DE69425994T2 - Optische Abtastvorrichtung - Google Patents

Optische Abtastvorrichtung

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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine optische Aufnehmervorrichtung für eine optische Platte, die in der Lage ist, Information aufzuzeichnen und wiederzugeben, und insbesondere eine optische Aufnehmervorrichtung, die für eine stabile Lichtemission eines Halbleiterlasers bei der Wiedergabe von auf einer optischen Platte aufgezeichneter Information geeignet ist.
  • Technischer Hintergrund
  • Fig. 5 zeigt die Gesamtspektrum-Reflexionskennlinie von dünnen Antireflexionsfilmen, die in einem optischen System einer herkömmlichen optischen Aufnehmervorrichtung verwendet werden.
  • In einer optischen Aufnehmervorrichtung, welche eine Funktion zum Aufzeichnen von Information auf eine optische Platte und zum Wiedergeben von aufgezeichneter Information aufweist, beinhaltet ein optisches System, das einen Lichtweg für einen Laserstrahl bereitstellt, wie in Fig. 3 gezeigt, einen Halbleiterlaser 1, welcher einen Laserstrahl emittiert, eine Kollimatorlinse 2, ein Viertelwellenlängenplättchen 3, ein Beugungsgitter 4, zwei Strahlformerprismen 5, einen Strahlteiler 6, einen Spiegel 7 und eine Objektivlinse 8, die in dieser Reihenfolge angeordnet sind. Ein Laserstrahl, der dieses optische System durchlaufen hat, wird auf eine optische Platte 9 in Form eines Laserlichtfleckes aufgebracht.
  • In einer optischen Aufnehmervorrichtung, die lediglich zur Informationswiedergabe dient, beinhaltet ein optisches System, welches einen Lichtweg für einen Laser strahl bereitstellt, wie in Fig. 4 gezeigt, einen Halbleiterlaser 1, eine Kollimatorlinse 2, ein Beugungsgitter 4, einen Strahlteiler 6, einen Spiegel 7 und eine Objektivlinse 8, die in dieser Reihenfolge angeordnet sind. Ein Laserstrahl, der dieses optische System durchlaufen hat, wird auf eine optische Platte 9 in Form eines Laserlichtfleckes aufgebracht.
  • Verglichen mit dem optischen System für eine optische Aufnehmervorrichtung, die lediglich zur Informationswiedergabe dient, wird, da das optische System, das sowohl für eine Informationsaufzeichnung als auch -wiedergabe dient, bei der Aufzeichnung von Information eine höhere Leistungsabgabe erfordert als bei der Wiedergabe von Information, die Struktur dieses optischen Systems komplizierter, damit die emittierte Lichtmenge des Halbleiterlasers 1 in effizienter Weise genutzt wird.
  • Damit bei der Informationsaufzeichnung ein Laserstrahl in effizienter Weise auf die optische Platte 9 gelenkt wird, wurden allgemein dünne Antireflexionsfilme auf Laserstrahl-Durchlaßflächen einer jeden optischen Komponente einer sowohl zur Informationsaufzeichnung als auch -wiedergabe dienenden optischen Aufnehmervorrichtung erzeugt. Das heißt die dünnen Antireflexionsfilme sind bei Durchlaßoberflächen der Kollimatorlinse 2, dem Viertelwellenlängenplättchen 3, dem Beugungsgitter 4, den zwei Strahlformerprismen 5, dem Strahlteiler 6, dem Spiegel 7 und der Linse 8 ausgebildet.
  • EP 0 497 291, gegen welche die Ansprüche 1 und 2 abgegrenzt sind, offenbart ein optisches Plattenspeichergerät, das ein Verbundprisma aufweist, dessen Eintritts- und Austrittsflächen vorzugsweise mit einer Antireflexions-Beschichtung ausgebildet sind.
  • Wie in Fig. 5 gezeigt, weist die Reflexionsvermögen-Spektralkennlinie von in einem herkömmlichen optischen System verwendeten dünnen Antireflexionsfilmen allge mein eine flache Verteilung des Reflexionsvermögens R in einem Bereich von Lichtemissions-Wellenlängen auf, der vom Halbleiterlaser 1 von der Spitzenwellenlänge λ(L) bei niedriger Ausgangsleistung bis zur Spitzenwellenlänge λ(H) bei hoher Ausgangsleistung abgedeckt wird.
  • Damit ein (nicht dargestellter) Photodetektor in stabiler Weise einen durch Doppelbrechung auf der optischen Platte wiedergegebenen Lichtstrahl erfaßt, wurden Filme, welche sowohl für eine P- als auch für eine S-Polarisierung im wesentlichen die gleichen Durchlaß- und Reflexionskennlinien aufweisen, auf den Oberflächen des Strahlteilers 6 ausgebildet. Auf diese Weise wird eine konstante Lichtmenge zum Photodetektor reflektiert, ohne von der Polarisationskennlinie eines von der optischen Platte 9 reflektierten Lichtstrahls beeinflußt zu werden.
  • Mit der herkömmlichen optischen Aufnehmervorrichtung war es jedoch nicht möglich, das Reflexionsvermögen eines Strahlteilers allzu hoch festzulegen, da ein gutes Durchlaßvermögen eines Laserstrahls zu einer optischen Platte erforderlich ist, damit beim Aufzeichnen von Information eine große Laserstrahl-Lichtmenge erhalten wird.
  • Da das Laserstrahl-Durchlaßvermögen auf einem guten Wert gehalten wird, durchläuft ein größerer Teil des von der optischen Platte reflektierten Lichts den Strahlteiler und kommt zur Lichtemissionsoberfläche des Halbleiterlasers zurück. Daher kann die Lichtemission des mit niedriger Ausgangsleistung arbeitenden Halbleiterlasers bei der Informationswiedergabe schwanken.
  • INHALT DER ERFINDUNG
  • Es ist ein Ziel der Erfindung, die oben beschriebenen herkömmlichen Probleme zu lösen und eine optische Aufnehmervorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, bei der Aufzeichnung von Information auf eine optische Platte eine ausreichende Laserstrahl-Lichtmenge aufrecht zu erhalten und bei der Informationswiedergabe die Lichtemission des Halbleiterlasers zu stabilisieren.
  • Gemäß der Erfindung wird eine optische Aufnehmervorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2 bereitgestellt.
  • Gemäß der Erfindung ist mindestens ein Bauteil, das Bestandteil eines optischen Systems für eine optische Aufnehmervorrichtung ist, mit einem Antireflexionsfilm ausgebildet, dessen Spektral-Reflexionsvermögen wie dargelegt in Anspruch 1 oder 2 variiert (beispielsweise weist der Antireflexionsfilm im Gesamtbereich der von der Halbleiterlaser-Lichtquelle abgedeckten Lichtemissions-Wellenlängen bei einer kürzeren Wellenlänge ein niedriges Spektral-Reflexionsvermögen auf und bei einer längeren Wellenlänge ein hohes Spektral-Reflexionsvermögen). Demzufolge wird bei der Wiedergabe von Information von einer optischen Platte bei niedriger Ausgangsleistung des Halbleiterlasers die optische Durchlässigkeit bei der Spitzenwellenlänge λ(L) vermindert. Und die Lichtmenge, welche zur Emissionsoberfläche des Halbleiterlasers zurückkehrt, wird vermindert.
  • Weiter wird bei der Aufzeichnung von Information auf die optische Platte bei hoher Ausgangsleistung des von einer kürzeren Wellenlänge auf eine längere Wellenlänge verschobenen Halbleiterlasers die optische Durchlässigkeit bei der Spitzenwellenlänge λ(H) größer, und die vom Halbleiterlaser emittierte und über das optische System zur optischen Platte übertragene Lichtmenge wird größer.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist ein Graph, welcher eine Spektral-Reflexionskennlinie von dünnen Antireflexionsfilmen zeigt, die in einem optischen System gemäß der Erfindung verwendet werden.
  • Fig. 2A ist ein schematisches Diagramm, das den Querschnitt einer Struktur eines dünnen Antireflexionsfilms gemäß der Erfindung darstellt, welcher die Spektral-Reflexionskennlinie wie dargestellt in Fig. 1 aufweist.
  • Fig. 2B ist ein schematisches Diagramm, das den Querschnitt einer anderen Struktur eines dünnen Antireflexionsfilms gemäß der Erfindung darstellt, welcher die Spektral-Reflexionskennlinie wie dargestellt in Fig. 1 aufweist.
  • Fig. 3 ist ein schematisches Diagramm, welches die Struktur und die Lichtwege eines optischen Systems für eine optische Aufnehmervorrichtung sowohl für Informationsaufzeichnung als auch -wiedergabe darstellt.
  • Fig. 4 ist ein schematisches Diagramm, welches die Struktur und die Lichtwege eines optischen Systems für eine optische Aufnehmervorrichtung zeigt, welche lediglich zur Informationswiedergabe dienen soll.
  • Fig. 5 ist ein Graph, welcher die Spektral-Reflexionskennlinie von dünnen Antireflexionsfilmen darstellt, welche in einem herkömmlichen optischen System verwendet werden.
  • Fig. 6 ist ein Graph, welcher eine andere Spektral-Reflexionskennlinie von dünnen Antireflexionsfilmen zeigt, die in einem optischen System gemäß der Erfindung verwendet werden.
  • Fig. 7A ist ein schematisches Diagramm, das den Querschnitt einer Struktur eines dünnen Antireflexionsfilms gemäß der Erfindung darstellt, welcher die Spektral-Reflexionskennlinie wie dargestellt in Fig. 6 aufweist.
  • Fig. 7B ist ein schematisches Diagramm, das den Querschnitt einer anderen Struktur eines dünnen Antireflexionsfilms gemäß der Erfindung darstellt, welcher die Spektral-Reflexionskennlinie wie dargestellt in Fig. 6 aufweist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Eine Ausführungsform einer optischen Aufnehmervorrichtung gemäß der Erfindung wird nachfolgend mit Bezug auf die Fig. 1 und 2 beschrieben. Den herkömmlichen Elementen ähnliche Elemente sind durch gleiche Bezugszeichen und Symbole dargestellt, und eine Beschreibung von diesen entfällt.
  • Fig. 1 ist ein Graph, welcher die Spektral-Reflexionskennlinie von dünnen Antireflexionsfilmen zeigt, die in einem optischen System gemäß einer Ausführungsform der Erfindung verwendet werden, Fig. 2 ist ein schematisches Diagramm, welches den Querschnitt eines dünnen Antireflexionsfilms gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt, und Fig. 3 ist ein schematisches Diagramm, welches die Struktur und die Lichtwege eines allgemeinen optischen Systems für eine optische Aufnehmervorrichtung zeigt, welche sowohl für die Informationsaufzeichnung als auch die Informationswiedergabe dient.
  • Mit Bezug auf Fig. 1 repräsentiert λ eine Wellenlänge eines Laserstrahls, λ(L) repräsentiert eine Spitzenwellenlänge, wenn bei niedriger Ausgangsleistung ein Laserstrahl mit kurzer Wellenlänge emittiert wird, und λ(H) repräsentiert eine Spitzenwellenlänge, wenn bei hoher Ausgangsleistung ein Laserstrahl großer Wellenlänge emittiert wird. R(λ) repräsentiert das Reflexionsvermögen eines dünnen Antireflexionsfilms, R(L) repräsentiert das Reflexionsvermögen des dünnen Antireflexionsfilms bei der Spitzenwellenlänge λ(L), und R(H) repräsentiert das Reflexionsvermögen des dünnen Antireflexionsfilms bei der Spitzenwellenlänge λ(H).
  • Die Fig. 2A und 2B sind schematische Diagramme, die die Strukturen von dünnen Antireflexionsfilmen zeigen, welche die in Fig. 1 gezeigte Spektral- Reflexionskennlinie aufweisen. In den Fig. 2A und 2B bezeichnet "G" ein Glas substrat, "H" und "L" bezeichnen dünnen Filme, welche auf dem Glassubstrat übereinandergeschichtet sind, wobei "H" eine Materialschicht (beispielsweise ZnS) bezeichnet, deren Brechungsindex größer als der des Glases ist, und "L" bezeichnet eine Materialschicht (beispielsweise MgF&sub2;), deren Brechungsindex kleiner als der des Glases ist. Ebenso bezeichnen "H&sub1;" und "H&sub2;" Schichten von gleichem Material. jedoch unterschiedlicher Dicke.
  • Im optischen System für eine optische Aufnehmervorrichtung, welche sowohl für die Informationsaufzeichnung als auch -wiedergabe dient, wie in Fig. 3 gezeigt, wird ein von einem Halbleiter-Laserstrahl 1 emittierter Laserstrahl durch die Kollimatorlinse 2 in einen parallelen Laserstrahl transformiert, und durch das Viertelwellenlängenplättchen 3 in einen zirkular polarisierten Strahl transformiert. Das Beugungsgitter 4 erzeugt eine Mehrzahl von Laserstrahlen, die jeweils um einen kleinen Winkel voneinander getrennt sind. Diese Laserstrahlen werden durch die zwei Strahlformerprismen 5 geformt. Ein vorbestimmter Anteil des Laserstrahls, der die Strahlformerprismen 5 durchlaufen hat, wird dann über den Strahlteiler 6 auf den Spiegel 7 aufgebracht. Der durch den Spiegel 7 reflektierte Lichtstrahl trifft auf die Objektivlinse 8 auf und wird der Informationsaufzeichnungsfläche der optischen Platte 9 in Form eines Laserlichtflecks zugeführt.
  • Ein (durch gestrichelte Linien in Fig. 3 dargestellter) Laserstrahl, der von der Informationsaufzeichnungsfläche der optischen Platte 9 reflektiert wurde, durchläuft die Objektivlinse 8, wird durch den Spiegel 7 reflektiert und dem Strahlteiler 6 zugeführt.
  • Eine vorbestimmte Menge des Laserstrahls wird nach oben reflektiert und zu einem (nicht dargestellten) Photodetektor übertragen, und ein Teil des Laserstrahls durchläuft den Strahlteiler 6 und kehrt zur Emissionsoberfläche des Halbleiterlasers 1 zurück.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind dünne Antireflexionsfilme auf jedem optischen Bauteil, welches einen Bestandteil des in Fig. 3 dargestellten optischen Systems für eine optische Aufnehmervorrichtung bildet, welche sowohl für die Informationsaufzeichnung als auch -wiedergabe dient, ausgebildet, und zwar einschließlich der Kollimatorlinse 2, dem Viertelwellenlängenplättchen 3, dem Beugungsgitter 4, den zwei Strahlformerprismen 5, dem Strahlteiler 6, dem Spiegel 7 und der Objektivlinse 8. Der dünne Antireflexionsfilm weist eine in Fig. 1 dargestellte Spektral-Reflexionskennlinie auf, welche ein niedriges Reflexionsvermögen R(H) bei einer größeren Spitzenwellenlänge λ(H) im Bereich der vom Halbleiterlaser abgedeckten Laser-Emissionswellenlängen und ein hohes Reflexionsvermögen R(L) bei einer kürzeren Spitzenwellenlänge λ(L) liefert.
  • Der dünne Antireflexionsfilm kann durch eine einzige Schicht aus Material von niedrigem Brechnungsindex (beispielsweise MgF&sub2;) oder übereinandergeschichteten Filmen von unterschiedlichem Reflexionsvermögen ausgebildet sein, wie in den Fig. 2A und 2B dargestellt.
  • Fig. 2A zeigt eine Basis-Schichtstruktur des Antireflexionsfilms, welcher die Spektral-Reflexionskennlinie wie dargestellt in Fig. 1 aufweist. Dieser Antireflexionsfilm besteht aus drei übereinandergeschichteten Schichten, welche zwei unterschiedliche dielektrische Materialien verwenden.
  • Das heißt, auf dem Glassubstrat G (Brechungsindex: 1,52) sind die Schicht H&sub1; (Brechungsindex: 2,3), deren Brechungsindex höher ist als der des Glases, die Schicht L&sub1; (Brechungsindex: 1,38), deren Brechungsindex geringer als der des Glases ist, und die Schichten H&sub1;, L&sub1;, H&sub1; in dieser Reihenfolge übereinandergeschichtet.
  • Als nächstes wird auf Fig. 2B Bezug genommen, die ein schematisches Diagramm einer weiteren bevorzugten Ausführungsform und eine übereinandergeschichtete Struktur von dielektrischen Vielschicht-Filmen zeigt. Diese dielektrischen Vielschicht-Filme lassen sich grob in einen Abschnitt a (welcher bewirkt, daß das Spektral-Reflexionsvermögen in Abhängigkeit von der Wellenlänge des einfallenden Lichts verändert wird) und den Abschnitt b zur Verhinderung von Reflexion einteilen. Durch Aufbringen des dünnen Films, welcher die Schichtstruktur wie dargestellt in den Fig. 2A und 2B aufweist, auf eine beliebige der optischen Ebenen (durch welche das Laserlicht hindurchgeht) der optischen Elemente 2 bis 5 im in Fig. 3 gezeigten optischen System wird die Spektral-Reflexionskennlinie wie gezeigt in Fig. 1 realisiert, und das gewünschte Ziel der Erfindung erreicht.
  • Wenn ein Laserstrahl vom Halbleiterlaser 1 wie im Fall der Informationsaufzeichnung bei hoher Ausgangsleistung emittiert wird, verschiebt sich die Wellenlänge (λ) des emittierten Strahls auf eine längere Spitzenwellenlänge λ(H) im Gesamtbereich der vom Halbleiterlaser 1 abgedeckten Laser-Emissionswellenlängen. In diesem Fall sinkt das Reflexionsvermögen R(λ) auf ein niedrigeres Reflexionsvermögen R(H).
  • Demzufolge kann ein Laserstrahl, der vom Halbleiterlaser 1 für eine Informationsaufzeichnung emittiert wurde, das in Fig. 3 gezeigte optische System mit hohem Durchlaßkoeffizienten durchlaufen und der Informationsaufzeichnungs-Oberfläche der optischen Platte 9 die für ein Aufzeichnen von Information erforderliche Menge an Lichtenergie in effizienter Weise zuführen.
  • Ein Laserstrahl wird bei der Informationswiedergabe mit niedriger Ausgangsleistung emittiert, und die Wellenlänge des emittierten Strahls verschiebt sich auf eine vorbestimmte Wellenlänge in der Nähe einer kürzeren Spitzenwellenlänge λ(L). In diesem Fall wird, wie dargestellt in Fig. 1, das Reflexionsvermögen R(λ) ein hoher Wert in der Nähe des Reflexionsvermögens R(L).
  • Demzufolge wird die Lichtmenge bei der Informationsaufzeichnungsfläche der optischen Platte 9 für eine Informationswiedergabe ausreichend. Die Ausgangsleistung des Halbleiterlasers kann ohne größere Absenkung hoch gehalten werden, und die Lichtmenge des Laserstrahls, der von der optischen Platte 9 reflektiert wird und zum Halbleiterlaser zurückkommt, kann sehr klein gemacht werden.
  • Obenstehend wurde ein Verfahren erläutert, um das gewünschte Ziel der Erfindung zu erreichen. Das heißt es ist möglich, die zum Halbleiterlaser zurückkommende Lichtmenge bei der Wiedergabe zu verringern, indem auf der Glasoberfläche von mindestens einem optisch transparenten Element (z. B. 2, 3, 4, 5) der Antireflexionsfilm ausgebildet wird, der im Bereich der von der Halbleiterlaser-Lichtquelle abgedeckten Lichtemissions-Wellenlängen bei einer kürzeren Wellenlänge ein hohes Spektral-Reflexionsvermögen und bei einer längeren Wellenlänge ein niedriges Spektral-Reflexionsvermögen aufweist.
  • Jedoch ist es ebenfalls möglich, das gewünschte Ziel der Erfindung zu erreichen, indem ein anderes als das obige Verfahren verwendet wird. Das heißt, das gewünschte Ziel der Erfindung "Vermindern der zur Emissionsoberfläche des Halbleiterlasers zurückkehrenden Lichtmenge bei der Wiedergabe" kann erreicht werden, indem auf der Reflexionsoberfläche des optischen Reflexionselements 7 der Antireflexionsfilm ausgebildet wird, welcher im Bereich der von der Halbleiterlaser-Lichtquelle abgedeckten Lichtemissions-Wellenlängen bei einer kürzeren Wellenlänge geringes Spektral-Reflexionsvermögen und bei einer längeren Wellenlänge hohes Spektral-Reflexionsvermögen aufweist, wie in Fig. 6 gezeigt.
  • Und die Spektral-Reflexionskennlinie wie gezeigt in Fig. 6 kann realisiert werden, indem der Antireflexionsfilm verwendet wird, der die geschichtete Struktur wie in den Fig. 7A und 7B gezeigt aufweist.
  • Gemäß einer optischen Aufnehmervorrichtung der Erfindung ist jedes optische Bauteil, das einen Bestandteil eines optischen Systems für eine optische Aufnehmervorrichtung bildet, das sowohl für die Informationsaufzeichnung als auch -wiedergabe verwendet wird, mit einem Antireflexionsfilm ausgebildet, dessen Spektral-Reflexionsvermögen sich in Übereinstimmung mit der Wellenlänge des auftreffenden Lichts ändert, wobei: (i) in der einen Ausführungsform der Antireflexionsfilm, welcher bei einer Hochausgangsleistung-Emissionswellenlänge λ(H) bei Informationsaufzeichnung niedriges Spektral-Reflexionsvermögen besitzt und bei Niedrigausgangsleistung-Emissionswellenlänge λ(L) hohes Spektral-Reflexionsvermögen besitzt, auf der Oberfläche mindestens eines optisch transparenten Element ausgebildet ist, und (ii) in der anderen Ausführungsform der Antireflexionsfilm, der bei einer Hochausgangsleistungs-Emissionswellenlänge λ(H) bei der Informationsaufzeichnung ein hohes Spektral-Reflexionsvermögen und bei einer Niedrigausgangsleistungs-Emissionswellenlänge λ(L) ein niedriges Spektral- Reflexionsvermögen besitzt, auf der Reflexionsoberfläche eines optischen Reflexionselements ausgebildet ist.
  • Demzufolge wird bei einer optischen Aufnehmervorrichtung, die sowohl für Informationsaufzeichnung als auch -wiedergabe dient und die eine größere Anzahl von optischen Bauteilen als eine optische Aufnehmervorrichtung besitzt, welche lediglich zur Informationswiedergabe dient, der Laserstrahl-Durchlaßkoeffizient des optischen Systems bei hoher Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers bei der Informationsaufzeichnung hoch. Es ist daher möglich, eine Lichtmenge zu erzielen, die für ein stabiles Aufzeichnen von Informations auf die Informationsaufzeichnungs- Oberfläche einer optischen Platte ausreicht.
  • Wenn weiter eine Informationswiedergabe bei niedriger Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers stattfindet, wird das Reflexionsvermögen des gesamten optischen Systems hoch und der Durchlaß-Wirkungsgrad niedrig, wodurch die zur Emissi onsoberfläche des Halbleiterlasers zurückkehrende Lichtmenge beträchtlich vermindert wird und die Lichtemissions-Schwankung, die für eine Niedrigausgangsleistungs-Emission typisch ist, beseitigt wird, wodurch ein Wiedergabesignal von hoher Stabilität und Klangtreue erhalten wird.

Claims (2)

1. Optische Aufnehmervorrichtung aufweisend:
einen Halbleiterlaser (1):
ein optisches System (2 bis 8), welches einen vom Halbleiterlaser (1) emittierten Laserstrahl in Form eines Laserlichtflecks auf eine Informationsaufzeichnungsoberfläche einer optischen Platte (9) lenkt;
ein optisches System (2 bis 8), welches einen von der Informationsaufzeichnungsoberfläche reflektierten Laserstrahl auf einen Photodetektor lenkt, wobei bei der Aufzeichnung von Information der Laserstrahl vom Halbleiterlaser mit hoher Ausgangsleistung und mit einer ersten Spitzenwellenlänge (λ(H)) emittiert wird, und bei der Wiedergabe von Information mit niedriger Ausgangsleistung und mit einer zweiten Spitzenwellenlänge (λ(L)) emittiert wird, wobei die erste Spitzenwellenlänge (λ(H)) größer ist als die zweite Spitzenwellenlänge (λ(L)); und
ein Antireflektionsfilm auf der Eintrittsfläche oder der Austrittsfläche von mindestens einem lichtdurchlässigen Element (2, 3, 4, 5) der mindestens einen optischen Komponente ausgebildet ist;
dadurch gekennzeichnet, daß
das Spektralreflektionsvermögen (R(H)) des Antireflektionsfilms (H, L) für die erste Spitzenwellenlänge (λ(H)) geringer ist als Spektralreflektionsvermögen (R(L)) für die zweite Spitzenwellenlänge (λ(L)), derart daß bei der Wiedergabe von Information die Lichtemission des Halbleiterlasers stabilisiert ist.
2. Optische Aufnehmervorrichtung aufweisend:
einen Halbleiterlaser (1):
ein optisches System (2 bis 8), welches einen vom Halbleiterlaser (1) emittierten Laserstrahl in Form eines Laserlichtflecks auf eine Informationsaufzeichnungsoberfläche einer optischen Platte (9) lenkt; und
ein optisches System (2 bis 8), welches einen von der Informationsaufzeichnungsoberfläche reflektierten Laserstrahl auf einen Photodetektor lenkt, wobei bei der Aufzeichnung von Information der Laserstrahl vom Halbleiterlaser mit hoher Ausgangsleistung und mit einer ersten Spitzenwellenlänge (λ(H)) emittiert wird, und bei der Wiedergabe von Information mit niedriger Ausgangsleistung und mit einer zweiten Spitzenwellenlänge (λ(L)) emittiert wird, wobei die erste Spitzenwellenlänge (λ(H)) größer ist als die zweite Spitzenwellenlänge (λ(L));
dadurch gekennzeichnet, daß
ein Antireflektionsfilm auf der Reflektionsoberfläche eines optischen Reflektionselements (7) der mindestens einen optischen Komponente ausgebildet ist, und
das Spektralreflektionsvermögen (R(H)) des Antireflektionsfilms (H, L) für die erste Spitzenwellenlänge (λ(H)) höher ist als das Spektralreflektionsvermögen (R(L)) für die zweite Spitzenwellenlänge (λ(L)), derart daß bei der Wiedergabe von Information die Lichtemission des Halbleiterlasers stabilisiert ist.
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