DE69821304T2

DE69821304T2 - Strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung

Info

Publication number: DE69821304T2
Application number: DE1998621304
Authority: DE
Inventors: Masaaki Suzuka-shi Inoue; Katsumi Tsuchiura-shi Inomata; Hiromichi Yokkaichi-shi Hara; Yoshiji Yokkaichi-shi Yumoto
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1997-10-03
Filing date: 1998-10-02
Publication date: 2004-11-18
Anticipated expiration: 2018-10-03
Also published as: KR19990036853A; US6048659A; EP0907108B1; DE69821304D1; KR100608966B1; EP0907108A1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Diese Erfindung bezieht sich auf eine strahlenempfindliche Harzzusammensetzung und insbesondere auf eine strahlenempfindliche Harzzusammensetzung, welche insbesondere als ein positiver Resist geeignet zur Herstellung integrierter Schaltkreise verwendbar ist, d. h. empfindlich gegenüber einer Vielzahl von Strahlen, einschließlich ultravioletter Strahlen, ferner ultravioletter Strahlen, Röntgenstrahlen und Elektronenstrahlen.
2. Beschreibung des Stands der Technik
Positive Resists werden vielfältig bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet. In den letzten Jahren, als integrierte Schaltkreise stärker integriert wurden, wurde versucht positive Resists herzustellen, die eine hochempfindliche Bildung von hochauflösenden Resistmustern ermöglichen.
Mit einer derartig höheren Integration ist es ebenfalls wichtig den Resist in einer gleichmäßigen Stärke zu beschichten, um feine Resistmuster in einer guten dimensionalen Genauigkeit zu bilden. Währenddessen zeigten die Substrate (Siliciumwaver) eine Tendenz im Durchmesser anzusteigen von 10,2 cm (4 Zoll) bis 15,2 cm (6 Zoll) und bis zu 20,3 cm (8 Zoll) als Fläche pro Blatt. Mit dem Flächenanstieg des Substrats wurde es allgemein schwierig den Resist in einer gleichmäßigen Stärke zu beschichten. Überdies wurde aus ökonomischen Gründen versucht einen Resist zur Verfügung zu stellen, der nicht nur in einer gleichmäßigen Stärke beschichtet werden kann, sondern ebenfalls mit einem geringen Beschichtungsgewicht, um die Effizienz bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen zu erhöhen.
In den vergangenen Jahren wurden Musterdefekte nach der Entwicklung, welche ein Grund für die geringe Ausbeute bei integrierten Schaltkreisen sind, eine große Frage, welche gelöst werden soll.
Jedoch sind keine Resists, die alle diese Anforderungen erfüllen, im Stand der Technik bekannt. Zum Beispiel offenbart die japanische ungeprüfte Patentoffenlegungsschrift (Kokai) Nr. 9-160231 einen Vorschlag einer Resistzusammensetzung mit einem gemischten Lösungsmittel aus (a) 40 bis 80 Gewichtsprozent 3-Methoxybutylacetat und (b) 60 bis 20 Gewichtsprozent mit 2-Heptanon. Die ungeprüfte Patentoffenlegungsschrift (Kokai) Nr. 9-160228 offenbart einen Vorschlag einer Resistzusammensetzung mit Methyl-n-amylketon (2-Heptanon) in einer Menge von 70 Gewichtsprozent oder mehr, basierend auf dem Gesamtgewicht der Lösungsmittel. Die Resistzusammensetzung in diesen Vorschlägen können wirkungsvoll zur Verbesserung der Beschichtungseigenschaften auf Substraten sein, aber es kann nicht gesagt werden, dass sie befriedigende Eigenschaften in Bezug auf die Empfindlichkeit, Auflösung und Musterform haben.
WO-A-96 12988 offenbart eine positive lichtempfindliche Zusammensetzung mit einem Diazonaphtochinon-Sensibilisierungsmittel, einem alkalilöslichen Novolak-Harz und einem Lösungsmittel, welches 2-Heptanon und Ethyl-3-ethoxypropionat umfassen kann.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es eine strahlenempfindliche Harzzusammensetzung geeignet für positive Resists zur Verfügung zu stellen, die in einer gleichmäßigen Stärke mit einem geringen Beschichtungsgewicht aufgetragen werden und zudem schwerlich Musterdefekte verursachen kann, und welche ebenfalls eine hochempfindliche Bildung von Resistmustern mit hoher Auflösung ermöglicht, welche eine hervorragende Musterform haben.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die vorher erwähnte Aufgabe durch eine strahlenempfindliche Harzzusammensetzung mit (1) einem alkalilöslichen Harz, (2) einer Chinondiazid- Verbindung und (3) einem gemischten Lösungsmittel mit einem Monoketon mit 7 bis 14 Kohlenstoffatomen (hiernach "Lösungsmittel A") und einem Alkoxypropionsäurealkylester (hiernach "Lösungsmittel B").
Die erfindungsgemäße strahlenempfindliche Harzzusammensetzung kann in einer gleichmäßigen Stärke mit einem geringen Beschichtungsgewicht als ein positiver Resist aufgetragen werden und kann schwerlich Musterdefekte verursachen, und ermöglicht ebenfalls eine hochempfindliche Bildung von Resistmustern mit hoher Auflösung mit einer hervorragenden Musterform.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die Figur der beigefügten Zeichnung stellt schematisch drei Arten von Schnittprofilen von Resistmustern erhalten in den im folgenden beschriebenen Beispielen und Vergleichsbeispielen dar. Die Form von (A) wird als "rechteckig", die von (B) als "trapezoidal" und die von (C) als "am Boden gestaucht" angegeben.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden ausführlich beschrieben.
(1) Alkalilösliches Harz
Das in der vorliegenden Erfindung verwendete, alkalilösliche Harz (hiernach als "Harz (A)" bezeichnet) kann zum Beispiel enthalten Novolakharz, Polyhydroxystyrol oder Derivate davon, ein Styrol-Hydroxystryrolcopolymer oder Derivate davon und ein Styrol-Maleinsäureanhydridcopolymer. Von diesen ist Novolakharz bevorzugt.
Das Novolakharz wird durch Polykondensation eines Phenols und eines Aldehyds in der Anwesenheit eines Säurekatalysators erhalten. Das hierfür verwendete Phenol kann enthalten z. B. Phenol, o-Kresol, m-Kresol, p-Kresol, 2,3-Xylenol, 2,4-Xylenol, 2,5-Xylenol, 3,4-Xylenol, 3,5-Xylenol, 2,3,5-Trimethylphenol, 3,4,5-Trimethylphenol, Hydrochinon, Katechin, Resorcin, 2-Methylresorcin, Pyrogallol, α-Naphthol und β-Naphthol. Von diesen Phenolen sind Phenol, o-Kresol, m-Kresol, p-Kresol, 2,3-Xylenol, 2,4-Xylenol, 2,5-Xylenol, 3,4-Xylenol, 3,5-Xylenol und 2,3,5-Trimethylphenol bevorzugt. Jedes dieser Phenole kann alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden. Insbesondere kann eine bevorzugte Kombination enthalten m-Kresol/p-Kresol, m-Kresol/2,3-Xylenol, m-Kresol/2,4-Xylenol, m-Kresol/2,3,5- Trimethylphenol, Phenol/2,3-Xylenol/3,4-Xylenol, m-Kresol/2,3-Xylenol/3,4-Xylenol und m-Kresol/2,3-Xylenol/2,3,5-Trimethylphenol. Das in diesen bevorzugten Kombinationen verwendete m-Kresol kann gewöhnlicherweise in einer Menge von 30 Gewichtsprozent oder mehr und bevorzugt 50 Gewichtsprozent oder mehr, basierend auf dem Gesamtgewicht der Phenole, sein.
Das Aldehyd, mit dem das vorher erwähnte Phenol einer Polykondensation unterzogen wird, kann enthalten z. B. Formaldehyd, Trioxan, Paraformaldehyd, Acetaldehyd, Propylaldehyd, Phenylacetaldehyd, Benzaldehyd, o-Hydroxybenzaldehyd, m-Hydroxybenzaldehyd, p-Hydroxybenzaldehyd, o-Methylbenzaldehyd, m-Methylbenzaldehyd, p-Methylbenzaldehyd, Furfural, 1-Naphthaldehyd, 2-Naphthaldehyd und 2-Hydroxy-1-naphthaldehyd. Insbesondere können Formaldehyd und o-Hydroxybenzaldehyd bevorzugt verwendet werden. Jedes dieser Aldehyde kann alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
Das Aldehyd kann gewöhnlicherweise in einer Menge von 0,5 bis 3 mol und bevorzugt 0,6 bis 1,5 mol pro mol des Phenols verwendet werden.
Bei der Polykondensationsreaktion des Phenols mit dem Aldehyd wird ein Säurekatalysator verwendet. Dieser Säurekatalysator kann z. B. enthalten Salzsäure, Salpetersäure, Schwefelsäure, Essigsäure, Oxalsäure und p-Toluolsulfon-Säure. Er kann in einer Menge von 1 × 10^–4 bis 5 × 10^–1 mol pro mol des Phenols verwendet werden.
Bei der Polykondensationsreaktion wird gewöhnlicherweise Wasser als ein Reaktionsmedium verwendet. Wenn das in der Reaktion verwendete Phenol sich nicht in der wässrigen Lösung des Aldehyds löst und die Reaktionsmischung von Anfang an ungleichmäßig macht, kann ein Lösungsmittel, wie ein Alkohol, ein Äther oder ein Keton als das Reaktionsmedium verwendet werden. Hierbei kann es als den Alkohol z. B. Methanol, Ethanol, Butanol und Propylenglycolmonomethylether; als den Ether Tetrahydrofuran und Dioxan; und als das Keton, Methylethylketon, Methylisobutylketon und 2-Heptanon enthalten. Ein derartiges Reaktionsmedium kann gewöhnlicherweise in einer Menge von 20 bis 500 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen der Reaktanten verwendet werden.
Die Kondensationsreaktion kann gewöhnlicherweise bei einer Temperatur von 10 bis 200°C durchgeführt werden, welche geeigneter Weise gemäß der Reaktivität der Reaktanten eingestellt werden kann. Die Reaktion kann durch geeignete Anwendung eines Verfahrens durchgeführt werden, in welchem das Phenol, das Aldehyd, der Katalysator und das Lösungsmittel zusammen geladen werden, oder ein Verfahren, in welchem das Phenol und das Aldehyd mit Fortschreiten der Reaktion zugegeben wird.
Nach Abschluss der Reaktion wird, um die nicht reagierten Materialien, Säurekatalysator und Reaktionsmedium und ebenfalls das Novalakharz wiederzugewinnen, herkömmlicherweise die Reaktionstemperatur des Systems auf 130 bis 230°C erhöht und flüchtige Bestandteile werden unter reduziertem Druck entfernt. Ein weiteres Verfahren ist ebenfalls erhältlich, in welchem das derartig erhaltene Novolakharz, z. B. in einem guten Lösungsmittel, wie etwa Ethylacetat, Methanol oder Methylisobutylketon, danach ein schlechtes Lösungsmittel, wie etwa Wasser, n-Hexan oder n-Heptan, zugegeben wird und die dadurch abgesetzte Harzlösungsschicht abgetrennt wird, um ein Harz mit einem relativ hohen Molekulargewicht zu erhalten.
Das Novolakharz kann bevorzugt ein massegemitteltes Molekulargewichts in Bezug auf Polystyrol (hiernach "Mw") von 2.000 bis 20.000 und bevorzugt davon 3.000 bis 15.000 haben. Wenn es ein zu großes Mw hat, kann es schwierig sein, die Zusammensetzung auf den Waver gleichmäßig zu beschichten und kann ebenfalls in niedriger Entwickelbarkeit und Empfindlichkeit resultieren. Wenn es ein zu kleines Mw hat, tendiert die Zusammensetzung dazu, eine für einen Resist erforderliche zu niedrige thermische Beständigkeit zu haben.
(2) Chinondiazid-Verbindung
Die in der vorliegenden Erfindung verwendeten Chinondiazid- Verbindungen können enthalten, sind aber nicht begrenzt auf 1,2-Benzochinondiazido-4-sulfonsäureestern, 1,2-Naphthochinondiazido-4-sulfonsäureestern, 1,2-Naphthochinondiazido-5-sulfonsäureestern oder 1,2-Naphthochinonediazido-6-sulfonsäureestern von Polyhydroxyl-Verbindungen. Insbesondere sind 1,2-Naphthochinondiazido-4-sulfonsäureester und 1,2-Naphtochinondiazido-5-sulfonsäureester bevorzugt.
Die Chinondiazid-Verbindung kann z. B. durch Reaktion einer Polyhydroxyl-Verbindung mit Chinondiazidsulfonylchlorid in der Anwesenheit eines basischen Katalysators erhalten werden. Gewöhnlicherweise ist der Anteil des Chinondiazidsulfonsäureesters an den Gesamthydroxyl-Gruppen der Polyhydroxyl-Verbindungen (durchschnittlicher Veresterungsprozentsatz) von 20% bis 100, bevorzugt von 40% bis 95%. Wenn der mittlere Veresterungsprozentsatz zu niedrig ist, wird das Muster mit Schwierigkeiten gebildet, und wenn er zu hoch ist, gibt es eine Möglichkeit des Verursachens einer schlechten Entwickelbarkeit und einer niedrigen Empfindlichkeit.
Es gibt keine besonderen Beschränkungen auf die hier verwendete Polyhydroxyl-Verbindung. Beispiele davon können die folgenden Verbindungen enthalten.
wobei X₁ bis X₁₅ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Alkoxylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Arylgruppe mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxylgruppe darstellen, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₁ bis X₅ und X₆ bis X₁₀ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₁ ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellt.
wobei X₁₆ bis X₃₀ wie die vorherigen X₁ bis X₁₅ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₁₆ bis X₂₀, X₂₁ bis X₂₅ und X₂₆ bis X₃₀ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₂ bis Y₄ die gleichen oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen.
wobei X₃₁ bis X₄₄ wie die vorherigen X₁ bis X₁₅ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in der Gruppe X₃₁ bis X₃₅ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₅ bis Y₈ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen;
wobei X₄₅ bis X₅₈ gleich oder unterschiedlich sein können und jeweils ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Alkoxylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Cycloalkylgruppe mit 5 bis 7 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxylgruppe darstellen, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₄₅ bis X₄₈ und X₄₉ bis X₅₃ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₉ und Y₁₀ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Cycloalkylgruppe mit 5 bis 7 Kohlenstoffatomen darstellen.
wobei X₅₉ bis X₈₀ wie die vorherigen X₄₅ bis X₅₈ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₅₉ bis X₆₃, X₆₄ bis X₆₇, X₇₂ bis X₇₅ und X₇₆ bis X₈₀ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₁₁ bis Y₁₈ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen.
wobei X₈₁ bis X₉₈ wie die vorherigen X₄₅ bis X₅₈ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₈ ₁ bis X₈₅, X₈₆ bis X₈₉, X₉₀ bis X₉₃ und X₉₄ bis X₉₈ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₁₉ bis Y₂₄ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen. In der erfindungsgemäßen Zusammensetzung kann die Chinondiazid-Verbindung des Bestandteils (2) bevorzugt in einer Menge von 5 bis 60 Gewichtsteilen und insbesondere 10 bis 50 Gewichtsteile basierend auf 100 Gewichtsteile des Harzes (A) des Bestandteils (1) verwendet werden. Die Chinondiazid-Verbindung kann alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
Die Gruppe mit dem 1,2-Chinondiazidsulfonyl-Rest in der erfindungsgemäßen Zusammensetzung kann bevorzugt so eingestellt werden, dass sie in einer Menge von 5 bis 50 Gewichtsprozent und bevorzugt von 10 bis 30 Gewichtsprozent basierend auf dem Gesamtfeststoffgehalt der Zusammensetzung ist. Wenn die Chinondiazid-Verbindung in einer zu kleinen Menge gemischt wird, kann es nahezu kein Unterschied in der Löslichkeit in einer Entwicklungslösung (wässrige alkalische Lösung) zwischen den strahlungsexponierten Bereichen und den nicht strahlungsexponierten Bereichen geben, falls die Zusammensetzung als ein Resist verwendet wird, was es schwierig machen kann, Muster zu bilden. Wenn auf der anderen Seite die Chinondiazid-Verbindungen in einer zu großen Menge gemischt wird, kann die gemischte Chinondiazid-Verbindung sich mit Schwierigkeiten lösen, wenn sie Strahlungen für eine kurze Zeit ausgesetzt wird, was es schwierig macht, die Entwicklung mit der Entwicklungslösung durchzuführen.
Die Chinondiazid-Verbindung kann alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
Zum Zwecke der Verbesserung der Alkalilöslichkeit des Harzes (A), kann eine niedermolekulare Phenolverbindung (hiernach "Lösungsbeschleuniger") zu der erfindungsgemäßen Zusammensetzung gegeben werden. Der Lösungsbeschleuniger kann bevorzugt eine Phenolverbindung mit 2 bis 5 Benzolringen sein, welche enthalten können, z. B. Verbindungen dargestellt durch die folgenden Formeln (1-1) bis (1-9):
wobei den Formeln (1-1) bis (1-3) a und b jeweils unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 3 sind, vorausgesetzt dass sie nicht gleichzeitig 0 sind; x und y sind jeweils unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 3; und a + x ≤ 5 und b + y ≤ 5

wobei in den Formeln (1-4) bis (1-9) a, b und c jeweils eine ganze Zahl von 0 bis 3 sind, vorausgesetzt dass sie nicht gleichzeitig 0 sind; x, y und z sind jeweils unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 3; in den Formeln (1-4) und (1-5) b + y ≤ 4; und in den Formeln (1-6) bis (1-9) a + y ≤ 5, b + y ≤ 4 und c + z ≤ 5 ist.
Ein derartiger Lösungsbeschleuniger kann gewöhnlicherweise in einer Menge von nicht mehr als 50 Gewichtsteilen gemischt werden, bevorzugt 5 bis 30 Gewichtsteile basierend auf 100 Gewichtsteilen des Bestandteils (1) Harz (A).
(3) Gemischtes Lösungsmittel
Lösungsmittel A
Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Monoketon mit 7 bis 14 Kohlenstoffatomen (Lösungsmittel A) kann enthalten z. B. aliphatische Monoketone wie etwas 2-Heptanon, 3-Heptanon, 4-Heptanon, Methyl-n-Hexylketon, Methyl-n-Octylketon, Methyl-n-Dodecylketon, Ethyl-n-Pentylketon, di-n-Propylketon, Diisopropylketon, n-Propylisopropylketon, di-n-Butylketon und di-n-Pentylketon; und alicyclische Monoketone, wie etwa 2-Methylcyclohexanon, 3-Methylcyclohexanon, 4-Methylcyclohexanon, 2-Ethylcyclohexanon, 4-Ethylcyclohexanon, 2-t-Butylcyclohexanon, Cycloheptanon, Cyclooctanon, Cyclononanon und Cycloundecanon. Es kann bevorzugt 2-Heptanon, 3-Heptanon, 4-Heptanon und Methyl-n-hexylketon enthalten. Diese Lösungsmittel können alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
Lösungsmittel B
Der in der vorliegenden Erfindung verwendete Alkoxypropionsäurealkylester (Lösungsmittel B) kann enthalten z. B. Methyl-3-methoxypropionat, Ethyl-3-methoxypropionat, Methyl-3-ethoxypropionat, Ethyl-3-ethoxypropionat, n-Propyl-3-methoxypropionat und n-Butyl-3-methoxypropionat. Er kann bevorzugt Methyl-3-methoxypropionat und Ethyl-3-ethoxypropionat enthalten. Diese Lösungsmittel können alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
Diese Lösungsmittel A und B können in einem Gewichtsverhältnis von A/B von normalerweise 10/90 bis 90/10, bevorzugt 20/80 bis 85/15, bevorzugter 30/70 bis 80/20 und noch weiter bevorzugt 50/50 bis 80/20 gemischt werden.
So lange die Wirkung der vorliegenden Erfindung nicht beeinträchtigt wird kann ebenfalls das folgende Lösungsmittel (hiernach "Lösungsmittel C") gemischt werden, beispielsweise Monoketon Verbindungen mit 3 bis 6 Kohlenstoffatomen (z. B. Methylethylketon und Methylisobutylketon), Methylcellosolvacetat, Ethylcellosolvacetat, Propylenglycolmonomethylether, Propylenglycolmonoethylether, Propylenglycolmonomethyletheracetat, Propylenglycolmonoethyletheracetat, Ethyllactat und Butyllactat; welche in einer Menge von nicht mehr als 30 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen des gemischten Lösungsmittels enthalten sein können.
Das gemischte Lösungsmittel mit diesem Lösungsmitteln A und B kann in einer Menge verwendet werden, welche geeigneter Weise in Übereinstimmung mit der Stärke des zu wählenden Resistbeschichtungsfilms festgesetzt wird und gewöhnlicherweise in einem derartigen Bereich festgesetzt wird, dass der gesamte Feststoffgehalt in der Zusammensetzung von 10 bis 50 Gewichtsprozent ist.
Andere Zusammensetzungsbestandteile
In der erfindungsgemäßen Zusammensetzung können wahlweise verschiedene Zusammensetzungsbestandteile, wie etwa oberflächenaktive Mittel, Farbstoffe (Farben oder Pigmente), Haftvermittler, Lagerungsstabilisatoren und Antischaummittel zugesetzt werden.
Oberflächenaktive Mittel werden zugesetzt, um die Beschichtungseigenschaften und die Entwickelbarkeit der Zusammensetzung zu verbessern. Derartige oberflächenaktive Mittel können z. B. enthalten Polyoxyethylenlaurylether, Polyoxyethylenoleylether, Polyoxyethylenoctylphenylether, Polyoxyethylenenonylphenylether, Polyethylenglycoldilaurat, und Polyethylenglycoldistearat. Kommerziell erhältliche Produkte davon können enthalten MEGAFAX F171, F172, F173, F471, R-07, R-08 (Handelsnamen; erhältlich von Dainippon Ink & Chemicals, Incorporated), FLORADO FC430, FC431 (Handelsnamen; erhältlich von Sumitomo 3M Limited), ASAHI GUARD AG710, SURFLON S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (Handelsnamen; erhältlich von Asahi Glass Co., Ltd.), KP341 (Handelsnamen; erhältlich von Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) POLYFLOW No. 75, No. 95 (Handelsnamen; erhältlich von Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) und NBX-7, NBX-8, NBX-15 (Handelsnamen; erhältlich von NEOS Company Limited).
Die oberflächenaktiven Mittel können gewöhnlicherweise in einer Menge von nicht mehr als 2 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen des Feststoffgehalts der Zusammensetzung zugemischt werden.
Farbstoffe, wie etwa Farben und Pigmente werden zugemischt, um sie weniger durch Lichthofbildung zum Zeitpunkt der Strahlenexposition zu beinträchtigen.
Herstellung der strahlenempfindlichen Harzzusammensetzung
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung wird durch Lösen des Bestandteils (1) alkalilösliches Harz, des Bestandteils (2) Chinondiazid-Verbindung und wahlweise der vorher erwähnten verschiedenen Zusammensetzungsbestandteile in dem Bestandteil (3) gemischtes Lösungsmittel mit dem Monoketon mit 7 bis 14 Kohlenstoffatomen (Lösungsmittel A) und dem Alkoxypropionsäurealkylester (Lösungsmittel B) hergestellt, um eine Lösung zu bilden, wobei der Feststoffanteil in einer Konzentration von z. B. 10 bis 50 Gewichtsprozent in der resultierenden Lösung ist, und filtern dieser Lösung mit einem Filter mit etwa 0,2 μm Porengröße.
Wie die strahlenempfindliche Harzzusammensetzung verwenden
Die folglich erhaltene erfindungsgemäße Zusammensetzung wird als eine Resist verwendet, wenn z. B. integrierte Schaltkreise hergestellt werden. Die Zusammensetzung wird verwendet, um ein Resistmuster auf einem Substrat, wie einem Siliciumwaver, zu bilden. Ein derartiges Verfahren zur Bildung eines Resistmusters umfasst die Schritte der Beschichtung einer erfindungsgemäßen Zusammensetzung auf einem Substrat, um eine Beschichtungsfilm zu bilden, Trocknen des Beschichtungsfilms, um einen Resistfilm zu bilden, selektives Aussetzen des Resistfilms mit einer Strahlung und Entwickeln des ausgesetzten Resistfilms, um ein Resistmuster zu bilden. Spezifischer wird zunächst die Zusammensetzung durch ein Verfahren, wie etwa Rotationsbeschichten (spin coating), Gießbeschichten oder Rollbeschichten auf z. B. einem Siliciumwaver oder einem Siliciumwaver beschichtet mit Aluminium oder Siliciumnitrid, um eine Resistbeschichtung mit der strahlenempfindlichen Harzzusammensetzung zu bilden. Diese Beschichtung wird einer Strahlung in einem vorbestimmten Muster ausgesetzt, und nachfolgend wird die resultierende Schicht mit einer Entwicklerlösung mit einer wässerigen alkalischen Lösung entwickelt, um ein Muster zu bilden. In diesem Zusammenhang kann, um die Wirkung als ein Resist zu verbessern, die wie vorher beschrieben gebildete Resistbeschichtung einer Strahlung ausgesetzt werden, nachdem sie bei 70 bis 140°C vorgebacken wurde und kann weiterhin bei 70 bis 140°C nach der Exposition gebacken werden, gefolgt durch die Entwicklung.
In dem Fall der Entwicklung unter Verwendung einer Entwicklungslösung mit einer wässrigen alkalischen Lösung, folgt ihr gewöhnlicherweise Waschen mit Wasser.
Als die hier verwendete Strahlung kann ultraviolette Strahlung, wie etwa G-Strahlen und i-Strahlen, ferne ultraviolette Strahlung, wie etwa KrF-Excimer-Laserstrahlen, Röntgenstrahlen, wie etwa Synchrotronstrahlen und geladene Partikelstrahlung, wie etwa Elektronenstrahlen verwendet werden. Insbesondere sind ultraviolette Strahlungen, ferne ultraviolette Strahlungen oder Elektronenstrahlungen bevorzugt.
Als die Entwicklerlösung kann eine wässerige alkalische Lösung verwendet werden, welche hergestellt wird durch Lösung einer alkalischen Verbindung, wie etwas Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Natriumcarbonat, Natriumsilicat, Natriummetasilicat, Ammoniakwasser, Ethylamin, n-Propylamin, Diethylamin, Di-n-Propylamin, Triethylamin, Methyldiethylamin, Dimethylethanolamin, Triethanolamin, Tetramethylammoniumhydroxid, Tetraethylammoniumhydroxid, Cholin, Pyrrol, Piperidin, 1,8-Diazabicyclo-[5.4.0]-7-undecen oder 1,5-Diazabicyclo[4.3.0]-5-nonan, in Wasser in einer Konzentration von z. B. 0,1 bis 10 Gewichtsprozent. Zu der Entwicklerlösung kann ein wasserlösliches organisches Lösungsmittel, z. B. ein Alkohol, wie etwa Methanol, Ethanol und ein oberflächenaktives Mittel in geeigneten Mengen zugegeben werden.
BEISPIELE
Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden ausführlicher durch Angabe von Beispielen beschrieben. Die Erfindung wird auf keine Weise durch diese Beispiele begrenzt.
Synthese von Harz (A)
In den folgenden Synthesebeispielen wurde das massegemittelte Molekulargewicht Mw (in Bezug auf Polystyrol) des Harzes durch Gelpermeationchromatographie unter Verwendung von GPC-Säulen (G2000HXL: zwei Säulen; G3000HXL: eine Säule; G4000HXL: eine Säule) erhältlich von Toso Co., Ltd. unter Analysebedingunqen einer Flussrate von 1,0 ml/Minute, einem Lotionslösungsmittel Tetrahydrofuran und einer Säulentemperatur von 40°C und unter Verwendung von monodispersen Polystyrol als ein Standard gemessen.
Synthesebeispiel 1

In einen Autoklaven wurden

m-Kresol	69,2 g (0,64 mol);
2,3-Xylenol	9,8 g (0,08 mol);
3,4-Xylenol	9,8 g (0,08 mol);
eine wässerige Formaldehydlösung mit 37 Gewichtsprozent	55,1 g (0,68 mol als HCHO);
Oxalsäuredihydrat	5,0 g (0,04 mol);
Wasser	52,6 g; und
Dioxan	182 g;

geladen. Dann wurde der Autoklav in ein Ölbad eingetaucht und die Temperatur der Reaktionslösung wurde bei 130°C gehalten und die Polykondensation wurde für acht Stunden unter Rühren durchgeführt. Als Nächstes wurde die Reaktionslösung auf Raumtemperatur gekühlt und der Inhalt wurde herausgenommen und in einen Becher getan. Von den sich in dem Becher trennenden zwei Schichten wurde die untere Schicht (Harzschicht) gesammelt. Danach wurde die Harzschicht konzentriert, entwässert und getrocknet, um das Harz (A1) mit einem Mw von 8.600 zu erhalten.

Synthesebeispiel 2

Das Vorgehen des Synthesebeispiels 1 wurde wiederholt, außer dass;

m-Kresol	64,8 g (0,6 mol);
2,3-Xylenol	36,7 g (0,3 mol);
2,3,5-Trimethylphenol	13,6 g (0,1 mol);
eine wässerige Formaldehydlösung mit 37 Gewichtsprozent	64,9 g (0,8 mol als HCHO);
Oxalsäuredihydrat	6,3 g (0,05 mol);
Wasser	79,4 g; und
Dioxan	384 g;

geladen wurden. Folglich wurden Harze (A2) mit einem Mw von 8.300 erhalten.

Synthesebeispiel 3
In einem 2-Liter trennbaren Kolben versehen mit einem Kondensatorrohr und einer Rührvorrichtung wurden 48,8 g (0,4 mol) 2,4-Dimethylphenol, 172,8 g (1,6 mol) m-Kresol, 129,8 g einer wässerigen Formaldehydlösung mit 37 Gewichtsprozent (Formaldehyd: 1,6 mol), 12,6 g (0,1 mol) Oxalsäuredihydrat und 554 g Methylisobutylketon geladen, um eine Kondensation von 8 Stunden unter Rühren durchzuführen während die innere Temperatur bei 90 bis 100°C gehalten wird. Die folglich gebildete Harzlösung wurde zweimal mit 500 g Ionenaustauscher-Wasser gewaschen. Danach wurde 600 g n-Hexan dazugegeben und die resultierende Mischung wurde für 30 Minuten gerührt und dann für 1 Stunde stehen gelassen. Der Überstand auf der abgesetzten Harzschicht wurde durch Dekantieren entfernt. Danach wurde die Harzschicht konzentriert, entwässert und getrocknet, um das Harz (A3) mit einem Mw von 8.300 zu erhalten.
Synthese der Chinondiazidsulfonsäureesterverbindung-Synthesebeispiel 4
In einer lichtgeschützten Umgebung wurden in einem Kolben mit einer Rührvorrichtung, einem Tropftrichter und einem Thermometer 29,2 g (0,1 mol) der durch die folgende Formel (2) dargestellten Verbindungen, 67,1 g (0,25 mol) 1,2-Naphthoquinonediazido-5-sulfonsäurechlorid und 481 g Dioxan geladen und unter Rühren gelöst. Nachfolgend wurde dieser Kolben in ein auf 30°C geregeltes Wasserbad eingetaucht. Zu dem Zeitpunkt, da die innere Temperatur gleichmäßig 30°C wurde, wurden 28,3 g (0,28 mol) Triethylamin zu dieser Lösung unter Verwendung des Tropftrichters zugegeben während die innere Temperatur so geregelt wurde, dass sie nicht höher als 35°C wurde und die Reaktion wurde für 2 Stunden bei der gleichen Temperatur durchgeführt. Danach wurde das ausgefallene Triethylaminhydrochlorid durch Filtration entfernt und das Filtrat wurde in einer großen Menge einer wässerigen verdünnten Salzsäurelösung geschüttet, um das Ausfallen des Reaktionsprodukts zu bewirken. Dann wurde das gebildete Präzipitat filtriert und gesammelt, gefolgt von Trocknen bei 40°C für 24 Stunden in einem Vakuumtrockner, um eine Chinondiazid-Verbindung (b-1) zu erhalten.
Synthesebeispiel 5
Das Vorgehen des Synthesebeispiels 4 wurde wiederholt, außer dass 42,4 g (0,1 mol) der durch die folgende Formel (3) dargestellten Verbindung, 67,1 g (0,25 mol) 1,2-Naphtochinondiazid-5-sulfonsäurechlorid und 547 g Dioxan geladen wurden. Folglich wurde eine Chinondiazid-Verbindung (b-2) erhalten.
Synthesebeispiel 6
Das Vorgehen des Synthesebeispiels 4 wurde wiederholt, außer dass 37,8 g (0,1 mol) der durch die folgende Formel (4) dargestellten Verbindung, 40,2 g (0,15 mol) 1,2-Naphthochinondiazid-5-sulfonsäurechlorid, 300 g Dioxan, 90 g N,N-Dimethylformamid und 16,7 g (0,17 mol) Triethylamin verwendet wurden. Folglich wurde eine Chinondiazid-Verbindung (b-3) erhalten.
Synthesebeispiel 7
Das Vorgehen des Synthesebeispiels 4 wurde wiederholt, außer dass 36,4 g (0,1 mol) der durch die folgende Formel (5) dargestellten Verbindung, 80,5 g (0,3 mol) 1,2-Naphthochinondiazid-5-sulfonsäurechlorid, 585 g Dioxan und 33,4 g (0,33 mol) Triethylamin verwendet wurde. Folglich wurde eine Chinondiazid-Verbindung (b-4) erhalten.
Synthesebeispiel 8
Das Vorgehen des Synthesebeispiels 4 wurde wiederholt, außer dass 64,6 g (0,1 mol) der Verbindung dargestellt durch die folgende Formel (6), 40,2 g (0,15 mol) 1,2-Naphthochinondiazid-5-sulfonsäurechlorid, 390 g Dioxan, 103 g N,N-Dimethylformamid und 167 g (0,17 mol) Triethylamin verwendet wurden. Folglich wurde eine Chinondiazid-Verbindung (b-5) erhalten.
Synthesebeispiel 9
Das Vorgehen des Synthesebeispiels 4 wurde wiederholt, außer dass 39,2 g (0,05 mol) der durch die folgende Formel (7) dargestellten Verbindung, 40,2 g (0,125 mol) 1,2- Naphthochinondiazid-5-sulfonsäurechlorid, 476 g Dioxan und 17,2 g (0,17 mol) Triethylamin verwendet wurden. Folglich wurde eine Chinondiazid-Verbindung (b-6) erhalten.
Synthesebeispiel 10
Das Vorgehen des Synthesebeispiels 4 wurde wiederholt, außer dass 24,8 g (0,05 mol) der durch die folgende Formel (8) dargestellten Verbindung, 33,5 g (0,125 mol) 1,2-Naphthochinondiazid-5-sulfonsäurechlorid, 350 g Dioxan und 14,1 g (0,14 mol) Triethylamin verwendet wurden. Folglich wurde eine Chinondiazid-Verbindung (b-7) erhalten.
Beispiele 1 bis 9
Mit wie in der Tabelle 1 gezeigten Formulierungen ("Teile" ist "Gewichtsteile") wurde das Harz (A), der Lösungsbeschleuniger, die Chinondiazid-Verbindung und die Lösungsmittel A und B gemischt, um gleichmäßige Lösungen ergeben, gefolgt durch Filtration unter Verwendung eines Membranfilters mit 0,2 μm Porengrößen, um eine strahlenempfindliche Harzzusammensetzung vom Lösungstyp zu erzeugen.
Die folglich erhaltenen Lösungen wurden jeweils auf einen 15,2 cm (6-Zoll) Siliciumwaver mit einem Siliciumoxidfilm durch einen Spin-coater beschichtet, gefolgt durch Vorbacken auf einer heißen Platte bei 90°C für 90 Sekunden, um einen Resistfilm von 1,3 μm Stärke zu bilden. Als Nächstes wurde durch ein Fadenkreuz der Resistfilm ultravioletter Strahlung mit einer Wellenlänge 365 nm (i-Strahlen) durch einen Reduktionsprojektionsausrichter (numerische Linsenapertur: 0,50) NSR-2005i9C, hergestellt von Nikon K. K., gefolgt durch Nachbacken auf einer heißen Platte bei 110°C für 60 Sekunden, exponiert, und dann unter Verwendung einer wässerigen Tetramethylammoniumhydroxid- Lösung mit 2,38 Gewichtsprozent gefolgt durch Waschen mit hochreinem Wasser und dann Trocknen entwickelt, um Resistmuster zu bilden.
Eigenschaften, wie diejenigen der folglich erhaltenen Resistmuster, wurden durch die im Folgenden beschriebenen Verfahren überprüft.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in der Tabelle 2 gezeigt.
Empfindlichkeit
Der erforderliche Expositionswert, falls Linien- und Raummuster von 0,6 μm in einem Verhältnis von 1 : 1 (Menge der korrekten Exposition) aufgelöst wurden, wurde als eine Anzeige der Empfindlichkeit angesehen.
Auflösung
Die minimale Größe in welchem Linien- und Raummuster in einem Zustand frei von Musterfilmverlust stehen, wenn sie der korrekten Expositionsmenge ausgesetzt wurden, wurde als Anzeige der Auflösung angesehen, welche mit einem Rasterelektrodenmikroskop gemessen wurde.
Musterform
Querschnitte in der Tiefe von Resistmustern von 0,6 μm wurden unter einem Rasterelektrodenmikroskop untersucht. Querschnitte mit rechtwinkliger Form sind normal. Die Formen von (A), (B) und (C) in der Figur werden als rechteckig, trapezoidal und am Boden gestaucht bezeichnet.
Gleichmäßigkeit der Schichtstärke
Wavers mit durch Beschichtung gebildeten Filmen auf 15,2 cm (6-Zoll) Siliciumwaveroberflächen in einer Schichtstärke von 1,3 μm wurden auf ihrer Schichtstärke an 39 Punkten gemessen in der Durchmesserrichtung, untersucht, um Unterschiede zwischen der maximalen Schichtstärke und der minimalen Schichtstärke in der Ebene zu bestimmen.
Musterdefekte
Waver, beschichtet und Exposition und Entwicklung wie vorher beschrieben ausgesetzt, wurden auf die Anzahl der Defekte von 0,2 μm oder größer unter Verwendung eines Waverprofiltesters KLA-2112, hergestellt von KLA Co., untersucht.
Vergleichsbeispiele 1 bis 3
Zusammensetzung von Lösungstyp wurde in der gleichen Art und Weise wie in den Beispielen 1 bis 9 hergestellt, außer dass die Lösungsmittel in ihren Zusammensetzungsproportionen wie in der Tabelle 1 gezeigt geändert wurden. Resistmuster wurden auf Siliciumwavern auf ähnliche Weise gebildet und die Eigenschaften der gebildeten Resistmuster wurden in der gleichen Art und Weise wie in den Beispielen untersucht.
Die erhaltenen Ergebnisse sind in der Tabelle 2 gezeigt.
TABELLE 1
In der Tabelle 1 sind die Arten der Lösungsbeschleuniger und Lösungsmittel wie folgt:
Lösungsbeschleuniger

α: 1,1-bis(4-Hydroxyphenyl)-1-[4-{1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl}phenyl]ethan
β: 1,1-bis(4-Hydroxyphenyl)-1-phenylethan
γ: 1,1-bis(2,5-Dimethyl-4-hydroxyphenyl)aceton

Lösungsmittel
Lösungsmittel A

A-1: 2-Heptanon
A-2: 3-Heptanon

Lösungsmittel B

B-1: Methyl-3-methoxypropionat
B-2: Ethyl-3-ethoxypropionat
B-3: Ethyl-3-methoxypropionat

Lösungsmittel C

C-1: Ethyllactat
C-2: γ-Butyrolacton

TABELLE 2

Claims

Strahlenempfindliche Harzzusammensetzungen mit (1) einem alkalilöslichem Harz, (2) einer Chinondiazidverbindung und (3) einem gemischten Lösungsmittel mit einem Monoketon mit 7 bis 14 Kohlenstoffatomen und einem Alkoxypropionsäurealkylester.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das alkalilösliche Harz ein Element ausgewählt aus der Gruppe ist, bestehend aus einem Novolakharz, einem Polyhydroxystyrol, einem Styrol-Hydroxystyrolcopolymer und einem Styrol-Maleinsäureanhydridcopolymer.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Chinondiazidverbindung eine Esterverbindung ist, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus 1,2 Benzochinpndiazid-4-sulfonsäureestern, 1,2 Naphthochinondiazid-4-sulfonsäureestern, 1,2 Naphthonchinondiazid-5-sulfonsäureestern und 1,2 Naphthochinondiazid-6-sulfonsäureestern einer Polyhydroxylverbindung.
Zusammensetzung nach Anspruch 3, wobei die Polyhydroxylverbindung eine Verbindung ist, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus den folgenden Verbindungen:
wobei X₁ bis X₁₅ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Alkoxylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Arylgruppe mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxylgruppe darstellen, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₁ bis X₅ und X₆ bis X₁₀ eine Hydroxylgruppe ist_; und Y₁ ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellt;
wobei X₁₆ bis X₃₀ wie die vorherigen X₁ bis X₁₅ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₁₆ bis X₂₀, X₂₁ bis X₂₅ und X₂₆ bis X₃₀ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₂ bis Y₄ die gleichen oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen;
wobei X₃₁ bis X₄₄ wie die vorherigen X₁ bis X₁₅ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in der Gruppe X₃₁ bis X₃₅ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₅ bis Y₈ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen;
wobei X₄₅ bis X₅₈ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Alkoxylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Cycloalkylgruppe mit 5 bis 7 Kohlenstoffatomen oder eine Hydroxylgruppe darstellen, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₄₅ bis X₄₈ und X₄₉ bis X₅₃ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₉ und Y₁₀ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder eine Cycloalkylgruppe mit 5 bis 7 Kohlenstoffatomen darstellen;
wobei X₅₉ bis X₈₀ wie die vorherigen X₄₅ bis X₅₈ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₅₉ bis X₆₃, X₆₄ bis X₆₇, X₇₂ bis X₇₅ und X₇₆ bis X₈₀ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₁₁ bis Y₁₈ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen; und
wobei X₈₁ bis X₉₈ wie die vorherigen X₄₅ bis X₅₈ definiert sind, vorausgesetzt, dass wenigstens ein Element in jeder der Gruppen X₈₁ bis X₈₅, X₈₆ bis X₈₉, X₉₀ bis X₉₃ und X₉₄ bis X₉₈ eine Hydroxylgruppe ist; und Y₁₉ bis Y₂₄ gleich oder unterschiedlich sind und jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen darstellen.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei die Chinondiazidverbindung des Bestandteils (2) in einer Menge von 5 bis 60 Gewichtsteilen vorhanden ist, bevorzugt von 10 bis 50 Gewichtsteilen, basierend auf 100 Gewichtsteilen des Harzes (A) des Bestandteils (1), und das gemischte Lösungsmittel des Bestandteils (3) so vorhanden ist, dass der gesamte Feststoffgehalt in der Zusammensetzung 10 bis 50 Gew.-% ist.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, ferner mit einer Phenolverbindung mit niedrigem Molekulargewicht mit 2 bis 5 Benzolringen.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Monoketon ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus aliphatischen Monoketonen und alicyclischen Monoketonen.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei der Alkoxypropionsäurealkylester ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Methyl-3-Methoxypropionat, Ethyl-3-methoxypropionat, Methyl-3-ethoxypropionat, Ethyl-3-ethoxypropionat, n-Propyl-3-methoxypropionat und n-Butyl-3-methoxypropionat.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Monoketon und der A1koxYpropionsäurealkylester gewichtsbezogen in einem Verhältnis von 10/90 bis 90/10, bevorzugt 20/80 bis 85/15 vorhanden sind.
Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters mit den Schritten der Beschichtung einer wie in Anspruch 1 beanspruchten Zusammensetzung auf ein Substrat, um einen Beschichtungsfilm zu bilden, Trocknen des Films, um einen Resistfilm zu bilden, selektives Aussetzen des Resistfilms mit einer Strahlung und Entwickeln des ausgesetzten Resistfilms, um ein Resistmuster zu bilden.