DE60124008D1 - Verfahren zum lesen der information von halbleiter-waffern bei einem parallelen test- und einbrenn-system - Google Patents

Verfahren zum lesen der information von halbleiter-waffern bei einem parallelen test- und einbrenn-system

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10241141B4 (de) * 2002-09-05 2015-07-16 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren für ein Halbleiter-Bauelement-Test-System mit reduzierter Anzahl an Test-Kanälen
KR100496861B1 (ko) * 2002-09-26 2005-06-22 삼성전자주식회사 하나의 핸들러에 2개 이상의 테스트 보드를 갖는 테스트장비 및 그 테스트 방법
US6975945B2 (en) * 2003-08-26 2005-12-13 Hewlett Packard Development Company, L.P. System and method for indication of fuse defects based upon analysis of fuse test data
KR20130049658A (ko) 2011-11-04 2013-05-14 에스케이하이닉스 주식회사 반도체메모리장치 및 반도체시스템
US20160054382A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Nanya Technology Corporation Method for checking result of chip probing test and chip thereof
CN106782671B (zh) * 2016-12-19 2019-11-01 北京智芯微电子科技有限公司 一种安全芯片进入测试模式的方法和装置
CN109032619B (zh) * 2018-07-13 2021-12-24 上海艾为电子技术股份有限公司 确定熔丝烧录编码的方法及装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4637020A (en) * 1983-08-01 1987-01-13 Fairchild Semiconductor Corporation Method and apparatus for monitoring automated testing of electronic circuits
US4928278A (en) * 1987-08-10 1990-05-22 Nippon Telegraph And Telephone Corporation IC test system
US4866714A (en) * 1987-10-15 1989-09-12 Westinghouse Electric Corp. Personal computer-based dynamic burn-in system
US5103557A (en) * 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5309446A (en) * 1990-07-31 1994-05-03 Texas Instruments Incorporated Test validation method for a semiconductor memory device
EP0541288B1 (de) * 1991-11-05 1998-07-08 Fu-Chieh Hsu Redundanzarchitektur für Schaltungsmodul
US5557559A (en) * 1992-07-06 1996-09-17 Motay Electronics, Inc. Universal burn-in driver system and method therefor
US5390129A (en) * 1992-07-06 1995-02-14 Motay Electronics, Inc. Universal burn-in driver system and method therefor
EP0632380A1 (de) * 1993-06-30 1995-01-04 International Business Machines Corporation Schaltungsanordnung, die das Schmelzen der Sicherungen eines Speicherchips in zwei Durchgängen ermöglicht mit Selbsttest und Redundanz
GB9411950D0 (en) * 1994-06-15 1994-08-03 Deas Alexander R Memory test system
US6009536A (en) * 1996-09-20 1999-12-28 Micron Electronics, Inc. Method for using fuse identification codes for masking bad bits on memory modules
JPH10125742A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の良否判定方法及び半導体集積回路
US6037792A (en) * 1996-12-21 2000-03-14 Stmicroelectronics, Inc. Burn-in stress test mode
US5927512A (en) * 1997-01-17 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Method for sorting integrated circuit devices
JPH1166893A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5848008A (en) 1997-09-25 1998-12-08 Siemens Aktiengesellschaft Floating bitline test mode with digitally controllable bitline equalizers
US5959911A (en) 1997-09-29 1999-09-28 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for implementing a bank interlock scheme and related test mode for multibank memory devices
US6119255A (en) * 1998-01-21 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Testing system for evaluating integrated circuits, a burn-in testing system, and a method for testing an integrated circuit
US6008523A (en) 1998-08-26 1999-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Electrical fuses with tight pitches and method of fabrication in semiconductors
JP3918344B2 (ja) * 1999-01-29 2007-05-23 横河電機株式会社 半導体試験装置

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DE60124008T2 (de) 2007-10-25
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US6477095B2 (en) 2002-11-05
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CN100375196C (zh) 2008-03-12

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