DE60334300D1 - Verfahren zur glättung des umrisses einer auf ein stützsubstrat übertragenen nutschicht - Google Patents

Verfahren zur glättung des umrisses einer auf ein stützsubstrat übertragenen nutschicht

Info

Publication number
DE60334300D1
DE60334300D1 DE60334300T DE60334300T DE60334300D1 DE 60334300 D1 DE60334300 D1 DE 60334300D1 DE 60334300 T DE60334300 T DE 60334300T DE 60334300 T DE60334300 T DE 60334300T DE 60334300 D1 DE60334300 D1 DE 60334300D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
support substrate
substrate
evolution
concept
supporting substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60334300T
Other languages
English (en)
Inventor
Bruno Ghyselen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soitec SA
Original Assignee
Soitec SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR0209022A external-priority patent/FR2842651B1/fr
Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA
Application granted granted Critical
Publication of DE60334300D1 publication Critical patent/DE60334300D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • H01L21/762Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76259Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along a porous layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Decoration By Transfer Pictures (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
DE60334300T 2002-07-17 2003-07-16 Verfahren zur glättung des umrisses einer auf ein stützsubstrat übertragenen nutschicht Expired - Lifetime DE60334300D1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0209022A FR2842651B1 (fr) 2002-07-17 2002-07-17 Procede de lissage du contour d'une couche utile de materiau reportee sur un substrat support
US46152403P 2003-04-09 2003-04-09
PCT/EP2003/007852 WO2004008525A1 (en) 2002-07-17 2003-07-16 Method of smoothing the outline of a useful layer of material transferred onto a support substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE60334300D1 true DE60334300D1 (de) 2010-11-04

Family

ID=30117031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60334300T Expired - Lifetime DE60334300D1 (de) 2002-07-17 2003-07-16 Verfahren zur glättung des umrisses einer auf ein stützsubstrat übertragenen nutschicht

Country Status (7)

Country Link
EP (3) EP2164096B1 (de)
JP (1) JP4368851B2 (de)
AT (1) ATE482468T1 (de)
AU (1) AU2003250107A1 (de)
DE (1) DE60334300D1 (de)
TW (1) TWI273645B (de)
WO (1) WO2004008525A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2860842B1 (fr) * 2003-10-14 2007-11-02 Tracit Technologies Procede de preparation et d'assemblage de substrats
FR2899594A1 (fr) 2006-04-10 2007-10-12 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de substrats avec traitements thermiques a basses temperatures
FR3055063B1 (fr) * 2016-08-11 2018-08-31 Soitec Procede de transfert d'une couche utile

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5597410A (en) * 1994-09-15 1997-01-28 Yen; Yung C. Method to make a SOI wafer for IC manufacturing
FR2755537B1 (fr) * 1996-11-05 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un film mince sur un support et structure ainsi obtenue
JP3352896B2 (ja) * 1997-01-17 2002-12-03 信越半導体株式会社 貼り合わせ基板の作製方法
FR2774214B1 (fr) * 1998-01-28 2002-02-08 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT ET EN PARTICULIER SiCOI
US6093623A (en) * 1998-08-04 2000-07-25 Micron Technology, Inc. Methods for making silicon-on-insulator structures
US6664169B1 (en) * 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
WO2001073831A1 (fr) * 2000-03-29 2001-10-04 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede d'obtention de tranches de silicium ou de soi et tranches ainsi obtenues
JP2001284622A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2164096A3 (de) 2010-07-21
WO2004008525A1 (en) 2004-01-22
EP2164097A2 (de) 2010-03-17
EP1523773B1 (de) 2010-09-22
EP2164097A3 (de) 2010-07-21
EP2164096A2 (de) 2010-03-17
JP2005533395A (ja) 2005-11-04
EP2164096B1 (de) 2012-09-05
EP2164097B1 (de) 2012-06-27
AU2003250107A1 (en) 2004-02-02
ATE482468T1 (de) 2010-10-15
TW200414332A (en) 2004-08-01
JP4368851B2 (ja) 2009-11-18
TWI273645B (en) 2007-02-11
EP1523773A1 (de) 2005-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60127402D1 (de) Verfahren zur herstellung von substraten und dadurch hergestellte substrate
DE60321139D1 (de) System und verfahren zur programmierbaren konsolidierung von materialien
DE50115314D1 (de) Anordnung und Verfahren zur Erfassung von Dehnungen und Temperaturen und deren Veränderungen einer auf einem Träger applizierten Deckschicht
DK0811430T3 (da) Vandafvisende overfladebehandling med syreaktivering
AU2002253961A1 (en) Soil resistant curable laminate coating
DE59902372D1 (de) Identifikationslabel sowie verfahren zur herstellung eines identifikationslabels
EP0928022A3 (de) Kunststoffgehäuse-Herstellung
DK1273738T3 (da) Forskallingselement samt fremgangsmåde til at reparere samme
DE69705744D1 (de) Artikel mit superlegierungsubstrat und einer anreicherungsschicht darauf, sowie verfahren zu dessen herstellung
DE60334300D1 (de) Verfahren zur glättung des umrisses einer auf ein stützsubstrat übertragenen nutschicht
DE10292159D2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Teilen mit einer Versiegelungsschicht auf der Oberfläche und derartige Teile
ATE326642T1 (de) Halte- oder befestigungselement mit einer klebefläche zum aufkleben auf eine trägerfläche
ATE488213T1 (de) Verfahren zur herstellung von dentalmassen
ATE280850T1 (de) Verfahren zum aufbringen einer harten beschichtung auf einen gegenstand und beschichteter gegenstand
DE50016044D1 (de) Verfahren zum verpacken von gegenstäden und bahnförmiges verpackungsmaterial
DE60332241D1 (de) Verfahren zur vergrösserung der fläche einer nutzschicht eines auf eine stütze übertragenen materials
ATE370264T1 (de) Verfahren zur herstellung von substraten, insbesondere für die optik, elektronik und optoelektronik
DE60335388D1 (de) Verfahren zur vergrösserung der fläche einer nützlichen materialschicht, die auf einen träger übertragen wird
IT8819652A0 (it) Processo per effettuare la rimozione dalla superficie di un corpo, quale un supporto o un telaio, di uno strato di verniciatura, e prodotti e composizioni per eseguire tale processo.
ATE117281T1 (de) Verfahren zur herstellung von keramischen verbundkörpern und so hergestellte körper.
ATE191210T1 (de) Etikettierbarer glasgegenstand beschichtet mit einer durchsichtigen, hochabriebfesten schutzbeschichtung und verfahren zur herstellung
DE60334555D1 (de) Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht, einschliesslich eines schrittes des korrigierens der dicke durch hilfsoxidation und zugehörige vorrichtung
ATE210534T1 (de) Metallteil mit einer auswendigen oberfläche mit einem besonderen profil, polierverfahren zur herstellung desselben sowie vorrichtung zu seiner durchführung
ATE240279T1 (de) Glasgegenstand, verfahren zur hantierung eines glasgegenstands und hantierungswerkzeug für einen glasgegenstand
ATE330914T1 (de) Verfahren zur bearbeitung der oberfläche einer glasplatte und nach diesem verfahren hergestellte glasplatte

Legal Events

Date Code Title Description
R082 Change of representative

Ref document number: 1523773

Country of ref document: EP

Representative=s name: SAMSON & PARTNER, PATENTANWAELTE, DE

R081 Change of applicant/patentee

Ref document number: 1523773

Country of ref document: EP

Owner name: SOITEC, FR

Free format text: FORMER OWNER: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES, BERNIN, FR

Effective date: 20120905

R082 Change of representative

Ref document number: 1523773

Country of ref document: EP

Representative=s name: SAMSON & PARTNER, PATENTANWAELTE, DE

Effective date: 20120905