DE69323420T2

DE69323420T2 - Optisches Speichermedium

Info

Publication number: DE69323420T2
Application number: DE1993623420
Authority: DE
Inventors: Tetsuya Akiyama; Shigeaki Furukawa; Katsumi Kawahara; Takeo Ohta
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-05-26
Filing date: 1993-05-26
Publication date: 1999-10-07
Anticipated expiration: 2013-05-27
Also published as: DE69323420D1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium, das eine Information von großer Kapazität mit hoher Dichte unter Verwendung eines Laserstrahls o. dgl. aufzeichnen oder löschen kann.

Beschreibung des Standes der Technik

Eine einmal beschreibbare Scheibe ist als optischer Aufzeichnungsspeicher bekannt und weist ein Material auf, das sich aus einer kristallinen Phase in eine amorphe Phase wie beispielsweise TeOx (0 < x < 2,0) mit Te und TeO&sub2; als Hauptkomponenten umwandeln kann. In einem solchen optischen Aufzeichnungsspeicher werden Daten durch Bestrahlung der optischen Scheibe mit einem Laserstrahl o. dgl. thermisch geschrieben.
Außerdem befindet sich eine beschreibbare und löschbare Scheibe bei welcher eine Information wiederholt aufgezeichnet und gelöscht werden kann, ebenfalls im praktischen Gebrauch als optischer Aufzeichnungsspeicher. Eine solche beschreibbare und löschbare Scheibe kann Informationen durch Änderung eines Markierungspunktes in einer Aufzeichnungsdünnschicht in einen amorphen Zustand mit einem Laserstrahl aufgezeichnet werden, um die Aufzeichnungsdünnschicht schnell zu erhitzen, zu schmelzen und abzukühlen, während sie eine Information durch Änderung eines Markierungspunktes in der Aufzeichnungsdünnschicht in einen kristallinen Status mit einem Laserstrahl löschen kann, um die Aufzeichnungsdünnschicht allmählich zu erhitzen und abzukühlen. Stoffe, die sich reversibel zwischen der kristallinen Phase und dem amorphen Zustand umwandeln können, finden Verwendung für eine solche Aufzeichnungsdünnschicht und enthalten ein Chalkogenit-Material Ge&sub1;&sub5;Te&sub8;&sub1;S&sub2; (siehe S. R. Ovshinsky) u. dgl. und As&sub2;S&sub3;, As&sub2;Se&sub3;, Sb&sub2;Se&sub3; u. dgl., bei welchen es sich um Kombinationen aus einem Chalkogen-Element mit einem anderen Element in der Gruppe V wie beispielsweise As oder in Gruppe IV wie beispielsweise Ge in der Periodentabelle handelt. Eine optische Scheibe kann durch Ausbildung einer solchen Aufzeichnungsdünnschicht auf einem Substrat mit Vertiefungen zur Führung eines Laserstrahls hergestellt werden. Um eine Information in einer solchen optischen Scheibe mit einem Laserstrahl aufzuzeichnen oder zu löschen, wird zunächst die Aufzeichnungsdünnschicht kristallisiert. Anschließend wird die Intensität eines auf einen Durchmesser von 0,5 um auf der rotierten Scheiben focussierten Laserstrahls zur Abstrahlung in Abhängigkeit von der Information moduliert, so daß die Temperatur eines mit dem Laserstrahl bestrahlten Punktes in der Spitzenenergie über den Schmelzpunkt der Aufzeichnungsdünnschicht angehoben und rasch wieder abgesenkt wird. Somit wird die Information als amorphe Marke aufgezeichnet. Außerdem steigt die Temperatur eines mit einer Vorspannungsspitzenenergie bestrahlten Punktes über die Kristallisationstemperatur der Aufzeichnungsdünnschicht an, so daß die zuvor aufgezeichnete Information gelöscht oder möglicherweise auch überschrieben werden kann.
Wie zuvor erklärt wurde, kann die Temperatur der Aufzeichnungsdünnschicht mit einem Laserstrahl über den Schmelzpunkt oder den Kristallisationspunkt angehoben werden. Deshalb sind grundsätzlich hitzebeständige dielektrische Schichten oberhalb und unterhalb der Aufzeichnungsdünnschicht als Schutzschichten für das Substrat und eine Klebeschicht vorgesehen. Da die Eigenschaften des Temperaturanstieges, der schnellen Abkühlung und der allmählichen Abkühlung mit der thermischen Leitfähigkeit der Schutzschichten variieren, hängen die Aufzeichnungs- und Löscheigenschaften von den für die Schutzschichten gewählten Stoffen ab.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, sind Vertiefungen oder Löcher 31 in einer optischen Scheibe vorgesehen und Aufzeichnungsmarkierungen 30 entlang der Löcher mit einem Laserstrahl thermisch ausgebildet. In den zuvor erwähnten optischen Scheiben der beschreibbaren und löschbaren Art und der einmal beschreibbaren Art kann eine Information durch Anstieg der Temperatur der Aufzeichnungsdünnschicht über den Schmelzpunkt aufgezeichnet werden, um die Aufzeichnungsdünnschicht in die amorphe Phase umzuwandeln, sowie durch schnelles Abkühlen der Aufzeichnungsdünnschicht. Bei Bestrahlung durch einen Laserstrahl entlang eines Loches 31 zur Ausbildung einer Aufzeichnungsmarke 30 entsteht eine Temperaturdifferenz zwischen der Mittellinie 32 und einem Rand 33 in einem Loch 31 in der Aufzeichnungsmarke 30. Falls anschließend die Energie des Laserstrahls zum Löschen gering ist, kann die Temperatur der Ränder 33 nicht über den Schmelzpunkt ansteigen und können die Ränder 33 nicht in den amorphen Zustand umgewandelt werden. Anschließend wird eine große Aufzeichnungsenergie zur Aufzeichnung einer Marke benötigt, und die Empfindlichkeit der optischen Scheibe wird schlechter.
Ferner kann in einer beschreibbaren und löschbaren optischen Scheibe eine Information durch Anstieg der Temperatur über die Kristallisationstemperatur gelöscht werden. Falls die Energie des Laserstrahls zum Löschen gering ist, kann die Temperatur der Ränder 33 nicht über den Kristallisationspunkt ansteigen und können die Ränder 33 nicht gelöscht werden. Falls die Löschenergie zum Löschen der Aufzeichnungsmarke 30 vollständig ansteigt, erhöht sich die Temperaturdifferenz sowie die Temperatur der Mittellinie 33. Somit besteht ein Problem darin, daß der Schwankungsbereich der Löschenergie eng wird.
Die US-A-4 984 231, die den nächstkommenden Stand der Technik repräsentiert, von dem die Erfindung ausgeht, offenbart einen optischen Informationsaufzeichnungsträger, der eine Informationsaufzeichnungsschicht, die zu einer Änderung in der Atomanordnung bei Belichtung durch einen Aufzeichnungsstrahl fähig ist, eine erste transparente Schicht zur Verhinderung von Diffusion von in der Aufzeichnungsschicht bei Belichtung durch den Aufzeichnungsstrahl erzeugter und an jeder Seite der Aufzeichnungsschicht vorhandener Wärme, eine zweite transparente Schicht zum Durchlasser der Wärme in der Richtung der Schicht in der gleichen Ebene an mindestens einer Außenseite und ein organisches Element aufweist, das an mindestens einer Außenseite vorgesehen ist, wobei der Aufzeichnungsstrahl auf die Aufzeichnungsschicht durch das organische Element fällt.
Die JP-A-2 139 728 zeigt ebenfalls ein optisches Aufzeichnungsmedium mit drei Schutzschichten an einer Seite der Aufzeichnungsschicht.

ABRISS DER ERFINDUNG

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine optische Scheibe mit verbesserten Aufzeichnungs- und/oder Löscheigenschaften zu schaffen.
Um diese Aufgabe zu lösen, ist gemäß der vorliegenden Erfindung vorgesehen ein optisches Aufzeichnungsmedium mit einer ersten Schutzschicht, die auf einer Oberfläche eines transparenten Substrates aufgebracht ist, einer Aufzeichnungsschicht, die auf der ersten Schutzschicht aufgebracht ist und unter Strahlung vom amorphen Zustand in die kristalline Phase überführt werden kann, und einer vierten Schutzschicht, die auf der Aufzeichnungsschicht aufbracht ist, und ferner mit einem ersten Paar aus einer zweiten Schutzschicht, die auf der ersten Schutzschicht aufgebracht ist, und einer dritten Schutzschicht, die auf der zweiten Schutzschicht aufgebracht ist, wobei dieses Paar zwischen der ersten Schutzschicht und der Aufzeichnungsschicht angeordnet ist, und/oder einem zweiten Paar aus einer fünften Schutzschicht, die auf der vierten Schutzschicht aufgebracht ist, und einer sechsten Schutzschicht (8), die auf der fünften Schutzschicht aufgebracht ist, wobei die ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten aus einem Gemisch aus ZnS und SiO&sub2; und die zweiten und fünften Schutzschichten aus einem Material mit einer größeren Wärmeleitfähigkeit als das der ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß eine Reflexionsschicht auf der vierten Schutzschicht aufgebracht ist, das zweite Paar zwischen der vierten Schutzschicht und der Reflexionsschicht angeordnet ist, die Dicken der dritten und vierten Schutzschichten zwischen 2 und 10 nm gewählt sind, und das Verhältnis von SiO&sub2; gegenüber ZnS in den ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten 5 bis 40 Mol-% beträgt.
Weitere vorteilhafte Ausführungen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
Aufgrund der zuvor erwähnten Merkmale schafft die vorliegende Erfindung eine optische Scheibe mit einer verbesserten Aufzeichnungseigenschaft, einer starken Löschbarkeit und einem weiten Löschenergiebereich, in dem gewisse Zustände von Stoffen und Dicken in Betracht gezogen werden. Insbesondere verwendet die vorliegende Erfindung eine ZnS-SiO&sub2;-Schicht auf der Aufzeichnungsschicht, und diese ZnS-SiO&sub2;-Schicht hat eine Dicke von 2 bis 10 nm unter Berücksichtigung von internen Spannungen, Kristallkorngröße und thermischen Eigenschaften.
Das Medium gemäß der US-A-4 984 231 besitzt keine Reflexionsschicht, und die optisch-thermischen Eigenschaften dieses Mediums sind vollständig anders als die der vorliegenden Erfindung.
Die EP-A-0 516 178 lehrt, eine Reflexionsschicht sowie eine ZnS-SiO&sub2;-Schicht vorzusehen. Jedoch im Gegensatz zur vorliegenden Erfindung ist die ZnS-SiO&sub2;- Schicht dieses herkömmlichen Mediums auf die Reflexionsschicht aufgetragen, und außerdem gibt dieser Stand der Technik keinen Hinweis auf die durch die vorliegende Erfindung gelehrten zahlenmäßigen Wertebereiche.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Diese und andere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen deutlich, bei welchen Fig. 1 eine schematische Teilansicht eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums ist;
Fig. 2 eine geschnittene Teilansicht eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums einer ersten Ausführung der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 3 eine geschnittene Teilansicht einer zweiten Ausführung eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums ist; und
Fig. 4 eine geschnittene Teilansicht einer dritten Ausführung des optischen Informationsaufzeichnungsmediums ist.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGEN

Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen werden nachfolgend Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche oder entsprechende Teile über alle Ansichten bezeichnen.

Ausführung 1

Fig. 2 zeigt schematisch eine beschreibbare und löschbare Scheibe einer ersten Ausführung der vorliegenden Erfindung, wobei Bezugszeichen 1 ein aus Polycarbonat-Kunststoff bestehendes Scheibensubstrat bezeichnet. Das Scheibensubstrat 1 kann ein Kunststoffsubstrat mit Vertiefungen bzw. Löchern zur Führung eines Laserstrahles, ein Glassubstrat mit durch Photopolymerisation ausgebildeten Löchern oder ein Substrat mit direkt auf einer Glasplatte ausgebildeten Löchern sein. Bezugszeichen 2 bezeichnet eine erste Schutzschicht mit einer Dicke von etwa 70 nm aus dielektrischem Material mit einem Gemisch aus ZnS und SiO&sub2;. Bezugszeichen 3 bezeichnet eine zweite Schutzschicht mit einer Dicke von etwa 40 nm aus SiO&sub2; mit einer höheren thermischen Leitfähigkeit als die erste Schutzschicht und eine dritte. Bezugszeichen 4 bezeichnet die dritte Schutzschicht mit einer Dicke von etwa 5 nm aus dielektrischem Material mit einem Gemisch aus ZnS und SiO&sub2;. Bezugszeichen 5 bezeichnet eine Aufzeichnungsdünnschicht aus einer Te-Ge-Sb-Legierung. Ihre Zusammensetzung hat "g" = 2.0 und "b" = 0, wobei "g" das Mol-Verhältnis von GeTe/Sb&sub2;Te&sub3; und "b" das Mol-Verhältnis von. Sb/Sb&sub2;Te&sub3; bezeichnet, d. h. die Zusammensetzung lautet (GeTe)&sub2;(Sb&sub2;Te&sub3;). Die Dicke der Aufzeichnungsdünnschicht 5 beträgt etwa 45 nm. Bezugszeichen 6 bezeichnet eine vierte Schutzschicht mit einer Dicke von etwa 5 nm aus dielektrischem Material mit einem Gemisch aus ZnS und SiO&sub2;. Bezugszeichen 7 bezeichnet eine fünfte Schutzschicht mit einer Dicke von etwa 40 nm aus SiO&sub2; mit einer höheren thermischen Leitfähigkeit als die vierte Schutzschicht und eine sechste. Bezugszeichen 8 bezeichnet die sechste Schutzschicht mit einer Dicke von etwa 170 nm aus dielektrischem Material mit einem Gemisch aus ZnS und SiO&sub2;. Bezugszeichen 9 bezeichnet eine Reflexionsschicht mit einer Dicke von etwa 60 nm aus Aluminium. Bezugszeichen 11 bezeichnet eine Schutzplatte aus Polycarbonat- Kunststoff und ist an das Scheibensubstrat 1 mittels einer Klebeschicht 10 angeklebt. Bezugszeichen 12 bezeichnet eine Richtung es Laserstrahls.
Das Verhältnis von SiO&sub2; in den ZnS-SiO&sub2;-Gemisch-Schichten als die ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten 2, 4, 6, 8 ist auf 20 Mol-% gewählt. Im allgemeinen werden die ZnS-SiO&sub2;-Schichten durch Vakuumbedampfung oder Sputtering ausgebildet, und das Sputtering-Verfahren wird in der vorliegenden und anderen Ausführungen verwendet.
Bei der in Fig. 2 dargestellten Struktur werden Aufzeichnung, Löschen und Wiedergabe durch Bestrahlung der Aufzeichnungsdünnschicht 5 mit einem Laserstrahl 12 in der Richtung des Pfeils 12 mit einer in Abhängigkeit von den Daten bei der Aufzeichnung, dem Löschen und der Wiedergabe modulierten Intensität des Laserstrahls und durch Erfassung des Reflexionslichtes durchgeführt. In der optischen Scheibe werden geeignete Modulationswerte für eine Differenz des Reflexionslichtes zwischen unterschiedlichen Zuständen, für eine Änderung des Reflexionsvermögens und für eine Differenz der Absorptionsrate zwischen einem nicht aufgezeichneten Bereich (gewöhnlich im kristallinen Zustand) und einem Aufzeichnungsmarkierungsbereich (gewöhnlich im amorphen Zustand) realisiert. Die Absorptionsrate des kristallinen Zustandes beträgt 71,8%, während die des amorphen Zustandes 70,3% beträgt. Außerdem beträgt die Differenz des Reflexionsvermögens 17,2%.
Die Überschreibeigenschaft der Scheibe der vorliegenden Ausführung mit einem Außendurchmesser von 130 mm wird bei 4930 U/Min. für Signale mit f1 = 15 MHz und f2 = 5,63 MHz gemessen. Ein Überschreiben wird mit einem Laserstrahl mit einem kreisförmigen Lichtfleck von etwa 1 um durch Modulation zwischen einem Hochenergiepegel von 22-24 mW und einem Niedrigenergiepegel von 9-13 mW durchgeführt. Die Aufzeichnung und das Löschen werden mit einem Überschreibverfahren durchgeführt, d. h. eine amorphe Marke wird unter dem Hochenergiepegel ausgebildet, während eine kristalline Marke unter dem Niedrigenergiepegel ausgebildet wird. Das Ergebnis zeigt, daß das C/N (Träger/Rauschen)- Verhältnis des Aufzeichnungssignals 50 dB oder größer beträgt. Bezüglich der Löscheigenschaft kann die Löschzyklus-Eigenschaft von 100,000-fach oder mehr für die Löschfähigkeit von 24 dB oder größer realisiert werden. Diese Daten bedeuten, daß die optische Scheibe praktische Verwendung finden kann. Außerdem wird die weite Löschenergiebandbreite realisiert.
Die Zusammensetzung der Aufzeichnungsdünnschicht 5 kann folgenden Wert von "g" haben, der das Mol-Verhältnis von GeTe/Sb&sub2;Te&sub3; bezeichnet: 1.0 ≤ g ≤ 2.5; und einen folgenden Wert von "b", welcher das Mol-Verhältnis von Sb/Sb&sub2;Te&sub3; bezeichnet: 0.0 ≤ b ≤ 0.5.
Außerdem kann die Dicke der Aufzeichnungsdünnschicht 5 zwischen etwa 30 und 50 nm gewählt werden. Falls die Dicke kleiner als 30 nm ist, wird die Signalamplitude gering, während bei einer Dicke von größer als 50 nm die Empfindlichkeit der Scheibe gering wird, weil die Laserenergie zum Erhitzen der Dünnschicht 5 für die Phasenwandlung erhöht werden muß.
Die Dicken der zweiten und fünften Schutzschichten 3, 7 werden zwischen 30 und 50 nm gewählt. Falls die Dicke kleiner als 30 um ist, kann die Hitze kaum in die Richtungen der Ebene diffundieren, und der Vorteil, die Hitze in Richtungen der Ebene durchzulassen, wird geringer. Falls die Dicke größer als 50 um ist, werden die Schutzschichten 3, 7 zu schnell abgekühlt und muß die Laserenergie erhöht werden.
Die zweiten und fünften Schutzschichten 3 und 7 aus einem Material mit einer größeren thermischen Leitfähigkeit können aus AlN, Al&sub2;O&sub3;, SiC oder Ta&sub2;O&sub5; anstelle SiO&sub2; bestehen.
Das Mol-Verhältnis von SiO&sub2; in den ZnS-SiO&sub2;-Gemisch-Schichten der ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten 2, 4, 6, 8 wird zwischen 5 und 40% gewählt. Falls das Mol-Verhältnis kleiner als 5% ist, wird ein Vorteil des Gemisches, die Korngrößen zu verringern, gering und steigt ein schlechter Einfluß des Rauschens an. Falls das Mol-Verhältnis größer als 40% ist, steigt die thermische Leitfähigkeit an und muß die Laserenergie für die Phasenumwandlung verstärkt werden und wird die Empfindlichkeit der optischen Scheibe kleiner.
Die Dicken der dritten und vierten Schutzschichten werden zwischen 2 und 10 nm gewählt. Falls die Dicke kleiner als 2 nm ist, diffundiert die Wärme stark in die Richtungen der Ebene, und dies zerstört die Wirkung der zweiten und fünften Schutzschichten, die Hitze in Richtungen der Ebene durchzulassen. Falls andererseits die Dicke größer als 10 nm ist, muß die Laserenergie zum Schmelzen der Aufzeichnungsdünnschicht erhöht werden oder wird die Empfindlichkeit der optischen Scheibe gering.
Die Gesamtsumme der Dicken der ersten, zweiten und dritten Schutzschichten 2, 3, 4 wird zwischen 105 und 130 nm gewählt, um zu realisieren, daß die optische Absorptionsrate in den kristallinen und amorphen Zuständen 60% oder mehr um die Differenz der Reflexionsfähigkeit zwischen den beiden Zuständen 15% oder mehr beträgt. Die Gesamtsumme der Dicken der vierten, fünften und sechsten Schutzschichten 6, 7, 8 wird zwischen 150 und 250 nm aus demselben Grund gewählt.

Ausführung 2

Falls außerdem sogar entweder die zweite oder die fünfte Schutzschicht 3, 7 weggelassen wird, erhält man einen ähnlichen Vorteil. Fig. 3 zeigt einen Fall, bei dem die zweite Schutzschicht 3 weggelassen ist. Die in Fig. 3 gezeigte Struktur ist dieselbe wie die in Fig. 2 gezeigte, mit der Ausnahme, daß eine erste Schutzschicht 2' mit einer Dicke von etwa 110 nm die ersten bis dritten Schutzschichten 2-4 ersetzt.
In der in Fig. 3 gezeigten Struktur beträgt die Absorptionsrate des kristallinen Zustandes 71,8%, während die des amorphen Zustandes 70,3% beträgt. Außerdem beträgt die Differenz der Reflexionsfähigkeit 17,2%.
Das Verhältnis von SiO&sub2; in der ZnS-SiO&sub2;-gemischten Schicht als die erste Schutzschicht 102 beträgt 20 Mol-%.
Die Dicke der ersten Schutzschicht 102 liegt zwischen 105 und 130 nm, um zu realisieren, daß die optische Absorptionsrate in den kristallinen und amorphen Zuständen 60% oder mehr beträgt und eine Differenz der Reflexionsfähigkeit zwischen den beiden Zuständen 15% oder mehr beträgt.
Die Überschreibeigenschaft der Scheibe der vorliegenden Erfindung mit einem Außendurchmesser von 130 mm wird ähnlich wie bei der Ausführung 1 gemessen. Das Ergebnis zeigt, daß das C/N-Verhältnis des Aufzeichnungssignals 50 dB oder größer beträgt. Bezüglich der Löscheigenschaft kann ein Löschzyklus von 100.000- fach oder mehr für die Löschfähigkeit von 24 dB oder höher realisiert werden. Außerdem wird eine weite Löschenergiebandbreite realisiert.

Ausführung 3

Außerdem zeigt Fig. 4 einen Fall, bei dem die fünfte Schutzschicht 7 weggelassen ist. Die in Fig. 4 gezeigte Struktur ist dieselbe wie die in Fig. 2 gezeigte, mit der Ausnahme, daß eine vierte Schutzschicht 6' mit einer Dicke von etwa 220 nm die vierten bis sechsten Schutzschichten 6-8 ersetzt.
In der in Fig. 4 gezeigten Struktur beträgt die Absorptionsrate des kristallinen Zustandes 71,8%, während die des amorphen Zustandes 70,3% beträgt. Außerdem beträgt die Differenz der Reflexionsfähigkeit 17,2%.
Das Verhältnis von SiO&sub2; in der ZnS-SiO&sub2;-gemischten Schicht als der vierten Schutzschicht 106 beträgt 20 Mol-%.
Die Dicke der vierten Schutzschicht 6' liegt zwischen 150 und 250 nm, um zu realisieren, daß die optische Absorptionsrate in den kristallinen und amorphen Zuständen 60% oder mehr beträgt und eine Differenz der Reflexionseigenschaft zwischen den zwei Zuständen 15% oder mehr beträgt.
Die Überschreibeigenschaft der Scheibe der vorliegenden Erfindung mit einem Außendurchmesser von 130 nm wird ähnlich wie bei der Ausführung 1 gemessen. Das Ergebnis zeigt, daß das C/N-Verhältnis des Aufzeichnungssignals 50 dB oder mehr beträgt. Bezüglich der Löscheigenschaft kann ein Löschzyklus von 100.000- fach oder mehr für die Löschfähigkeit von 24 dB oder größer realisiert werden. Außerdem wird eine weite Löschenergiebandbreite realisiert.
Die zuvor beschriebenen Ausführungen betreffen eine beschreibbare und löschbare optische Scheibe. Jedoch kann auch eine einmal beschreibbare Scheibe mit den in den Fig. 2-4 dargestellten Strukturen in ähnlicher Weise verwendet werden. Eine Aufzeichnungsdünnschicht 5 kann beispielsweise aus TeOx (0 < x < 2.0) mit Te und TeO&sub2; als Hauptkomponenten hergestellt sein, während die Schutzschichten 3, 7 aus SiO&sub2;, AlN, Al&sub2;O&sub3;, SiC oder Ta&sub2;O&sub5; mit einer größeren thermischen Leitfähigkeit als die benachbarten Schutzschichten 2, 4, 6 und 8 hergestellt sein können. Somit wird die thermische Leitfähigkeiteigenschaft der Schutzschichten verbessert, so daß die Aufnahmeeigenschaft verbessert wird.

Claims

1. Optisches Aufzeichnungsmedium mit:

einer ersten Schutzschicht (2), die auf einer Oberfläche eines transparenten Substrates (1) aufgebracht ist;

einer Aufzeichnungsschicht (5), die auf der ersten Schutzschicht (2) aufgebracht ist und unter Strahlung vom amorphen Zustand in die kristalline Phase überführt werden kann; und

einer vierten Schutzschicht (6), die auf der Aufzeichnungsschicht (5) aufbracht ist;

und ferner mit:

einem ersten Paar aus einer zweiten Schutzschicht (3), die auf der ersten Schutzschicht (2) aufgebracht ist, und einer dritten Schutzschicht (4), die auf der zweiten Schutzschicht (3) aufgebracht ist, wobei dieses Paar zwischen der ersten Schutzschicht (2) und der Aufzeichnungsschicht (5) angeordnet ist, und/oder einem zweiten Paar aus einer fünften Schutzschicht (7), die auf der vierten Schutzschicht (6) aufgebracht ist, und einer sechsten Schutzschicht (8), die auf der fünften Schutzschicht (7) aufgebracht ist;

wobei die ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten (2, 4, 6, 8) aus einem Gemisch aus ZnS und SiO&sub2; und die zweiten und fünften Schutzschichten (3, 7) aus einem Material mit einer größeren Wärmeleitfähigkeit als das der ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten (2, 4, 6, 8) bestehen;

dadurch gekennzeichnet, daß

eine Reflektionsschicht (9) auf der vierten Schutzschicht (6) aufgebracht ist;

das zweite Paar zwischen der vierten Schutzschicht (6) und der Reflektionsschicht (9) angeordnet ist;

die Dicken der dritten und vierten Schutzschichten (4, 6) zwischen 2 und 10 nm gewählt sind; und

das Verhältnis von SiO&sub2; gegenüber ZnS in den ersten, dritten, vierten und sechsten Schutzschichten (2, 4, 6, 8) 5 bis 40 Mol-% beträgt.

2. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei welchem das Material der zweiten und fünften Schutzschichten (3, 7) mit der größeren Wärmeleitfähigkeit aus mindestens einem Stoff aus der Gruppe der Stoffe SiO&sub2;, AlN, Al&sub2;O&sub3;, Si&sub3;N&sub4;, SiC und Ta&sub2;O&sub5; bestehen.

3. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei welchem die Dicke der zweiten oder fünften Schutzschichten (3, 7) zwischen 30 und 50 nm gewählt ist.

4. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei welchem die Gesamtsumme der Dicke der ersten, zweiten und dritten Schutzschichten (2, 3, 4) zwischen 105 und 130 nm gewählt ist.

5. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei welchem die Gesamtsumme der Dicke der vierten, fünften und sechsten Schutzschichten (6, 7, 8) zwischen 150 und 250 nm gewählt ist.

6. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei welchem die Aufzeichnungsschicht (5) aus Material besteht, das reversibel zwischen dem kristallinen Zustand und dem amorphen Zustand überführt werden kann.

7. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei welchem die Aufzeichnungsschicht (5) aus Material besteht, das Te, Ge und Sb aufweist.

8. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 7, bei welchem die Dicke der Aufzeichnungsschicht (5) zwischen 30 und 50 nm gewählt ist.

9. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 7, bei welchem die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht (5) einen folgenden Wert von "g" besitzt, welcher das Mol-Verhältnis von GeTe/Sb&sub2;Te&sub3; bezeichnet:

1,0 ≤ g ≤ 25

und einen folgenden Wert von "b" besitzt, welcher das Mol-Verhältnis von Sb/Sb&sub2;Te&sub3; bezeichnet:

0,0 ≤ b ≤ 0,5.