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Technisches Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe zum Umwandeln
eines Eingangssignals mit einer ersten Frequenz in ein Ausgangssignal
mit einer zweiten Frequenz. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren
zum Unterdrücken
einer Außerband-Interferenz
eines Eingangssignals für
eine Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe.
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Beschreibung des Standes der
Technik
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Ein
konventionelles Funkempfänger-Eingangsstufen-Design
beinhaltet die Umwandlung ankommender Hochfrequenz-(RF)Signale in
ein oder mehrere Zwischenfrequenz-(IF)Signale, von denen das letzte
dann in das Basisband umgewandelt wird. Die Funkempfänger-Eingangsstufe
kann einen rauscharmen Verstärker
(LNA) mit einer maßgeblichen
Spannungsverstärkung
umfassen. Dem rauscharmen Verstärker
ist/sind ein oder einige Mischer zum Umwandeln des Eingangssignals
in das/die IF-Signal(e) bereitgestellt, das/die bei dem Ausgang
des Mischers bzw. der Mischer bereitgestellt ist/sind.
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Die
Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
ist zum Mischen eines differentiellen oder einseitig geerdeten bzw.
asymmetrischen Eingangssignals mit vier Lokaloszillator-Signalen mit unterschiedlicher
Phase und zum Bereitstellen zweier Ausgangssignale entworfen, eines
für das
I-Band und eines für das
Q-Band.
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Das
Eingangssignal kann eine überlagerte Außerband-Interferenz umfassen.
In im Fachgebiet bekannten Funkempfänger-Eingangsstufen ist/sind ein
oder einige Filter zum Verarbeiten des Eingangssignals bereitgestellt.
Ein Vorfilter ist vor dem LNA zum Unterdrücken der Außerband-Interferenz bereitgestellt. Zusätzliche
Filter können
auch zum Verarbeiten des Eingangssignals bereitgestellt sein. Um die
Funkempfänger-Eingangsstufe
billig herzustellen, kann sie als Teil eines integrierten Schaltkreises eines
Chips integriert sein. Jedoch ist es schwierig, Filter mit einem
Auf-dem-Chip-Design zu implementieren. Somit müssen die Filter häufig jenseits
des Chips implementiert sein. Dies ist ein Nachteil, da Komponenten
jenseits des Chips die Funkempfänger-Eingangsstufe
teurer, größer und
komplexer machen. Folglich sind in der Entwicklung in Richtung kleinerer
und billigerer Funkempfänger
die meisten der Filter jenseits des Chips entfernt worden. In heutigen
Homodynempfängern
ist das einzige jenseits des Chips verbleibende Filter das Vorfilter.
Wenn auch das Vorfilter entfernt werden könnte, könnten wesentliche Kosten und
Platz gespart werden. Dieses trifft besonders für Mehrband-Funkempfänger-Eingangsstufen zu, die
ein Vorfilter pro Band erfordern. Die Wirkung ist noch höher, wenn
außerdem Vielfachantennen
verwendet werden.
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Wenn
das Vorfilter einfach entfernt wird, könnte eine starke Außerband-Interferenz
den Funkempfänger
in die Sättigung
bringen. Außerdem
würde dieses
eine Intermodulationsverzerrung und Komprimierung des Eingangssignals
bewirken. Unterschiedliche Kommunikationsstandards haben unterschiedliche
Anforderungen an die maximale Außerband-Interferenz. Um z.
B. die Anforderungen gemäß dem GSM-(Global
System for Mobile communication)Standard zu erfüllen, muss eine Außerband-Interferenz bis zu
0 dBm gehandhabt werden. Eine konventionelle Funkempfänger-Eingangsstufe
erfüllt
diese Anforderungen ohne ein Vorfilter nicht.
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In
manchen Funkempfänger-Eingangsstufen-Designs
kann das Vorfilter auf dem Chip integriert sein. Jedoch erfüllt diese
Lösung
nicht die maximalen Außerband-Anforderungen
der unterschiedlichen Mobilkommunikationsstandards, wie beispielsweise dem
GSM- oder dem UMTS-(Universal Mobile Telecommunication Standard)Standard.
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US 5 507 036 offenbart einen
Apparat und ein Verfahren zum Aufheben einer Verzerrung in einem
Direktumwandlungsempfänger,
wobei solch eine Verzerrung durch das Mischen eines erwünschten
Signals mit dem Ausgangssignals eines Lokaloszillators erzeugt wird.
Nachfolgend zu dem Filtern des Mischerausgangssignals wird die Gleichtakt-Verzerrungskomponente
extrahiert, phasenverschoben, verstärkt und erneut mit dem gemischten
Signal auf solche eine Weise kombiniert, um die Gleichtakt-Verzerrung zu unterdrücken.
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Cheung
et al, "A 1–V 10-mW
monolithic Bluetooth receiver in a 0.35-μm CMOS process", Proceedings of
the 29th European Solid-State Circuits Conference,
Seiten 687–690,
16.–18.
September 2003, offenbart einen CMOS-Bluetooth-Empfänger. Ein rauscharmer
Verstärker
(LNA) des Empfängers
umfasst einen NMOS-Transistor, dessen Gate-Anschluss mit einer Antenne über eine Übertragungsleitung,
einen Induktor jenseits des Chips, einen Bonddraht und eine Kapazität verbunden
ist. Die Source- und Drain-Anschlüsse sind mit Masse bzw. der
Energieversorgung über
Spiralinduktoren auf dem Chip und Bonddrähte verbunden. Der Drain-Anschluss, der
der Ausgangsanschluss des LNA ist, ist direkt mit dem Gate-Anschluss eines NMOS-Transistors
eines einfach symmetrischen Image-Reject-Mischers bzw. Bildunterdrückungsmischers
mit Wirklast bzw. Aktivlast verbunden.
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Beffa
et al, "A 6.5-mW
receiver front-end for Bluetooth in 0.18 μm CMOS", 2002 IEEE MTT-S International Microwave
Symposium Digest, 2.–7.
Juni 2002, offenbart eine Empfänger-Eingangsstufe für eine niedrige
Zwischenfrequenz für
Bluetooth. Ein Vorverstärker
ist über
ein RF-Filter mit einer Antenne verbunden. Der Vorverstärker umfasst
einen NMOS-Transistor, dessen Gate-Anschluss mit dem Eingang des
Vorverstärkers über einen
Spiralinduktor auf dem Chip verbunden ist. Der Source-Anschluss
des NMOS-Transistors ist mit Masse über einen Bonddraht-Induktor
verbunden, und der Drain-Anschluss ist über einen NMOS-Kaskodentransistor
mit dem Ausgangsanschluss des Vorverstärkers verbunden. Der Vorverstärker hat
ferner eine Passivlast, die einen Widerstand parallel zu einem Induktor
umfasst. Die Ausgabe des Vorverstärkers wird an den Gate-Anschluss
eines NMOS-Transistors
in einem einfach symmetrischen Mischer gespeist.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Es
ist deshalb eine Aufgabe der Erfindung, eine Funkempfänger-Eingangsstufe
bereitzustellen, die weniger komplex als in dem Fachgebiet bekannte Funkempfänger-Eingangsstufen ist,
und die mit einer Auf-dem-Chip-Technologie
implementiert werden kann. Es ist außerdem eine Aufgabe der Erfindung, ein
Verfahren zum Unterdrücken
einer Außerband-Interferenz
in einer Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe bereitzustellen.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der Erfindung werden diese Aufgaben durch eine Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß Anspruch
1 gelöst, die
weder ein Vorfilter auf dem Chip noch ein Vorfilter jenseits des
Chips hat.
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Die
Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung
umfasst einen rauscharmen Verstärker,
einen ersten und einen zweiten Mischer, und eine erste und eine
zweite Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung. Ein Eingangsanschluss
der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
ist direkt mit einem Eingangsanschluss des rauscharmen Verstärkers verbunden. Jeder
Mischer ist ein Current-Mode-Mischer
bzw. stromgeregelter Mischer, da das Eingangssignal nicht in eine
Spannung vor dem Mischen umgewandelt worden ist. Ein Ausgangsanschluss
des rauscharmen Verstärkers
ist direkt mit dem Eingangsanschluss jedes Mischers verbunden. Ein
Ausgangsanschluss des ersten und des zweiten Mischers ist mit der
ersten bzw. der zweiten Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung verbunden, wodurch
eine Außerband- Interferenz eines
an die Funkempfänger-Eingangsstufe
eingegebenen Signals unterdrückt
wird.
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Jede
Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung kann eine Mischerlast
sein, die mit einem jeweiligen Ausgangsanschluss der Mischer bzw.
der Signalerdungseinrichtungen verbunden ist. Jede Mischerlast kann
ein parallel mit einem Kondensator geschalteter Widerstand sein.
Der Kondensator jeder Mischerlast hat einen Wert, der zum Unterdrücken einer
Außerband-Interferenz
eines Signals wirksam ist, das in die Funkempfänger-Eingangsstufe eingegeben
ist, wenn das Signal gemischt worden ist. Die Kapazität des Kondensators
jeder Mischerlast kann zum Unterdrücken einer Außerband-Interferenz von Eingangssignalen
mit unterschiedlichen Bandbreiten variabel bzw. variierbar sein.
Die Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung kann
auch einen Lokaloszillator zum Bereitstellen von Signalen zum Treiben
des ersten und des zweiten Mischers bereitstellen, die einfach oder
doppelt symmetrische Mischer sein können.
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Der
erste und der zweite Mischer können
mit einem Quadraturspannungs-gesteuerten Oszillator mittels Transformatoren
bzw. Wandlern zum Bereitstellen von Quadratur-Lokaloszillator-Signalen
verbunden sein. Das Liefern der Lokaloszillator-Signale mittels
Transformatoren bzw. Wandlern ist ein Vorteil, da kein niederfrequentes
Rauschen auf die Lokaloszillator-Anschlüsse der Mischer eingebracht
wird.
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Der
Lokaloszillator kann Quadratur-Oszillatoren mit LC-Speichern umfassen.
Induktoren der LC-Speicher können
Primärwicklungen
der Transformatoren bzw. Wandler bereitstellen, und mit den Lokaloszillator-Eingangsanschlüssen jedes
Mischers verbundene Induktoren können
Sekundärwicklungen der
Transformatoren bzw. Wandler bereitstellen. Somit werden keine zusätzlichen
Komponenten zum Bereitstellen der Transformatoren bzw. Wandler,
abgesehen von den Induktoren zum Bereitstellen der Sekundärwicklungen,
benötigt.
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Der
Kondensator jedes LC-Speichers kann ein variabler Kondensator zum
Einstellen der Frequenz der Quadratur-Lokaloszillator-Signale sein.
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Alternativ
kann der Oszillator durch einen Oszillator einer hohen Frequenz
und Frequenzteiler bereitgestellt sein, die angeordnet sind, um
vier nicht-überlappende
Lokaloszillator-Signale
mit einem Tastverhältnis
von jeweils im Wesentlichen 25% bereitzustellen.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der Erfindung werden die Aufgaben durch die Verwendung
der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe gemäß Anspruch
15 gelöst.
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Gemäß einem
dritten Aspekt der Erfindung werden die Aufgaben durch einen elektronischen Drahtloskommunikationsapparat
gemäß Anspruch 16
gelöst.
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Gemäß einem
vierten Aspekt der Erfindung werden die Aufgaben durch ein Verfahren
zum Unterdrücken
einer Außerband-Interferenz in einer
Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
und zum Umwandeln des Eingangssignals mit einer ersten Frequenz
in ein Ausgangssignal mit einer zweiten Frequenz gemäß Anspruch
19 gelöst.
Das Verfahren umfasst die Schritte zum Empfangen des Eingangssignals
bei einem Eingangsanschluss bei der Funkempfänger-Eingangsstufe; Verstärken des
eine Außerband-Interferenz
umfassenden Eingangssignals in einem rauscharmen Verstärker; Mischen
des Eingangssignals und der Außerband-Interferenz
mit einem Signal mit einer zweiten Frequenz in einem ersten und
einem zweiten Current-Mode-Mischer bzw. stromgeregelten Mischer,
um ein gemischtes Signal zu erzeugen, das eine Außerband-Interferenz umfasst;
und Unterdrücken
der Außerband-Interferenz des gemischten
Signals.
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Der
Schritt zum Unterdrücken
kann ein Liefern des gemischten Eingangssignals, das die Außerband-Interferenz
umfasst, an eine Mischerlast umfassen, die mit einem jeweiligen Ausgangsanschluss
der Mischer bzw. der Signalerdungseinrichtungen verbunden ist.
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Der
Schritt zum Unterdrücken
kann ein Unterdrücken
mittels eines Kondensators einer Mischerlast umfassen, der einen
Wert hat, der zum Unterdrücken
einer Außerband-Interferenz
des gemischten Signals wirksam ist.
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Das
Verfahren kann ein Einstellen der Kapazität des Kondensators, der ein
variabler Kondensator sein kann, der Mischerlast zum Unterdrücken einer
Außerband-Interferenz
des gemischten Eingangssignals mit unterschiedlichen Bandbreiten
umfassen.
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Das
Verfahren kann außerdem
die Schritte zum Erzeugen von Quadratur-Lokaloszillator-Signalen
und Liefern der erzeugten Quadratur-Lokaloszillator-Signale an den
ersten und den zweiten Mischer zum Treiben der Mischer umfassen.
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Ferner
kann das Verfahren ein Einstellen der Kapazität eines Kondensators eines
mit den Mischern verbundenen Quadratur-Lokaloszillators zum Einstellen der
Frequenz der Quadratur-Lokaloszillator-Signale
umfassen.
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Weitere
Ausführungsformen
der Erfindung sind in den abhängigen
Ansprüchen
definiert.
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Es
ist ein Vorteil der Erfindung, dass kein Vorfilter in der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
benötigt
wird. Wenn die Eingangsstufe mit Verwenden der Auf-dem-Chip-Technologie
implementiert wird, können
somit die Produktionskosten im Vergleich zu einer konventionellen
Funkempfänger-Eingangsstufe mit
einem entweder auf dem Chip oder jenseits des Chips bereitgestellten
Vorfilter gesenkt werden. Außerdem
wird die Größe und Komplexität der Funkempfänger-Eingangsstufe im
Vergleich zu konventionellen Funkempfänger-Eingangsstufen reduziert.
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Es
sollte betont werden, dass der Begriff "umfasst/umfassend" bei Verwendung in dieser Beschreibung
hergenommen wird, um die Anwesenheit angegebener Merkmale, Zahlen,
Schritte oder Komponenten zu spezifizieren, aber nicht die Anwesenheit
oder Hinzufügung
von einem oder mehreren anderen Merkmalen, Zahlen, Schritten, Komponenten oder
Gruppen davon ausschließt.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Weitere
Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden
detaillierten Beschreibung der Erfindung ersichtlich werden, wobei
auf die begleitenden Zeichnungen verwiesen wird.
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1 ist
eine Vorderansicht eines Mobilkommunikationsapparats, der eine Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung
umfasst.
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2 ist
ein Blockdiagramm der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe gemäß der Erfindung.
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3 ist
ein Schaltkreisdiagramm einer Ausführungsform der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung.
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4 ist
ein Schaltkreisdiagramm einer ersten Ausführungsform eines Quadraturspannungs-gesteuerten
Oszillators zum Erzeugen rauscharmer Lokaloszillator-Signale.
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5 ist
ein Blockdiagramm eines Oszillators hoher Frequenz, der mit Frequenzteilern
verbunden ist, zum Erzeugen rauscharmer Lokaloszillator-Signale.
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6 ist
ein Schaltkreisdiagramm einer anderen Ausführungsform der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung.
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7 ist
ein Flussdiagramm einer Ausführungsform
des Verfahrens gemäß der Erfindung.
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Detaillierte Beschreibung
der Ausführungsformen
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1 veranschaulicht
ein Mobiltelefon als einen beispielhaften elektronischen Drahtloskommunikationsapparat,
in dem die Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der vorliegenden
Erfindung genutzt werden kann. Die Erfindung ist nicht auf die Implementierung
in einem Mobiltelefon 1 beschränkt. Die Erfindung kann in
einer weiten Vielfalt einer elektronischen Einrichtung implementiert
sein, worin eine Funkempfänger-Eingangsstufe
zum Empfangen und Verarbeiten von Hochfrequenz-(RF) Eingangssignalen
erforderlich ist, wie beispielsweise ein Mobilfunk-Endgerät, ein Pager,
ein Communicator, ein elektronischer Organizer oder ein intelligentes
Telefon. Das Mobiltelefon 1 kann eine erste Antenne 10 und
eine zweite Hilfsantenne 11 zum Empfangen von Eingangssignalen
umfassen. Ein Mikrofon 12, ein Lautsprecher 13,
eine Tastatur 14 und eine Anzeige 15 stellen eine
Mensch-Maschine-Schnittstelle zum Bedienen des Mobiltelefons 1 bereit.
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Das
Mobiltelefon kann im Betrieb mit einer Funkstation 20 (Basisstation)
eines Mobilkommunikationsnetzwerks 21, wie beispielsweise
GSM, UMTS, PCS (Personal Communications System), und/oder PDC (Personal
Digital Cellular), über
eine erste Funkverbindung 22 mittels der ersten Antenne 10 verbunden
sein. Darüber
hinaus kann das Mobiltelefon 1 im Betrieb eine zweite Drahtlosverbindung mit
einer Peripherievorrichtung 30 über eine zweite Funkverbindung 31 mittels
der Hilfsantenne 11 aufbauen. Die zweite Funkverbindung 31 ist
z. B. eine Bluetooth®-Verbindung, die in dem
2,4 (2400–24835) GHz
Frequenzbereich aufgebaut wird. Zum Aufbauen der Funkverbindungen 22, 31 umfasst
das Mobiltelefon 1 Funkressourcen, die gemäß den relevanten Technologien
ausgebildet sind, die verwendet werden. Somit umfasst das Mobiltelefon 1 eine
erste Funkzugriffseinrichtung, wie beispielsweise ein Transceiver, zum
Kommunizieren von Funksignalen mit der Basisstation 20 und
eine zweite Funkzugriffseinrichtung zum Kommunizieren von Funksignalen
mit der Peripherievorrichtung 30. Alternativ kann eine Funkzugriffseinrichtung
umschaltbar sein, um Funksignale entweder mit der Basisstation 20 oder
der Peripherievorrichtung 30 zu kommunizieren.
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Die
Peripherievorrichtung 30 kann irgendeine Vorrichtung mit
Drahtloskommunikationsfähigkeiten
sein, wie beispielsweise gemäß der Bluetooth®-Technologie
oder irgendeiner anderen Nahbereichsfunk-(WLAN)Technologie. Sie
umfasst eine Antenne 32 zum Austauschen von Signalen über die zweite
Verbindung 31 und einen Transceiver (nicht gezeigt), der
gemäß der Technologie
ausgebildet ist, die die Peripherievorrichtung 30 verwendet.
Die Vorrichtung kann ein Drahtlos-Kopf(Sprech-)Hörer, ein entfernter Server,
ein Faxgerät,
ein Automat, ein Drucker, ein Computer usw. sein. Eine weite Vielfalt
einer elektronischen Einrichtung kann solche Kommunikationsfähigkeiten
haben und einen Bedarf für
ein drahtloses Transferieren von Daten haben.
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Beim
Empfangen von Hochfrequenz-(RF)Eingangssignalen werden die RF-Signale durch
die Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung
verarbeitet. Die Eingangssignale können einseitig geerdet bzw.
asymmetrisch oder differentiell sein. Das Eingangssignal wird in
Zwischenfrequenz-(IF)Signale vor Anwendung einer weiteren Signalverarbeitung
umgewandelt. Somit kann die Funkempfänger-Eingangsstufe des Mobiltelefons 1 einen
oder einige Mischer zum Umwandeln eines Signals mit einer ersten
Frequenz in Signale mit einer zweiten Frequenz umfassen, wie es
im Folgenden offenbart wird.
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2 veranschaulicht
die Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung.
Die Antenne 10 ist mit einem Eingangsanschluss eines rauscharmen
Verstärkers
(LNA) 50 verbunden. Der LNA 50 ist von Natur aus
linear oder linearisiert, so dass er eine Außerband-Interferenz handhaben
kann, z. B. gemäß dem GSM-Standard,
wobei eine Außerband-Interferenz
von bis zu wenigstens 0 dBm gehandhabt werden sollte. Das an den
LNA 50 eingegebene RF-Signal umfasst sowohl das erwünschte Signal
als auch die überlagerte
Außerband-Interferenz, die
mit der Verstärkung
des LNA 50 verstärkt
werden.
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Eingangsanschlüsse eines
ersten und eines zweiten Mischers 51, 52 sind
mit einem Ausgangsanschluss des LNA 50 verbunden. Der erste
Mischer 51 wird für
den I-Kanal des Eingangssignals verwendet, und der zweite Mischer 52 wird
für den
Q-Kanal des Eingangssignals verwendet. Der Ausgangsanschluss des
LNA 50 ist direkt mit den Eingangsanschlüssen der
Mischer 51, 52 verbunden, d. h., dass der Signalstrom
von dem LNA 50 nicht durch eine Lastimpedanz in eine Spannung
umgewandelt wird. Mit einem 0 dBm-Störer würde ein in eine Spannung umgewandeltes
Signal für
eine Handhabung zu groß werden.
Jeder Mischer umfasst außerdem
Lokaloszillator-(LO)Eingangsanschlüsse zum Empfangen von LO-Signalen,
die durch eine LO-Signalerzeugungseinrichtung erzeugt werden, die
mit dem verstärkten
Eingangssignal zu mischen sind. Der erste Mischer 51 ist
zum Empfangen eines ersten LO-Signals LOI ausgebildet,
auf das er anspricht. Der zweite Mischer 52 ist ausgebildet,
um ein zweites LO-Signal LOQ mit einer zweiten
Phase, die unterschiedlich von der ersten Phase ist, zu empfangen
und auf dieses anzusprechen.
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Ausgangsanschlüsse des
ersten und des zweiten Mischers 51, 52 sind mit
der ersten bzw. der zweiten Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung 53, 54 verbunden.
Somit wird das Eingangssignal, das nun verstärkt und zu Signalen einer niedrigeren
Frequenz gemischt ist, in eine Spannung umgewandelt, wobei I- und
Q-Kanal-Ausgangssignale IFI, IFQ bei
den Ausgangsanschlüssen
der Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtungen 53 bzw. 54 bereitgestellt
werden. Die Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtungen 53, 54 fungieren
auch als eine Unterdrückungseinrichtung
zum Unterdrücken
der Außerband-Interferenz.
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3 ist
ein Schaltkreisdiagramm einer Ausführungsform der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung.
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Für das Design
gemäß der Erfindung
ist es wichtig, dass die Linearität des LNA ausreichend hoch
ist, um eine Außerband-Interferenz von z.
B. bis zu 0 dBm handzuhaben, wie oben beschrieben. In der Ausführungsform
von 3 ist der LNA ein durch einen Verstärkungstransistor 60 bereitgestellter Gate-Schaltungs-
oder Basisschaltungs-LNA. Der Transistor 60 kann ein FET
(Field Effect Transistor bzw. Feldeffekttransistor), wie beispielsweise
ein MOS-(Metal Oxide Semiconductor)Transistor, oder ein BJT-(Bipolar
Junction Transistor)Transistor sein. In der Ausführungsform von 3 ist
der LNA 50 durch einen FET-Transistor bereitgestellt. Der
Eingangsanschluss der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
ist mit dem Source-Anschluss des Transistors 60 verbunden.
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Der
Gate-Anschluss des Verstärkungstransistors 60 ist
mit einer Vorspannung Vbias1 verbunden. Alternativ
ist ein Voreingang (Gate-Anschluss) des Vorverstärker-Transistors 60 mit
einem Gleichtakt-Rückkopplungsschaltkreis
zum Steuern der Vorspannung bzw. des Bias des Verstärkertransistors 60 verbunden.
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Da
die Mischer 51, 52 und die erste und die zweite
Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung 53, 54 ein ähnliches
Design haben, werden nur der erste Mischer 51 und die verknüpfte erste Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung 53 im
Folgenden detailliert beschrieben. Der erste Mischer 51 kann
einen ersten und einen zweiten Mischertransistor 61a, 62a umfassen,
die mit dem Eingangsanschluss des ersten Mischers 51 verbunden
sind. Die Mischertransistoren 61a, 62a können FET-Transistoren
oder BJT-Transistoren sein. Ein Vorteil des BJT-Transistors ist,
dass er schneller als der FET-Transistor
ist, der eine höhere
Linearität
bereitstellt. In der Ausführungsform
von 3 sind die Mischer-Transistoren 61a, 62a durch
BJT-Transistoren bereitgestellt. Der Emitter-Anschluss jedes Mischer-Transistors 61a, 62a ist
mit dem Eingangsanschluss des ersten Mischers 51 verbunden.
Die Basis-Anschlüsse
der Mischer-Transistoren sind mit LO-(Lokaloszillator)Eingangsanschlüssen des
ersten Mischers 51 verbunden. Jeder Mischertransistor 61a, 62a spricht
auf ein unterschiedliches Quadratur-LO-Signal an. Der erste Mischertransistor 61a spricht
auf ein erstes Quadratur-LO-Signal
LOI+ mit einer ersten Phase an. Der zweite
Mischertransistor 62a spricht auf ein zweites LO-Signal
LOI mit einer zweiten Phase an, die um 180° bezüglich der
ersten Phase versetzt ist. Die Kollektor-Anschlüsse der Mischertransistoren 61a, 62a sind
mit dem ersten und dem zweiten Ausgangsanschluss des ersten Mischers 51 verbunden.
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Ein
Kondensator 67a ist zwischen den Eingangsanschlüssen der
Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung zum Filtern der Außerband-Interferenz
und zum Bereitstellen einer gewissen Kanalfilterung bereitgestellt.
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Die
Mischer 51, 52 sind Current-Mode-Mischer bzw.
stromgeregelte Mischer, die in der Stromdomäne arbeiten. Die Ausgangssignale
von dem ersten Mischer 51 werden durch die erste Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung 53 in
eine Spannung umgewandelt. Die erste Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung 53 kann
separate Umwandlungseinrichtungen für jedes Ausgangssignal umfassen,
wobei jede Umwandlungseinrichtung einen Widerstand 63a, 65a und
einen Kondensator 64a, 66a umfasst, die parallel
zu den Ausgangsanschlüssen
des ersten Mischers 51 und den Signalerdungseinrichtungen
geschaltet sind, wie z. B. der Energieversorgungsspannung. Der erste
Mischertransistor 61a ist mit Widerstand 63a und Kondensator 64a verbunden,
und der zweite Mischertransistor 62a ist mit Widerstand 65a und Kondensator 66a verbunden.
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Ein
erstes IF-(Intermediate Frequency bzw. Zwischenfrequenz)Ausgangssignal
IFI für
das I-Band kann zwischen den Ausgangsanschlüssen des ersten Mischers 51 erzeugt
werden. Das erwünschte
Signal, das bei niedrigen Frequenzen zentriert sein kann, wird nicht
signifikant durch die Kondensatoren 64a, 66a und 67a gedämpft. Die
Außerband-Interferenz, die
bei GSM bei einer Frequenz mit einem Versatz von wenigstens 20 MHz
von dem erwünschten Signal auftreten
wird, kann jedoch stark durch Wählen
eines geeigneten Wertes der Kondensatoren 64a, 66a und 67a gedämpft werden.
Darüber
hinaus wird ein LO-zu-IF-Streuverlust
durch Kondensator 64a, 66a und 67a unterdrückt, was
die Verwendung einfach symmetrischer Mischer und eines einseitig
geerdeten bzw. asymmetrischen LNA ermöglicht. Ein einseitig geerdeter
bzw. asymmetrischer LNA beseitigt das Erfordernis eines externen
Symmetrieübertragers.
Ein externes Filter kann die Symmetrieübertrager-Funktion durchführen. Wenn
ein Differential-LNA genutzt wird, könnte ein selbständiger externer
Symmetrieübertrager
bereitgestellt werden müssen.
Die Signale nach der Funkempfänger-Eingangsstufe sind
differentiell, was zur weiteren Verarbeitung auf dem Chip geeignet
ist.
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Der
LNA 50 kann alternativ durch einen Rückkopplungs-LNA bereitgestellt
sein, der ausreichend linear zum Handhaben einer Außerband-Interferenz
von bis zu 0 dBm zum Erfüllen
des GSM-Standards ist. Jedoch muss das Linearitätserfordernis in jedem spezifischen
Fall berücksichtigt
werden.
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Der
zweite Mischer 52 umfasst erste und zweite Mischertransistoren 61b, 62b und
ist wie der erste Mischer 51 konfiguriert. Die zweite Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung 54 umfasst
eine durch Widerstände 63b, 65b und
Kondensatoren 64b, 66b bereitgestellte Mischerlast
und einen zwischen den Eingangsanschlüssen der zweiten Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtung 54 angeordneten
Kondensator 67b. Der erste Mischertransistor 61b des
zweiten Mischers 52 spricht auf ein drittes Quadratur-LO-Signal
LOQ+ mit einer dritten Phase an, die bezüglich der
ersten Phase um 90° verschoben
ist. Der zweite Mischertransistor 62b des zweiten Mischers 52 spricht
auf ein viertes LO-Signal LOQ– mit einer vierten Phase
an, die um 270° bezüglich der
ersten Phase versetzt ist. Die Kollektor-Anschlüsse der Mischertransistoren 61b, 62b des
zweiten Mischers 52 sind mit dem ersten und dem zweiten
Ausgangsanschluss des zweiten Mischers 52 verbunden.
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Ein
zweites IF-(Intermediate Frequency bzw. Zwischenfrequenz) Ausgangssignal
IFQ für
das Q-Band kann zwischen den Ausgangsanschlüssen des zweiten Mischers 52 erzeugt
werden.
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Um
einen Vorstrom für
die Funkempfänger-Eingangsstufe
bereitzustellen, ist eine Stromvorrichtung 68 mit dem Eingangsanschluss
der Funkempfänger-Eingangsstufe
und dem Eingangsanschluss des LNA 50 verbunden. Die Stromvorrichtung 68 kann
z. B. durch einen Widerstand, einen Induktor, einen als eine Stromquelle
geschalteten Transistor bereitgestellt sein. Ein Induktor hat den
Vorteil, dass er einen niedrigeren Spannungsabfall als ein Widerstand
oder ein als eine Stromquelle geschalteter Transistor bewirkt. Wenn
Stromvorrichtung 68 durch einen Induktor bereitgestellt
ist, kann sie außerdem
die bei dem Source-Anschluss des Transistors 60 auftretende
parasitäre
Kapazität
abstellen.
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Die
LO-Eingangsanschlüsse
des ersten und des zweiten Mischers 51, 52 sind
mit einer Quadratur-LO-Signal-Erzeugungseinrichtung
verbunden. Da das Signal-zu-Außerband-Interferenz-Verhältnis nicht
durch Filterung vor den Mischern verbessert wird, muss das Phasenrauschen
der LO-Signale bei Versatzfrequenzen,
z. B. oberhalb von 20 MHz in einer GSM-Implementierung, sehr niedrig
sein. Wenn das Phasenrauschen zu hoch ist, kann das Wechselmischen
einer starken Außerband-Interferenz
den Empfang schwacher Signale sperren. In dem GSM-Fall wird das
Erfordernis des Phasenrauschens dem ähnlich sein, was in einem Sender
benötigt
wird. Somit kann derselbe oder ein ähnlicher Oszillator zum Erzeugen
der LO-Signale LOI+, LOI–,
LOQ +, LOQ– für den Sender
und die Funkempfänger-Eingangsstufe
verwendet werden. Das Lokaloszillator-Rauschen der niedrigen Frequenz
muss auch niedrig sein, da es direkt an die IF-Ausgänge transferiert wird.
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4 veranschaulicht
eine Ausführungsform
eines Quadratur-VCO
(Voltage Controlled Oscillator bzw. spannungsgesteuerter Oszillator).
Eine Möglichkeit
zum Erzeugen von Quadratursignalen mit niedrigem Phasenrauschen,
die im Wesentlichen frei von einem niederfrequenten Rauschen sind,
ist die Verwendung von Quadratur-Oszillatoren mit LC-Speichern. Die LC-Speicher
können
ein Teil von Transformatoren bzw. Wandlern mit Sekundärwicklungen
sein, die mit den Mischern 51, 52 verbunden sind.
In diesem Fall werden keine Lokaloszillatorpuffer benötigt, und
der Gleichstrompegel des an die Mischer gespeisten Lokaloszillators-Signals
kann einfach gesetzt werden. Der Quadratur-VCO umfasst vier Paare
von Transistoren 71a, 71b, 72a, 72b, 73a, 73b, 74a, 74b.
Die Transistoren können
durch FET- oder BJT-Transistoren bereitgestellt sein.
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Der
Source-Anschluss von Transistor 71a ist mit dem Drain-Anschluss von Transistor 71b verbunden.
Der Gate-Anschluss von Transistor 71a ist mit dem Drain-Anschluss
von Transistor 73a verbunden, und der Drain-Anschluss von
Transistor 71a ist mit einem ersten LC-Speicher verbunden,
der einen parallel zu einem Kondensator 76 geschalteten
Induktor 75 umfasst. Der Mittenabgriff des Induktors 75 ist
mit der Energieversorgungsspannung verbunden. Der Wert des Kondensators 76 wird
die Frequenz des Quadratur-VCO festlegen. Der Gate-Anschluss von Transistor 71b ist
mit dem Drain-Anschluss von Transistor 72a und mit dem
Gate-Anschluss von
Transistor 73a verbunden. Der Source-Anschluss von Transistor 71b ist
mit dem Drain-Anschluss eines Bias-Transistors bzw. Vorspannungstransistors 79 verbunden.
Der Gate-Anschluss von Vorspannungstransistor 79 wird im
Betrieb eine Vorspannung Vbias3 empfangen.
Der Source-Anschluss von Vorspannungstransistor 79 ist
mit Erdungseinrichtungen verbunden.
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Der
Drain-Anschluss von Transistor 72a ist mit zweiten Anschlüssen des
Induktors 75 und des Kondensators 76 und mit dem
Gate-Anschluss von Transistor 73a und 71b verbunden.
Der Gate-Anschluss von Transistor 72a ist mit dem Drain-Anschluss von Transistor 74a verbunden.
Der Source-Anschluss von Transistor 72a ist mit dem Drain-Anschluss
von Transistor 72b verbunden. Der Gate-Anschluss von Transistor 72b ist
mit dem Drain-Anschluss von Transistor 71a und mit dem Gate-Anschluss
von Transistor 74a verbunden. Der Source-Anschluss von Transistor 72b ist
mit dem Drain-Anschluss von Vorspannungstransistor 79 verbunden.
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Der
Source-Anschluss von Transistor 73a ist mit dem Drain-Anschluss von Transistor 73b verbunden.
Der Gate-Anschluss von Transistor 73a ist mit dem Drain-Anschluss
von Transistor 72a verbunden, und der Drain-Anschluss von
Transistor 73a ist mit einem zweiten LC-Speicher verbunden,
der einen parallel mit einem Kondensator 78 geschalteten
Induktor 77 umfasst, und mit dem Gate-Anschluss von Transistor 71a.
Der Mittenabgriff des Induktors 77 ist mit der Energieversorgungsspannung
verbunden. Der Wert des Kondensators 78 sollte dem des
Kondensators 76 nachlaufen, und er wird die Frequenz des Quadratur-VCO
festlegen. Der Gate-Anschluss des Transistors 73b ist mit
dem Drain-Anschluss
von Transistor 74a und mit dem Gate-Anschluss von Transistor 72a verbunden.
Der Source-Anschluss von Transistor 73b ist mit dem Drain-Anschluss
eines Bias-Transistors
bzw. Vorspannungstransistors 80 verbunden. Der Gate-Anschluss
des Vorspannungstransistors 79 wird im Betrieb die Vorspannung
Vbias3 empfangen. Der Source-Anschluss des
Vorspannungstransistors 80 ist mit Erdungseinrichtungen verbunden.
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Der
Drain-Anschluss von Transistor 74a ist mit zweiten Anschlüssen des
Induktors 77 und des Kondensators 78 und dem Gate-Anschluss
von Transistor 72a und 73b verbunden. Der Gate-Anschluss von
Transistor 74a ist mit dem Drain-Anschluss von Transistor 71a verbunden.
Der Source-Anschluss von Transistor 74a ist mit dem Drain-Anschluss
von Transistor 74b verbunden. Der Gate-Anschluss von Transistor 74b ist
mit dem Gate-Anschluss von Transistor 71a und mit dem Drain-Anschluss
von Transistor 73a verbunden. Der Source-Anschluss von
Transistor 74b ist mit dem Drain-Anschluss von Vorspannungstransistor 80 verbunden.
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Der
Quadratur-VCO ist magnetisch mit den LO-Eingangsanschlüssen der Mischer 51, 52 mittels erster
und zweiter Transformatoren bzw. Wandler gekoppelt. Der erste Transformator
bzw. Wandler umfasst den Induktor 75 und einen mit dem
Gate-Anschluss von Transistor 61a und dem Gate-Anschluss von Transistor 62a verbundenen
Induktor 81. Die Primärwicklung
des ersten Transformators bzw. Wandlers ist durch Induktor 75 bereitgestellt,
und die Sekundärwicklung
davon ist durch Induktor 81 bereitgestellt. Ähnlich umfasst
der zweite Transformator bzw. Wandler den Induktor 77 und
einen mit dem Gate-Anschluss von Transistor 61b und dem
Gate-Anschluss von Transistor 62b verbundenen Induktor 82.
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Das
Liefern der LO-Signale LOI+, LOI–,
LOQ +, LOQ– an
die Mischertransistoren 61a, 61b, 62a, 62b durch
die Transformatoren erfordert, dass kein Rauschen einer niedrigen
Frequenz bzw. kein niederfrequentes Rauschen an die LO-Eingangsanschlüsse der
Mischer 51, 52 angelegt wird. Induktor 81 und 82 werden
irgendein niederfrequentes Rauschen an den LO-Eingangsanschlüssen beseitigen.
Darüber
hinaus wird der Transformator bzw. Wandler keinen Strom verbrauchen,
da er nur Passivkomponenten umfasst, was ein Vorteil ist, wenn ein
geringer Leistungsverbrauch wichtig ist.
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5 veranschaulicht
eine alternative Lösung
zum Erzeugen der LO-Signale LOI+, LOI–,
LOQ +, LOQ– mit
einem ausreichend niedrigen Phasenrauschen und niederfrequentem
Rauschen. Ein Oszillator einer hohen Frequenz 90 ist mit
vier digitalen Frequenzteilern 91 verbunden, die die vier
LO-Signale LOI+, LOI–,
LOQ+, LOQ– erzeugen,
von denen nur eines gleichzeitig aktiv ist. Die Frequenz des Oszillators
einer hohen Frequenz sollte wenigstens zweimal die Frequenz der
Ausgangssignale von dem digitalen Frequenzteiler 91 sein.
Es ist wichtig, Zeitüberlappungen
zu vermeiden, wenn mehr als eines der vier Lokaloszillator-Signale
gleichzeitig hoch ist. Die Überlappungen
können
durch Anordnen des Frequenzteilers 91 vermieden werden,
um ein ungefähres
Tastverhältnis
von 25% für
jedes der Ausgangssignale bereitzustellen. Wenn Überlappungen existieren, wird
zusätzliches
Rauschen erzeugt, und die Anfälligkeit
auf eine Anpassungsungenauigkeit der Mischertransistoren wird erhöht. Wenn
das Rauscherfordernis weniger streng ist, kann jedoch ein gewisses Überlappen
zugelassen werden. Es ist ein Vorteil des VCO und des digitalen
Frequenzteilers 91, dass sie ein kompakteres Design bereitstellen, wenn
auch mit einem erhöhten
Stromverbrauch im Vergleich zu der oben beschriebenen Quadratur-VCO-Implementierung.
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Die
Frequenzteiler 91, 92, 93, 94 können durch
einen Johnson-Zähler
mit vier Flip-Flops in Reihe bereitgestellt sein; wobei das Ausgangssignal des
letzten Flip-Flops an den Eingangsanschluss des ersten zurückgespeist
wird. Sämtliche
Flip-Flops sollten mit demselben Taktsignal von viermal der Frequenz
des Ausgangssignals getaktet werden. Die Flip-Flops müssen in
einen Zustand gezwungen werden, in welchem nur ein Ausgang gleichzeitig
hoch ist, um Schleifen falscher Zustände zu vermeiden. Die vier
LO-Signale können
dann bei den Ausgängen der
vier Flip-Flops extrahiert werden.
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In
der obigen Beschreibung ist das Eingangssignal Vin einseitig
geerdet bzw. asymmetrisch. Jedoch kann das Eingangssignal genauso
gut differentiell sein, wobei der LNA 50 zum Verstärken des differentiellen
Signals angeordnet sein wird, das dann an doppelt symmetrische Mischer
anstelle eines wie oben beschriebenen einfach symmetrischen Mischers
geliefert wird.
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Die
wie oben beschriebene Funkempfänger-Eingangsstufe
kann für
eine Dualmodus-Mobilkommunikation ausgebildet sein, wobei sie ankommende
Signale von wenigstens zwei Mobilkommunikationsnetzwerken handhaben
kann, die unterschiedliche Kommunikationsstandards anwenden, wie
beispielsweise GSM und UMTS. Eine Dualmodus-Funkempfänger-Eingangsstufe kann
durch paralleles Anordnen zweier wie oben beschriebener Funkempfänger-Eingangsstufen-Schaltkreise
bereitgestellt sein, wobei jede Eingangsstufe gemäß einem spezifischen
Standard ausgebildet ist. Die parallel geschalteten Schaltkreise
können
selektiv durch selektives Vorspannen bzw. Vorbelasten des LNA jedes Funkempfänger-Eingangsstufen-Schaltkreises
aktiviert werden. Eine Steuereinheit kann zum Steuern des Vorspannens
bzw. Vorbelastens der LNAs angeordnet sein.
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Alternativ
kann eine Dualmodus-Funkempfänger-Eingangsstufe
durch Ändern
der Bandbreite der Strom-zu-Spannungs-Umwandlungseinrichtungen 53, 54 bereitgestellt
sein. Wenn die Kondensatoren 64a, 64b und 67a variable
Kondensatoren mit selektiv variablen Kapazitätswerten sind, kann somit eine
Steuereinheit zum Setzen spezifischer Werte der Kondensatoren 64a, 64b und 67a angeordnet sein.
Der gesetzte Wert wird so gewählt,
dass eine Außerband-Interferenz
von Eingangssignalen unterschiedlicher empfangener Signalbandbreiten
unterdrückt
wird und das zu empfangende Signal im Wesentlichen ohne Beeinträchtigung
bleibt.
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Gemäß der Erfindung
wird eine Topologie gewählt,
um den LNA und die Mischeranordnung ausreichend linear zum Handhaben
einer Außerband-Interferenz
zu machen. Wenn der LNA und die Mischeranordnung nicht ausreichend
linear wären, würde die
Außerband-Interferenz
eine Intermodulationsverzerrung und Komprimierung des Eingangssignals
bewirken, da gemäß der Erfindung
das Vorfilter entfernt ist.
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6 zeigt
ein Schaltkreisdiagramm einer anderen Ausführungsform der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
gemäß der Erfindung.
Die Komponenten, die Komponenten der Ausführungsform von 3 entsprechen,
sind mit denselben Bezugszeichen bezeichnet und werden bezüglich der Ausführungsform
von 6 nicht beschrieben. Selbst wenn diese Komponenten
sich entsprechen, sollte es jedoch beachtet werden, dass deren Werte sich
in Abhängigkeit
von der tatsächlichen
Implementierung unterscheiden können.
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Die
in 6 veranschaulichte Funkempfänger-Eingangsstufe umfasst
einen doppelt symmetrischen Mischer mit einem Differential-LNA.
Der Differentialverstärker
umfasst eine erste und eine zweite Verstärkereinrichtung, z. B. durch
einen ersten und einen zweiten Verstärkertransistor 160a, 160b bereitgestellt,
wie beispielsweise einen MOS- oder BJT-Transistor. Die Eingangsanschlüsse der
Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
sind mit den Source-Anschlüssen
der Transistoren 160a, 160b verbunden, an die
ein Eingangssignal RFin angelegt sein kann.
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Die
Gate-Anschlüsse
der Transistoren 160a und 160b sind mit einer
Vorspannung Vbias verbunden. Alternativ
sind die Vorspannungseingänge (Gate-Anschlüsse) der
Transistoren 160a und 160b mit einem Gleichtakt-Rückkopplungsschaltkreis
zum Steuern der Vorspannung der Transistoren 160a, 160b verbunden.
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Der
erste und der zweite Mischer 51, 52 umfassen jeweils
vier Mischertransistoren 161a, 161b, 161c, 161d, 162a, 162b, 162c, 162d.
Die Gate-Anschlüsse
der Transistoren 161a und 162c sind zum Empfangen
des Lokaloszillator-Signals LOI + verbunden.
Die Gate-Anschlüsse
der Transistoren 161b und 162d sind zum Empfangen
des Lokaloszillator-Signals LOQ + verbunden.
Die Gate-Anschlüsse
der Transistoren 161c und 162a sind zum Empfangen
des Lokaloszillator-Signals LOQ– verbunden.
Die Gate-Anschlüsse
der Transistoren 161d und 162b sind zum Empfangen
des Lokaloszillator-Signals LOI– verbunden.
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Die
Drain-Anschlüsse
der Transistoren 161a und 162b sind mit einem
ersten Anschluss des Kondensators 64a, Widerstand 63a und
Kondensator 67a verbunden. Die Drain-Anschlüsse der
Transistoren 161b und 162a sind mit einem ersten
Anschluss des Kondensators 64b, Widerstand 63b und
Kondensator 67b verbunden. Die Drain-Anschlüsse der Transistoren 161c und 162d sind
mit einem ersten Anschluss des Kondensators 66b und Widerstand 65b und
mit einem zweiten Anschluss des Kondensators 67b verbunden.
Die Drain-Anschlüsse
der Transistoren 161d und 162c sind mit einem
ersten Anschluss des Kondensators 66a und Widerstand 65a und
mit einem zweiten Anschluss des Kondensators 67a verbunden.
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Das
erste Ausgangssignal VIFI wird während des
Betriebs zwischen Ausgangsanschlüssen
erzeugt, die mit den Anschlüssen
des Kondensators 67a verbunden sind, und das zweite Ausgangssignal VIFQ wird zwischen Ausgangsanschlüssen erzeugt, die
mit den Anschlüssen
des Kondensators 67b verbunden sind.
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Die
Lokaloszillator-Signale LOI +,
LOI +, LOQ +, LOQ – können gemäß den wie
oben beschriebenen Prinzipien bereitgestellt sein.
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7 veranschaulicht
das Verfahren gemäß der Erfindung.
In einem ersten Schritt 100 wird das Eingangssignal, das
eine Außerband-Interferenz
umfasst, bei dem Eingangsanschluss der Quadratur-Funkempfänger-Eingangsstufe
empfangen. Im Schritt 101 wird das die Außerband-Interferenz
umfassende Eingangssignal in dem LNA 50 verstärkt. Dann
werden das verstärkte
Eingangssignal und die Außerband-Interferenz
mit den LO-Signalen gemischt, um wie oben erläutert ein gemischtes Signal zu
erzeugen, das eine Außerband-Interferenz umfasst.
Letztlich wird im Schritt 103 die Außerband-Interferenz des gemischten
Signals unterdrückt,
z. B. wie oben erläutert
durch Liefern des gemischten Signals an die Widerstände und
Kondensatoren umfassenden Mischerlasten. Die Kondensatoren 64a, 66a, 64b, 66b, 67a, 67b der
Mischerlasten haben Werte, die zum Unterdrücken der Außerband-Interferenz wirksam
sind. Wenn die Kondensatoren variable Kondensatoren sind, kann das
Verfahren den Schritt zum Setzen des Wertes der Kondensatoren umfassen.
Das Verfahren kann auch den Schritt zum Liefern der LO-Signale an
die Mischer 51, 52 umfassen. Wenn die Kondensatoren 76, 78 der
LC-Speicher des Quadratur-VCO variabel bzw. variierbar sind, kann
das Verfahren darüber
hinaus den Schritt zum Setzen des Wertes der Kondensatoren umfassen.
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Die
vorliegende Erfindung ist mit Verweis auf spezifische Ausführungsformen
beschrieben worden. Jedoch sind andere als die oben beschriebenen Ausführungsformen
gleichermaßen
innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung möglich. Die unterschiedlichen
Merkmale der Erfindung können
in anderen als den beschriebenen Kombinationen kombiniert werden.
Die Erfindung ist nur durch die angefügten Patentansprüche eingeschränkt.