DE602004001790T2 - Copper foil for chip-on-film use - Google Patents
Copper foil for chip-on-film use Download PDFInfo
- Publication number
- DE602004001790T2 DE602004001790T2 DE200460001790 DE602004001790T DE602004001790T2 DE 602004001790 T2 DE602004001790 T2 DE 602004001790T2 DE 200460001790 DE200460001790 DE 200460001790 DE 602004001790 T DE602004001790 T DE 602004001790T DE 602004001790 T2 DE602004001790 T2 DE 602004001790T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- copper foil
- copper
- layer
- cobalt
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 97
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 72
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 18
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Co].[Ni] Chemical compound [Cu].[Co].[Ni] VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001166 ammonium sulphate Substances 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N cobalt copper Chemical compound [Co].[Cu] RYTYSMSQNNBZDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0307—Providing micro- or nanometer scale roughness on a metal surface, e.g. by plating of nodules or dendrites
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
- Y10T428/12438—Composite
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12472—Microscopic interfacial wave or roughness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
1. Gebiet der Erfindung1. Field of the invention
Die Erfindung betrifft eine Kupferfolie, die für eine Chip-On-Film-(COF) Montage in fein strukturierten Leiterplatten besonders geeignet ist.The This invention relates to a copper foil suitable for chip-on-film (COF) mounting in finely structured printed circuit boards is particularly suitable.
2. Beschreibung des Standes der Technik2. Description of the state of the technique
Einhergehend mit der Größenverkleinerung und Gewichtsabnahme elektronischer Geräte sind derzeitige elektronische Vorrichtungen auf fortgeschrittenem Niveau integriert. Demnach war es auch erforderlich, die Dichte von Schaltkreisstrukturen in den Leiterplatten zu erhöhen. Schaltkreisstrukturen werden nun mit dünnen Leitungsbreiten und Verbindungsabständen ausgebildet. Besondere Fortschritte wurden hinsichtlich der Erhöhung der Dichte von IC-Montageplatinen zum Ansteuern von Flüssigkristallanzeigen und von PCs, Mobiltelefonen und PDAs erzielt. Die ICs werden unmittelbar auf die Platinenschicht montiert, was als „Chip-On-Film"-(COF) Montieren bezeichnet wird.accompanying with the size reduction and weight loss of electronic devices are current electronic Integrated devices at an advanced level. Accordingly, it was It also required the density of circuit structures in the Increase printed circuit boards. Circuit structures are now formed with thin line widths and interconnect distances. Particular progress has been made with regard to increasing Density of IC mounting boards for driving liquid crystal displays and from PCs, mobile phones and PDAs. The ICs become instant Mounted on the board layer, what as a "chip-on-film" - (COF) Mount referred to as.
Bei der COF-Montage wird durch die Schicht, die mit den Verbindungsstrukturen der Kupferfolie ausgebildet ist, hindurchtretendes Licht zur Detektion der IC-Positionen verwendet. Jedoch ist die Sichtbarkeit herkömmlicher Elektroden-abgeschiedener Kupferfolien, die für Leiterplatten verwendet werden (Fähigkeit der Detektion von IC-Positionen über Licht), äußerst dürftig. Dies liegt an der großen Oberflächenrauigkeit der Kupferfolie. Die das Licht hindurchlassenden Teile der Schicht stellen diejenigen Teile dar, in denen die von den Kupferschaltkreisteilen verschiedene, nicht benötigte Kupferfolie weggeätzt wurde. Die abgelösten Strukturen der Oberfläche der Kupferfolie werden auf die Schichtoberfläche beim Bonden der Kupferfolie auf die Schicht übertragen und verbleiben dort. Tritt Licht durch die Schicht hindurch, so wird die Menge des geradlinig hindurchtretenden Lichtes aufgrund der abgelösten Strukturen auf der Schichtoberfläche geringer und damit nimmt die Sichtbarkeit ab.at The COF assembly is through the layer, which is connected to the connecting structures the copper foil is formed, passing light for detection used the IC positions. However, the visibility is more conventional Electrode-deposited copper foils used for printed circuit boards (Ability the detection of IC positions via Light), extremely poor. This is because of the big one surface roughness the copper foil. The light transmitting parts of the layer represent those parts in which the parts of the Kupferschaltkreisteilen different, not needed Etched copper foil has been. The detached ones Structures of the surface of the copper foil are applied to the layer surface when bonding the copper foil transferred to the layer and stay there. If light passes through the layer, so the amount of light passing in a straight line is due to the detached one Structures on the layer surface less and thus the visibility decreases.
Da die Sichtbarkeit in herkömmlich Elektroden-abgeschiedenen Kupferfolien für Leiterplatten schwach ist, werden zweischichtige Materialien verwendet, die aus einer Polyimidschicht bestehen, auf die eine Kupferschicht durch Sputtern ausgebildet wird (Dünnschichtprozess), wonach ein Galvanisieren mit Kupfer erfolgt.There the visibility in conventional Electrode-deposited copper foils is weak for printed circuit boards, Two-layer materials are used, which consist of a polyimide layer exist on which a copper layer formed by sputtering becomes (thin film process), followed by plating with copper.
Jedoch ist die Haftstärke dieser gesputterten Kupferschicht auf dem Film schwach und die Ätzlösung oder Galvanisierlösung wird beim Ausbilden des Schaltkreises zwischen der Kupferfolie und dem Film erodieren, was zum so genannten „Undercut"-Phänomen führt. Da die Haftstärke zudem schwach ist, besteht die Gefahr, dass sich die Kupferschicht während der Verwendung des Produkts ablöst.however is the adhesive strength this sputtered copper layer on the film weak and the etching solution or plating is in the formation of the circuit between the copper foil and erode the film, what the so-called "undercut" phenomenon leads. Because the adhesive strength Moreover, there is a risk that the copper layer while replaces the use of the product.
Andererseits wurde als Verfahren zum Behandeln der Kupferfolie für eine Leiterplatte das Verfahren des Aufrauens der Oberfläche der Kupferfolie durch Galvanisieren derselben mit einer Kupfer-Kobalt-Nickel-Legierung aus Kupfer und geringen Mengen von Kobalt und Nickel vorgeschlagen (z. B. JP 2-292894). Die durch dieses Aufrauen erzielbare Kupferfolie ist hinsichtlich der Ätzbarkeit, Alkali-Ätzbarkeit und der Widerstandsfähigkeit gegenüber Salzsäure herausragend, jedoch wurden verschiedene Schwachpunkte festgestellt, wie etwa eine Abnahme der hitzebeständigen Ablösestärke bei Einsatz eines Acryl-basierten Klebstoffs, eine unzureichende Oxidationswiderstandsfähigkeit und eine nicht schwarz werdende, sondern braun bis holzkohlebraun werdende Farbe (z. B. JP 9-87889). Bisher wurden keine praktischen Anwendungen erzielt.on the other hand was used as a method of treating the copper foil for a printed circuit board the process of roughening the surface of the copper foil by electroplating the same with a copper-cobalt-nickel alloy of copper and small amounts of cobalt and nickel are proposed (eg JP 2-292894). The By this roughening achievable copper foil is in terms of etchability, Alkaline grainability and resilience across from hydrochloric acid outstanding, however, several weak points were found such as a decrease in heat-resistant peel strength when using an acrylic-based Adhesive, insufficient oxidation resistance and a not blackening, but brown to charcoal brown Expected color (eg JP 9-87889). So far, no practical Achieved applications.
Somit wurde die Forschung im Hinblick auf eine Verbesserung der Kupferfolie weitergetrieben. Verfahren zum Ausbilden von Dreischichtstrukturen wurden vorgeschlagen, die ein Galvanisieren der Oberfläche einer Kupferfolie mit einer Legierung aus Kupfer erfordern, wobei eine Menge von Kobalt ungefähr 1/10 derjenigen des Kupfers und eine Menge von Nickel ungefähr 1/40 derjenigen von Kupfer entspricht, gefolgt von einem Ausbilden einer galvanischen Kobalt-Nickel-Legierungsschicht darüber, gefolgt vom Ausbilden einer galvanischen Zinkschicht (z. B. JP 9-87888) oder Ausbilden einer galvanischen Zink-Nickel-Schicht (z. B. JP 9-87889). Ebenso wurden Verfahren zum Ausbilden von Dreischichtstrukturen beschrieben, die ein Aufrauen der Oberfläche einer Kupferfolie durch Galvanisieren einer Kupfer-Legierung erfordern, wobei eine Menge von Kobalt ungefähr 1/10 derjenigen von Kupfer und eine Menge von Nickel ungefähr 1/40 derjenigen von Kupfer entspricht, gefolgt von einem Ausbilden einer galvanischen Kobaltschicht, wonach zudem eine galvanische Zinkschicht (z. B. JP 8-335775) oder eine galvanische Zink-Nickel-Schicht (z. B. JP 8-335776) ausgebildet werden. Diese Verfahren wurden insbesondere als Verfahren zum Behandeln einer Kupferfolie vorgeschlagen, um die Abnahme der Haftstärke zwischen einer Kupferfolie und einem Harzsubstrat zu reduzieren, die aufgrund der erheblich höheren Temperatur bei der Behandlung im Fertigungsprozess von Leiterplatten zusammen mit der geringeren Größe und höheren Integration von Halbleitervorrichtungen und der während der Verwendung der Geräte erzeugten Hitze auftritt, wodurch die Widerstandsfähigkeit gegenüber einem Ablösen bei Erhitzung weiter verbessert wird.Thus, research has been driven to improve the copper foil. Methods for forming three-layer structures have been proposed which require plating the surface of a copper foil with an alloy of copper, wherein an amount of cobalt is about 1/10 that of copper and an amount of nickel is about 1/40 that of copper, followed by forming a cobalt-nickel alloy electroplated layer over it, followed by forming a zinc plating layer (e.g., JP 9-87888) or forming a zinc-nickel plating layer (e.g., JP 9-87889). Also, methods for forming three-layer structures which require roughening the surface of a copper foil by plating a copper alloy have been described, wherein an amount of cobalt is about 1/10 that of copper and an amount of nickel about 1/40 of that of copper. followed by forming a galvanic cobalt layer, after which a galvanic zinc layer (eg JP 8-335775) or a galvanic zinc-nickel layer (eg JP 8-335776) are additionally formed. These methods have been proposed in particular as a method for treating a copper foil, to reduce the decrease in adhesive strength between a copper foil and a resin substrate, which occurs due to the significantly higher temperature in the processing of printed circuit board manufacturing, along with the smaller size and higher integration of semiconductor devices and the heat generated during use of the devices Resistance to peeling on heating is further improved.
Falls jedoch obige verbesserte Kupferfolie mit Dreischichtstruktur bei der COF-Montage verwendet wird, treten die folgenden Probleme auf.If however, the above improved copper foil having three-layer structure is included When COF mounting is used, the following problems occur.
Die obige Kupferfolie wird zum Herstellen einer Leiterplatte verwendet, welche die Anforderungen an dünnere Strukturen und auf die Leiterplatte montierter ICs erfüllt, wobei jedoch eine Montage der ICs auf der Leiterplatte eine Platzierung von Lotkugeln auf den Schaltkreisen der Kupferfolie auf der Leiterplatte erfordert. Um Lotkugeln auf der Kupferfolie zu platzieren, wird die Haftfähigkeit mit Lot durch Galvanisieren der Kupferfolie mit Zinn erhöht. Die Zinn-Galvanisierungslösung in diesem Zinn-Galvano-Prozess löst die auf der Oberfläche der Kupferfolie vorliegenden Partikel auf und führt zu einer erheblichen Beeinträchtigung der Ablösefestigkeit zwischen der Kupferfolie und der Leiterplatte.The above copper foil is used to make a printed circuit board, which thinner the requirements Structures and mounted on the PCB ICs, where however, a mounting of the ICs on the circuit board a placement of solder balls on the circuits of the copper foil on the circuit board requires. To place solder balls on the copper foil is the adhesion with solder by galvanizing the copper foil with tin increases. The Tin-plating solution dissolves in this tin-galvano process the on the surface the copper foil particles present and leads to a significant impairment the peel strength between the copper foil and the circuit board.
Eine weitere Kupferfolie für Leiterplatten ist aus EP-A-0 396 056 bekannt.A more copper foil for Printed circuit boards are known from EP-A-0 396 056.
ÜBERSICHT ÜBER DIE ERFINDUNGOVERVIEW OF THE INVENTION
Eine Aufgabe der Erfindung stellt die Angabe einer Kupferfolie dar, die einen hohen Ätzfaktor aufweist, eine Ausbildung feiner Strukturen ermöglicht, die sich hinsichtlich der Linearität unterer Leitungen von Leiterplatten auszeichnet und keine Partikel der die Schaltkreisstrukturen im Harz ausbildenden Kupferfolie hinterlässt, keinen Abfall der Haftfestigkeit zwischen der Kupferfolie und dem Harzsubstrat während der Ausbildung von Lotkugeln aufweist, eine ausgezeichnete Sichtbarkeit zeigt und die sich zudem ausgezeichnet bei der Montage von ICs auf feinen Strukturen verhält.A The object of the invention is the specification of a copper foil, the a high etching factor has a formation of fine structures possible, in terms of the linearity lower lines of printed circuit boards and no particles which leaves the circuit patterns in the resin forming copper foil, no Waste of adhesive strength between the copper foil and the resin substrate while the formation of solder balls, excellent visibility shows and is also excellent in the assembly of ICs behaves fine structures.
Zur Lösung obiger Aufgabe wird eine Kupferfolie angegeben, die eine Kupferfolie enthält, auf welche auf wenigstens einer Oberfläche eine Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit vorgesehen ist, wobei die Legierungspartikel eine Kupfer-Kobalt-Nickel Legierung ausbilden, deren Gehalt an Kobalt und Nickel jeweils gleich groß oder größer ist als deren Gehalt an Kupfer.to solution above object is given to a copper foil, which is a copper foil contains on which on at least one surface a layer of alloy particles provided with excellent roughness, the alloy particles form a copper-cobalt-nickel alloy whose content of cobalt and Nickel in each case the same size or is larger as their content of copper.
Die Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit, die auf der Oberfläche der Kupferfolie vorgesehen ist, kann eine Stainproof-Behandlung aufweisen.The Layer of alloy particles with excellent roughness, the on the surface the copper foil is provided may have a Stainproof treatment.
Zudem kann die Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit, die auf der Oberfläche der Kupferfolie vorgesehen ist, eine Silanhaftvermittler-Behandlung aufweisen.moreover For example, the layer of alloy particles having excellent roughness, the on the surface the copper foil is provided, a Silanhaftvermittler treatment exhibit.
Durch Behandeln der Oberfläche der Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit, die auf der Oberfläche der Kupferfolie vorgesehen ist, mit einer Stainproof-Behandlung oder einer Silanhaftvermittler-Behandlung wird es möglich, eine Oxidation und Verfärbung der Kupferfolie zu verhindern.By Treat the surface the layer of alloy particles with excellent roughness, the on the surface the copper foil is provided with a Stainproof treatment or a silane coupling agent treatment will it be possible an oxidation and discoloration to prevent the copper foil.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION THE PREFERRED EMBODIMENTS
Bevorzugte Ausführungsformen einer Chip-On-Film-(COF) Kupferfolie (nachfolgend als „COF-Folie" bezeichnet) gemäß der Erfindung werden unten detailliert beschrieben.preferred embodiments a chip-on-film (COF) copper foil (hereinafter referred to as "COF foil") according to the invention are described in detail below.
Die COF-Folie dieser Ausführungsform besteht aus einer Kupferfolie, die auf wenigstens einer Oberfläche eine Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit aufweist, wobei die Legierungspartikel eine Kupfer-Kobalt-Legierung ausbilden, deren Gehalt an Kobalt und Nickel gleich groß oder größer ist als deren Gehalt an Kupfer.The COF film of this embodiment consists of a copper foil, which on at least one surface a Has a layer of alloy particles with excellent roughness, wherein the alloy particles form a copper-cobalt alloy, their content of cobalt and nickel is equal to or greater than their content Copper.
Die Zusammensetzung der galvanisierten Legierung der Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit gemäß der Erfindung hebt das Konzept der herkömmlichen Zusammensetzung der galvanisierten Legierung mit geringen Mengen eines Zusatzes von sowohl Kobalt und Nickel in Bezug auf das Kupfer auf und die damit einhergehende Konsequenz einer nicht immer zufrieden stellenden COF-Folie. Die Erfinder haben verschiedene Experimente durchgeführt, ohne jegliche Begrenzungen der Mengen von Kobalt und Nickel in Bezug auf das Kupfer. Hierbei haben die Erfinder festgestellt, dass durch Erhöhen der Mengen des Zusatzes von sowohl Kobalt und Nickel im Hinblick auf die herkömmlich vorstellbaren Mengen bezüglich Kupfer eine als COF-Folie geeignete Kupferfolie erzielt werden kann. Die Erfinder haben weitere Experimente und Forschungen durchgeführt und dadurch eine Kupferfolie erzielt mit einem hohen Ätzfaktor, der Möglichkeit der Ausbildung feiner Strukturen, einer ausgezeichneten Linearität von unteren Leitungen der Schaltkreisstrukturen ohne Zurücklassen von Partikeln einer die Schaltkreisstrukturen im Harz ausbildenden Kupferfolie und einer ausgezeichneten Sichtbarkeit, indem wenigstens die mit einem Harzsubstrat zu verbindende Seite der Kupferfolie mit einer Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit versehen wird, die aus einer Kupfer-Kobalt-Nickel-Legierung besteht und deren Gehalt an Kobalt und Nickel jeweils gleich groß oder größer ist als deren Gehalt an Kupfer ist und wobei insbesondere zu diesem Zeitpunkt die Zusammensetzung der abge schiedenen Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit pro dm2 Kupferfolie 5 bis 12 mg/dm2 Kupfer, 6 bis 13 mg/dm2 Kobalt und 5 bis 12 mg/dm2 Nickel gewählt wurde.The composition of the galvanized alloy of the layer of alloy particles having excellent roughness according to the invention overcomes the concept of the conventional composition of the galvanized alloy with small amounts of addition of both cobalt and nickel with respect to the copper and the concomitant consequence of not always satisfactory COF foil. The inventors have made various experiments without any limitations on the amounts of cobalt and nickel with respect to the copper. Here, the inventors have found that by increasing the amounts of addition of both cobalt and nickel in view of conventionally conceivable amounts Copper can be achieved as a COF film suitable copper foil. The inventors made further experiments and research, and thereby obtained a copper foil having a high etching factor, the possibility of forming fine structures, excellent linearity of lower lines of the circuit patterns without leaving particles of a copper foil forming the circuit patterns in the resin, and excellent visibility at least the side of the copper foil to be bonded to a resin substrate is provided with a layer of alloy particles excellent in roughness consisting of a copper-cobalt-nickel alloy and their content of cobalt and nickel is equal to or greater than their content of copper and in particular at this time, the composition of the deposited layer of alloy particles having excellent roughness per dm 2 copper foil was 5 to 12 mg / dm 2 copper, 6 to 13 mg / dm 2 cobalt and 5 to 12 mg / dm 2 nickel ,
Zudem wird die Kupferfolie, auf deren Oberfläche die Partikel mit ausgezeichneter Rauigkeit abgeschieden wurden, auf ein Polyimid-Harzsubstrat gebondet und zur Ausbildung von Schaltkreisen geätzt, und das resultierende COF (Substrat) wird über ICs platziert, während diese sichtbar bleiben können und die Kupferfolie wird beim Verbinden der Kupferfolienschaltkreise und ICs mit Zinn galvanisiert. Ist die Temperatur der Zinn-Galvanisierlösung in diesem Zinn-Galvanoprozess außergewöhnlich hoch, erodiert die Galvanisierlösung zwischen der Kupferfolie und dem Harzsubstrat, so dass das Undercut-Phänomen auftritt. In derartigen Anwendungen ist die Zusammensetzung aus Legierungspartikeln feiner Rauigkeit so gebildet, dass Undercut nicht auftritt.moreover becomes the copper foil, on whose surface the particles with excellent Roughness deposited on a polyimide resin substrate and etched to form circuits, and the resulting COF (substrate) is over ICs placed while they can remain visible and the copper foil becomes when connecting the copper foil circuits and electroplated ICs with tin. If the temperature of the tin plating solution is in exceptionally high for this tin electroplating process, erodes the plating solution between the copper foil and the resin substrate, so that the undercut phenomenon occurs. In such applications, the composition is alloy particles fine roughness so formed that undercut does not occur.
Die Erfinder haben diesen Gesichtspunkt ebenso untersucht und Legierungszusammensetzungen von Partikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit studiert, bei denen das Undercut-Phänomen nicht auftritt und über diese Untersuchungen herausgefunden, dass das Undercut-Phänomen durch Einstellen der Menge von Kobalt auf 1.2 bis 2.2 mg/dm2 pro mg/dm2 vorhandenes Kupfer und der Menge von Nickel auf 1.0 bis 2.0 mg/dm2 unterdrückt werden kann und dass das Undercut-Phänomen durch Einstellen der Menge von Kobalt auf 1.5 bis 1.9 mg/dm2 pro mg/dm2 vorhandenes Kupfer und der Menge an Nickel auf 1.3 bis 1.7 mg/dm2 zuverlässig vermieden werden kann, so dass keine Abnahme der Haftfestigkeit zwischen der Kupferfolie und dem Harzsubstrat aufgrund der Prozessierung zur Ausbildung von Lotkugeln verursacht wird.The inventors have also studied this point of view and studied alloy compositions of particles having excellent roughness in which the undercut phenomenon does not occur, and through these investigations found out that the undercut phenomenon is adjusted to 1.2 to 2.2 mg / dm 2 by adjusting the amount of cobalt mg / dm 2 of copper and the amount of nickel can be suppressed to 1.0 to 2.0 mg / dm 2 and that the undercut phenomenon by adjusting the amount of cobalt to 1.5 to 1.9 mg / dm 2 per mg / dm 2 of copper present and the amount of nickel can be reliably prevented to be 1.3 to 1.7 mg / dm 2 , so that no decrease in the adhesive strength between the copper foil and the resin substrate due to the processing for forming solder balls is caused.
Insbesondere sollte die Abscheidemenge der Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit auf die Kupferfolienoberfläche im Bereich von 5 bis 12 mg/dm2 Kupfer, 6 bis 13 mg/dm2 Kobalt und 5 bis 12 mg/dm2 Nickel betragen. Der Grund für die Einstellung dieses Bereichs basiert hauptsächlich auf den Ergebnissen des folgenden Experiments:In particular, the deposition amount of the layer of alloy particles excellent in roughness on the copper foil surface should be in the range of 5 to 12 mg / dm 2 of copper, 6 to 13 mg / dm 2 of cobalt and 5 to 12 mg / dm 2 of nickel. The reason for setting this range is mainly based on the results of the following experiment:
1. Abscheidemenge von Kupfer1st separation amount of copper
Unterhalb von 5 mg/dm2 wird die Löslichkeit in der Ätzlösung schwach und Ätzreste bilden sich aus, während oberhalb von 12 mg/dm2 der Wärmewiderstand schlecht wird.Below 5 mg / dm 2 , the solubility in the etching solution becomes weak and etch residues are formed, while above 12 mg / dm 2, the thermal resistance becomes poor.
2. Abscheidemenge von Kobalt2. Separation amount of cobalt
Unterhalb von 6 mg/dm2 wird die Löslichkeit in der Ätzlösung schwach und Ätzreste bilden sich aus, wobei oberhalb von 13 mg/dm2 das Undercut-Phänomen nicht zuverlässig verhindert werden kann.Below 6 mg / dm 2 , the solubility in the etching solution becomes weak and etch residues are formed, and above 13 mg / dm 2, the undercut phenomenon can not be reliably prevented.
3. Abscheidemenge von Nickel3. separation quantity of nickel
Unterhalb von 5 mg/dm2 lässt sich das Undercut-Phänomen nicht zuverlässig verhindern, während oberhalb von 12 mg/dm2 die Löslichkeit in der Ätzlösung schlecht wird und sich Ätzrückstände ausbilden.Below 5 mg / dm 2 , the undercut phenomenon can not be reliably prevented, whereas above 12 mg / dm 2 the solubility in the etching solution becomes poor and etching residues form.
Beispiele 1 bis 3Examples 1 to 3
Als
Kupferfolie wurde eine Elektroden-abgeschiedene Kupferfolie (B-WS-Folie,
hergestellt von Furukawa Circuit Foil) verwendet. Diese wurde auf
ihrer Oberfläche
mit einer Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit
durch Galvanisieren mit einer Kupfer-Kobalt-Nickel-Legierung versehen.
Die Zusammensetzung der Galvanisierlösung und die Bedingungen des
Galvanisierens waren wie folgt:
Die Erfinder haben die Galvanisierdauer bei obigen Bedingungen zur Erzielung verschiedener Legierungszusammensetzungen auf den Oberflächen der COF-Kupferfolie geändert. Die hieraus erzielten Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. In Tabelle 1 ist der Gehalt an Kupfer, Kobalt und Nickel jeweils in Einheiten von mg/dm2 gezeigt. Die Verhältnisse in Bezug auf das Kupfer als 1 sind in Klammern gezeigt.The inventors have changed the plating duration under the above conditions to obtain various alloy compositions on the surfaces of the COF copper foil. The results obtained from this are shown in Table 1. Table 1 shows the contents of copper, cobalt and nickel, each in units of mg / dm 2 . The relationships with respect to copper as 1 are shown in parentheses.
Tabelle 1 Table 1
Beispiel 4Example 4
Als
Kupferfolie wurde eine gerollte Kupferfolie (von Nippon Foil Manufacturing
Co., Ltd. hergestellt) verwendet. Diese wurde auf ihrer Oberfläche mit
einer Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit
durch Galvanisieren einer Kupfer-Kobalt-Nickel-Legierung ausge bildet.
Die Zusammensetzung der Galvanisierlösung und die Bedingungen beim
Galvanisieren waren wie folgt:
Die Zusammensetzung der Legierung auf der Oberfläche der unter obigen Bedingungen hergestellten COF-Kupferfolie ist in Tabelle 2 gezeigt. Die Erfinder konnten eine Kupferfolie mit einer glatten Oberfläche mit Rz: 0.50 und Ra: 0.06 erzielen. In Tabelle 2 ist der Gehalt an Kupfer, Kobalt und Nickel jeweils in Einheiten von mg/dm2 dargestellt. Die Verhältnisse zum Kupfer als 1 sind in Klammern gezeigt.The composition of the alloy on the surface of the COF copper foil produced under the above conditions is shown in Table 2. The inventors were able to achieve a copper foil with a smooth surface with Rz: 0.50 and Ra: 0.06. Table 2 shows the contents of copper, cobalt and nickel in units of mg / dm 2 , respectively. The ratios to copper as 1 are shown in parentheses.
Tabelle 2 Table 2
Die Erfinder haben einen Polyimidfilm eines Filmherstellers A bei hoher Temperatur und hohem Druck auf die Oberfläche der Kupferfolie gebondet, welche zur Abscheidung von Partikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit in den Beispielen 1 bis 4 behandelt wurde, worauf diese eine ausgezeichnete Haftfähigkeit, d. h. Bondfähigkeit, herausgefunden haben. Nun haben die Erfinder einen Trockenätzlackfilm auf die Oberfläche der Kupferfolie gebondet und eine Ätzung zur Bereitstellung eines Harzsubstrats für COF durchgeführt. Beim Herstellen dieses Harzsubstrats für COF wurden die Schaltkreise nicht gewellt, deren Linearität war außerordentlich gut und es konnte ein Harzsubstrat für COF mit ausgezeichneten dünnen Strukturen fertiggestellt werden. Dieses Harzsubstrat konnte auf einem Substrat mit einem darauf angeordneten IC mit Blick auf die ICs positioniert werden, wobei die Position der ICs auf einfache Weise von oberhalb des Films bestätigt werden konnte und die ICs und Schaltkreise des Harzsubstrats präzise verbunden werden konnten.The inventors bonded a polyimide film of a film producer A at a high temperature and high pressure to the surface of the copper foil which had been treated to deposit particles having excellent roughness in Examples 1 to 4, whereupon they were found to have excellent adhesiveness, ie, bondability. Now, the inventors have bonded a dry etching paint film on the surface of the copper foil and performed etching to provide a resin substrate for COF. In manufacturing this resin substrate for COF, the circuits were not corrugated, their linearity was extremely good, and a resin substrate for COF having excellent thin structures could be completed. This resin substrate could be positioned on a substrate with an IC placed thereon with a view of the ICs, and the position of the ICs could be easily confirmed from above the film and the ICs and circuits of the resin substrate could be precisely connected.
Nachfolgend haben die Erfinder einen Polyimidfilm eines Filmherstellers B bei hoher Temperatur und hohem Druck auf die Oberfläche der zur Abscheidung von Partikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit behandelten Kupferfolie der Beispiele 1 bis 4 gebondet, worauf diese eine ausgezeichnete Haftfähigkeit festgestellt haben. Dann haben diese einen Trockenätzlackfilm auf die Oberfläche der Kupferfolie gebondet und eine Ätzung zur Bereitstellung eines Harzsubstrats für COF durchgeführt. Beim Herstellen dieses Harzsubstrats für COF wurden die Schaltkreise nicht gewellt, deren Linearität war außerordentlich gut und es konnte ein Harzsubstrat für COF mit ausgezeichneten dünnen Strukturen fertiggestellt werden. Dieses Harzsubstrat konnte auf einem Substrat mit einem darauf angeordneten IC mit Blick auf die ICs positioniert werden, wobei die Position der ICs auf einfache Weise von oberhalb des Films bestätigt werden konnte und die ICs und Schaltkreise des Harzsubstrats präzise verbunden werden konnten.following The inventors included a polyimide film of a film manufacturer B. high temperature and high pressure on the surface of the deposit Particles with excellent roughness treated copper foil Examples 1 to 4 bonded, whereupon this excellent adhesiveness have stated. Then they have a dry etching paint film on the surface the copper foil bonded and an etch to provide a Resin substrates for COF performed. In making this resin substrate for COF, the circuits became not wavy, their linearity was extraordinary good and it could be a resin substrate for COF with excellent thin structures to get finished. This resin substrate could on a substrate with an IC placed on top of it, looking at the ICs be, with the position of the ICs in a simple way from above of the film confirmed and precisely connected the ICs and circuits of the resin substrate could become.
Das Polyimidharz zum Bonden mit der Kupferfolie unterscheidet sich etwas in der Farbe oder Haftfestigkeit zur Kupferfolie oder weiterer vom Hersteller abhängigen Leistungsmerkmalen, wobei jedoch die Kupferfolien der Beispiele 1 bis 4 beim Bonden mit Polyimidfilmen aller Hersteller zufrieden stellende Ergebnisse lieferten, wonach diese zur Bereitstellung der Schaltkreise geätzt wurden und dann im Hinblick auf die Sichtbarkeit zur Bestätigung der IC-Position, Haftstärke, usw. gemessen wurden.The Polyimide resin for bonding with the copper foil is slightly different in color or adhesion to the copper foil or other of the Manufacturer dependent Performance features, but the copper foils of the examples 1 to 4 when bonding with polyimide films of all manufacturers yielding results, after which they were made available the circuits etched and then in terms of visibility to confirm the IC position, adhesive strength, etc. were measured.
Mit dem Behandeln der Oberfläche der Schicht aus Legierungspartikeln mit ausgezeichneter Rauigkeit im Hinblick auf eine Chrom-Rostverhinderung und eine Silanhaftvermittlung der in den Beispielen 1 und 2 erzielten Kupferfolie und Messen der Sichtbarkeit und Haftfestigkeit usw. konnte bestätigt werden, dass die Eigenschaften zufrieden stellend waren.With treating the surface the layer of alloy particles with excellent roughness in the With regard to chromium rust prevention and silane coupling the obtained in Examples 1 and 2 copper foil and measuring the Visibility and adhesion etc. could be confirmed that the properties were satisfactory.
Fasst man die Auswirkungen der wie oben erläuterten Erfindung zusammen, so ermöglicht diese eine Kupferfolie mit einem hohen Ätzfaktor, eine Ausbildung feiner Strukturen mit ausgezeichneter Linearität unterer Leitungen der Schaltkreisstrukturen ohne Zurücklassen von Partikeln der die Schaltkreisstrukturen im Harz ausbildenden Kupferfolie, Vermeiden einer Abnahme der Haftfestigkeit zwischen der Kupferfolie und dem Harzsubstrat bei der Ausbildung von Lotkugeln, eine ausgezeichnete Sichtbarkeit und eine ausgezeichnete Montage von ICs auf dünnen Strukturen.Holds to summarize the effects of the invention as explained above, so allows this one copper foil with a high etching factor, a formation of fine Structures with excellent linearity of lower lines of the circuit structures without leaving behind of particles forming the circuit structures in the resin Copper foil, avoiding a decrease in the adhesion between the copper foil and the resin substrate in the formation of solder balls, Excellent visibility and excellent installation of ICs on thin Structures.
Obwohl die Erfindung mit Bezug auf der Veranschaulichung dienenden spezifischen Ausführungsformen erläutert wurde, ist zu berücksichtigen, dass ein Fachmann vielerlei Modifikationen durchführen kann, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen, der durch die beigefügten Patentansprüche definiert ist.Even though the invention with reference to the illustrative specific embodiments explained has to be taken into account, That a professional can perform many modifications, without to deviate from the scope of the invention, which is defined by the appended claims is.
Claims (3)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003038290 | 2003-02-17 | ||
JP2003038290A JP4115293B2 (en) | 2003-02-17 | 2003-02-17 | Copper foil for chip-on-film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE602004001790D1 DE602004001790D1 (en) | 2006-09-21 |
DE602004001790T2 true DE602004001790T2 (en) | 2007-08-23 |
Family
ID=32677659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200460001790 Expired - Lifetime DE602004001790T2 (en) | 2003-02-17 | 2004-02-16 | Copper foil for chip-on-film use |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6939622B2 (en) |
EP (1) | EP1448035B1 (en) |
JP (1) | JP4115293B2 (en) |
KR (1) | KR101090197B1 (en) |
CN (1) | CN100359994C (en) |
DE (1) | DE602004001790T2 (en) |
TW (1) | TWI286512B (en) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7476449B2 (en) * | 2003-02-27 | 2009-01-13 | Furukawa Circuit Foil Co., Ltd. | Electromagnetic shielding copper foil, method of production thereof and electromagnetic shield |
JP4762533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2011-08-31 | 古河電気工業株式会社 | Copper metallized laminate and method for producing the same |
TW200735317A (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-16 | Novatek Microelectronics Corp | Tape |
CN103266335B (en) * | 2007-09-28 | 2016-08-10 | Jx日矿日石金属株式会社 | Copper foil for printed circuit and copper-clad laminate |
JP4978456B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-07-18 | 日立電線株式会社 | Copper foil for printed circuit |
JP4440340B2 (en) * | 2007-12-27 | 2010-03-24 | 日鉱金属株式会社 | Method for producing two-layer copper-clad laminate and two-layer copper-clad laminate |
KR101426038B1 (en) * | 2008-11-13 | 2014-08-01 | 주식회사 엠디에스 | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
CN102224281B (en) * | 2008-11-25 | 2014-03-26 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Copper foil for printed circuit |
JP5448616B2 (en) * | 2009-07-14 | 2014-03-19 | 古河電気工業株式会社 | Copper foil with resistance layer, method for producing the copper foil, and laminated substrate |
KR101328235B1 (en) | 2010-05-07 | 2013-11-14 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | Copper foil for printed circuit |
CN103443335B (en) * | 2011-03-30 | 2016-09-21 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Copper foil for printed circuit |
JP5654416B2 (en) | 2011-06-07 | 2015-01-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Liquid crystal polymer copper clad laminate and copper foil used for the laminate |
JP5706026B1 (en) * | 2013-07-30 | 2015-04-22 | 古河電気工業株式会社 | Copper foil for wiring board and wiring board |
US10383222B2 (en) | 2016-01-04 | 2019-08-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated copper foil |
JP6854114B2 (en) * | 2016-01-04 | 2021-04-07 | Jx金属株式会社 | Surface-treated copper foil |
US9707738B1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-07-18 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Copper foil and methods of use |
JP7014884B1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-02-01 | Jx金属株式会社 | Surface-treated copper foil, copper-clad laminate and printed wiring board |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0396056B1 (en) | 1989-05-02 | 1994-01-05 | Nikko Gould Foil Co., Ltd. | Treatment of copper foil for printed circuits |
JPH0650794B2 (en) | 1989-05-02 | 1994-06-29 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | Method of treating copper foil for printed circuits |
JP2717911B2 (en) * | 1992-11-19 | 1998-02-25 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | Copper foil for printed circuit and manufacturing method thereof |
JP2875186B2 (en) | 1995-06-08 | 1999-03-24 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | Processing method of copper foil for printed circuit |
JP2875187B2 (en) | 1995-06-08 | 1999-03-24 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | Processing method of copper foil for printed circuit |
JP3367805B2 (en) | 1995-09-28 | 2003-01-20 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Processing method of copper foil for printed circuit |
JP2849059B2 (en) | 1995-09-28 | 1999-01-20 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | Processing method of copper foil for printed circuit |
JP3258308B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-02-18 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Copper foil excellent in laser drilling property and method for producing the same |
JP3394990B2 (en) * | 2000-11-27 | 2003-04-07 | 古河サーキットフォイル株式会社 | Metal composite sheet, circuit board laminate using the same |
CN1217564C (en) * | 2001-05-14 | 2005-08-31 | 日本电解株式会社 | Roughened copper foil and making method thereof |
-
2003
- 2003-02-17 JP JP2003038290A patent/JP4115293B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-13 US US10/777,039 patent/US6939622B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-16 EP EP20040003433 patent/EP1448035B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-16 DE DE200460001790 patent/DE602004001790T2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-16 KR KR1020040010140A patent/KR101090197B1/en active IP Right Grant
- 2004-02-17 CN CNB2004100055458A patent/CN100359994C/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-17 TW TW93103807A patent/TWI286512B/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040161627A1 (en) | 2004-08-19 |
EP1448035B1 (en) | 2006-08-09 |
TW200427576A (en) | 2004-12-16 |
KR101090197B1 (en) | 2011-12-07 |
KR20040074940A (en) | 2004-08-26 |
TWI286512B (en) | 2007-09-11 |
CN100359994C (en) | 2008-01-02 |
EP1448035A1 (en) | 2004-08-18 |
US6939622B2 (en) | 2005-09-06 |
CN1523951A (en) | 2004-08-25 |
JP4115293B2 (en) | 2008-07-09 |
DE602004001790D1 (en) | 2006-09-21 |
JP2004244710A (en) | 2004-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE602004001790T2 (en) | Copper foil for chip-on-film use | |
DE602004012910T2 (en) | Copper foil for printed circuit boards with fine structures and manufacturing processes | |
DE69602104T2 (en) | ELECTROPLATED COPPER FILM AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
DE69025500T2 (en) | Process for producing a copper-clad laminate | |
DE69301941T2 (en) | Copper foil for printed circuit boards and process for their manufacture | |
DE60200154T2 (en) | Metallic object with multi-layer covering | |
DE4292563C1 (en) | Process for metallizing substrates using depletion reaction metal oxide reduction | |
DE60015686T2 (en) | Coated metal article with multilayer surface coating for porosity reduction | |
DE69930970T2 (en) | MULTILAYER PRINTED PCB AND ITS MANUFACTURING METHOD | |
DE2810523C2 (en) | Process for the production of a base material for printed circuits | |
DE2610470C3 (en) | Process for the electroless deposition of copper layers | |
DE69812404T2 (en) | PLASTIC PLATING ADHESIVE, RAW MATERIAL COMPOSITION FOR PRODUCING ELECTRIC PLATING, AND PRINTED CIRCUIT BOARD | |
DE3112216A1 (en) | COPPER FILM FOR A PRINTED CIRCUIT AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION | |
DE60131338T2 (en) | SURFACE-TREATED COPPER FOIL AND ITS MANUFACTURE AND COPPER-COATED LAMINATE THEREOF | |
US7172818B2 (en) | Copper foil for chip-on-film use, plasma display panel, or high-frequency printed circuit board | |
DE4140171C2 (en) | Process for the surface treatment of copper foils for printed circuit boards | |
DE69121143T2 (en) | Copper foil for the inner layer circuit of a multilayer printed circuit board, process for its production and multilayer printed circuit board containing it | |
DE102004019877B4 (en) | Adhesive layer for bonding resin to a copper surface | |
DE3140082A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING PRINTED CIRCUITS | |
DE69627254T2 (en) | COPPER FILM FOR INTERLAYER CIRCUITS OF MULTILAYER HIGH DENSITY PCB | |
JP2004263300A (en) | Copper foil for fine pattern printed circuit and manufacturing method therefor | |
DE102018118273A1 (en) | Foil material, metal mesh, printed circuit boards and display devices and their manufacturing processes | |
DE2847821C2 (en) | A substrate for a printed circuit board with a resistive coating and a method for its manufacture | |
DE3838971C2 (en) | ||
DE60218639T2 (en) | Metal-ceramic composite article and related manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: FURUKAWA CIRCUIT FOIL CO., LTD., NIKKOU, TOCHIGI, |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD., TOKIO/TOKYO, JP |