DE69530272T2 - Implantierbare Vorrichtung mit Schutzmitteln gegen elektromagnetische Störungen - Google Patents

Implantierbare Vorrichtung mit Schutzmitteln gegen elektromagnetische Störungen Download PDF

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Description

  • Die Erfindung betrifft den Schutz von implantierbaren, aktiven Vorrichtungen, insbesondere Herzschrittmacher oder Herzdefibrillatoren.
  • In dieser Hinsicht ist die Erfindung, obwohl im Folgenden in der Beschreibung man hauptsächlich Bezug nimmt auf den Fall eines Schrittmachers, anwendbar an jede Art von "aktive implantierbare medizinische Vorrichtung", wie sie definiert ist durch die Richtlinie 90/385/CEE vom 20. Juni 1990 des Europarates.
  • Ein derartiger Schutz ist insbesondere dafür bestimmt, ein normales Funktionieren der implantierbaren Vorrichtung sicherzustellen, wie auch immer die Umgebungsbedingung sind, insbesondere bei Vorhandensein von elektromagnetischen Interferenzen, welche von außen kommen.
  • Wegen der verschiedenen Elektroden, welche mit der implantierbaren Vorrichtung verbunden sind, kann diese letztere tatsächlich jede Arten von elektromagnetischen Störungen empfangen, welche von diversen Quellen, wie z. B. elektrischen Motoren, Fernsehern, Induktionsplatten, Funktelefonen, Detektionsportalen von Zugangssystemen oder Antidiebstahlschutzsystemen, etc. kommen. Es ist ebenso gleichermaßen für eine gewisse Anzahl von medizinischen Geräten, welche im Verlaufe von Operationen verwendet werden, wie z. B. Operationselektroden, Instrumente einer Kauterisation mit Wechselstrom, Defibrillatoren, etc.
  • Diese Störungen können von sehr unterschiedlicher Art sein: kurze oder längere Überspannungen, induzierte Ströme, radioelektrische Signale mit sehr verschiedenen Spektralcharakteristika (die sich typischerweise von einem kHz bis mehreren MHz erstrecken) etc., was die Realisierung eines Schutzes des Schrittmachers, welcher vollständig und effizient in allen Umständen ist, schwierig macht.
  • Diese äußeren Parasiten bzw. Störungen, welche häufig unter dem Begriff "EMI" (Electro Magnetic Interference) bezeichnet werden, welche man hier "elektromagnetische Störung" oder einfach "Störungen" nennen wird, haben zunächst als Wirkung, sich über das Herzsignal drüberzulegen unter der Gefahr, das Funktionieren des Schrittmachers zu stören, welcher sie somit detektieren muss und wenn sie eine gegebene Schwelle überschreiten, welche gegeben ist trotz der Schutzeinrichtungen oder Unterdrückungsschaltungen des Schrittmachers, muss dieser letztere sich in eine Modus "Störung" setzen, in welcher er auf autonome Weise funktionieren wird solange die Höhe der Störung nicht wieder zurückfällt unterhalb von einer gewissen Schwelle.
  • Eine andere Wirkung von Störungen, welche durch den Schrittmacher empfangen werden, ist das Risiko einer Zerstörung auf Grund von exzessiven Spannungen oder Strömen, welche in die Schaltkreise des Schrittmachers eindringen; es ist daher absolut unerlässlich, die Spannungen und Ströme in den Herzsonden am Eingang des Apparates zu begrenzen.
  • Sehr strenge Normen wurden in diesem Sinne definiert und man kann auf die Norm CENELEC EN 50061, Änderung 1, "Sicherheit von implantierbaren Herzschrittmachern" Bezug nehmen, welche die Höhen eines minimalen Schutzes sowie eine gewisse Anzahl von Testverfahren zum Verifizieren der Konformität von Schrittmachern mit der Norm definiert.
  • Bis heute wird der Schutz gegen Störungen von äußerem Ursprung mittels Zener-Dioden realisiert, in der Form von schlichten Bauteilen, welche dem Mirkoschaltkreis des Schrittmachers zugefügt sind und am Eingang montiert sind, an der Stelle des Anschlusses von verschiedenen Sonden. Diese Zener-Dioden stellen eine Begrenzung von Überspannungen sicher, welche imstande sind am Eingang des Schrittmachers aufzutreten (Begrenzung in der Zener-Spannung der Diode), wobei die Montage von Dioden ebenso dafür konzipiert ist, einen symmetrischen Schutz sicherzustellen, um insbesondere jeden Demodulationseffekt in dem Fall von alternativen, hochfrequenten Störungen zu vermeiden.
  • Ein derartiger, bekannter Schutz durch Zener-Dioden, welche am Eingang des Schrittmachers hinzugefügt sind, weist jedoch den Nachteil auf, den Raumbedarf von Schaltkreisen des Schrittmachers zu erhöhen auf Grund der Notwendigkeit, diskrete, zusätzliche Bauteile in ihrer Anzahl stark erhöht, hinzuzufügen (jeder der Anschlüsse eines Eingangs/Ausgangs des Schrittmachers erfordert mindestens zwei Dioden), was entgegen der gesuchten Miniaturisierung läuft, insbesondere in den komplexen Geräten, wie z. B. Doppel- oder Dreifach-Kammer-Schrittmacher, Schrittmacher, welche mit einem Regelungssensor verbunden sind, Defibrillatoren, etc.
  • Was ihre Effizienz betrifft, stellen diese Schutzschaltkreise mit Zener-Dioden einen zufriedenstellenden Schutz sicher gegenüber hohen Spannungen, welche z. B. mit Defibrillationsstößen verbunden sind.
  • Dagegen können Störungsspannungen von viel schwächeren Amplituden empfangen oder demoduliert werden im Fall von elektromagnetischen Interferenzen und können Probleme mit den niedrigen Spannungsschaltkreisen des Schrittmachers verursachen. Die klassischen Schaltkreise mit Zener-Dioden sind ineffektiv gegenüber derartiger Störungen.
  • Dieses Risiko ist besonders verstärkt im Fall, wo die Schaltkreise des Schrittmachers aktive, integrierte Bauteile aufweisen, welche mit nominalen Steuerspannungen funktionieren (Gitterspannung einer MOS, insbesondere) relativ niedrig, wie dies z. B. in der US-A-4 739 437 beschrieben ist. Dieses Risiko ist im Übrigen derart, dass bis heute diese Bauteile mit schwacher Steuerspannung nicht in implantierbaren Vorrichtungen verwendet wurden, was zu einem Verzichten von Vorteilen der neuesten Halbleitertechnologien führt, insbesondere ihre hohe Integ rationsdichte und ihr schwacher Verbrauch-Eigenschaften, welche jedoch besonders gesucht werden für autonome, implantierbare Vorrichtungen.
  • Es ist eine der Aufgaben der vorliegenden Erfindung, eine aktive implantierbare Vorrichtung, insbesondere einen Herzschrittmacher oder einen Herzdefibrillator vorzuschlagen, welcher Schutzschaltungen aufweist, welche eine Immunität gegenüber elektromagnetischen Störungen bieten, wobei er eine große Vielfalt von elektrischen und spektralen Eigenschaften aufweist, wobei er somit in allen Umständen ein Einhalten von noch strengeren Schutznormen sicherstellt.
  • Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, die Realisierung einer derartigen Vorrichtung gemäß einer Technologie zu erlauben, die nominale, schwache Steuerspannungen umsetzt bei einem Bieten eines Schutzes, der konform mit den geltenden Normen ist.
  • Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, zu der Miniaturisierung einer Vorrichtung beizutragen unter Reduzieren auf ein Minimum die Anzahl von diskreten Bauteilen, welche den Schutzschaltungen zugefügt werden.
  • Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, Schutzschaltungen vorzuschlagen, welche nutzbar und anpassbar sind an verschiedene Integrationstechnologien (z. B. eine Technologie die teilweise bipolar und teilweise CMOS ist oder eine monolithische Technologie BiCMOS).
  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung vom Typ, welcher aus der US-A-4 739 437 bekannt ist, d. h. bei der zumindest alle aktiven Bauteile der Schutzmittel gegen elektrische Störungen vom äußeren Ursprung integrierte Komponenten bzw. Bauteile in monolithischer Art sind wie auch die Mikroschaltung, welche die Eingangsstufen von Signalen und die Kommutationsstufen von Elektroden aufweist. und die Kommutationsstufen statische Schalter aufweisen mit einer Steuerspannung, die größer ist zu der Spannung der Versorgungsbatterie der Vorrichtung, wobei die Vorrichtung logische Steuersignale mit einer Spannung liefert, die niedriger ist als die Steuerungsspannung.
  • Gemäß der Erfindung weisen die Schutzmittel Spannungstranslatorenmittel auf, um im Absolutwert den Pegel der logischen Steuerungssignale auf einen Wert zu erhöhen, der kompatibel ist mit den Steuerungsspannungen der statischen Schalter und höher ist oder gleich dem nominalen Pegel parasitärer Spannungen, die aus elektromagnetischen Störungen resultieren, die in der Lage sind, an den Anschlussklemmen der statischen Schalter aufzutreten.
  • Andere Vorteile und Merkmale werden in den Unteransprüchen angegeben.
  • Andere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden beim Lesen der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung eines Ausführungsbeispiels offenbart, welche in Bezug auf die angefügten Zeichnungen erfolgt.
  • 1 ist ein schematisches Blockschaltbild von einem der Mikroschaltkreise eines Herzschrittmachers, welcher Mikroschaltkreis die Schaltungen der Schalter der Elektroden, eines Schutzes und einer Versorgung umfasst.
  • 2 ist ein Diagramm, welches die verschiedenen Spannungen zeigt, welcher in der Schaltung aus 1 erzeugt werden, und insbesondere die Höhe zwischen welchen diese Spannung variieren.
  • 3 ist eine detaillierte Schemadarstellung, welche die Struktur der Versorgungsschaltung aus 1 zeigt.
  • 4 ist ein vergrößertes Schema eines Teils der Schaltung aus 1, welches die Organe bzw. Einrichtungen einer dynamischen Polarisierung und eines Schutzes gegenüber Spannungen zeigt.
  • 5 ist eine detaillierte Schemadarstellung der inneren Struktur von Schutzorganen gegen die Überspannungen der Schaltungen der 1 und 4.
  • Die Konfiguration, welche man beschreiben wird, entspricht derjenigen eines Doppelkammerschrittmachers jedoch ist dieses Beispiel selbstverständlich nicht beschränkend und die Erfindung kann angewendet werden ebenso auf einfach Schrittmacher oder Dreifachkammern-Schrittmachern, geregelte oder nicht geregelte Schrittmacher, (also eine oder mehrere zusätzliche Elektroden eines Messens von einem physiologischen Parameter aufweisen), auf den Teil der Detektion/Stimulation eines Defibrillators oder auch auf andere, aktive implantierbare Vorrichtungen als Herzbezogene.
  • In 1 bezeichnet das Bezugszeichen 10 ein Herz, an welchem man verschiedene Elektroden verbunden hat, deren Konfiguration derjenigen eines Doppelkammerschrittmachers entspricht, d. h. aurikuläre distale 12 und proximale 14 Elektroden und ventrikulare distale 12' und proximale 14'' Elektroden (diesbezüglich wird man feststellen, dass in dem beschriebenen Beispiel die Schaltungen und Elemente betreffend die ventrikulare Detektion und Stimulation durch die gleiche Referenzzahl bezeichnet sind mit unter Hinzufügen eines "Strichs" wie die entsprechende ähnliche Schaltung und Elemente für die aurikulare Stimulation und Detektion).
  • Die unterschiedlichen Herzelektroden sind mit einer ersten Mikroschaltung 16 des Schrittmachers verbunden. Das Gehäuse des Schrittmachers wird in regelmäßigen Abständen mit der Erde bzw. Masse der Schaltung verbunden, welche der Klemme 18 entspricht, insbesondere im Fall einer einpoligen Detektion oder einer einpoligen Stimulation.
  • Die Herzelektroden und das Gehäuse weisen mehrere elektrische Zustände auf (Detektion oder auch Stimulation, monopolarer oder auch bipolarer), was die Realisierung von Schaltungen erfordert, welche gemäß einer besonderen Sequenzgebung gesteuert wird.
  • Noch genauer ist die aurikulare Elektrode 12 mit einer Klemme 20 über einen Stimulationskondensator 22 verbunden, wobei die Klemme 20 durch einen Schalter 24 umgeschaltet werden kann auf einen äußeren Kondensator 26, dessen andere Klemme mit der Nullspannung verbunden ist (bezeichnet mit VDD in dem Schema, und welches der positiven Klemme bzw. Anschluss der Batterie entspricht), oder auch direkt mit VDD über einen anderen Schalter 28.
  • Die aurikularen Elektroden 12 und 14 sind ebenso mit Klemmen 30 und 32 verbunden, welche dafür bestimmt sind, eine bipolare Detektion zu ermöglichen (mittels der Differenzialspannung) von der Herzaktivität, wobei diese Klemmen durch jeweils äußere Kondensatoren 34 und 36 entkoppelt sind, welche die Filterung von hochfrequenten Störungen (höher als 1 MHz) sicherstellen.
  • Schalter 38 und 40 setzen einen Eingangswiderstand 42 außer Schaltung (während der Stimulation) oder in Schaltung (außerhalb der Stimulation) zum Auslassen von Restladungen, welche nach der Stimulation an der Schnittstelle Herz-Elektrode weiter bestehen bleiben. Der Schalter 44 ist durchlassend im Fall einer bipolaren Detektion und sperrend im Fall einer monopolaren Detektion und der Schalter 46 hat eine umgekehrte Funktionsweise. Das detektierte Signal wird danach über Leitungen 48 in Richtung zu den Differenzialverstärkern einer Detektion (nicht wiedergegeben) geleitet.
  • Die Mikroschaltung 16 weist auch einen Schalter 50 für das Einschalten der aurikularen Erde auf (Fall einer Stimulation); bei Nichtvorhandensein einer Kommutation ist die entsprechende Elektrode (Klemme 32) mit der Erde über einen Widerstand 52 von einigen Zehn Megaohm verbunden, welcher ermöglicht, an dieser Klemme 32 ein statisches Nullpotential aufrechtzuerhalten.
  • Die ventrikulare Stimulationsschaltung ist die gleiche, wie diejenige, die man beschrieben hat, wobei die Elemente 20' bis 52'' identisch zu den Elementen 20 bis 52 sind, welche man näher ausgeführt hat.
  • Die Schaltung weist noch einen Schalter 54 auf, welcher für das selektive Einschalten der Erde des Gehäuses (Klemme 18) bestimmt ist.
  • Diese unterschiedlichen Schalter ermöglichen es, alle die Konfigurationen einer Stimulation und einer Detektion sicherzustellen, ebenso im bipolaren Modus wie auch im monopolaren Modus. Dies sind statische Schalter mit Transistoren, wie MOS oder äquivalente Strukturen.
  • Im Fall eines geregelten bzw. getriggerten Schrittmachers können sie gegebenenfalls durch einen oder mehrere zusätzliche Schalter vervollständig werden, z. B. im Fall eines Schrittmachers, welcher über die Atmungsaktivität geregelt wird, zum Sicherstellen der Entladung des Injektionskondensators.
  • Andere Schalter können ebenso vorgesehen werden, z. B. im Fall eines implantierbaren Defibrillators.
  • Die Rolle und der Betriebsmodus von diesen unterschiedlichen Kommutationen sind selbst hinlänglich bekannt und werden aus diesem Grund nicht mehr im Detail beschrieben werden.
  • Die Mikroschaltung 16 aus 1, welche eine Mikroschaltung ist, von der alle Komponenten in einer monolithischen Weise integriert sind, wird einer zweiten Mikroschaltung (nicht dargestellt) hinzugefügt, welche ebenso auf monolithische Weise integriert ist und eine logische Steuerschaltung aufweist, z. B. eine Schaltung mit Mikroprozessor oder eine passende, äquivalente Logik, die an sich hinlänglich bekannt sind. Diese logische Steuerschaltung liefert insbesondere logische Signale 56 eines Steuerns der Schalter und Zeit- bzw. Takt-Signale 68, welche von der Mikroschaltung verwendet werden.
  • Auf für die Erfindung charakteristische Weise steuert man die verschiedenen Schalter ausgehend von logischen, nicht symmetrischen Signalen und bei schwachem Pegel (d. h. ein Pegel der nicht größer ist als der Spannungspegel der Batterie), jedoch unter Herstellen einer Gitterspannung, welche einen Abstand zwischen den entsprechenden Spannungen im Durchgangszustand oder "ON" und im Sperrzustand oder "OFF" aufweisen, welcher Abstand nachfolgend bezeichnet wird als "Spannungsauslenkung", welche (1°) sehr viel höher im Absolutwert ist als die logischen Signalwerte, und welche (2°) im Wesentlichen symmetrisch zu dem Nullpotential ist, d. h. dem Ruhepotential von allen Eingängen und Ausgängen des Schrittmachers (Potential VDD = 0 V).
  • Während die eventuellen Interferenzen sich über dieses Ruhepotential legen, ermöglicht es eine große Auslenkungsspannung, Risiken von ungewollten Kommutationen loszuwerden und der symmetrische Spannungsbereich im Verhältnis zum Ruhepotential verhindert jedes Risiko, welches mit einer Signaldemodulation im Fall einer wechselnden Störung mit hoher Frequenz verbunden ist.
  • In dem dargestellten Beispiel sind die Schalter MOS-Transistoren vom Typ N, deren Gitter durch eine Spannung gesteuert wird, welche eine besondere Spannungsauslenkung aufweist, welche oben angegeben ist und deren Substrat mit einer stark negativen Versorgungsspannung verbunden ist.
  • Um die Gitter in dieser Dynamik steuern zu können, werden die Schalter zu jeweiligen Spannungstranslatoren 58 hinzugefügt, welche zwischen den nicht symmetrischen und mit schwachem Pegel versehenen Steuersignalen zwischengelegt werden, welche in 56 angelegt werden und die Gitter der entsprechenden Schalter.
  • Diese Spannungsfranslatoren, von welchen man weiter unten die Rolle erläutern wird, empfangen die verschiedenen Versorgungsspannungen VDD, VSS, VCC und VEE, welche durch einen Block 60 erzeugt werden, dessen Struktur im Detail in 3 wiedergegeben ist.
  • Dieser Block 60, welcher aus vollständig integrierten Elementen bzw. Bauteilen in monolithischer Form gebildet ist (wie alle anderen Elemente der Mikroschaltung 16) ist mit der negativen Klemme einer Batterie 62 verbunden, deren andere Klemme das Referenznullpotential (VDD) bildet, wobei die äußeren Komponenten der Versorgung ein Kondensator 64, und Entkopplungskondensatoren 65 und 67 sind, deren Rolle weiter unten erklärt werden wird.
  • Die verschiedenen Potentiale, welche durch den Schrittmacher der Erfindung verwendet werden, und insbesondere die Schaltungen, welche man beschrieben hat, sind die Nachfolgenden (man könnte sich insbesondere auf 2 beziehen, wo man auf einem Diagramm diese verschiedene Potentiale in einer Weise wiedergegeben hat, um ihre relative Wichtigkeit und ihren symmetrischen oder nicht symmetrischen Charakter zu zeigen):
    VDD: positive Klemme der Batterie 62, entspricht dem Referenznullpotential.
    VPILE: negative Klemme der Batterie, typischerweise –2,8 V (bei Beginn der Lebensdauer der Batterie) bis –2,1 V (am Ende des Lebens der Batterie).
    VSS: regulierte negative Spannung –1,5 V ±50 mV, welche besonders für die logischen Signale verwendet wird.
    VEE: negative Spannung, typischerweise enthalten zwischen –5,5 V (Beginn der Lebensdauer) und –4,1 V (Ende der Lebensdauer), welche durch den Block 60 ausgehend von VDD und VPILE erzeugt werden (mit einem Entkopplungskondensator 65).
    VCC: positive Spannung, üblicherweise +5,3 V (Beginn der Lebensdauer) und +3,9 V (Ende der Lebensdauer), welche durch den Block 60 ausgehend von VDD und VEE erzeugt wird; man bemerke, dass diese Spannung VCC einen approximativ symmetrischen Wert von der negativen Spannung VEE aufweist, der ebenfalls durch den Block 60 erzeugt wird.
    VSUB: negative Versorgung, welche bestimmt ist für die Polarisation von Substraten; diese Spannung ist eine Spannung, welche von VEE abgeleitet ist (mit einem Entkopplungskondensator 67) mit Zwischenschalten eines Begrenzungsvorschaltwiderstands (Komponente 66 in 1), üblicherweise ein integrierter Widerstand von 300 kΩ; VSUB ist also ein Teil zwischen –5,5 V und –4,1 V. Noch genauer hat der Widerstand 66 einerseits zur Aufgabe, den Strom in den Sonden im Fall eines ersten Fehlers zu begrenzen und andererseits, bei Vorhandensein eines Stroms eines Substrats, welches durch eine äußere Störung hervorgerufen wird (z. B. der schwache Strom, welcher während einer Spitzenbegrenzung auftritt) VEE zu schützen.
  • Die im Wesentlichen symmetrischen Spannungen VCC und VEE/VSUB werden auf die nachfolgende Weise durch den Block 60, welcher in 3 dargestellt ist, erzeugt.
  • Der Block 60, welcher die Zeitgebersteuersignale 68 empfängt, welche von der logischen Schaltung des Schrittmachers kommen, weist hauptsächlich zwei Untergesamtheiten auf, d. h. eine Untergesamtheit 70, welche die negative Spannung VEE erzeugt (und demnach VSUB, welche hier direkt abgeleitet ist) ausgehend von VPILE, und eine Untergesamtheit 72, welche die positive Spannung VCC ausgehend von der Spannung VEE erzeugt, welche durch die Untergesamtheit 70 erzeugt wird.
  • Die Untergesamtheit 70 ist hauptsächlich aus einer Spannungsdopplerschaltung 74 gebildet, von einer an sich bekannten Struktur und wiedergegeben in 3 (und welche man daher nicht weiter erklären wird). Diese Dopplerschaltung wird aus einer Mehrzahl von Translatoren gebildet, welche durch die logischen Signale in einer passenden Weise sequenziert sind, Schaltern, welche hinzugefügt sind und einem externen Kondensator 64. Sie ermöglicht, die Spannung der Batterie VPILE, die zwischen –2,8 V und –2,1 V enthalten ist, in eine Spannung VEE (demnach einer Spannung VSUB) enthalten zwischen –5,5 V und –4,1 V zu transformieren. Die erhaltene Spannung wird über eine Diode 78 mit geringer Schwellspannung geliefert, welche durch einen Strom polarisiert ist, welcher hier ausgehend von einer Quelle (nicht wiedergegeben) angelegt ist, um auf ein Maximum jeden Spannungsabfall auf dem Pegel dieser Komponente zu begrenzen.
  • Die Untergesamtheit 72 selbst erzeugt ausgehend von VEE eine positive Spannung VCC enthalten zwischen +5,3 V und +3,9 V, z. B. mittels einer Schaltung vom Typ "Ladungspumpe", welche eine Mehrzahl von Schaltern aufweist, welche durch die Zeitgebersignale 68 sequenziert sind und integrierte, zugehörige Kondensatoren 80, gemäß einem selbst bekannten Schema und welches aus diesem Grunde nicht weiter im Detail erklärt werden wird.
  • Eine solche Schaltung vom Typ Ladungspumpe ist vorteilhaft, weil sie bei einer Technologie BiCMOS oder bipolaren Technologie mit Kästen, die vom Substrat isoliert sind, vollständig realisiert werden kann; jedoch sind andere Ausführungsvarianten möglich, z. B. im Fall einer Technologie eines einfachen CMOS, von gesampelten Schaltungen vom Typ einer Wiederherstellung eines Pegels (clamping); bei dieser letzten Annahme wird es nötig sein, genauso viele Schaltungen wie Schalter vorzusehen und ebenso ein Auffrischungssignal für die Schalter, deren Durchlasszustand während der Dauer eines Zyklus aufrechterhalten werden muss.
  • Auf Grund der Herstellung von diesen verschiedenen Spannungen ist es möglich unter Anlegen von logischen Signalen 56 (1), enthalten zwischen VDD und VSS (0 V und –1,5 V), auf den Gittern der Schalter Steuerspannungen zu erzeugen, deren Ablenkung enthalten ist zwischen VEE und VCC, d. h. üblicherweise zwischen –5,5 V und +5,3 V (am Anfang der Lebensdauer der Batterie; zwischen –4,1 V bis 3,9 V am Ende der Lebensdauer der Batterie), also mit gleichzeitig sehr viel höheren Spannungen - ungefähr im Absolutwert verdreifacht - und symmetrisch, wobei sie also und das in zweierlei Hinsicht eine weit bessere Immunität gegen äußere Störungen sicherstellen, welche geeignet sind die Steuerung der Schalter zu beeinflussen.
  • Die Spannungstranslatoren 58, welche mit den verschiedenen Potentialen VCC, VDD, VSS und VEE verbunden sind, sind an sich bekannte Schaltungen, welche an jeder Übertragungsleitung des logischen Steuersignals zwischengeschaltet sind und die Verstärkung und die Symmetrisierung der Steuerspannung VDD/VSS zu VCC/VEE sicherstellen, also die Verstärkung und die Symmetrisierung der Dynamik der Schaltersteuerung. Diese Spannungstranslatoren können in monolithischer Form vollständig integriert mit der Mikroschaltung 16 realisiert sein, also mit einer Möglichkeit einer großen Integrationsdichte und demnach einer extremen Miniaturisierung.
  • Auf Grund dieser Konfiguration einer Schaltung hat man sichergestellt, dass die Steuerung von verschiedenen Schaltern der Schaltung 16 sicher sein wird vor elektromagnetischen Störungen, welche anderenfalls bei gewissen Bedingungen zu fehlerhaften und zu unvorhergesehenen Kommutationen hätte führen können.
  • Des Weiteren, um in jedem Moment und trotz all der Störungen, welche auftreten könnten, eine Spannung VSUB aufrechtzuerhalten, welche die negativste Spannung der Schaltung ist, sieht man vor, die Schaltung mit einer "dynamischen Versorgung" zu versehen, welche verhindert, dass stark negative Störungen nicht die relativen Abweichungen bzw. Abstände zwischen den verschiedenen Pegeln einer Spannung, welche durch die Spannungstranslatoren erzeugt wird, und welche den verschiedenen Schaltern angelegt wird, mit den Auswirkungen auf das Funktionieren der Gesamtheit einer Schaltung stören können.
  • Hierfür ist jede der Klemmen 20, 20'', 32, 32'' und 18 einerseits mit der Kathode einer Diode 94 verbunden, deren Anode mit VSUB verbunden ist (die Dioden 94 sind ebenso auf der vergrößerten Teilansicht der 4 ersichtlich). Was die Polarisation der aurikularen und ventrikularen Massen betrifft, ermöglichen die Widerstände 52 und 52'', welche die Klemmen 32 und 32'' mit dem Gehäuse verbinden (Klemme 18), sich von jedem eventuellen Verluststrom zu befreien.
  • Somit, wenn irgendeine der Klemmen 20, 20', 32, 32' und 18 auf Grund von Störungen auf ein negativeres Potential als VSUB gebracht wird, treten die Dioden in Leitung und ermöglichen die Überversorgung der Gesamtheit von Punkten, welche mit VSUB verbunden sind, wobei sie so jedes ungewollte Kommutationsrisiko wegen dieser Störung vermeiden.
  • Was den Schutz gegenüber Spannung eines hohen Wertes betrifft wird der Schutz gewöhnlicherweise bei bekannten Schrittmachern mittels Zener-Dioden realisiert, welche gegenüberliegend zwischen jede Eingangsklemme und der Masse montiert wird. Diese Dioden stellen eine symmetrische Spitzenbegrenzungen von Spannung höher als die Spannung von Zener sicher, üblicherweise Spannung höher als einem Absolutwert von ±7 V (schraffierte Bereiche der 2).
  • Die Erfindung schlägt vor, diese Komponenten zu ersetzen, welche bis heute diskrete, auf der Schaltung hinzugefügte Komponenten waren, durch vollständig integrierte und monolithische Schutzschaltungen. Diese Schaltungen gemäß der Erfindung sind Dipole, welche auf die gleiche Weise wie die Zener-Dioden montiert sind, entgegengesetzt zum Stand der Technik, und geeignet sind vergleichbare Strompegel zu diesen letzteren zu leiten (mehrere hundert Milliamper), trotz ihrer vollständig integrierten Struktur und ihres weit geringeren Platzbedarfes.
  • Diese Spitzebegrenzungsschaltungen 98 sind gleich in der Anzahl zu derjenigen der Klemmen 20, 20', 30, 30', 32, 32' und sind jede zwischen der jeweiligen Klemme und der Erde des Gehäuses, entsprechend zu der Klemme 18 montiert.
  • Um ihre Integration zu ermöglichen, weisen diese Schaltungen 98 jede die Struktur auf, welche 5 dargestellt ist, welche eine symmetrisch, entgegengesetzte Struktur ist, von der jede Mitte zwei bipolare Transistoren 100, 102 aufweist, die in Serie montiert sind, den Emitter des Transistors 100, wobei er mit einer der Pole 104 der Schaltungen 98 verbunden ist, den Kollektor dieses Transistors 100, wobei er mit dem Emitter des Transistors 102 und dem Kollektor des Transistors 102 verbunden ist, wobei er am anderen Pol 104 der Schaltung 98 verbunden ist. Zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 100 ist ein Widerstand 106 montiert und zwischen der Basis des Transistors 100 und dem Kollektor des Transistors 102 sind gegenüberliegend zwei (oder mehrere) integrierte Zener-Dioden 108, 110 montiert, welche ermöglichen, die Spitzenbegrenzungsspannung zu definieren. Der Dipol, welcher so gebildet ist, kommt in Leitung, wenn die Potentialdifferenz an seinen Klemmen einen Absolutwert von 7 V übersteigt. Er funktioniert also als Stromverstärker mit durch die Spannung getriggerter Leitung und kann zwischen seinen Klemmen Strom bis zu 300 mA leiten und kann Spitzen von 3 A über 10 ms absorbieren. Er ist demnach fähig, ohne Risiko einer Störung, selbst Störungen von sehr starker Energie zu vertragen.

Claims (11)

  1. Eine aktive implantierbare Vorrichtung, insbesondere ein Herzschrittmacher oder ein Herzdefibrillator, aufweisend Schutzmittel gegen elektromagnetische Störungen externen Ursprungs, wobei diese Schutzmittel aktive Komponenten und passive Komponenten aufweisen, und wobei zumindest alle aktiven Komponenten integrierte Komponenten sind in monolithischer Art, wie auch die Mirkoschaltung (16), welche die Eingangsstufen von Signalen und die Kommutationsstufen von Elektroden aufweist, wobei diese Kommutationsstufen statische Schalter aufweisen (24, 24', 28, 28', 38, 38', 40, 40', 44, 44', 46, 46', 50, 50', 54) mit einer Steuerungsspannung (VSUB, VCC), die größer ist als die Spannung (VPILE) der Versorgungsbatterie der Vorrichtung, wobei die Vorrichtung logische Steuerungssignale mit einer Spannung (VDD, VSS) liefert, die niedriger ist als die Steuerungsspannung, wobei die Vorrichtung dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schutzmittel Spannungstranslatorenmittel (58) aufweisen, um im Absolutwert den Pegel der logischen Steuerungssignale auf einen Wert zu erhöhen, der kompatibel ist mit den Steuerungsspannungen der statischen Schalter und höher ist oder gleich dem nominalen Pegel parasitärer Spannungen, die aus elektromagnetischen Störungen resultieren, die in der Lage sind, auf den Anschlussklemmen der statischen Schalter aufzutreten.
  2. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die logischen Steuerungssignale Signale mit einem Pegel sind, der niedriger ist als der nominale Pegel parasitärer Spannungen, wobei die Spannungstransla torenmittel Steuerungsspannungen liefern, die größer oder gleich sind als der nominale Pegel der parasitären und symmetrischen Spannungen, geeignet um die Phänomene einer Signaldemodulation in dem Fall von Wechselstörungen hoher Frequenz zu vermeiden.
  3. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Pegel der Steuerungsspannungen, die durch die Translatorenmittel geliefert werden, erzeugt werden durch eine integrierte monolithische Spannungsheberversorgungsschaltung (60).
  4. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 3, bei welcher die Spannungsheberversorgungsschaltung zumindest eine Schaltung des Typs Ladungspumpe (72) und/oder eine Schaltung des Typs Spannungsverdoppler (70) und/oder eine Schaltung des Abtasttyps mit Pegelwiederherstellung aufweist.
  5. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 3, bei welcher die Substrate der statischen Schalter auf ein Potential vorgespannt sind, welches dem Pegel der Steuerungsspannung desselben Vorzeichens entspricht, der durch die Spannungsheberversorgungsschaltung (60) geliefert wird.
  6. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 3, bei welcher die Substrate der statischen Schalter an ihrer Quelle kurzgeschlossen sind.
  7. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Schutzmittel unter anderem Aufladungsmittel (94) aufweisen, welche ein Bauteil aufweisen, das einerseits mit einer Signalseingangsanschlussklemme verbunden ist, andererseits mit einer Versorgungsleitung, welche ein Potential liefert, entsprechend den Spannungssteuerungspegeln, die durch die Translatorenmittel erzeugt werden, wobei dieses Bauteil geeignet ist, dann zu leiten, wenn die Spannung an der entsprechenden Ein gangsanschlussklemme im Absolutwert die Spannung über diese Versorgungsleitung überschreitet, in der Weise, um auf dieser letzteren eine Spannung aufrechtzuerhalten, die im Absolutwert immer die höchste der Schaltung ist, selbst im Fall von Störungen hohen Niveaus.
  8. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Eingangsstufen der Signale monolithische integrierte Begrenzermittel (98) aufweisen, die einerseits mit einer Signaleingangsanschlussklemme verbunden sind und andererseits mit einem Massepotential der Vorrichtung.
  9. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 8, bei welcher die Begrenzerschaltung eine Stromverstärker-Kopf-bei-Fuß-Schaltung (100, 102, 106, 108, 110) mit durch die Spannung ausgelöster Leitung aufweist.
  10. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher die Begrenzermittel Begrenzerschaltungen (98) aufweisen, die jeweils in integrierter und monolithischer Form einen Dipol mit symmetrischer Kopfbei-Fuß Struktur aufweisen, wovon jede der Hälften einen ersten (100) und einen zweiten (102) bipolaren Transistor aufweisen, die in Serie montiert sind, wobei der Emitter des ersten Transistors verbunden ist mit einem der Pole (104) der Begrenzerschaltung, der Kollektor dieses ersten Transistors verbunden ist mit dem Emitter des zweiten Transistors und der Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist mit dem anderen Pol (104) der Begrenzerschaltung, wobei ein Widerstand (106) zwischen der Basis und dem Emitter des ersten Transistors montiert ist und zumindest zwei Zener-Dioden (108, 110) entgegengesetzt zwischen der Basis des ersten Transistors und dem Kollektor des zweiten Transistors montiert sind.
  11. Aktive implantierbare Vorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die aktiven Komponenten der Schutzmittel und die Mikroschaltung auf demselben monolithischen Substrat integriert sind.
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