DE602005014021D1 - Verfahren zur ausprüfung einer bei der herstellung einer halbleitervorrichtung verwendeten aufschlämmung - Google Patents

Verfahren zur ausprüfung einer bei der herstellung einer halbleitervorrichtung verwendeten aufschlämmung

Info

Publication number
DE602005014021D1
DE602005014021D1 DE602005014021T DE602005014021T DE602005014021D1 DE 602005014021 D1 DE602005014021 D1 DE 602005014021D1 DE 602005014021 T DE602005014021 T DE 602005014021T DE 602005014021 T DE602005014021 T DE 602005014021T DE 602005014021 D1 DE602005014021 D1 DE 602005014021D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
verifying
production
semiconductor device
insulation used
insulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602005014021T
Other languages
English (en)
Inventor
Philippe Monnoyer
Janos Farkas
Farid Sebaai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP USA Inc
Original Assignee
Freescale Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Freescale Semiconductor Inc filed Critical Freescale Semiconductor Inc
Publication of DE602005014021D1 publication Critical patent/DE602005014021D1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume, or surface-area of porous materials
    • G01N15/04—Investigating sedimentation of particle suspensions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02—Analysing fluids
    • G01N29/032—Analysing fluids by measuring attenuation of acoustic waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/024—Mixtures
    • G01N2291/02416—Solids in liquids
DE602005014021T 2005-10-25 2005-10-25 Verfahren zur ausprüfung einer bei der herstellung einer halbleitervorrichtung verwendeten aufschlämmung Active DE602005014021D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2005/013519 WO2007048441A1 (en) 2005-10-25 2005-10-25 Method for testing a slurry used to form a semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE602005014021D1 true DE602005014021D1 (de) 2009-05-28

Family

ID=36337336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602005014021T Active DE602005014021D1 (de) 2005-10-25 2005-10-25 Verfahren zur ausprüfung einer bei der herstellung einer halbleitervorrichtung verwendeten aufschlämmung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8061185B2 (de)
EP (1) EP1943320B1 (de)
JP (1) JP2009512862A (de)
CN (1) CN101316909A (de)
DE (1) DE602005014021D1 (de)
WO (1) WO2007048441A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5470186B2 (ja) * 2010-07-30 2014-04-16 日本発條株式会社 被検査物の清浄度検査装置と、清浄度検査方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5078965A (en) * 1990-03-02 1992-01-07 Pearson Erich H Batch treatment process and apparatus for the disinfection of infectious waste
JP2525314B2 (ja) * 1992-07-31 1996-08-21 花王株式会社 混合流体の測定方法および装置
US5569844A (en) * 1992-08-17 1996-10-29 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Method and apparatus for determining the particle size distribution, the solids content and the solute concentration of a suspension of solids in a solution bearing a solute
US5404906A (en) * 1992-12-21 1995-04-11 Nissan Motor Co., Ltd. Fuel tank
US5481059A (en) * 1994-10-07 1996-01-02 Betz Laboratories, Inc. Settling aids for solids in hydrocarbons
JP3493800B2 (ja) * 1995-03-30 2004-02-03 Ｔｄｋ株式会社 混合分散度評価方法及び装置
EP0786504A3 (de) * 1996-01-29 1998-05-20 Fujimi Incorporated Politurzusammensetzung
EP0852615B1 (de) * 1996-07-25 2005-12-14 DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C. Zusammensetzung und verfahren zum chemisch-mechanischen polieren
US5846398A (en) * 1996-08-23 1998-12-08 Sematech, Inc. CMP slurry measurement and control technique
US5710069A (en) * 1996-08-26 1998-01-20 Motorola, Inc. Measuring slurry particle size during substrate polishing
JPH11132931A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Sysmex Corp フロー式粒子測定装置
US6246474B1 (en) * 1998-04-29 2001-06-12 Particle Measuring Systems, Inc. Method and apparatus for measurement of particle size distribution in substantially opaque slurries
US6109098A (en) * 1998-06-30 2000-08-29 Doukhin Dispersion Technology, Inc. Particle size distribution and zeta potential using acoustic and electroacoustic spectroscopy
JP2000088716A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Nikkiso Co Ltd 粉体サンプリング装置
JP3538042B2 (ja) * 1998-11-24 2004-06-14 松下電器産業株式会社 スラリー供給装置及びスラリー供給方法
US7180591B1 (en) * 1999-06-03 2007-02-20 Micron Technology, Inc Semiconductor processors, sensors, semiconductor processing systems, semiconductor workpiece processing methods, and turbidity monitoring methods
GB9913185D0 (en) * 1999-06-07 1999-08-04 Nat Power Plc Sulfur precipitation detector
DE60031857T2 (de) * 1999-06-18 2007-09-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Verwendung eines cmp schleifmittels
EP1177068A4 (de) * 1999-07-03 2004-06-16 Rodel Inc Verbesserte chemisch-mechanische polierschlämme für metall
JP2001326199A (ja) * 2000-05-17 2001-11-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6930777B1 (en) * 2001-04-03 2005-08-16 The Texas A&M University System Method for characterizing particles in suspension from frequency domain photon migration measurements
EP1390714A2 (de) * 2001-04-03 2004-02-25 THE TEXAS A & M UNIVERSITY SYSTEMS Verfahren zur charakterisierung von partikeln in suspension von frequenzdomäne-photonenwanderungsmessungen
US6709311B2 (en) * 2001-08-13 2004-03-23 Particle Measuring Systems, Inc. Spectroscopic measurement of the chemical constituents of a CMP slurry
US7140239B2 (en) * 2003-03-18 2006-11-28 Battelle Memorial Institute System and technique for ultrasonic characterization of settling suspensions
TWI334882B (en) * 2004-03-12 2010-12-21 K C Tech Co Ltd Polishing slurry and method of producing same
KR100725699B1 (ko) * 2005-09-02 2007-06-07 주식회사 엘지화학 일액형 ｃｍｐ 슬러리용 산화 세륨 분말, 그 제조방법,이를 포함하는 일액형 ｃｍｐ 슬러리 조성물, 및 상기슬러리를 사용하는 얕은 트랜치 소자 분리방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20080282778A1 (en) 2008-11-20
US8061185B2 (en) 2011-11-22
EP1943320A1 (de) 2008-07-16
JP2009512862A (ja) 2009-03-26
CN101316909A (zh) 2008-12-03
EP1943320B1 (de) 2009-04-15
WO2007048441A1 (en) 2007-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005014722B8 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE602007010616D1 (de) Verfahren zur herstellung einer organischen elektrovorrichtung
DE502007001932D1 (de) Halbleiterschichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtstruktur
DE602007011636D1 (de) Energiespeichervorrichtung und verfahren zur herstellung der energiespeichervorrichtung
ATE540378T1 (de) Chipkarte, verfahren und vorrichtung zur herstellung einer chipkarte
DE102006001792B8 (de) Halbleitermodul mit Halbleiterchipstapel und Verfahren zur Herstellung desselben
DE602005020148D1 (de) Verfahren zur herstellung einer mems-vorrichtung
DE602006008455D1 (de) Verfahren zur herstellung einer polyimidfolie
ATE455105T1 (de) Verfahren zur herstellung von difluormethylpyrazolylcarboxylaten
DE602005021199D1 (de) Elektronische Vorrichtung mit Abstandhalter und Verfahren zur Herstellung solch einer elektronischen Vorrichtung
DE102009044474A8 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE602005003082D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602006000512D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer vibrationshemmenden Vorrichtung und durch das Verfahren hergestellte vibrationshemmende Vorrichtung
DE502006003630D1 (de) Verfahren zum ermitteln einer inhomogenen fahrbahn
AT503190A3 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
ATE480531T1 (de) Verfahren zur herstellung von benzopyran-2- olderivaten
DE602007007464D1 (de) Verfahren zur wiederherstellung einer polyolefinmiethylen-copolymer-kompatibilisierung
DE502007000995D1 (de) Verfahren zur ermittlung einer dotierungsdichte in einer halbleiterprobe
DE602005015483D1 (de) Verfahren zum kollektiven produzieren einer elementüberlagerungs-mikrostruktur
DE602006006812D1 (de) Verfahren zur herstellung einer aluminiumart
DE502005007728D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer kette
DE602006005052D1 (de) Verfahren zur herstellung einer im wesentlichen schalenförmigen komponente
DE602004024318D1 (de) Verfahren zur Erstellung einer Audiosignatur
ATE539067T1 (de) Verfahren zur herstellung einer aminomethylthiazolverbindung
DE112007002739A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit zwei Gräben

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition