DE69314292T2 - Heteroübergangsfeldeffekttransistor mit verbesserter Transistorseigenschaft - Google Patents
Heteroübergangsfeldeffekttransistor mit verbesserter TransistorseigenschaftInfo
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Description
- Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor mit einer Heteroübergangsstruktur, die bei der Erzeugung eines zweidimensionalen Elektronengases, das als Ladungsträger verwendet wird, benutzt wird.
- Ein Feldeffekttransistor des beschriebenen Typs umfaßt eine erste Halbleiterschicht und eine auf der ersten Halbleiterschicht ausgebildete zweite Halbleiterschicht. Eine Heteroübergangsstruktur ist zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht ausgebildet. Ein solcher Feldeffekttransistor kann als Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit bezeichnet werden.
- Um die Transistoreigenschaft des Feldeffekttransistors zu verbessern, ist es nötig, eine Diskontinuität des Leitfähigkeitsband zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht groß zu machen.
- Ein bekannter Feldeffekttransistor des oben beschriebenen Typs ist unter dem Titel "High Transconductance In- GaAs/AlGaAs Pseuodmorphic Modulation-Doped Field-Effect Transistors" von A. Ketterson u.a. in IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Band EDL-6, Dezember 1985, Seiten 628-630, offenbart.
- Bei dem bekannten Feldeffekttransistor dient eine nichtdotierte InGaAs-Halbleiterschicht als erste Halbleiterschicht. Eine AlGaAs-Halbleiterschicht vom n-Typ dient als zweite Halbleiterschicht. Entsprechend einem Bericht, den S.W. Corzine u.a. in APPLIED PHYSICS LETTERS, Band 57, Nr. 26, 1990, Seiten 2835-2837 veröffentlicht haben, ist es bekannt, daß der bekannte Feldeffekttransistor eine Leitfähigkeitsbanddiskontinuität von 0,28 eV hat, wenn die nichtdotierte InGaAs-Halbleiterschicht aus In0,2Ga0,8As und die AlGaAs-Halbleiterschicht vom n-Typ aus Al-0,2 Ga0,8As zusammengesetzt ist.
- Es ist jedoch schwierig, eine gute Transistorcharakteristik bei dem bekannten Feldeffekttransistor zu erhalten, da der bekannte Feldeffekttransistor keine hinreichende Leitfähigkeitsbanddiskontinuität zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht hat.
- Es ist deshalb eine Aufgabe der Erfindung, einen Feldeffekttransistor zu schaffen, der in der Lage ist, die Transistorcharakteristika zu verbessern.
- Weitere Aufgaben der Erfindung werden aus dem weiteren Verlauf der Beschreibung deutlich.
- Aus der Beschreibung der Zielrichtung der Erfindung ist zu verstehen, daß ein Feldeffekttransistor umfaßt: eine erste Halbleiterschicht, eine auf der ersten Halbleiterschicht ausgebildete zweite Halbleiterschicht und eine zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildete Heteroübergangsstruktur.
- Erfindungsgemäß ist die erste Halbleiterschicht aus InAlGaP zusammengesetzt, und die zweite Halbleiterschicht ist aus InGaAs zusammengesetzt.
- Fig. 1 zeigt eine Seitenansicht im Schnitt eines bekannten Feldeffekttransistors;
- Fig. 2 zeigt eine Seitenansicht im Schnitt eines Feldeffekttransistors entsprechend einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform;
- Fig. 3 zeigt eine Seitenansicht im Schnitt eines Feldeffekttransistors entsprechend einer zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform; und
- Fig. 4 zeigt eine Seitenansicht im Schnitt eines Feldeffekttransistors entsprechend einer dritten erfindungsgemäßen Ausführungsform.
- In Fig. 1 wird zunächst ein bekannter Feldeffekttransistor 10 für ein besseres Verständnis der Erfindung beschrieben. Der Feldeffekttransistor 10 umfaßt ein halbisolierendes GaAs-Substrat 11, das eine in Fig. 11 nach oben gerichtete Hauptoberfläche hat, eine undotierte GaAs-Schicht 13 auf der Hauptoberf läche, eine undotierte InGaAs-Schicht 14 auf der undotierten GaAs-Schicht 13, eine AlGaAs-Schicht 15 vom n-Typ auf der undotierten InGaAs-Schicht 14, eine GaAs- Schicht 16 vom n-Typ auf der AlGaAs-Schicht 15 vom n-Typ, erste und zweite ohmsche Elektroden 17 und 18 auf der GaAs- Schicht 16 vom n-Typ und eine Gateelektrode 19 auf der Al- GaAs-Schicht 15 vom n-Typ. Bei dem gezeigten Beispiel dient die undotierte InGaAs-Schicht 14 als erste Halbleiterschicht. Die AlGaAs-Schicht 15 vom n-Typ dient als zweite Halbleiterschicht. Eine Heteroübergangsstruktur ist zwischen der undotierten InGaAs-Schicht 14 und der AlGaAs- Schicht 15 vom n-Typ ausgebildet.
- Die undotierte GaAs-Schicht 13 hat eine Dicke von 200 nm. Die undotierte InGaAs-Schicht 14 hat eine Dicke von 15 nm. Die AlGaAs-Schicht 15 vom n-Typ hat eine Dicke von 30 nm. Die GaAs-Schicht 16 vom n-Typ hat eine Dicke von 60 nm. Jede der ersten und zweiten ohmschen Elektroden 17 und 18 ist aus AuGe und Ni zusammengesetzt. Die Gateelektrode 19 ist aus Ti, Pt und Au zusammengesetzt.
- Wie auf diesem Gebiet bekannt ist, wird ein zweidimensionales Elektronengas in der Heteroübergangsstruktur erzeugt. Ein Kanal wird in der undotierten InGaAs-Schicht gebildet. Elektronen bewegen sich in dem Kanal.
- Es ist jedoch schwierig, eine gute Transistoreigenschaft bei dem Feldeffekttransistor 10 zu erzielen, wenn der Feldeffekttransistor die undotierte InGaAs-Schicht 14 und die AlGaAs-Schicht 15 vom n-Typ aufweist.
- In Fig. 2 fährt die Beschreibung nun mit einem Feldeffekttransistor 20 entsprechend einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform fort. Der gezeigte Feldeffekttransistor 20 umfaßt ein halbisolierendes Substrat 21, das eine in Fig. 2 nach oben gerichtete Hauptoberfläche 22 hat, eine undotierte oder Pufferschicht 23 auf der Hauptoberfläche 22, eine erste Halbleiterschicht 24 auf der undotierten Schicht 23, eine zweite Halbleiterschicht 25 auf der ersten Halbleiterschicht 24, eine dritte Halbleiterschicht 26 auf der zweiten Halbleiterschicht 25, erste und zweite ohmsche Elektroden 27 und 28 auf der dritten Halbleiterschicht 26 und eine Gatelelektrode 29 auf der Halbleiterschicht 25. Die Heteroübergangsstruktur ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 24 und der zweiten Halbleiterschicht 25 ausgebildet.
- Bei dem gezeigten Beispiel ist das halbisolierende Substrat 21 aus GaAs zusammengesetzt. Die undotierte Schicht 23 hat eine Dicke von 200 nm und ist aus GaAs zusammengesetzt. Die erste Halbleiterschicht 24 hat eine Dicke von 15 nm und ist eine undotierte Schicht, die aus In0,2Ga0,8As zusammengesetzt ist. Die erste Halbleiterschicht 24 wird als Kanalschicht verwendet. Deshalb kann die erste Halbleiterschicht 24 als Kanalschicht bezeichnet werden.
- Die zweite Halbleiterschicht 25 hat eine Dicke von 30 nm und ist eine dotierte Schicht, die aus In0,5(Al0,3Ga0,7)0,5P zusammengesetzt ist. Die zweite Halbleiterschicht 24 enthält Silizium als Verunreinigung vom n- Typ, das gleichmäßig mit einer Dichte von 2x10¹&sup8;cm&supmin;³ in die Halbleiterschicht 25 dotiert ist. Die zweite Halbleiterschicht 25 kann als Elektronenzufuhrschicht bezeichnet werden.
- Die dritte Halbleiterschicht hat eine Dicke von 60 nm und ist eine dotierte Schicht, die aus GaAs zusammengesetzt ist. Die dritte Halbleiterschicht 26 enthält Silizium als Verunreinigung vom n-Typ, das gleichmäßig mit einer Dichte von 2x10¹&sup8;cm&supmin;³ in die dritten Halbleiterschicht 26 dotiert ist. Die dritte Halbleiterschicht 26 kann als Abdeckschicht bezeichnet werden.
- Beim Herstellen des in Fig. 2 gezeigten Feldeffekttransistors 20 wird von der metallorganischen chemischen Dampfabscheidung beim Wachsen der undotierten Schicht 23 und den ersten bis dritten Halbleiterschichten 24 bis 26 Gebrauch gemacht. Ein mittlerer Teil der dritten Halbleiterschicht 26 wird von der zweiten Halbleiterschicht 25 durch Ätzen entfernt, so daß ein mittlerer Teil der zweiten Halbleiterschicht 25 freigelegt ist. Im Ergebnis wird ein ausgeschnittener Abschnitt 30 durch einen verbleibenden Teil der dritten Halbleiterschicht 26 und der Schichtoberfläche der zweiten Halbleiterschicht 25 gebildet.
- Beim Ausbilden der ersten und zweiten ohmschen Elektroden 27 und 28 auf der Oberfläche des verbleibenden Teils der dritten Halbleiterschicht 26, werden AuGe und Ni auf der Oberfläche des verbleibenden Teils der dritten Halbleiterschicht 26 in einem Abscheideverfahren abgeschieden. Das Abscheideverfahren wird von einem Wärmebehandlungsverfahren gefolgt, so daß die ersten und zweiten ohmschen Elektroden 27 und 28 auf der Oberfläche des verbleibenden Teils der dritten Halbleiterschicht 26 ausgebildet sind. Eine der ersten und zweiten ohmschen Elektroden 27 und 28 wird als Sourceelektrode verwendet. Die andere der ersten und zweiten ohmschen Elektroden 27 und 28 wird als Drainelektrode verwendet.
- Unter Verwendung von Ti, Pt und Au wird die Gateelektrode 29 als Schottky-Elektrode auf der Schichtoberf läche der zweiten Halbleiterschicht 25 in dem ausgeschnittenen Teil 30 ausgebildet. Die Gateelektrode hat eine Gatelänge von 015 µm.
- Bei dem Feldeffekttransistor 20 wurde die Leitfähigkeitsbanddiskontinuität zwischen der ersten Halbleiterschicht 24 und der zweiten Halbleiterschicht 25 gemessen. Als Ergebnis wurde gefunden, daß die Leitfähigkeitsbanddiskontinuität zwischen der ersten Halbleiterschicht 24 und der zweiten Halbleiterschicht 25 gleich 0,41 eV ist.
- In Fig. 3 geht die Beschreibung mit einem Feldeffekttransistor entsprechend einer zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform weiter. Der gezeigte Feldeffekttransistor hat eine andere Struktur als der in Fig. 2 gezeigte Feldeffekttransistor und wird daher durch ein neues Bezugszeichen 40 bezeichnet. Der Feldeffekttransistor 40 umfaßt ähnliche Teile, die durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet sind. Der Feldeffekttransistor 40 wird in einer Art, ähnlich der bei der ersten Ausführungsform beschriebenen, hergestellt, mit der Ausnahme, daß der Feldeffekttransistor 40 eine andere erste Halbleiterschicht als der Feldeffekttransistor 20 hat. Bei dem gezeigten Beispiel wird die erste Halbleiterschicht des Feldeffekttransistors 40 als erste dotierte Halbleiterschicht bezeichnet und mit dem Bezugszeichen 41 gekennzeichnet.
- Die erste dotierte Halbleiterschicht 41 hat eine Dicke von 15 nm und eine obere Oberfläche und eine untere Oberfläche, die nach oben bzw. nach unten in Fig. 3 ausgerichtet sind. Silizium wird mit einer Oberflächendichte von 5 x 10¹² cm&supmin;² als Verunreinigung vom n-Typ in die erste dotierte Halbleiterschicht 41 parallel zur unteren Oberfläche der ersten dotierten Halbleiterschicht 41 dotiert, wie es durch die unterbrochene Linie in Fig. 3 gezeigt ist. Die unterbrochene Linie ist in einer Höhe von 10 nm von der unteren Oberfläche der ersten dotierten Halbleiterschicht angeordnet. Silizium wird nämlich eben in die erste dotierte Halbleiterschicht 41 dotiert. Im Ergebnis umfaßt die erste dotierte Halbleiterschicht 41 einen undotierten Film und einen dotierten Film, der in dem undotierten Film enthalten ist.
- In Fig. 4 geht die Beschreibung mit einem Feldeffekttransistor entsprechend einer dritten erfindungsgemäßen Ausführungsform fort. Der gezeigte Feldeffekttransistor hat eine andere Struktur als der Feldeffekttransistor 20, der in Fig. 2 gezeigt ist, und deshalb wird er durch ein neues Bezugszeichen 50 bezeichnet. Der Feldeffekttransistor 50 umfaßt ähnliche Teile, die durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet sind. Der Feldeffekttransistor 50 wird in einer der ersten Ausführungsform ähnlichen Art hergestellt, mit der Ausnahme, daß der Feldeffekttransistor 50 desweiteren eine vierte Halbleiterschicht 51 zwischen der undotierten Schicht 23 und der ersten Halbleiterschicht 24 enthält. Die vierte Halbleiterschicht 51 hat eine Dicke von 5 nm und ist eine dotierte Schicht, die aus In0,5(Al0,3Ga0,7)0,5P zusammengesetzt ist. Die vierte Halbleiterschicht enthält Sihzium als Verunreinigungsmaterial vom n-Typ, das gleichmäßig mit einer Dichte von 2 x 10¹&sup8;cm&supmin;³ in die vierten Halbleiterschicht 51 dotiert ist.
- Nun wird eine Transistoreigenschaft von jedem der Feldeffekttransistoren 10, 20, 40 und 50 beschrieben. Eine maximale Transkonduktanz (transconductance), eine Abschneidefrequenz und ein maximaler Ausgabestrom wurden für jeden der Feldeffekttransistoren 10, 20, 40 und 50 gemessen. Als Ergebnis der Messung der maximalen Transkonduktanz, der Abschneidefrequenz und des maximalen Ausgabestroms wurde gefunden, daß der Feldeffekttransistor 10 eine maximale Transkonduktanz von 300 mS/mm, die Abschneidefrequenz von 29 GHz und den maximalen Ausgabestrom von 290 mA/mm aufweist. In ähnlicher Weise wurde gefunden, daß der Feldeffekttransistor 20 eine maximale Transkonduktanz von 360 mS/mm, eine Abschneidefrequenz von 38 GHz und einem maximalen Ausgabestrom von 330 mA/mm hat. Es wurde gefunden, daß der Feldeffekttransistor 40 eine maximale Transkonduktanz von 400 mS/mm, eine Abschneidefrequenz von 30 GHz und einem maximalen Ausgabestrom von 480 InA/mm hat. Es wurde gefunden, daß der Feldeffekttransistor 50 eine maximale Transkonduktanz von 310 rns/mm, eine Abschneidefrequenz von 36 GHz und einen maximalen Ausgabestrom von 410 mA/mm hat.
- Wie aus den vorangehenden Messungsergebnis ersichtlich ist, hat jeder der Feldeffekttransistoren 20, 40 und 50 eine bessere Transistoreigenschaft als der Feldeffekttransistor 10.
- Obwohl bei jeder der ersten bis dritten Ausführungsformen die Gateelektrode aus TiPtAu zusammengesetzt war, kann die Gateelektrode aus anderen Materialien zusammengesetzt werden, mit denen ein Schottky-Übergang gebildet wird. In ähnlicher Weise kann jede der ohmschen Elektroden aus anderen Materialien gebildet sein, obwohl bei den ersten bis dritten Ausführungsformen jede der ohmschen Elektroden aus Au- GeNi gebildet ist.
- Obwohl bei jeder der ersten bis dritten Ausführungsformen Silizium gleichmäßig in die zweiten Halbleiterschicht dotiert ist, kann Silizium in die zweite Halbleiterschicht so dotiert werden, daß sich die Dichte des Siliziums in einer Richtung vertikal zu der Schichtoberfläche der zweiten Halbleiterschicht ändert. Silizium kann nämlich stufenweise in die zweite Halbleiterschicht dotiert werden. Desweiteren kann Silizium lokal in die zweite Halbleiterschicht dotiert sein. Silizium kann z.B. eben in die zweite Halbleiterschicht dotiert sein. Zusätzlich kann eine undotierte Abstandsschicht zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht gebildet sein. Soweit die erste Halbleiterschicht aus InGaAs zusammengesetzt ist, ist das Zusammensetzungsverhältnis des InGaAs nicht festgelegt.
- Obwohl Silizium eben in die erste Halbleiterschicht bei der zweiten Ausführungsform dotiert wird, kann das Silizium gleichmäßig oder stufenweise in die erste Halbleiterschicht dotiert werden.
- Desweiteren kann anstelle von Silizium Schwefel oder Selen verwendet werden. Zusätzlich kann die Pufferschicht aus Al- GaAs zusammengesetzt sein, obwohl die Pufferschicht in jeder der ersten bis dritten Ausführungsformen aus GaAs zusammengesetzt ist. Die Pufferschicht kann eine Übergitterstruktur haben, die aus AlGaAs/GaAs zusammengesetzt ist.
Claims (33)
1. Feldeffekttransistor mit einer ersten Halbleiterschicht
(24, 41), einer auf der ersten Halbleiterschicht
ausgebildeten zweiten Halbleiterschicht (25) und einer zwischen der
ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht
ausgebildeten Heteroübergangs struktur, wobei:
die erste Halbleiterschicht aus InGaAs zusammengesetzt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die zweite Halbleiterschicht aus InAlGaP zusammengesetzt
ist.
2. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1,
bei dem die erste Halbleiterschicht eine undotierte
Halbleiterschicht ist und bei dem die zweite Halbleiterschicht
eine Verunreinigung enthält, die in die zweite
Halbleiterschicht dotiert ist.
3. Feldeffekttransistor nach Anspruch 2,
bei dem die Verunreinigung eine Verunreinigung vom n-Typ
ist.
4. Feldeffekttransistor nach Anspruch 3,
bei dem die Verunreinigung aus der Gruppe aus Silizium,
Schwefel und Selen ausgewählt ist.
5. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1,
bei dem die erste Halbleiterschicht (41) einen dotierten
Film enthält, in dem eine erste Verunreinigung dotiert ist,
und die zweite Halbleiterschicht desweiteren eine zweite
Verunreinigung enthält, die in die zweite Halbleiterschicht
dotiert ist.
6. Feldeffekttransistor nach Anspruch 5,
bei dem jede der ersten und zweiten Verunreinigungen eine
Verunreinigung vom n-Typ ist.
7. Feldeffekttransistor nach Anspruch 6,
bei dem jede der ersten und zweiten Verunreinigungen aus
der Gruppe aus Silizium, Schwefel und Selen ausgewählt ist.
8. Feldeffektransistor nach Anspruch 3,
der desweiteren ein halbisolierendes Substrat (21) und eine
auf dem halbisolierenden Substrat ausgebildete
Pufferschicht (23) enthält, wobei die erste Halbleiterschicht
(24) auf der Pufferschicht mittels einer
Zwischenhalbleiterschicht (51) ausgebildet ist.
9. Feldeffekttransistor nach Anspruch 8,
bei dem:
das halbisolierende Substrat aus GaAs zusammengesetzt ist
und
bei dem die Pufferschicht aus GaAs oder AlGaAs
zusammengesetzt ist.
10. Feldeffekttransistor nach Anspruch 9,
bei dem die Pufferschicht eine undotierte Schicht ist.
11. Feldeffekttransistor nach Anspruch 10,
bei dem die Zwischenhalbleiterschicht aus InAlGaP
zusammengesetzt ist.
12. Feldeffekttransistor nach Anspruch 11,
bei dem die Zwischenhalbleiterschicht desweiteren eine
Zwischen-Verunreinigung enthält, die in die
Zwischenhalbleiterschicht dotiert ist.
13. Feldeffekttransistor nach Anspruch 12,
bei dem die Zwischen-Verunreinigung eine Verunreinigung vom
n-Typ ist.
14. Feldeffektransistor nach Anspruch 13,
bei dem die Zwischen-Verunreinigung aus der Gruppe aus
Silizium, Schwefel und Seien ausgewählt ist.
15. Feldeffekttransistor nach Anspruch 8,
bei dem:
das halbisolierende Substrat aus GaAs zusammengesetzt ist
und
die Pufferschicht eine Übergitterstruktur aus AlGaAs/GaAs
hat.
16. Feldeffekttransistor nach Anspruch 15,
bei dem die Pufferschicht eine undotierte Schicht ist.
17. Feldeffekttransistor nach Anspruch 16,
bei dem die Zwischenhalbleiterschicht aus InAlGaP
zusammengesetzt ist.
18. Feldeffekttransistor nach Anspruch 17,
bei dem die Zwischenhalbleiterschicht desweiteren eine
Zwischen-Verunreinigung enthält, die in die
Zwischenhaibleiterschicht dotiert ist.
19. Feldeffekttransistor nach Anspruch 18,
bei dem die Zwischen-Verunreinigung eine Verunreinigung vom
n-Typ ist.
20. Feldeffekttransistor nach Anspruch 19,
bei dem die Zwischen-Verunreinigung aus der Gruppe aus
Silizium, Schwefel und Seien ausgewählt ist.
21. Feldeffekttransistor nach Anspruch 3,
der desweiteren ein halbisolierendes Substrat (21) und eine
auf dem halbisolierenden Substrat ausgebildete
Pufferschicht (23) enthält, wobei die erste Halbleiterschicht auf
der Pufferschicht ausgebildet ist.
22. Feldeffekttransistor nach Anspruch 21,
bei dem
das halbisolierende Substrat aus GaAs zusammengesetzt ist
und
die Pufferschicht aus GaAs oder AlGaAs zusammengesetzt ist.
23. Feldeffekttransistor nach Anspruch 22,
bei dem die Pufferschicht eine undotierte Schicht ist.
24. Feldeffekttransistor nach Anspruch 23,
bei dem die zweite Halbleiterschicht (25) eine
Schichtoberfläche hat, die in einen vorgegebenen Abschnitt und einen
verbleibenden Abschnitt unterteilt ist, wobei der
Feldeffekttransistor desweiteren enthält:
eine dritte Halbleiterschicht (26), die auf dem
vorgegebenen Abschnitt ausgebildet ist;
eine ohmsche Elektrode (27, 28), die auf der dritten
Halbleiterschicht ausgebildet ist; und
eine Gateelektrode (29), die auf dem verbleibenden
Abschnitt ausgebildet ist.
25. Feldeffekttransistor nach Anspruch 24,
bei dem die dritte Halbleiterschicht aus GaAs und einer
zusätzlichen Verunreinigung vom N-Typ zusammengesetzt ist.
26. Feldeffekttransistor nach Anspruch 25,
bei dem die zusätzliche Verunreinigung aus der Gruppe aus
Siliziurn, Schwefel und Selen ausgewählt ist.
27. Feldeffekttransistor nach Anspruch 26,
bei dem die Gateelektrode eine Schottky-Gateelektrode ist.
28. Feldeffekttransistor nach Anspruch 21,
bei dem das halbisolierende Substrat aus GaAs
zusammengesetzt ist und
die Pufferschicht eine Übergitterstruktur aus AlGaAs/GaAs
hat.
29. Feldeffekttransistor nach Anspruch 28,
bei dem die Pufferschicht eine undotierte Schicht ist.
30. Feldeffekttransistor nach Anspruch 29,
bei dem die zweite Halbleiterschicht (25) eine
Schichtoberfläche hat, die in einen vorgegebenen Abschnitt und einen
verbleibenden Abschnitt unterteilt ist, wobei der
Feldeffekttransistor desweiteren enthält:
eine dritte Halbleiterschicht (26), die auf dem
vorgegebenen Abschnitt ausgebildet ist,
eine ohmsche Elektrode (27, 28), die auf der dritten
Halbleiterschicht ausgebildet ist, und
eine Gateelektrode (29), die auf dem verbleibenden
Abschnitt ausgebildet ist.
31. Feldeffekttransistor nach Anspruch 30,
bei dem die dritte Halbleiterschicht aus GaAs und einer
zusätzlichen Verunreinigung vom n-Typ zusammengesetzt ist.
32. Feldeffekttransistor nach Anspruch 31,
bei dem die zusätzliche Verunreinigung aus der Gruppe aus
Silizium, Schwefel und Selen ausgewählt ist.
33. Feldeffekttransistor nach Anspruch 32,
bei dem die Gateelektrode eine Schottky-Gateelektrode ist.
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