls aus einer mesa förmigen Struktur, die zugleich mit der Herstellung der mesa förmigen Struktur des lichtemittierenden Abschnitts 10 herge stellt wird. Die Mesa-Struktur des Schutzdiodenabschnitts 20 weist eine bedeutend größere laterale Ausdehnung auf als die Mesa-Struktur des lichtemittierenden Abschnitts 10. Ebenso wie der lichtemittierende Abschnitt 10 enthält auch der Schutzdiodenabschnitt 20 den pn-Übergang 3, der sich über die gesamte Breite des Halbleiterbauelements erstreckt. Dieser hat jedoch in dem Schutzdiodenabschnitt 20 nicht die Funktion einer Lichtemission, sondern nur eine elektrische Funktion. Zusätzlich weist der Schutzdiodenabschnitt 20 noch eine Schottky-Diode 71 auf, die durch den Kontakt zwischen der oberen Metallisierungsschicht 7 mit der obersten Halbleiter schicht des Schutzdiodenabschnitts 20 erzeugt wird. Die Schottky-Diode 71 wird folgendermaßen hergestellt. Bei dem Wachstumsprozeß der Halbleiterschichtstruktur wird als letzte Schicht eine stark p-dotierte GaAs-Schicht abgeschieden, da mit die nachfolgende Abscheidung der oberen Metallisierungs schicht 7 in dem lichtemittierenden Abschnitt 10 einen ohm schen Kontakt zwischen der Metallisierung und dem Halbleiter hervorruft. Vor der Abscheidung der oberen Metallisierungs schicht 7 wird jedoch in dem Schutzdiodenabschnitt 20 die hochdotierte GaAs-Schicht abgeätzt, so daß in diesem Bereich die Metallisierungsschicht 7 auf den schwachdotierten Halb leiterschichten einen Schottky-Kontakt bildet. Der Schottky- Kontakt besitzt eine diodenartige Kennlinie. Erst ab einer gewissen Flußspannung fließt ein nennenswerter Strom über diesen Übergang.An insulating section 15 of this passivation layer 11 separates the light-emitting section 10 from the protective diode section 20 of the semiconductor component. This results from the same semiconductor layer structure as the light-emitting section 10 . It also consists of a mesa-shaped structure, which is also the manufacture of the mesa-shaped structure of the light-emitting section 10 . The mesa structure of the protective diode section 20 has a significantly larger lateral extent than the mesa structure of the light-emitting section 10 . Just like the light-emitting section 10 , the protective diode section 20 also contains the pn junction 3 , which extends over the entire width of the semiconductor component. However, this does not have the function of light emission in the protective diode section 20 , but only an electrical function. In addition, the protective diode section 20 also has a Schottky diode 71 , which is produced by the contact between the upper metallization layer 7 and the uppermost semiconductor layer of the protective diode section 20 . The Schottky diode 71 is manufactured as follows. In the growth process of the semiconductor layer structure, a heavily p-doped GaAs layer is deposited as the last layer, since the subsequent deposition of the upper metallization layer 7 in the light-emitting section 10 causes an ohmic contact between the metallization and the semiconductor. Before the deposition of the upper metallization layer 7 , however, the highly doped GaAs layer is etched off in the protective diode section 20 , so that in this region the metallization layer 7 forms a Schottky contact on the weakly doped semiconductor layers. The Schottky contact has a diode-like characteristic. Only at a certain forward voltage does a significant current flow through this transition.
Anstelle der Mesaätzung und der Auffüllung der geätzten Be reiche mit einer Passivierungsschicht 11 kann der isolierende Abschnitt auch durch eine Ionen- oder Protonenimplantation hergestellt werden.Instead of the mesa etching and the filling of the etched areas with a passivation layer 11 , the insulating section can also be produced by an ion or proton implantation.
Wie dargestellt, kann auch der Schutzdiodenabschnitt 20 mit einer Stromapertur versehen sein.As shown, the protective diode section 20 can also be provided with a current aperture.
In Fig. 2a ist ein elektrisches Ersatzschaltbild des Halblei terbauelements der Fig. 1 dargestellt. Die Schottky-Diode 71 ist mit dem im Schutzdiodenabschnitt 20 befindlichen Ab schnitt des pn-Übergangs 3 in Reihe geschaltet und beide ge nannten Bauelemente sind mit dem lichtemittierenden Abschnitt 10 parallel geschaltet. Die gesamte Anordnung wird mit einer Spannungsquelle 30 verbunden. Die Serienschaltung des pn- Übergangs 3 und der Schottky-Diode 71 in dem Schutzdiodenab schnitt 20 soll nach Möglichkeit eine elektrische Strom- Spannungs-Kennlinie ergeben, wie sie in Fig. 2b als Schutz dioden-Kennlinie dargestellt ist. Die Kennlinie des VCSEL- Halbleiterlasers ist ebenfalls dargestellt. Für den normalen Betrieb des Halbleiterbauelements wird ein Arbeitspunkt, d. h. eine Spannung der Spannungsquelle 30 eingestellt, die unter halb der Durchbruchsspannung der Schutzdioden-Kennlinie liegt. In diesem Fall fließt nur ein sehr geringer Strom durch den Schutzdiodenabschnitt 20 und der weitaus größte An teil des Stroms fließt durch die VCSEL-Halbleiterlaserdiode und führt zu der gewünschten Lichtemission. Die Spannung kann gewünschtenfalls über den normalen Arbeitspunkt hinaus bis zur Durchbruchsspannung der Schutzdioden-Kennlinie erhöht werden. Wenn jetzt eine Spannungspitze oder eine ESD-Span nungsbelastung stattfindet, die weit oberhalb des normalen Arbeitspunktes liegt, so führt dies dazu, daß ein Großteil des elektrischen Stromes über den Schutzdiodenabschnitt 20 fließt und nicht über die VCSEL-Halbleiterlaserdiode.In Fig. 2a, an electrical equivalent circuit diagram of the semiconductor component of Fig. 1 is shown. The Schottky diode 71 is connected in series with the protective diode section 20 from the pn junction 3 and both of the above-mentioned components are connected in parallel with the light-emitting section 10 . The entire arrangement is connected to a voltage source 30 . The series connection of the pn junction 3 and the Schottky diode 71 in the protective diode section 20 should, if possible, result in an electrical current-voltage characteristic curve, as shown in FIG. 2b as a protective diode characteristic curve. The characteristic curve of the VCSEL semiconductor laser is also shown. For the normal operation of the semiconductor component, an operating point, ie a voltage of the voltage source 30, is set which is below half the breakdown voltage of the protective diode characteristic. In this case, only a very small current flows through the protective diode section 20 and the vast majority of the current flows through the VCSEL semiconductor laser diode and leads to the desired light emission. If desired, the voltage can be increased beyond the normal operating point up to the breakdown voltage of the protective diode characteristic. If a voltage spike or an ESD voltage load now takes place which is far above the normal operating point, this leads to the fact that a large part of the electrical current flows through the protective diode section 20 and not via the VCSEL semiconductor laser diode.
Somit wird die Laserdiode wirksam vor hohen ESD-Spannungs belastungen geschützt, ohne daß Einbußen im normalen Betrieb hingenommen werden müssen. The laser diode is thus effective against high ESD voltage protected loads without loss in normal operation have to be accepted.
Die gezeigte Halbleiterschichtstruktur des Bauelements kann in verschiedener Weise variiert werden. So kann beispielswei se die Dotierungsfolge der Halbleiterschichten geändert wer den, um eine Diode mit einem n-dotierten oberen Bragg-Reflek tor zu erzeugen. Auch der Schottky-Übergang kann anders aus gebildet werden. Die oberste Halbleiterschicht kann z. B. auch undotiert oder n-dotiert sein. Im Bereich der großflächigen Schutzdiode ergibt sich damit ein zumindest teilweise sper render Übergang mit einer Dioden-Charakteristik, so daß ein Abätzen der obersten Halbleiterschicht nicht erforderlich ist. Im Bereich der VCSEL-Halbleiterlaserdiode wird ein ohm scher Widerstand dann entweder durch Abätzen der obersten Halbleiterschichten bis auf die p-dotierten Schichten er zeugt, oder es wird eine Diffusion eines p-Dotierstoffes, wie Zn, durchgeführt, um den Metallkontakt an die p-dotierten Bragg-Reflektor-Schichten anzuschließen.The semiconductor layer structure of the component shown can can be varied in different ways. For example se who changed the doping sequence of the semiconductor layers to a diode with an n-doped upper Bragg reflect to generate gate. The Schottky transition can also be different be formed. The top semiconductor layer can e.g. Belly be undoped or n-doped. In the area of large areas Protective diode is thus at least partially blocked render transition with a diode characteristic, so that a Etching of the top semiconductor layer is not necessary is. In the area of the VCSEL semiconductor laser diode, an ohm then either by etching off the top one Semiconductor layers except for the p-doped layers testifies, or there is diffusion of a p-type dopant, such as Zn, performed the metal contact to the p-doped Bragg reflector layers to connect.
Anstelle einer VCSEL-Halbleiterlaserdiode kann auch eine an dere Halbleiterlaserdiode, wie eine kantenemittierende Laser diode, oder eine Lumineszenzdiode (LED) verwendet werden.Instead of a VCSEL semiconductor laser diode, one can also be used their semiconductor laser diode, such as an edge emitting laser diode, or a luminescent diode (LED) can be used.
Weiterhin ist es nicht zwingend erforder lich, den Schutzdiodenabschnitt 20 - wie im Ausführungsbei spiel der Fig. 1 vorgesehen - mit erheblich größerer latera ler Ausdehnung im Vergleich mit dem lichtemittierenden Ab schnitt auszubilden, da der Schutzdiodenabschnitt mit anderen Materialien und/oder Dotierungen versehen sein kann, um den geforderten niedrigen elektrischen Widerstand im durchge schalteten Zustand zu halten. Furthermore, it is not absolutely necessary to form the protective diode section 20 - as provided in the exemplary embodiment of FIG. 1 - with a considerably greater lateral expansion in comparison with the light-emitting section, since the protective diode section can be provided with other materials and / or dopants in order to keep the required low electrical resistance in the on state.
22
Bragg-Reflektor-Schichtenfolge
Bragg reflector layer sequence
33
pn-Übergang
pn junction
44
Bragg-Reflektor-Schichtenfolge
Bragg reflector layer sequence
66
Substrat
substratum
77
Kontaktmetallisierung
contact metallization
77
a Lichtdurchtrittsöffnung
a light passage opening
88th
Kontaktmetallisierung
contact metallization
99
Stromprofil
current profile
1010
lichtemittierender Abschnitt
light emitting section
1111
isolierendes Material
insulating material
1515
isolierender Abschnitt
insulating section
2020
Schutzdiodenabschnitt
Protection diode section
3030
Spannungsquelle
voltage source
4141
Stromapertur
current aperture
7171
Schottky-Kontakt
Schottky contact
Claims (14)
einem Halbleitersubstrat (6) und
einer auf dem Halbleitersubstrat aufgebrachten Halbleiter schichtenfolge, wobei eine erste Kontaktmetallisierung (8) auf der Substratoberfläche aufgebracht ist und eine zweite Kontaktmetallisierung (7) auf der der Substratoberfläche gegenüberliegenden Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist, und mit
einem einen lichtemittierenden pn-Übergang (3) enthaltenden lichtemittierenden Abschnitt (10) und einem eine Schutz diode (3b, 71) enthaltenden Schutzdiodenabschnitt (20), wo bei der Schutzdiodenabschnitt (20) derart ausgebildet ist, daß der Schutzdiodenabschnitt (20) eine höhere Flußspannung als der in derselben Orientierung parallel geschaltete lichtemittierende Abschnitt (10) aufweist, und bei einer zwischen den Kontaktmetallisierungen (7, 8) an das Bauele ment angelegten Spannung, die höher als die Flußspannung des Schutzdiodenabschnitts (20) ist, einen geringeren elek trischen Widerstand als der lichtemittierende Abschnitt (10) aufweist,
dadurch gekennzeichnet, daß
der lichtemittierende Abschnitt und der Schutzdiodenab schnitt in der Halbleiterschichtenfolge zusammenhängend ne beneinander ausgebildet sind,
ein sich von der zweiten Kontaktmetallisierung (7) bis in eine bestimmte Tiefe des Bauelements erstreckender, den lichtemittierenden Abschnitt (10) und den Schutzdiodenab schnitt (20) elektrisch voneinander isolierender Abschnitt (15) ausgebildet ist, und
der lichtemittierende pn-Übergang (3a) ein Teil eines sich über den lichtemittierenden Abschnitt (10) und den Schutz diodenabschnitt (20) erstreckenden pn-Übergangs (3) ist,
der isolierende Abschnitt (15) sich bis vor den pn-Übergang (3) erstreckt, und
der Schutzdiodenabschnitt (3b, 71) aus dem anderen Teil des pn-Übergangs (3) und einer weiteren Diode gebildet ist.1. Light-emitting semiconductor component, with
a semiconductor substrate ( 6 ) and
a semiconductor layer sequence applied to the semiconductor substrate, a first contact metallization ( 8 ) being applied to the substrate surface and a second contact metallization ( 7 ) being applied to the surface of the semiconductor layer sequence opposite the substrate surface, and with
a light-emitting pn junction ( 3 ) containing light-emitting section ( 10 ) and a protective diode ( 3 b, 71 ) containing protective diode section ( 20 ), where in the protective diode section ( 20 ) is formed such that the protective diode section ( 20 ) Higher forward voltage than the light-emitting section ( 10 ) connected in parallel in the same orientation, and at a voltage applied between the contact metallizations ( 7 , 8 ) to the component which is higher than the forward voltage of the protective diode section ( 20 ), a lower electrical Resistance than the light-emitting section ( 10 ),
characterized in that
the light-emitting section and the protective diode section are formed contiguously next to one another in the semiconductor layer sequence,
a section extending from the second contact metallization ( 7 ) to a specific depth of the component, the light-emitting section ( 10 ) and the protective diode section ( 20 ) is electrically insulating section ( 15 ), and
one portion of which is one over the light emitting portion (10) and the protective-diode section (20) extending pn junction (3) of the light-emitting pn junction (3 a),
the insulating section ( 15 ) extends up to the pn junction ( 3 ), and
the protective diode section ( 3 b, 71 ) is formed from the other part of the pn junction ( 3 ) and a further diode.
der Schutzdiodenabschnitt (20) eine erheblich größere late rale Ausdehnung als der lichtemittierende Abschnitt (10) aufweist, so daß insbesondere
der andere Teil (3b) des pn-Übergangs (3) eine erheblich größere Fläche aufweist als der eine Teil (3a) des pn- Übergangs (3).3. Light-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that
the protective diode section ( 20 ) has a considerably larger late rale expansion than the light-emitting section ( 10 ), so that in particular
the other part ( 3 b) of the pn junction ( 3 ) has a considerably larger area than the one part ( 3 a) of the pn junction ( 3 ).
der lichtemittierende Abschnitt (10) und der Schutzdioden abschnitt (20) als freistehende oder mesaförmige Strukturen oberhalb des pn-Übergangs (3) ausgebildet sind, und
die den Seitenwänden der Strukturen benachbarten Abschnit te, insbesondere der isolierende Abschnitt (15), mit einem isolierenden Material (11) aufgefüllt sind.4. Light-emitting semiconductor component according to one of claims 2 to 3, characterized in that
the light-emitting section ( 10 ) and the protective diode section ( 20 ) are designed as free-standing or mesa-shaped structures above the pn junction ( 3 ), and
the sections adjacent to the side walls of the structures, in particular the insulating section ( 15 ), are filled with an insulating material ( 11 ).
der lichtemittierende Abschnitt (10) durch eine Vertikalre sonator-Laserdiode (VCSEL) gebildet ist, bei der
der pn-Übergang (3a) zwischen einer ersten Bragg-Reflektor- Schichtenfolge (2) und einer zweiten Bragg-Reflektor- Schichtenfolge (4), von denen jede eine Mehrzahl von Spie gelpaaren aufweist, angeordnet ist,
die beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) einen Laser-Resonator bilden,
eine (4) der beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) für die in dem pn-Übergang (3a) erzeugte Laserstrahlung teildurchlässig ist.6. Light-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that
the light-emitting section ( 10 ) is formed by a vertical resonator laser diode (VCSEL) in which
the pn junction (3 a) between a first Bragg reflector layer sequence (2) and a second Bragg reflector layer sequence (4), each of which has a plurality of gelpaaren Spie, is arranged,
the two Bragg reflector layer sequences ( 2 , 4 ) form a laser resonator,
one ( 4 ) of the two Bragg reflector layer sequences ( 2 , 4 ) is partially transparent to the laser radiation generated in the pn junction ( 3 a).
die zweite Kontaktmetallisierung (7) die Oberfläche des lichtemittierenden Abschnitts (10) derart teilweise be deckt, daß ein unbedeckter Bereich als Lichtdurchtrittsöff nung (7a) verbleibt. 8. Light-emitting semiconductor component according to claim 1, characterized in that
the second contact metallization ( 7 ) partially covers the surface of the light-emitting section ( 10 ) such that an uncovered area remains as a light passage opening ( 7 a).
- a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (6);
- b) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge enthaltend einen pn-Übergang (3);
- c) Durchführung von Ätzschritten zur Erzeugung eines mesaförmigen, lichtemittierenden Abschnitts (10) und eines mesaförmigen Schutzdiodenabschnitts (20), welche oberhalb des pn-Übergangs (3) ausgebildet sind;
- d) Auffüllen der den mesaförmigen Strukturen benachbarten Abschnitte mit einem isolierenden Material (11);
- e) Aufbringen einer ersten Kontaktmetallisierung (8) auf der Substratoberfläche;
- f) Aufbringen einer zweiten Kontaktmetallisierung (7) auf den der Substratoberfläche gegenüberliegenden Oberflächen der mesaförmigen Strukturen, wobei im Bereich des lichtemittierenden Abschnitts (10) ein ohmscher Kontakt und im Bereich des Schutzdiodenabschnitts (20) ein Schottky-Kontakt (71) erzeugt wird.
- a) providing a semiconductor substrate ( 6 );
- b) growing a semiconductor layer sequence containing a pn junction ( 3 );
- c) carrying out etching steps for producing a mesa-shaped, light-emitting section ( 10 ) and a mesa-shaped protective diode section ( 20 ) which are formed above the pn junction ( 3 );
- d) filling the sections adjacent to the mesa-shaped structures with an insulating material ( 11 );
- e) applying a first contact metallization ( 8 ) to the substrate surface;
- f) applying a second contact metallization ( 7 ) on the surfaces of the mesa-shaped structures opposite the substrate surface, an ohmic contact being produced in the area of the light-emitting section ( 10 ) and a Schottky contact ( 71 ) in the area of the protective diode section ( 20 ).
im Verfahrensschritt (b) eine oberste relativ stark dotier te Halbleiterschicht aufgebracht wird und
im Verfahrensschritt f) vor dem Aufbringen der zweiten Kon taktmetallisierung (7) die oberste Schicht im Bereich des Schutzdiodenabschnitts (20) abgeätzt wird, so daß zwischen der zweiten Kontaktmetallisierung (7) und der unter der ab geätzten Schicht befindlichen Halbleiterschicht ein Schott ky-Kontakt (71) und im Bereich des lichtemittierenden Ab schnitts (10) zwischen der zweiten Kontaktmetallisierung (7) und der relativ stark dotierten Halbleiterschicht ein ohmscher Kontakt gebildet wird. 10. The method according to claim 9, characterized in that
in method step (b) an uppermost, relatively heavily doped semiconductor layer is applied and
in process step f) before the application of the second contact metallization ( 7 ), the top layer in the area of the protective diode section ( 20 ) is etched off, so that a Schott ky contact is located between the second contact metallization ( 7 ) and the semiconductor layer from the etched layer ( 71 ) and in the region of the light-emitting section ( 10 ) between the second contact metallization ( 7 ) and the relatively heavily doped semiconductor layer, an ohmic contact is formed.
im Verfahrensschritt b) die oberste Schicht nominell undotiert ist oder einen zu dem in diesem Bereich des pn- Übergangs (3) vorgesehenen Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyp aufweist,
und im Verfahrensschritt f) die oberste Schicht im Bereich des lichtemittierenden Abschnitts (10) abgeätzt wird, so daß zwischen der zweiten Kontaktmetallisierung (7) und der unter der abgeätzten Schicht befindlichen Halbleiterschicht ein ohmscher Kontakt und im Bereich des Schutzdiodenabschnitts (20) zwischen der zweiten Kontaktmetallisierung (7) und der obersten Schicht ein Schottky-Kontakt (71) gebildet wird.12. The method according to claim 9, characterized in that
in method step b) the top layer is nominally undoped or has a doping type opposite to the doping type provided in this region of the pn junction ( 3 ),
and in method step f) the uppermost layer in the area of the light-emitting section ( 10 ) is etched away, so that an ohmic contact between the second contact metallization ( 7 ) and the semiconductor layer located under the etched-out layer and in the area of the protective diode section ( 20 ) between the second Contact metallization ( 7 ) and the top layer, a Schottky contact ( 71 ) is formed.
im Verfahrensschritt b) die oberste Schicht nominell undotiert ist oder einen zu dem in diesem Bereich des pn- Übergangs (3) vorgesehenen Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyp aufweist, und
im Verfahrensschritt f) die oberste Schicht im Bereich des lichtemittierenden Abschnitts (10) mit einem Dotierstoff dotiert wird, dessen Dotierungstyp in diesem Bereich des pn-Übergangs (3) vorgesehen ist.13. The method according to claim 9, characterized in that
in method step b) the top layer is nominally undoped or has a doping type opposite to the doping type provided in this region of the pn junction ( 3 ), and
in method step f) the top layer in the area of the light-emitting section ( 10 ) is doped with a dopant whose doping type is provided in this area of the pn junction ( 3 ).
im Verfahrensschritt b) die Halbleiterschichtenfolge eine erste Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (2), den pn- Übergang (3) und eine zweite Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (4) enthält, wobei
die Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) jeweils eine Mehrzahl von Spiegelpaaren aufweisen,
die beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) einen Laser-Resonator bilden, und
eine (4) der beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) für die in dem pn-Übergang (3) erzeugte Laserstrahlung teildurchlässig ist.14. The method according to any one of claims 11 to 13, characterized in that
in method step b) the semiconductor layer sequence contains a first Bragg reflector layer sequence ( 2 ), the pn junction ( 3 ) and a second Bragg reflector layer sequence ( 4 ), wherein
the Bragg reflector layer sequences ( 2 , 4 ) each have a plurality of mirror pairs,
the two Bragg reflector layer sequences ( 2 , 4 ) form a laser resonator, and
one ( 4 ) of the two Bragg reflector layer sequences ( 2 , 4 ) is partially transparent to the laser radiation generated in the pn junction ( 3 ).
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