DE60108678T2 - Methode und System zur Kompensation des Injektionsgradienten in einer kapazitiven Abtastmatrix - Google Patents

Methode und System zur Kompensation des Injektionsgradienten in einer kapazitiven Abtastmatrix Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen das Gebiet der Verfahren von und System zur Erfassung von Fingerabdruckbildern und spezieller auf ein Verfahren von und ein System zur Kompensierung eines Injektionsgradienten bzw. Einkoppelungsgradienten in einer kapazitiven Fingerabdruck-Abtast-Schaltanordnung.
  • Die Fingerabdruck-Erkennung wurde zur Anwendung in vielen Sicherheitsanwendungen vorgeschlagen, wie z. B. das Steuern des Zugangs zu Gebäuden, Zugriff auf Computer oder dergleichen. Fingerabdruck-Erkennungssysteme ermöglichen es einem Nutzer, auf die gesteuerte Einrichtung zuzugreifen, und zwar ohne eine Vorrichtung bereitstellen zu müssen, wie z. B. ein Tastaturpad oder einen Kartenleser, und ohne dass sich der Nutzer an ein Passwort oder eine andere Personen-Identifikationsnummer erinnern muss oder einen Kartenschlüssel bei sich tragen muss.
  • Ein wichtiges Element eines Fingerabdruck-Erkennungssystems ist eine Abtastvorrichtung. Ein Beispiel einer Abtastvorrichtung ist der TouchChip-(TM)-Silizium-Fingerabdrucksensor, welcher von STMicroelectronics, Inc. zur Verfügung gestellt wird. Der TouchChip verwendet eine aktive Pixelanordnung, die auf einer kapazitiven Rückkopplungsabtastschaltung basiert. Die Anordnung weist 360 Zeilen und 256 Spalten von Zellen auf, die Pixel repräsentieren. Jede Pixelzelle beinhaltet einen Verstärker mit hoher Verstärkung, der an zwei angrenzende obere Metallplatten angeschlossen ist, die von der Hautoberfläche durch eine ultraharte schützende Beschichtung getrennt ist. Der Verstärkereingang ist an eine der oberen Metallplatten angeschlossen und der Inverterausgang ist an die andere obere Metallplatte angeschlossen. Die Zellen stellen einen Ladungsintegrator bereit, dessen Rückkopplungskapazität die effektive Kapazität zwischen den zwei oberen Metallplatten ist.
  • Wenn ein Finger auf dem Sensor platziert wird, agiert die Oberfläche der Haut über einer Pixelzelle als eine dritte Platte, die von den zwei angrenzenden Platten durch eine dielektrische Schicht getrennt ist, die aus Luft zusammengesetzt ist. Da Fingerabdruck-Täler weiter von der Sensoroberfläche entfernt sind als Fingerabdruck-Grate, werden die Pixelzellen unterhalb von Tälern einen größeren Abstand zwischen ihren oberen Metallplatten und der Hautoberfläche aufweisen als die Pixelzellen unter Graten. Die Dicke der dielektrischen Schicht moduliert die kapazitive Kopplung zwischen den oberen Metallplatten der Pixelzellen so, dass die oberen Metallplatten unter Tälern unterschiedlich effektive Kapazitäten aufweisen als die oberen Platten unter Graten.
  • Die EP 0 790 479 würdigt z. B. einen kapazitiven Distanzsensor besonders für die Erfassung von Fingerabdrücken.
  • Die Pixelzellen arbeiten in drei Phasen. Die erste Phase ist ein RESET bzw. eine Rückstellung, in welchem der Eingang und Ausgang des Ladungsintegrators Pixelzellen durch einen CMOS-Rückstelltransistor zurückstellen, der durch ein Rückstellsignal angetrieben wird. Die zweite Phase löst die Verbindung der Ausgangs- und Eingangsplatten, indem der Rückstelltransistorschalter auf Masse aktiviert bzw. gelegt wird, wobei die Kanalladung in sowohl den Eingangs- als auch Ausgangsplatten eingekoppelt wird. Während der dritten Phase wird eine feste Ladung an dem Ladungsintegratoreingang angelegt, welcher eine Ausgangsspannungsschwingung verursacht, die invers proportional zu der Rückkopplungskapazität ist, welche die effektive Kapazität zwischen den oberen Metallplatten ist. Da die Distanz zwischen der Haut und der Pixelzellen die effektive Rückkopplungskapazität des Ladungsintegrators ändert, wird der Ausgang der Pixelzellen unter Graten unterschiedlich von dem Ausgang der Pixelzellen unter Tälern sein.
  • Kehrt man zu dem Konzept der Einkopplung zurück, so gibt es, wenn der Rückstelltransistor aktiv oder an ist, einen Leitungspfadkanal, der sich von der Source zu der Drain des Rückstelltransistors erstreckt. Wenn die Gatespannung abnimmt, um den Rückstelltransistor auszuschalten, werden bewegliche Träger von dem Kanal durch sowohl die Source- als auch die Drainenden abgeleitet. Der Umfang der Kanalladung, der in den Eingang eingekoppelt ist, verschiebt bzw. versetzt den Ausgang des Ladungsintegrators, der den Hintergrund des Bildes modifiziert. Der Umfang der Ladungseinkopplung hängt von verschiedenen Faktoren ab. Diese Faktoren schließen die Steigung bzw. das Abfallen des Signals, das an das Gate angelegt ist, das Eingangs/Ausgangs-Kapazitätsverhältnis und die Größe des Rückstelltransistors selbst ein.
  • Das Rückstellsignal wird durch einen gemeinsamen bzw. gewöhnlichen Puffer getrieben, der oben auf dem Array angeordnet ist. Während die Distanz zwischen dem gemeinsamen bzw. gewöhnlichen Puffer und der lokalen Pixelzelle ansteigt, wird die Steigung bzw. das Abfallen des Resetsignals auf Grund der RC-Last der Leitung geringer. Die Änderung in der Steigung bzw. in dem Abfallen des Rückstellsignals über die Länge der Leitung verursacht verschiedene Ladungseinkopplungen, während die Distanz von dem Ausgang zu dem Puffer ansteigt. Am oberen Ende der Anordnung, nahe des Rückstellpuffers bringt der Umfang der Ladung, die eingekoppelt ist, das Pixel zu seinem maximalen Sättigungsniveau, das ein sehr dunkles Bild gibt. Nahe dem unteren Ende der Anordnung nimmt der Umfang der eingekoppelten Ladung ab, die das Bild heller macht. Das hellere Bild nahe dem unteren Ende der Anordnung kann bewirken, dass gewisse Fingerabdruck-Merkmale weniger leicht unterscheidbar sind, das dadurch zu einer inakkuraten Fingerabdruck-Erkennung führt. Das Injektionsgradientenproblem bzw. Einkopplungsgradientenproblem ist besonders akut bei großen Anordnungen, wo die Distanz von dem Rückstellpuffer zu dem unteren Ende der Anordnung signifikant ist.
  • Entsprechend einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Fingerabdrucksensor bereitgestellt, welcher eine Vielzahl von kapazitiven Pixelzellen aufweist, wobei jede der kapazitiven Pixelzellen ein Paar Metallplatten und eine Drain einschließt, die an die andere der Metallplatten angeschlossen ist, und einen Rückstellpuffer aufweist, der einen Ausgang zum Bereitstellen eines Rückstellsignals zu der Vielzahl der kapazitiven Pixelzellen aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass jede kapazitive Pixelzelle bzw. Bildelementzelle einen Inverter mit einem Eingang, der an den Ausgang des Rückstellpuffers angeschlossen ist, und einem Ausgang, der an das Gate des Rückstelltransistors angeschlossen ist, aufweist.
  • Entsprechend einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Erfassung eines Bildes eines Fingerabdrucks bereitgestellt, welches die Schritte aufweist, mehrere kapazitive Pixelzellen bzw. Bildelementzellen werden bereitgestellt, wobei jede der kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen ein Paar Metallplatten und einen Rückstelltransistor aufweist, wobei der Rückstelltransistor ein Gate, eine Source, die an eine der Metallplatten angeschlossen ist, und eine Drain einschließt, die an die andere der Metallplatten angeschlossen ist; und ein Rückstellsignal wird für die mehreren kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen mit Hilfe eines Rückstellpuffers bereitgestellt bzw. erzeugt, gekennzeichnet durch den Schritt, das Rückstellsignal wird wieder erzeugt bzw. regeneriert, um den Rückstelltransistor von jeder der kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen zurückzustellen, indem jede kapazitive Pixelzelle bzw. Bildelementzelle aufweist, einen Inverter bzw. Wandler, der einen Eingang, der an einen Ausgang des Rückstellpuffers angeschlossen ist, und einen Ausgang hat, der an das Gate des Rückstelltransistors angeschlossen ist.
  • Die vorliegende Erfindung stellt einen kapazitiven Fingerabdrucksensor und ein Verfahren zur Erfassung eines Fingerabdrucks bereit, der bzw. das einen Injektionsgradienten bzw. Einkupplungsgradienten kompensiert. Der Fingerabdrucksensor der vorliegenden Erfindung schließt eine Anordnung ein, die eine Vielzahl von kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen aufweist. Jede der kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen schließt ein Paar Metallplatten, einen Ladungsintegrator und einen Rückstelltransistor unter anderen Dingen ein. Die Source des Rückstelltransistors ist an eine der Metallplatten angeschlossen und seine Drain ist an die andere der Metallplatten angeschlossen. Der Fingerabdrucksensor der vorliegenden Erfindung schließt eine Vielzahl von Rückstellsignal-Regeneratoren ein, wobei es zumindest einen Regenerator gibt, der mit jeder kapazitiven Pixelzelle bzw. Bildelementzelle verbunden ist. Der Regenerator schließt einen Inverter bzw. Wandler ein. Jeder lokale Inverter bzw. Wandler empfängt den Eingang von der globalen Rückstellleitung, die durch den gemeinsamen bzw. gewöhnlichen Puffer angetrieben wird und erzeugt wieder bzw. regeneriert die Steigung bzw. das Abfallen des Rückstellsignals, das direkt den CMOS-Schalter steuert. Der Fingerabdrucksensor der vorliegenden Erfindung schließt einen gemeinsamen bzw. gewöhnli chen Rückstellpuffer zur Erzeugung bzw. Bereitstellung eines Rückstellsignals ein. Der Rückstellpuffer schließt einen Ausgang ein, der durch eine gemeinsame Leitung an den Eingang von jedem lokalen Inverter bzw. Wandler angeschlossen ist. Wenn der Rückstellpuffer ein Rückstellsignal erzeugt bzw. bereitstellt, regeneriert jeder Inverter die Rückstellsignalsteigung bzw. das Rückstellsignalabfallen an jedem Rückstelltransistor von jeder kapazitiven Pixelzelle, wobei dadurch die Rückstellsignalsteigung bzw. das Rückstellsignalabfallen und so die Injektion bzw. Einkopplung abgeglichen bzw. gleich gemacht wird, und zwar für jede Pixelzelle bzw. Bildelementzelle. Dies kompensiert deshalb einen Einkopplungsgradienten bzw. Injektionsgradienten entlang der Spalte der Anordnung der kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen.
  • Einige Ausführungsformen der Erfindung werden nun anhand von Beispielen und mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, für die gilt:
  • 1 ist ein Blockdiagramm eines Fingerabdruck-Detektionssystems entsprechen der vorliegenden Erfindung;
  • 2 veranschaulicht die physikalische Struktur und den elektrischen Betrieb der individuellen kapazitiven Pixelzellen entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • 3 ist ein Blockdiagramm einer Spalte einer Anordnung von kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen entsprechend dem Stand der Technik.
  • 4 ist ein Blockdiagramm einer Spalte einer Anordnung von kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen mit Einkopplungsgradientenkompensation bzw. Injektionsgradientenkompensation entsprechend der vorliegenden Erfindung.
  • Bezieht man sich nun auf die Zeichnungen und zuerst auf 1, so wird ein Fingerabdruck-Detektor entsprechend der vorliegenden Erfindung im Allgemeinen durch die Zahl 11 bezeichnet. Der Fingerabdruck-Detektor 11 schließt eine Sensoranordnung 13 und einen geeigneten Ausgang ein, der im Allgemeinen mit 15 angezeigt ist. Wie es im Detail hiernach erklärt ist, weist die Sensoranordnung eine rechteckige Anordnung von einer Vielzahl von kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen auf, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind. In der bevorzugten Ausführungsform sind die kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelemente in einem Abstand von ungefähr 50 μm, welcher einer Auflösung von ungefähr 508 dpi entspricht. Wie es in 1 gezeigt ist, weist die Sensoranordnung eine Größe auf bzw. ist abgemessen, um ein Bild eines Fingerabdrucks eines Fingers 17 zu erfassen, der darauf platziert ist. Die Sensoranordnung 13 ist vorzugsweise auf einem einzelnen Halbleiterchip hergestellt.
  • Bezieht man sich nun auf 2, so ist dort die Struktur und der Betrieb einer kapazitiven Pixelzelle bzw. Bildelementzelle 19 entsprechend der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Jede Zelle 19 schließt eine erste Leiterplatte 21 und eine zweite Leiterplatte 23 ein, die von einem Halbleitersubstrat getragen werden, welches vorzugsweise ein herkömmliches Siliziumsubstrat ist, das eine herkömmliche flache epitaxiale Schicht aufweisen kann, die einen oberen Oberflächenbereich darauf definiert. Die obere Oberfläche des Substrats schließt eine isolierende Schicht bzw. Isolationsschicht 25 ein. Die isolierende Schicht bzw. Isolationsschicht 25 ist vorzugsweise eine Oxidschicht, welche eine herkömmlich thermisch gewachsene Siliziumdioxidschicht sein kann. Die Leiterplatten 21 und 23 werden durch eine schützende Beschichtung bzw. einen schützenden Überzug 27 eines harten Materials abgedeckt, welche die Zelle 19 vor dem Nass werden bzw. vor Feuchtigkeit, Kontamination, Abnutzung bzw. Abrasion und elektrostatischer Entladung schützt.
  • Jede Zelle 19 schließt einen invertierenden Verstärker 29 mit einem hohen Gewinn bzw. einer hohen Verstärkung ein. Der Eingang des invertierenden Verstärkers 29 ist an eine Referenzspannungsquelle bzw. Bezugsspannungsquelle VREF durch bzw. über einen Eingangskondensator 31 angeschlossen. Der Ausgang des invertierenden Verstärkers 29 ist an einen Ausgang VOUT angeschlossen. Der Eingang des invertierenden Verstärkers 29 ist ferner an die Leiterplatte 21 angeschlossen und der Ausgang des invertierenden Verstärkers 29 ist an die Leiterplatte 23 angeschlossen, wobei dadurch ein Ladungsintegrator erzeugt bzw. bereitgestellt wird, dessen Rückkopplungskapazität die effektive Kapazität zwischen den Leiterplatten 21 und 23 ist.
  • Wenn ein Finger 33 auf die Fläche bzw. Oberfläche der schützenden Beschichtung bzw. des schützenden Überzuges 27 platziert wird, agiert die Oberfläche der Haut über jeder Zelle 19 als eine dritte Kondensatorplatte, die von den angrenzenden Leiterplatten 21 und 23 durch eine dielektrische Schicht getrennt ist, die die schützende Beschichtung bzw. den schützenden Überzug 27 und eine variable Luftdicke einschließt. Da die Fingerabdruck-Täler 35 weiter von den Leiterplatten 21 und 23 entfernt sind als die Fingerabdruck-Grate 37, werden die Zellen 19 unterhalb der Täler 35 eine andere effektive Kapazität zwischen ihren Leiterplatten 21 und 23 und der Hautoberfläche aufweisen als die Zellen unter den Graten 37. Die Dicke dieser dielektrischen Schicht wird die Kapazität modulieren, die zwischen den Platten 21 und 23 von jeder Zelle 19 gekoppelt ist. Dementsprechend werden die Zellen 19 unter Tälern 35 eine andere effektive Kapazität aufweisen als die Zellen 19 unter den Graten 37.
  • Die Zellen arbeiten in drei Phasen. Während der ersten Phase wird der Ladungsintegrator mit einem Schalter 39 zurückgestellt, indem der Eingang und Ausgang des invertierenden Verstärkers 29 kurzgeschlossen werden. Vorzugsweise ist der Schalter 39 ein Rückstelltransistor mit einer Source, die an den Eingang des invertierenden Verstärkers 29 angeschlossen ist und einer Drain, die an den des Ausgang angeschlossen ist. Der Eingang und Ausgang werden kurzgeschlossen, indem eine Rückstellspannung an dem Gate eines Rückstelltransistors angelegt wird. Die zweite Phase löst die Verbindung des Ausgangs und Eingangs, indem der Schalter 39 geöffnet wird, indem das Gate des Rückstelltransistors auf Masse bzw. Erde gelegt wird. Das Anlegen der Masse bzw. Erde an das Gate des Rückstelltransistors verursacht ein Phänomen, das Injektion bzw. Einkopplung genannt wird, in welchem Ladungen in sowohl den Eingangs- als auch Ausgangsplatten eingekoppelt werden. Während der dritten Phase wird eine feste Ladung an den Ladungsintegratoreingang angelegt, welches eine Ausgangsspannungsschwingung verursacht, die invers proportional zu der Rückkopplungskapazität ist, welche die effektive Kapazität zwischen den Leiterplatten 21 und 23 ist. Für eine feste Menge der Eingangsladung wird der Ausgang des invertierenden Verstärkers 19 zwischen zwei Extremen liegen, die von der Ladungsinjektion bzw. Ladungseinkopplung und dem effektiven Rückkopplungskapazitätswert abhängen. Das erste Extrem ist ein gesättigtes Spannungsniveau, falls die effektive Rückkopplungskapazität sehr klein ist. Das zweite Extrem ist eine Spannung, die nahe bei dem logischen Schwellenwert ist, welcher kleiner als der Rückstellwert ist, wenn die effektive Rückkopplungskapazität groß ist.
  • Während der ersten Phase, wenn der Rückstelltransistor des Schalters 39 aktiv oder an ist, gibt es einen Leitungspfadkanal, der sich von der Source zu der Drain des Rückstelltransistors erstreckt. Während der zweiten Phase, wenn die Gatespannung des Rückstelltransistors abnimmt, werden bewegliche Träger von dem Kanal durch sowohl die Source- als auch Drainenden abgeleitet. Der Prozentsatz bzw. das Verhältnis von Kanalladung, die in den Eingang eingekoppelt ist, mit Bezug zu der Gesamtkanalladung hängt von mehreren Faktoren ab. Diese Faktoren schließen die Steigung bzw. das Abfallen des Signals, das an dem Gate anliegt, das Eingangs/Ausgangs-Kapazitätsverhältnis und die Größe des Rückstelltransistors selbst ein. Diese Ladung, die an dem Eingang des Pixelladungsintegrators eingekoppelt wurde, überlappt das Eingangssignal und modifiziert den Ausgang der Pixelzellen bzw. Bildelementzellen.
  • Bezieht man sich nun auf 3, ist dort eine Spalte einer Sensoranordnung vom Stand der Technik gezeigt. Das Rückstellsignal wird durch einen Rückstellpuffer 41 getrieben, der an der Spitze bzw. am oberen Ende der Anordnung angebracht ist. Da die Distanz von dem Ausgang des Rückstellpuffers zu einem Rückstelltransistor 40 ansteigt, wird die Steigung bzw. das Abfallen des Rückstellsignals auf Grund der RC-Last der Leitung geringer. Die Ladung in der Steigung bzw. dem Abfallen des Rückstellsignals über die Länge der Leitung verursacht weniger Ladungseinkopplung, während die Distanz von dem Ausgang des Puffers ansteigt. An der Spitze bzw. am oberen Ende der Anordnung, nahe des Rückstellpuffers, bringt die Ladungsmenge, die eingekoppelt wurde, das Pixel auf sein maximal gesättigtes Niveau, das ein sehr dunkles Bild ergibt. Nahe an dem unteren Ende der Anordnung fällt die Menge der eingekoppelten Ladung, die das Bild heller macht. Das hellere Bild in der Nähe des unteren Endes der Anordnung kann bewirken, dass gewisse Fingerabdruck-Merkmale weniger leicht unterscheidbar sind, das dadurch zu einer inakkuraten Fingerabdruck-Erkennung führt.
  • Bezieht man sich nun auf 4, so ist dort eine Spalte einer Sensoranordnung entsprechend der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die Spalte der vorliegenden Erfindung ist im Allgemeinen ähnlich zu der Spalte von 3, und zwar mit gleichen Bezugszeichen, die bei gleichen Elementen angewendet sind. Die Spalte der vorliegenden Erfindung schließt jedoch Mittel zur Regeneration bzw. Wiedererzeugung der Rückstellsignalsteigung bzw. des Rückstellsignalabfallens an dem Rückstelltransistor 40 von jeder Zelle 19 ein. In der veranschaulichten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Regenerationsmittel bzw. Wiedererzeugungsmittel einen Inverter 43 auf, der mit jedem Rückstelltransistor 40 verbunden ist. Wenn das Rückstellsignal von dem Rückstellpuffer 41 an den Eingang eines Inverters 43 angelegt wird, wird ein invertiertes Rückstellsignal an das Gate des Rückstelltransistors 40 angelegt. Die Steigung bzw. das Abfallen des invertierten Rückstellsignals, das an jedem Rückstellgate 40 angewendet wird, wird dieselbe bzw. dasselbe sein, sogar wenn die Steigung bzw. das Abfallen des Rückstellsignals, das an jedem Inverter 43 empfangen wurde, unterschiedlich sein wird. Somit wird die Ladung, die an jeder Zelle 19 eingekoppelt wurde, dieselbe sein. Dementsprechend ist die Anordnung der vorliegenden Erfindung nicht dem Injektionsgradientenproblem bzw. Einkopplungsgradientenproblem vom Stand der Technik unterworfen.
  • Die Fachleute werden erkennen, dass geschätzte Entwurfsschritte genommen werden müssen, um die Inversion des Rückstellsignals am Inverter 43 zu berücksichtigen. Wenn das Rückstellsignal aktiviert bzw. bereitgestellt ist, muss es bewirken, dass der Rückstelltransistor 40 leitet. Eine Lösung ist, zwei Inverter 43 in Serie zu dem Gate von jedem Rückstelltransistor 40 zu verbinden, falls es zur Verfügung stehenden Platz gibt. Alternative Lösungen schließen das Verwenden eines Einzelinverters bzw. einzelnen Inverters 43 mit einem invertierten Rückstellsignal oder mit einem p-Kanal-Rückstelltransistor 40 ein.
  • Die vorliegende Erfindung wurde beschrieben und veranschaulicht mit Bezug auf eine gegenwärtig bevorzugte Ausführungsform. Die Fachleute, denen der Nutzen der vorangehenden Offenbarung gegeben ist, werden alternative Ausführungsformen erkennen. Dementsprechend ist die vorangehende Offenbarung zum Zwecke der Illustration und nicht der Begrenzung gedacht.

Claims (7)

  1. Fingerabdruck-Sensor, welcher aufweist: mehrere kapazitive Pixelzellen bzw. Bildelementzellen (19), wobei jede der kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen ein Paar von Metallplatten (21, 23) und einen Rückstelltransistor (40) einschließt, wobei der Rückstelltransistor ein Gate, eine Source, die an eine der Metallplatten angeschlossen ist, und eine Drain einschließt, die an die andere der Metallplatten angeschlossen ist; und einen Rückstellpuffer (41) mit einem Ausgang, um ein Rückstellsignal zu der Vielzahl von kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen bereit zu stellen, dadurch gekennzeichnet, dass jede kapazitive Pixelzelle bzw. Bildelementzelle einen Inverter (43) mit einem Eingang, der an den Ausgang des Rückstellpuffers angeschlossen ist, und einem Ansgang, der an das Gate des Rückstelltransistors angeschlossen ist, aufweist.
  2. Fingerabdruck-Sensor nach Anspruch 1, wobei jede kapazitive Pixelzelle bzw. Bildelementzelle einschließt: einen Inverter (29) mit hoher Verstärkung, der einen Eingang und einen Ausgang aufweist, wobei der Eingang des Inverters bzw. Wandlers mit hoher Verstärkung an eine der Metallplatten angeschlossen ist und der Ausgang des Inverters bzw. Wandlers mit hohem Gewinn an die andere der Metallplatten angeschlossen ist; und einen Ladepuffer mit einem Ausgang, der betreibbar bzw. betriebsbereit an den Eingang des Inverters bzw. Wandlers mit hoher Verstärkung angeschlossen ist.
  3. Fingerabdruck-Sensor nach Anspruch 2, wobei jede kapazitive Pixelzelle bzw. Bildelementzelle weiter einschließt: einen Eingangskondensator (31) der zwischen dem Ausgang des Ladepuffers und dem Eingang des Inverters bzw. Wandlers mit hoher Verstärkung angeschlossen ist.
  4. Fingerabdruck-Sensor nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei jede kapazitive Pixelzelle bzw. Bildelementzelle einen weiteren Inverter bzw. Wandler (43) aufweist, der in Serie mit dem Inverter (43) und dem Gate des Rückstelltransistors (40) angeschlossen ist.
  5. Fingerabdruck-Sensor nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Rückstellsignal invertiert ist.
  6. Fingerabdruck-Sensor nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei jeder Rückstelltransistor ein P-Kanal-Rückstelltransistor ist.
  7. Verfahren zur Erfassung eines Bildes eines Fingerabdrucks, welches die Schritte aufweist: mehrere kapazitive Pixelzellen bzw. Bildelementzellen (19) werden bereitgestellt, wobei jede der kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen ein paar Metallplatten (21, 23) und einen Rückstelltransistor (40) aufweist, wobei der Rückstelltransistor ein Gate, eine Source, die an eine der Metallplatten angeschlossen ist, und eine Drain einschließt, die an die andere der Metallplatten angeschlossen ist; und ein Rückstellsignal wird für die mehreren kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen mit Hilfe eines Rückstellpuffers (41) bereitgestellt; gekennzeichnet durch den Schritt: das Rückstellsignal wird wieder erzeugt bzw. regeneriert, um den Rückstelltransistor von jeder der kapazitiven Pixelzellen bzw. Bildelementzellen zurückzustellen, indem jede kapazitive Pixelzelle bzw. Bildelementzelle aufweist, einen Inverter bzw. Wandler (43), der einen Eingang, der an einen Ausgang des Rückstellpuffers angeschlossen ist, und einen Ausgang hat, der an das Gate des Rückstelltransistors angeschlossen ist.
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