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Die Erfindung betrifft eine Stützvorrichtung mit
einem ersten Teil, einem zweiten Teil, einer Gasfeder mit einer
Druckkammer zum Abstützen
des zweiten Teiles gegenüber
dem ersten Teil parallel zu einer Stützrichtung und einer Einrichtung
zum Reduzieren einer Übertragung
von Schwingungen von dem ersten Teil auf den zweiten Teil.
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Die Erfindung betrifft auch ein lithografisches Gerät mit einer
Strahlenquelle, einem Maskenhalter, einer Fokussierungseinheit mit
einer Hauptachse, einer Positionierungsvorrichtung mit einem Substrathalter,
der gegenüber
der Fokussierungseinheit parallel zu einer X-Richtung, die senkrecht
zu der Hauptachse verläuft,
und parallel zu einer Y-Richtung verschiebbar ist, die senkrecht
zu der X-Richtung und senkrecht zu der Hauptachse verläuft, einem
Rahmen, der wenigstens die Fokussierungseinheit parallel zu der
Stützrichtung
hält, und
mit einer Basis, die den Rahmen mit Hilfe von wenigstens drei Stützvorrichtungen
hält, die
jeweils eine Stützkraft
auf den Rahmen ausüben,
die parallel zu der Stützrichtung gerichtet
ist.
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Eine Stützvorrichtung und ein lithografisches Gerät der oben
erwähnten
Arten sind aus WO-A-96/38766 bekannt. Das bekannte lithografische
Gerät wird
in der Fertigung von integrierten Halbleiterstromkreisen mittels
eines optischen lithografischen Prozesses benutzt. Die Strahlenquelle
in dem bekannten lithografischen Gerät ist eine Lichtquelle, während die
Fokussierungseinheit ein optisches Linsensystem ist, mittels dessen
ein partielles Muster eines integrierten Halbleiterstromkreises,
das sich auf einer Maske befindet, die auf einem Maskenhalter platziert
sein kann, in verkleinertem Maßstab auf
einem Halbleitersubstrat abbildet wird, welches auf dem Substrathalter
platziert sein kann. Solch ein Halbleitersubstrat umfasst eine Vielzahl
von Feldern, auf denen identische Halbleiterstromkreise erzeugt werden.
Die einzelnen Felder werden für
diesen Zweck durch die Maske fortlaufend nacheinander belichtet,
indem jedes Mal zwischen zwei fortlaufenden Belichtungsschritten
ein nächstes
Feld des Halbleitersubstrates mittels der Positionierungsvorrichtung in
Bezug zu der Fokussierungseinheit in Stellung gebracht wird. Dieser
Vorgang wird mit einer unterschiedlichen Maske, die jedes Mal ein
unterschiedliches partielles Muster umfasst, mehrmals wiederholt, so
dass integrierte Halbleiterstromkreise mit verhältnismäßig komplizierten Strukturen
hergestellt werden können.
Da diese Strukturen Detailabmessungen haben, die im Submikrometerbereich
liegen, sollten die partiellen Muster auf den fortlaufenden Masken
auf die Felder des Halbleitersubstrates mit einer Genauigkeit abgebildet
werden, die im Submikrometerbereich liegen. Der Substrathalter und
der Maskenhalter sollten während
des Betriebs dementsprechend genaue Stellungen relativ zur Fokussierungseinheit
einnehmen.
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Der Rahmen des bekannten lithografischen Gerätes wird
in eine vertikale Richtung mittels dreier Stützvorrichtungen der bekannten
Art gestützt,
und zwar durch die ersten Teile der Stützvorrichtungen, die an der
Basis des lithografischen Gerätes
befestigt werden, und durch die zweiten Teile der Stützvorrichtungen,
die am Rahmen befestigt werden. Der Rahmen des bekannten lithografischen
Gerätes
stützt nicht
nur die Fokussierungseinheit sondern auch den Maskenhalter und den
Substrathalter in der vertikalen Richtung, während die Basis auf einem Boden platzierbar
ist. Da der Substrathalter und der Maskenhalter während des
Arbeitsvorgangs relativ genaue Stellungen zur Fokussierungseinheit
einnehmen müssen,
müssen
Schwingungen des Rahmens so weit wie möglich während des Betriebs verhindert werden.
Solche Schwingungen des Rahmens können durch Schwingungen in
der Basis verursacht werden, die zum Beispiel von Fußbodenschwingungen
hervorgerufen werden. In dem bekannten lithografischen Gerät werden
außerdem
Schwingungen in der Basis von Reaktionskräften der Positionierungsvorrichtung
des Substrathalters und von Reaktionskräften einer weiteren Positionierungsvorrichtung
verursacht, wodurch der Maskenhalter relativ zur Fokussierungseinheit
verschiebbar ist. Dementsprechend dienen die drei Stützvorrichtungen
nicht nur dazu, den Rahmen in der vertikalen Richtung zu stützen, sondern
auch dazu, eine Übertragung
von Schwingungen von der Basis zum Rahmen zu verhindern.
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Die Druckkammer der Gasfeder der
bekannten Stützvorrichtung
wird von einem zylindrischen Gefäß und von
einer ringförmigen
Membran begrenzt, mittels derer das Gefäß in der Druckkammer der Gasfeder
aufgehängt
wird. Das Gefäß wird an dem
zweiten Teil mittels drei verhältnismäßig dünner Zugstäbe befestigt,
die im Gefäß po sitioniert
werden und die sich parallel zur Stützrichtung erstrecken. Um die Übertragung
der Schwingungen von der Basis zum Rahmen so weit wie möglich zu
verhindern, muss ein Massenfedersystem, gebildet von der Stützvorrichtung
und dem Rahmen zusammen mit den Komponenten des gestützten lithografischen Gerätes, natürliche Frequenzen
haben, welche parallel und vertikal zur Stützrichtung so niedrig wie möglich sind.
Die Druckkammer der Gasfeder der bekannten Stützvorrichtung hat ein verhältnismäßig großes Volumen,
um die möglichst
niedrigste, natürliche
Frequenz parallel zur Stützrichtung
für das
oben genannte Massenfedersystem sicherzustellen. Die oben erwähnten Zugstäbe haben
eine verhältnismäßig große Länge um für das Massenfedersystem
die niedrigst mögliche
natürliche
Frequenz vertikal zur Stützrichtung
zu erhalten.
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Ein Nachteil der bekannten Stützvorrichtung ist,
dass die darin benutzte Membran, welche die Druckkammer von der
Gasfeder abgrenzt, eine verhältnismäßig große Steifheit
besitzt, wodurch die natürliche
Frequenz des Massenfedersystem parallel zur Stützrichtung erhöht wird
und Schwingungen oder vom ersten Teil parallel zu der Stützrichtung
gerichtete Schwingungen teilweise auf den zweiten Teil übertragen
werden. Außerdem übt die Membran während des
Betriebs eine Dämpfungskraft
auf den zweiten Teil aus, wodurch die Übertragung von Schwingungen
mit einer verhältnismäßig hohen
Frequenz von dem ersten Teil zu dem zweiten Teil verbessert wird.
Außerdem
wird eine zulässige
Länge der
in der bekannten Stützvorrichtung
benutzten Zugstäbe
von einer bauseitigen zulässigen
Höhe beschränkt, welche
die Stützvorrichtung
parallel zur Stützrichtung
hat. Ein in vertikaler Richtung zur Stützrichtung minimal erreichbarer
Wert natürlicher
Frequenzen des Massenfedersystems ist dadurch ebenfalls beschränkt, so
dass auch Schwingungen vertikal zur Stützrichtung vom ersten Teil
teilweise auf den zweiten Teil übertragen
werden.
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Es ist eine Aufgabe der Erfindung
eine Stützvorrichtung
der im ersten Absatz erwähnten
Art zur Verfügung
zu stellen, dessen Steifheitswerte parallel und vertikal zur Stützrichtung
so niedrig wie möglich sind,
und ein lithografisches Gerät
der in dem zweiten Absatz erwähnten
Art zur Verfügung
zu stellen, in welchem ein Massenfeder system, gebildet von der Stützvorrichtung
und dem Rahmen zusammen mit den dadurch getragenen Komponenten des
gestützten
lithografischen Gerätes
natürliche
Frequenzen hat, welche parallel und vertikal zur Stützrichtung
so niedrig wie möglich
sind, so das eine Übertragung von
Schwingungen von dem ersten Teil zu dem zweiten Teil der Stützvorrichtung
und von der Basis zum Rahmen des lithografischen Gerätes so weit
wie möglich
verhindert wird.
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Die Stützvorrichtung entsprechend
der Erfindung ist zu diesem Zweck dadurch gekennzeichnet, dass die
Druckkammer von einer prismatischen Innenwand eines Zwischenteils
der Stützvorrichtung und
von einem Kolben begrenzt ist, der in dem Zwischenteil parallel
zu der Stützrichtung
verschiebbar ist und gegenüber
dem Zwischenteil in den Richtungen senkrecht zu der Stützrichtung
mittels eines statischen Gaslagers abgestützt ist, das sich zwischen der
Innenwand des Zwischenteils und einer Außenwand des Kolbens befindet,
wobei das Zwischenteil von dem ersten Teil parallel zu der Stützrichtung
gehalten ist, während
der Kolben an dem zweiten Teil befestigt ist.
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Das lithografische Gerät entsprechend
der Erfindung ist zu diesem Zweck dadurch gekennzeichnet, dass jede
darin benutzte Stützvorrichtung eine
Stützvorrichtung
entsprechend der Erfindung ist.
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Es ist zu beachten, dass dort, wo
der Ausdruck "zylindrische
innere Wand" benutzt
wird, hierunter eine innere Wand verstanden wird, welche die gleiche
Querschnittsfläche
jeder imaginären
Ebene besitzt, die vertikal zur Stützrichtung liegt (ie. prismatisch).
Dies deckt dementsprechend nicht nur kreisförmige Querschnitte ab, sondern
auch zum Beispiel Querschnittsflächen
einer gleichseitigen, polygonalen Form.
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Das oben erwähnte statische Gaslager übt im Wesentlichen
keine Kräfte
auf den Kolben parallel zur Stützrichtung
aus. Außerdem
ist der Kolben für den
Gebrauch eines Dichtungsspaltgerätes
zwischen der Außenwand
des Kolbens und der inneren Wand des Zwischenteiles für das Verschließen der Druckkammer
der Gasfeder geeignet.
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Solch ein Dichtungsspalt üben im Wesentlichen
auch keine Kräfte
auf den Kolben parallel zur Stützrichtung
aus. Die Stützvorrichtung,
entsprechend der Erfindung, hat damit eine Steifheit, die parallel
zur Stützrichtung
gesehen, im Wesentlichen ausschließlich von einer Steifheit der
Gasfeder bestimmt wird, so dass es möglich ist, eine Steifheit der Stützvorrichtung
zu erreichen, die parallel zur Stützrichtung so niedrig wie möglich ist
und durch eine geeignete Bauform der Gasfeder erreicht wird. Ein
Ergebnis ist, dass das Massenfedersystem in dem erfindungsgemäßen lithografischen
Gerät,
gebildet von der darin benutzten erfindungsgemäßen Stützvorrichtung und vom Rahmen
mit den Komponenten des dadurch gestützten lithografischen Gerätes, die
niedrigste mögliche
natürliche
Frequenz in paralleler Richtung zur Stützrichtung aufweist, so dass
die Übertragung
von Schwingungen parallel zur Stützrichtung
von der Basis zum Rahmen so weit wie möglich verhindert wird.
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Eine besondere Ausführung einer
erfindungsgemäßen Stützvorrichtung
ist dadurch gekennzeichnet, dass das statische Gaslager mit einer
Gaszufuhrleitung versehen ist, die in Verbindung mit der Druckkammer
steht. Das statische Gaslager benötigt aufgrund der Gaszufuhrleitung
keine weitere Gasversorgung, so das eine besonders einfache Konstruktion
des Kolbens und der dabei verwendeten statischen Gasversorgung erreicht
wird.
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Eine weitere Ausführung einer erfindungsgemäßen Stützvorrichtung
ist dadurch gekennzeichnet, dass das Zwischenteil gegenüber dem
ersten Teil parallel zu der Stütrrichtung
durch ein weiteres statisches Gaslager gehalten ist, durch das das
Zwischenteil über
eine Stützfläche des
ersten Teiles mit einer Verschiebungsmöglichkeit senkrecht zu der Stützfläche geführt ist.
Das weitere statische Gaslager hat parallel zur Stützrichtung
gesehen eine sehr hohe Steifheit, so das die Anwesenheit von dem
weiterem statischen Gaslager im Wesentlichen keinen Einfluss auf
die Steifheit hat, welche die Stützvorrichtung
parallel in Stützrichtung
besitzt und welche im Wesentlichen ausschließlich durch die Steifheit der Gasfeder
bestimmt wird. Das weitere statische Gaslager übt auf das Zwischenteil speziell
in Stützrichtung
im Wesentlichen keine Kräfte
aus, so dass das Zwischenteil im Wesentlichen relativ reibungslos
ver schiebbar zum ersten Teil senkrecht zur Stützrichtung ist. Dadurch hat
diese weitere Ausführung
der Stützvorrichtung
im Wesentlichen eine Steifheit, die senkrecht zur Stützrichtung
null ist. Die natürliche Frequenz
des Massenfedersystems, das von der darin benutzte Stützvorrichtung
gemäß dieser
weiteren Ausführung
und vom Rahmen mit den von ihm getragenen Komponenten des lithografischen
Gerätes
gebildet wird, ist damit senkrecht zur Stützrichtung des erfindungsgemäßen lithografischen
Gerätes
im Wesentlichen null, so dass die Übertragung von Schwingungen
vertikal zur Stütrrichtung
von der Basis zum Rahmen im Wesentlichen völlig verhindert ist.
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Eine noch weitere Ausführung einer
erfindungsgemäßen Stützvorrichtung
ist dadurch gekennzeichnet, dass sich das weitere statische Gaslager zwischen
der Stützfläche des
ersten Teiles und einer unteren Wand des Zwischenteiles befindet,
das die Druckkammer begrenzt. Das weitere statische Gaslager wird
mittels des Gasdruckes, der während
des Betriebs im Gaslager herrscht, parallel zur Stützrichtung
vorgespannt, so dass das weitere statische Gaslager keine weiteren
vorspannenden Einrichtungen erfordert und eine einfache Konstruktion
von dem weiteren statischen Gaslager bereitgestellt ist.
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Eine besondere Ausführung einer
Stützvorrichtung,
entsprechend der Erfindung, ist dadurch gekennzeichnet, dass das
statische Gaslager mit einer Gaszufuhrleitung versehen ist, die
mit der Druckkammer in Verbindung steht. Das weitere statische Gaslager
benötigt
infolge des Gebrauches der Gaszufuhrleitung keine zusätzliche
Gasversorgung, so dass eine besonders einfache Konstruktion des
weiteren statischen Gaslagers zur Verfügung steht.
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Eine weitere Ausführung einer Stützvorrichtung
entsprechend der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das
Zwischenteil einen Kanal enthält, durch
den die Druckkammer in Verbindung mit der Hauptkammer der Gasfeder
in dem ersten Teil steht. Der Gebrauch der Hauptkammer vergrößert im
Wesentlichen das Volumen der Gasfeder, so das die Steifheit der
Gasfeder parallel zur Stützrichtung
reduziert wird. Durch die Hauptkammer wird weiter erreicht, das
ein Volumen der in dem Zwischen teil angeordneten Druckkammer reduziert
werden kann, so das der verschiebbare Zwischenteil nur in den Abmessungen
beschränkt
werden muss.
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Eine weitere Ausführung einer Stützvorrichtung
entsprechend der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der
Kanal in der unteren Wand des Zwischenteiles angeordnet ist und
in einen weiteren Kanal übergeht,
der in der Stützfläche des
ersten Teils ausgebildet ist und in Verbindung mit der Hauptkammer
steht. Der Kanal in der unteren Wand und der weitere Kanal in der
Stützfläche stellen
eine einfache und praktische Verbindung zwischen der Druckkammer
und der Hauptkammer zur Verfügung, welche
dem Zwischenteil im Wesentlichen keine behindernden Kräfte, senkrecht
zur Stützrichtung
betrachtet, aufzwingt.
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Eine besondere Ausführung einer
erfindungsgemäßen Stützvorrichtung
ist die, in welcher sich das weitere statische Gaslager zwischen
der Stützfläche des
ersten Teiles und einer unteren Wand des die Druckkammer abgrenzenden
Zwischenteiles befindet und in welcher das weitere statische Gaslager
mit einer Gaszufuhrleitung versehen ist, die in Verbindung mit der
Druckkammer steht, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaszufuhrleitung
des weiteren statischen Gaslagers den Kanal in der unteren Wand
des Zwischenteiles enthält.
Der Kanal in der unteren Wand hat damit eine doppelte Funktion,
wodurch eine besonders einfache und praktische Konstruktion vom
weiteren statischen Gaslager und der darin benutzten Gaszufuhrleitung
geschaffen wird.
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Eine weitere Ausführung einer Stützvorrichtung
entsprechend der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass der
Kolben an dem zweiten Teil mittels eines Verbindungsteils befestigt
ist, das im Wesentlichen parallel zu der Stützrichtung unverformbar ist, und
das um zwei zueinander senkrechten Biegeachsen, die senkrecht zu
der Stützrichtung
liegen, biegbar ist. Der Gebrauch des Verbindungsteiles verhindert
so weit wie möglich
eine Übertragung
von Rotationserschütterungen
des ersten Teiles über
eine Drehachse, die senkrecht zur Stützrichtung zu dem zweiten Teil
liegt. Da solche Rotationserschütterungen
des ersten Teiles während
des Betriebs verhältnis mäßig klein
sind, sind die Rotationserschütterungen
des zweiten Teiles schon genügend
verhindert, wenn das Verbindungsteil eine beschränkte Biegungssteifheit über die
Biegesachsen besitzt. Da das Verbindungsteil in Richtung parallel
zur Stütrrichtung im
Wesentlichen unverformbar ist, hat die Anwesenheit des Verbindungsteiles
im Wesentlichen keinen Einfluss auf die Steifheit, welche die Stützvorrichtung parallel
zur Stützrichtung
besitzt.
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Eine noch weitere Ausführung einer
Stützvorrichtung
entsprechend der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das
Verbindungsteil einen Gummiring umfasst. Der Gebrauch des Gummiringes
ermöglicht
eine besonders einfache Konstruktion des Verbindungsteiles. Die
einfache Konstruktion ist mit einer Biegungssteifheit des Verbindungsteiles verbunden,
welche für
die meisten Anwendungen genügend
beschränkt
ist.
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Die Erfindung wird in mehr Einzelheiten
mit Bezug auf die Zeichnungen weiter unten ausführlicher erklärt. Es folgen
die Verweise auf die Zeichnungen.
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1 zeigt
ein lithografisches Gerät
entsprechend der Erfindung, 2 zeigt
eine graphische Ansicht des lithografischen Gerätes von 1, und
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3 zeigt
eine graphische Querschnittsansicht einer Stützvorrichtung, entsprechend
der Erfindung, die für
die Verwendung in dem lithografischen Gerät von 1 geeignet ist.
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Das erfindungsgemäße lithografische Gerät, gezeigt
in 1 und 2, ist für den Gebrauch in der lithographischen
Fertigung von integrierten Halbleiterstromkreisen geeignet. Die 1 und 2 zeigen das lithografische Gerät parallel
zu einer vertikalen Z-Richtung in folgender Reihenfolge: eine Positionierungsvorrichtung 1 mit
einem Substrathalter 3, eine Fokussierungseinheit 5,
eine weitere Positionierungsvorrichtung 7 mit einem Maskenhalter 9,
und eine Strahlenquelle 11. Das lithografische Gerät ist ein
optisches lithografisches Gerät,
in dem die Strahlenquelle 11 eine Lichtquelle 13,
eine Membran 15, und die Spiegel 17 und 19 umfasst,
während
die Fokus sierungseinheit 5 ein Abbildungs- oder ein Projektionssystem
ist, welches mit einem optischen Linsensystem 21 mit einer
optischen, parallel zu der Z-Richtung gerichteten Hauptachse 23 und
einem optischen Verkleinerungsfaktor, welcher zum Beispiel 4 oder 5 sein
kann, zur Verfügung
gestellt ist. Der Substrathalter 3 umfasst eine Stützfläche 25,
die sich senkrecht auf die Z-Richtung verlängert und auf welche ein Halbleitersubstrat 27 gesetzt
werden kann und die verschiebbar bezüglich zu der Fokussierungseinheit 5 parallel
zu einer X-Richtung welche senkrecht zur Z-Richtung, und parallel
zu einer Y-Richtung welche senkrecht zur X-Richtung und senkrecht
zur Z-Richtung mittels der Positionierungsvorrichtung 1 in
Stellung gebracht ist. Der Maskenhalter 9 umfasst eine
Stützfläche 29,
die sich vertikal zur Z-Richtung erweitert und auf die eine Maske 31 gesetzt
werden kann und die verschiebbar bezüglich zu der Fokussierungseinheit 5 parallel
zur X-Richtung mittels der weiteren Positionierungsvorrichtung 7 in
Stellung gebracht ist.
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Das Halbleitersubstrat 27 umfasst
eine Vielzahl von Feldern 33, auf welchen identische Halbleiterstromkreise
erzeugt werden, während
die Maske 31 ein Muster oder ein Untermuster von einem
einzelnen integrierten Halbleiterstromkreis beinhaltet. Während des
Betriebs werden die individuellen Felder 33 des Halbleitersubstrates 27 fortlaufend
nacheinander durch die Maske 31 belichtet. Ein Lichtstrahl 35,
der aus der Lichtquelle 9 entsteht, wird während eines
Belichtungsschrittes durch die Maske 31 über die
Membran 15 und die Spiegel 17 und 19 gelenkt, und
auf ein individuelles Feld 33 des Halbleitersubstrates 27 von
der Fokussierungseinheit 5 positioniert, so dass das Muster
auf der Maske 31 in verkleinertem Maßstab auf das Feld 33 des
Halbleitersubstrates 27 abgebildet wird. In dem lithografischen
Gerät wird
eine Abbildungsmethode gemäß dem sogenannten "Schritt und Tasten" Prinzip benutzt,
wobei das Halbleitersubstrat 27 und die Maske 31 jeweils während eines
Belichtungsschrittes bezüglich
der Fokussierungseinheit 5 parallel zu der X-Richtung mittels
der Positionierungsvorrichtung 1 beziehungsweise der weiteren
Positionierungsvorrichtung 7 synchron verschoben werden,
und nach einer Belichtung eines einzelnen Feldes 33 des
Halbleitersubstrates 27 jedes Mal ein nächstes Feld 33 bezüglich zur
Fokussierungseinheit 5 dadurch in Stellung gebracht wird,
dass der Substrathalter 3 stufen weise parallel zu der X-Richtung
und/oder parallel zu der Y-Richtung mittels des Positionierungsgerätes 1 verschoben
wird.
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Das Muster auf der Maske 31 wird
damit parallel zur X-Richtung abgetastet und auf den nachfolgenden
Feldern 33 des Halbleitersubstrates 27 abgebildet.
Dieser Prozess wird mehrfach wiederholt, jedes Mal mit einer anderen
Maske, welche verschiedene Muster oder Unter-Muster enthält, so dass
integrierte Halbleiterstromkreise mit schwierigen, überlagerten
Strukturen hergestellt werden können.
Solche Strukturen haben Detailmaße, die im Submikrometerbereich
liegen. Die Muster oder die Unter-Muster auf der Maske sollten dementsprechend
auf den Halbleitersubstraten mit einer Genauigkeit abgebildet werden,
die auch im Submikrometerbereich liegt, das bedeutet, dass sehr
strenge Anforderungen an die Genauigkeit gestellt werden, mit welcher
der Substrathalter 3 und der Maskenhalter 9 im
Verhältnis
zu der Fokussiereinheit 5 mittels der Positionierungsvorrichtung 1 und
der weiteren Positionsvorrichtung 7 in Stellung gebracht
werden können.
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Wie 1 weiter
zeigt, umfasst das lithografische Gerät eine Basis 37, die
auf einen horizontalen Boden gestellt werden kann. Das lithografische
Gerät umfasst
weiter ein Rahmen 39, der den Substrathalter 3,
die Fokussierungseinheit 5 und den Maskenhalter 9 parallel
zu einer vertikalen Stützrichtung
abstützt,
die sich parallel zur Z-Richtung
erweitert. Der Rahmen 39 wird mit einer dreieckigen, verhältnismäßig steifen
Metall-Hauptplatte 41 bereitgestellt, die sich quer zu
der optischen Hauptachse 23 von der Fokussierungseinheit 5 erstreckt
und eine zentrale Lichtübertragungsöffnung zur
Verfügung
stellt, die in 1 nicht
sichtbar ist. Der Substrathalter 3 wird über einen
Träger 43 des
Rahmens 39, welcher sich vertikal zu der Z-Richtung erweitert
und welcher an einer niedrigeren Seite von der Hauptplatte 41 mittels drei
vertikaler Aufhängungsplatten 45 aufgehängt wird,
verschiebbar geführt.
Es ist zu bemerken, dass nur zwei von drei Aufhängungsplatten 45 teilweise
in 1 sichtbar sind.
Die Fokussierungseinheit 5 ist an der Hauptplatte 41 mittels
eines Einbauringes 47 befestigt, welcher an der Fokussierungseinheit 5,
angrenzend an eine untere Seite, befestigt ist. Der Maskenhalter 9 wird über einen
weiteren Träger 49 des Rahmens 39,
der sich parallel zur X-Richtung erweitert, verschiebbar geführt. Der
weitere Trä ger 49 ist an
einer senkrechten, verhältnismäßig steifen
Metallsäule 51 des
Rahmens 39 befestigt, welcher auf der Hauptplatte 41 befestigt
ist. Die Basis 37 unterstützt den Rahmen 39 parallel
zu der vertikalen Stützrichtung
mittels dreier Stützvorrichtungen 53,
entsprechend der Erfindung, die wechselseitig in einem Dreieck angeordnet
sind und von denen jede eine Stützkraft
auf die Hauptplatte 41 des Rahmens 9 parallele zur
Stützrichtung
aufwendet. Die Hauptplatte 41 hat für diesen Zweck drei Eckgebiete 55,
mittels derer die Hauptplatte 41 auf den drei Stützvorrichtungen 53 ruht.
Es wird bemerkt, dass nur zwei der drei Eckgebiete 55 von
der Hauptplatte 41 und zwei der drei Stützvorrichtungen 53 in 1 sichtbar sind.
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Wie 1 zeigt
und 2 in Diagrammform zeigt,
umfasst die Positionierungsvorrichtung 1 einen ersten Teil 57 und
einen zweiten Teil 59, während die weitere Positionierungsvorrichtung 7 einen
ersten Teil 61 und einen zweiten Teil 63 umfasst.
Die ersten Teile 57 und 61 sind am Substrathalter 3 beziehungsweise
am Maskenhalter 9 befestigt, während die zweiten Teile 59 und 63 an
der Basis 37 befestigt sind. Die zweiten Teile 59 und 63 üben während des Betriebs
Antriebskräfte
auf die jeweiligen ersten Teile 57 und 61 aus,
worauf die ersten Teile 57 und 61 Reaktionskräfte auf
den jeweiligen zweiten Teilen 59 und 63 ausüben. Wie
man 1 erkennt, ist der zweite
Teil 59 der Positionierungsvorrichtung 1 an einem
verhältnismäßig steifen
Metallarm 65 befestigt, der an der Basis 37 befestigt
ist, während
der zweite Teil 63 der Positionierungsvorrichtung 7 an
einer weiteren verhältnismäßig steifen
Metallsäule 67 befestigt
ist, die auch an der Basis 37 befestigt ist. Die Reaktionskräfte von
der Positionierungsvorrichtung 1 und der weiteren Positionierungsvorrichtung 7 werden
damit auf die Basis 37 übertragen.
Schwingungen in der Basis 37 werden unter Einfluss der
erwähnten
Reaktionskraft verursacht. Da die Basis 37 auf einen Boden
gesetzt wird, werden Schwingungen auch in der Basis 37 unter
dem Einfluss von Schwingungen im Boden entstehen. Eine Übertragung
der Schwingungen in der Basis 37 durch die Stützvorrichtungen 53 im
Rahmen 39 muss während
des Betriebs so weit wie möglich
verhindert werden, weil der Rahmen 39 den Substrathalter 3,
den Maskenhalter 9 und die Fokussierungseinheit 5 parallel
zu der vertikalen Stützrichtung
stützt
und weil sehr strenge Anforderungen an die Genauigkeit gestellt
werden, mit denen der Substrathalter 3 und der Maskenhalter 9 bezüglich der
Fokussierungseinheit 5 jeweils von der Positionierungsvorrichtung 1 und
von der weiteren Positionierungsvorrichtung 7 in Stellung
gebracht werden können.
Die Stützvorrichtungen 53 sind
für diesen
Zweck, zum Verhindern einer Übertragung von
Schwingungen von der Basis 37 in den Rahmen 39 mit
Einrichtungen, die weiter unten im Detail ausführlicher beschrieben werden,
ausgestattet.
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Wie 3 zeigt,
enthält
die erfindungsgemäße Stützvorrichtung 53,
die in dem erfindungsgemäßen lithografischen
Gerät verwendet
wird, ein erstes Teil 69, welches an der Basis 37 des
lithografischen Gerätes
befestigt werden kann, ein zweites Teil 71, welches am
Rahmen 39 des lithografischen Gerätes befestigt werden kann und
eine Gasfeder 73 für
die Stützung
des zweiten Teiles 71 bezüglich zu dem ersten Teil 69 mittels
einer Stützkraft,
die parallel zu der vertikalen Stützrichtung gerichtet ist. Die
Gasfeder 73 enthält
eine Druckkammer 75, in der während des Betriebs ein verhältnismäßig hoher
Gasdruck vorherrscht. Die Druckkammer 75 wird von einer
zylindrischen inneren Wand 77 eines becherförmigen Zwischenteiles 79 der
Stützvorrichtung 53 und
von einem Kolben 81, der in dem Zwischenteil 79 parallele zur
Stützrichtung
verschiebbar ist, abgegrenzt. Der Kolben 81 umfasst eine
Hülse 83,
die bezüglich
zu dem Zwischenteil 79 senkrecht zur Stützrichtung mittels eines statischen
Gaslagers 85 gestützt
wird, das sich zwischen der zylindrischen inneren Wand 77 des Zwischenteiles 79 und
einer zylindrischen Außenwand 87 der
Hülse 83 befindet.
Das statische Gaslager 85 ist ein konisches Spaltlager,
das üblich
und an sich bekannt ist und mit einer Gaszufuhrleitung 89 versorgt
ist, die in der Hülse 83 bereitgestellt
ist und mit der Druckkammer 75 in Verbindung steht. Der Gebrauch
der Gaszufuhrleitung 89 sorgt dafür, dass in der Hülse 83 eine
besonders einfache und praktische Gasversorgung zu dem statischen
Gaslager 85 erreicht wird, so dass das statische Gaslager 85 und der
Kolben 81 eine einfache und praktische Konstruktion haben.
Angrenzend an eine untere Seite 91 der Hülse 83, ist zwischen
der inneren Wand 77 des Zwischenteiles 79 und
der Außenwand 87 der
Hülse 83 eine
Dichtungsspalteinrichtung 93 vorhanden, so dass ein Durchsickern
des Gases von der Druckkammer 75 entlang dem Kolben 81 so
weit so möglich verhindert
wird. Für
Gas, das entlang dem Dichtungs spalt 93 ausläuft und
für Gas,
das vom statischen Gaslager 85 strömt, wird zwischen dem Dichtungsspalt 93 und
dem statischen Gaslager 85, in der Außenwand 87 der Hülse 83,
eine Abfangnut 95 zur Verfügung gestellt. Die Abfangnut 95 ist
in Verbindung mit einer Anzahl von Absaugkanälen 97, die im Zwischenteil 79 zum
Abgeben des Gases in der Abfangnut 95 an die Umgebung bereitgestellt
sind. Die Verwendung der Abfangnut 95 und der Absaugkanäle 97 sorgt
dafür,
dass der Betrieb des statischen Gaslagers 85 nicht von
Gas beeinflusst wird, das entlang dem Dichtungsspalt 93 leckt.
Die Stützkraft,
die durch die Stützvorrichtung 53 parallel
zu der vertikalen Stützrichtung
geliefert wird, ist folglich die Gaskraft, die durch das Gas im
Druckraum 75 auf der ringförmigen unteren Seite 91 der
Hülse 83 und
auf die innere Wand 99 des Kolbens 81, der sich
quer zu der Stützrichtung
erstreckt, aufgewendet wird.
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Wie 3 darstellt,
wird der Kolben 81 an dem zweiten Teil 71 über ein
unten detaillierter beschriebenes Verbindungsteil 101 befestigt,
während das
becherförmige
Zwischenteil 79 bezüglich
dem ersten Teil 69 parallel zu der vertikalen Stützrichtung mittels
eines weiteren statischen Gaslagers 103 gestützt wird.
Das weitere statische Gaslager 103 ist auch ein konisches
Spaltlager, welches üblicher
und an sich bekannt ist und sich zwischen einer Stützfläche 105 des
ersten Teiles 69 und senkrecht zur vertikalen Stützrichtung
und einer unteren Wand 107 des Zwischenteiles 79 erstreckt;
diese untere Wand grenzt die Druckkammer 75 ab und erstreckt
sich auch senkrecht zu der vertikalen Stützrichtung. Der becherförmige Zwischenteil 79 wird über die
Stützfläche 105 von
dem ersten Teil 69 mittels des weiteren statischen Gaslagers 103 im
Wesentlichen reibungslos geführt
und ist damit im Wesentlichen bezüglich zu dem ersten Teil 69 in
Richtung senkrecht zur vertikalen Stützrichtung reibungslos verschiebbar.
Ein Durchgang 109 von der Gasfeder 73 wird zentral
in der unteren Wand 107 des Zwischenteiles 79 zur
Verfügung
gestellt. Der Durchgang 109 der Gasfeder 73 ist
gegenüber
einem weiteren Durchgang 111 angeordnet, der in der Stützfläche 105 des
ersten Teiles 69 bereitgestellt ist und in Verbindung mit
der Hauptkammer 113 der Gasfeder 73 steht, die
und in dem ersten Teil 69 angeordnet ist. Die Druckkammer 75 der
Gasfeder 73, die im Zwischenteil 79 bereitgestellt wird,
ist folglich in Verbindung mit dem Hauptraum 113 der Gasfeder 73,
die im ersten Teil
69 über
den Durchgang 109 und den weiteren Durchgang 111 bereitgestellt
wird. Wie 3 darstellt,
geht der konische Lagerspalt von dem weiteren statischen Gaslager 103 direkt
in den Durchgang 109 in der unteren Wand 107 des
Zwischenteils 79 über,
so dass der Durchgang 109 gleichzeitig eine Gaszufuhrleitung
in Verbindung mit der Druckkammer 75 für das weitere statische Gaslager 103 bildet.
Weil der Durchgang 109 in der unteren Wand 107 des
Zwischenteils 79 somit eine duale Funktion hat, kann eine
besonders einfache und praktische Konstruktion vom weiteren statischen
Gaslager 103 und dem benutzten darin enthaltenem Gasvorrat
realisiert werden. Die Tatsache, dass ein weiteres statisches Gaslager 103 zwischen
der Stützfläche 105 vom
ersten Teil 69 und der unteren Wand 107 des Zwischenteils 79 vorhanden ist,
ermöglicht
während
des Betriebs ein einfaches und praktisches Vorspannen des weiteren
statischen Gaslagers 103 parallel zu der vertikalen Stütrrichtung mittels
des in der Druckkammer 75 vorherrschenden Gasdruckes, entsprechend
eine Stützkraft
in Richtung parallel zur Stützrichtung
auf das Zwischenteil 79 durch das Gas in dem konischen
Lagerspalt von dem weiteren statischen Gaslager 103, das
einen großen
Umfang besitzt, die von einer auf der unteren Wand 107 vom
Gas in der Druckkammer 75 aufgewendeten Kraft in einer
Richtung entgegengesetzt zu der Stützkraft ausgeglichen wird.
Obwohl das Gas in dem konischen Lagerspalt des weiteren statischen Gaslagers 103 durchschnittlich
einen niedrigeren Druck als das Gas in der Druckkammer 75 hat,
ist solch eine Kompensation möglich,
weil eine Oberfläche
der unteren den Lagerspalt anliegenden Wand 107 größer als
eine Oberfläche
der unteren die Druckkammer 75 anliegenden Wand 107 ist.
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Die Gasfedern 73 der erfindungsgemäßen Stützvorrichtungen,
die in dem erfindungsgemäßen lithografischen
Gerät zusammen
mit dem Rahmen 39 und den Komponenten des lithografischen
Gerätes,
unterstützt
vom Rahmen 39, verwendet werden, bilden ein Massenfedersystem
in welchem der Rahmen 39 parallel zu der vertikalen Stützrichtung
und senkrecht zur vertikalen Stützrichtung
bezüglich
zur Basis 37 verschiebbar und bezüglich zur Basis 27 über eine
Drehachse drehbar ist, die parallel zur senkrechten Stützrichtung
und über
zwei gegenseitig senkrechte Drehzapfenachsen drehbar gelagert ist, welche
senkrecht zur vertikalen Stützrichtung
liegen. Ver schiebungen des Rahmens 39 bezüglich zur
Basis 37 in Richtung parallel zur Stützrichtung sind dadurch möglich, dass
der Kolben 81 der Stützvorrichtung 53 im
Zwischenteil 79 parallel zur Stützrichtung verschiebbar ist,
weil Verschiebungen des Rahmens bezüglich der Basis 37 senkrecht
zu der Stützrichtung
möglich
sind, in dem das Zwischenteil 79 der Stützvorrichtung 53 bezüglich zu
den ersten Teilen 69 senkrecht zur Stützrichtung verschiebbar ist.
Umdrehungen des Rahmens 39 über eine Drehachse in Richtung
parallel zur Stützrichtung
sind dadurch möglich,
dass die Zwischenteile 79 der Stützvorrichtungen 53 durch
den Gebrauch von den weiteren statischen Gaslagern 103 bezüglich der
ersten Teile 69 über
eine Drehachse parallel zur Stützrichtung
drehbar sind. 3 zeigt
die Verbindungsteile 101, wobei jedes von ihnen einen einfachen
Gummiring 115 enthält,
der im Wesentlichen parallel zur Stütrrichtung unverformbar und
dazu fähig
ist, sich dabei über
zwei gegenseitig senkrechte Biegungsachsen, welche senkrecht zur
Stützrichtung
sind, zu verbiegen. Um eine Übertragung
von Schwingungen von der Basis 37 zum Rahmen 39 von
dem lithografisch Gerät
und von den ersten Teilen 69 zu den zweiten Teilen 71 der Stützvorrichtungen 53 so
weit wie möglich
zu verhindern, hat das Massenfedersystem natürliche Frequenzen, die so niedrig
wie möglich
parallel zur Stützrichtung
gesehen, senkrecht zur Stützrichtung gesehen,
um die Drehachse, welche parallel zur Stützrichtung ist, gesehen und
in Richtung Drehzapfenachsen, welche sich senkrecht zur Stützrichtung befinden,
gesehen sind, i. e. haben die Stützvorrichtungen 53 eine
Steifheit, die in den Richtungen parallel zur Stützrichtung, vertikal zur Stützrichtung,
um die Drehachsen parallel zur Stützrichtung und um die Drehzapfenachsen
vertikal zur Stütrrichtung
so niedrig wie möglich
ist.
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Eine möglichst niedrige Steifheit
der Stützvorrichtung 53 parallel
zur Stützrichtung
wird dadurch erzielt, dass der Gasfeder 73 ein Volumen
gegeben wird, das so groß wie
möglich
ist. Die Gasfeder 73 ist hierfür mit der oben beschriebenen
Hauptkammer 113 zusätzlich
zu der Druckkammer 75 ausgestattet; die Hauptkammer ist
in Verbindung mit der Druckkammer 75. Die Hauptkammer 113 ermöglicht es, das
Volumen der Druckkammer 75 zu reduzieren, so dass die Abmessungen
und das Gewicht der verschiebbaren Zwischenteile 79 beschränkt bleiben können. Überdies kann
ein Gasanschlusskanal der Gasfeder 73 (nicht in den Abbildungen
gezeigt), mittels dessen ein durchschnittlicher Gasdruck in der Gasfeder 73 konstant
gehalten wird, mit der Hauptkammer 113 verbunden werden.
Da die erfindungsgemäße Druckkammer 74 von
dem Kolben 81 abgegrenzt ist, welcher im Zwischenteil 79 mittels
des statischen Gaslagers 85 verschiebbar geführt ist,
ist die Steifheit der Stützvorrichtung 53 parallel
zur Stützrichtung
im Wesentlichen ausschließlich
von der Steifheit der Gasfeder 73 bestimmt. Wie gesehen, wendet
das statische Gaslager 85 an dem Dichtungsspalt 93 in
der Tat im Wesentlichen keine Reibungskräfte auf dem Kolben 81 parallel
zu der Stützrichtung
auf. Genau so wenig ist die Steifheit der Stützvorrichtung 53 parallel
zur Stützrichtung
im Wesentlichen durch die Anwesenheit des Verbindungsteils 101 beeinflusst,
welches im Wesentlichen unverformbar parallel zur Stützrichtung
ist, oder durch die Anwesenheit des weiteren statischen Gaslagers 103, das
auch eine sehr große
Steifheit parallel zu der Stützrichtung
betrachtet aufweist. Weil die Steifheit der Stützvorrichtung 53 parallel
zur Stützrichtung
ist im Wesentlichen ausschließlich
von der Steifheit der Gasfeder 73 bestimmt ist, erreicht
eine geeignete Bauform der Druckkammer 75 und der Hauptkammer 113 wird
eine genügend
niedrige Steifheit der Gasfeder 73, so dass die Übertragung
von Schwingungen parallel zur Stützrichtung
von dem ersten Teil 69 zu dem zweiten Teil 71 von
der Stützvorrichtung 53 so weit
wie möglich
verhindert wird.
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Die Tatsache dass das Zwischenteil 79 der Stützvorrichtung 53 über die
Stützfläche 105 des
ersten Teiles 69 mittels des weiteren statischen Gaslagers 103 im
Wesentlichen reibungslos verschiebbar ist, bedeutet, dass die Stützvorrichtung 53 eine
Steifheit hat, die in Richtung vertikal zur Stützrichtung im Wesentlichen
null ist, während
das Massenfedersystem des oben erwähnten lithografischen Gerätes eine
natürliche
Frequenz besitzt, die senkrecht zur Stützrichtung ebenfalls im Wesentlichen
null ist. Eine Übertragung
von Schwingungen, von der Basis 37 in Richtung senkrecht
zur Stützrichtung
und dem ersten Teil 69 zu dem Rahmen 39 und dem
zweiten Teil 71 ist dadurch im Wesentlichen völlig verhindert.
Die Stützvorrichtung 53 hat
eine Steifheit, die wieder um die Rotationsachse verlängernd parallel
zur Stützrichtung
im Wesentlichen null ist, weil das Zwischenteil 79 der
Stützvorrichtung 53 über die
Stützfläche
105 des
ersten Teils 69 infolge von dem Gebrauch von dem weiteren
statischen Gaslager im Wesentlichen reibungslos drehbar ist, damit
die Übertragung von
Rotationserschütterungen
des ersten Teils 69 über
die Rotationsachse verlängert
parallel zur Stützrichtung
auf das zweite Teil 71 der Stützvorrichtung 53 auch
im Wesentlichen völlig
verhindert wird.
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Die Stützvorrichtung 53 hat
eine Steifheit, welche um eine Drehachse, die sich parallel zur Stützrichtung
erstreckt, wieder im Wesentlichen ist null, weil das Zwischenteil 79 der
Stützvorrichtung 53 im
Wesentlichen reibungslos über
die Stützfläche 105 des
ersten Teiles 69 infolge des Gebrauches von dem weiteren
statisch Gaslager 103 drehbar ist, so dass die Übertragung
von Rotationsschwingungen von dem ersten Teil 69 über eine
Drehachse, die sich parallel zur Stützrichtung erweitert, zu dem
zweiten Teil 71 der Stützvorrichtung 53 im
Wesentlichen auch völlig
verhindert ist.
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Der Gummiring 115, der im
Verbindungsteil 101 benutzt wird, hat eine begrenzte Biegungssteifheit über die
Biegungsachsen, die zur Stützrichtung senkrecht
stehen. Es ist allerdings zu bemerken, dass ein alternatives Verbindungsteil
anstelle vom Verbindungsteil 101 mit dem Gummiring 115 benutzt werden
kann, wenn eine kleinere Biegungssteifheit des Verbindungsteiles
gewünscht
wird oder eine beschränkte
Biegungssteifheit des Verbindungsteiles sogar unerwünscht ist.
So kann zum Beispiel ein Kugelgelenk mit beispielsweise einem statischen
Gaslager anstelle vom Gummiring 115 verwendet werden.
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Wie oben diskutiert wurde ist der
zweite Teil 71 der Stützvorrichtung 53 bezüglich des
ersten Teils 69 in Richtung parallel zur Stützrichtung
und vertikal zur Stütrrichtung
verschiebbar, drehbar über
eine Drehachse, die sich parallel zur Stützrichtung erweitert und über zwei
gegenseitig senkrechte Drehzapfenachsen drehbar gelagert, welche
senkrecht zur vertikalen Stützrichtung
liegen. Es ist zu bemerken, dass die Stützvorrichtung 53 oder
das lithografische Gerät
entsprechend der Erfindung mit Einrichtungen versorgt werden können, um
solche Verschiebungen, Umdrehungen, und Schwenkbewegungen zu verhindern
oder zu beschränken.
Damit kann zum Bei spiel ein System von Bewegungsdämpfern zwischen
dem ersten Teil 69 und dem zweiten Teil 71 erzeugt
werden. Eine vorteilhafte Konstruktion wird erreicht, wenn ein System
von Lorentzkraft Stellantieben, üblich
und an sich bekannt, zwischen dem ersten Teil 69 und dem
zweiten Teil 71 benutzt wird. Da solche Lorentzkraft Stellantiebe
kontaktlos sind, übertragen
solche Lorentzkraft Stellantiebe keine Schwingungen vom ersten Teil 69 und
dem zweiten Teil 71. Jede der drei Stützvorrichtungen 53 in
dem erfindungsgemäßen lithografischen
Gerät kann
zum Beispiel mit einem Paar Lorentzkraft Stellantieben bereitgestellt werden,
in welchem Fall die drei Paare von Lorentzkraft Stellantieben der
drei Stützvorrichtungen 53 in Kombination
dazu dienen, die Verschiebungen, Umdrehungen und Schwenkbewegungen
des Rahmens 39 bezüglich
zu der Basis 37 zu verhindern oder zu beschränken. Bezugsziffer 117 in 3 zeigt solch ein Paar Lorentzkraft
Stellantiebe in Diagrammform und Bezugsziffer 119 zeigt
einen Beschleunigungssensor, der mit den Lorentzkraft Stellantrieben
für eine
Messbeschleunigung des zweiten Teils 71 zusammenarbeitet.
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Eine Belichtungsmethode, gemäß dem "Schritt und Tasten" Prinzip wird in
dem lithografischen Gerät
gemäß der oben
beschriebenen Erfindung verwendet. Es muss bemerkt werden, dass
die Erfindung sich auch auf lithografische Geräte bezieht, in welchen eine
Belichtungsmethode gemäß dem "Schritt und wiederholen" Prinzip benutzt
wird, bei der die Maske und das Halbleitersubstrat in konstanter
Position bezüglich
zur Fokussierungseinheit während
der Belichtung des Halbleitersubstrates gehalten werden.
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Der Rahmen 39 stützt nicht
nur die Fokussierungseinheit 5 sondern auch den Substrathalter 3 und
den Maskenhalter 9 in dem lithografischen Gerät entsprechend
der oben beschriebenen Erfindung. Es ist zu bemerken, dass sich
die Erfindung auch auf lithografische Geräte bezieht, in denen der Substrathalter
und der Maskenhalter von anderen Teilen des lithografischen Gerätes unterstützt werden.
Da die Fokussierungseinheit mindestens eine genau definierte Stellung
in solchen lithografischen Geräten einnehmen
muss, bezieht sich die Erfindung auf lithografische Geräte, in denen der
Rahmen gestützt
von den erfindungsgemäßen Stützvorrichtungen
mindestens die Fokussierungseinheit stützt.
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Es sei weiter bemerkt, dass eine
erfindungsgemäße Stützvorrichtung
nicht nur in einem lithografischen Gerät benutzt werden kann, sondern
auch zum Beispiel in Nachbearbeitungsmaschinen, Werkzeugmaschinen,
und anderen Maschinen oder Geräten
in denen die Übertragung
von Schwingungen zu gewissen von der Stützvorrichtung gestützten Komponenten
so weit wie möglich
verhindert werden soll.
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Schließlich ist zu bemerken, dass
die Erfindung auch Stützvorrichtungen
abdeckt, in denen das Zwischenteil bezüglich dem ersten Teil unverschiebbar
befestigt ist. In solch einer Stützvorrichtung
wird eine Übertragung
von zu der Stützrichtung
gerichteten Schwingungen von dem ersten Teil zu dem zweiten Teil
nicht verhindert, aber solche Übertragung kann
für gewisse
Anwendungen der Stützvorrichtung zulässig sein,
zum Beispiel, wenn die senkrecht zur Stützrichtung gerichteten Schwingungen
vernachlässigbar
klein sind.