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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein die Abtaststrahlgeschwindigkeitsmodulation
(SVM = scanning beam velocity modulation) und insbesondere eine
dabei verwendete Schaltungsanordnung zum Steuern der Erzeugung unerwünschter
Emissionen.
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ALLGEMEINER
STAND DER TECHNIK
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Die
scheinbare Schärfe
eines Kathodenstrahlröhrenbilds
kann vergrößert werden,
wenn die Abtaststrahlgeschwindigkeit gemäß einer Ableitung des Displaybildvideosignals
moduliert wird. Das Ableitungssignal oder SVM-Signal kann von einer
Luminanzkomponente des Videodisplaysignals abgeleitet werden und
wird dazu verwendet, Abtaststrahlgeschwindigkeitsschwankungen zu
erzeugen. Eine Verlangsamung der Abtastgeschwindigkeit des Elektronenstrahls
führt zu
einer lokalisierten Aufhellung des angezeigten Bilds, wohingegen
eine Beschleunigung der Abtastgeschwindigkeit zu einer lokalisierten Verdunkelung
des Displays führt.
Die Kanten des angezeigten Bilds können somit mit einem schnelleren Übergang
oder einer schnelleren Anstiegszeit wahrgenommen werden, indem die
Intensität
des Displays an der Kante variiert wird. Dieses Verfahren der Schärfevergrößerung liefert
zahlreiche Vorteile gegenüber
dem, das durch Videofrequenzgangspitzenwertbildung bereitgestellt
wird, beispielsweise wird eine Überstrahlung
von Spitzenwerten von eine hohe Luminanz aufweisenden Bildelementen
vermieden, und außerdem
wird unerwünschtes
Videorauschen, das innerhalb der Bandbreite der Videospitzenwertbildungsanordnung
auftritt, nicht verstärkt.
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Die
Geschwindigkeit des Abtaststrahls kann durch eine an dem CRT-Hals
positionierte SVM-Spule moduliert werden, um ein ergänzendes
oder SVM-Ablenkfeld zu erzeugen. Das SVM-Feld erzeugt zusammen mit dem Hauptablenkfeld
eine Elektronenstrahlbeschleunigung oder -verlangsamung als Reaktion
auf die Polarität
des Stroms in der SVM-Spule. Die Größe der Beschleunigung oder Verlangsamung
des Strahls ist somit proportional zur Größe des SVM-Stroms, die wiederum
proportional ist zu der Amplitude von Bildkomponenten im Displaysignal.
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US 5,619,279 zeigt einen
Differenzverstärker
42,
43,
dessen Eingangssignal zu ihren zusammengeschalteten Emittern geleitet
wird und dessen Ausgangssignal Kondensatoren
31 und
32 zugeführt wird.
Ein negativer Rückkoppelungsweg
vom Widerstand
93 steuert die Stromleitung der Transistoren
43 und
44 und
invers die des Transistors
42. Es ist deshalb klar, daß die Stromleitung
des Differenzverstärkers
auf rückgekoppelte
Weise durch die Spannung am Widerstand
93 gesteuert wird.
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Mängel bei
der SVM-Signalverarbeitung können
unerwünschte
Produkte oder Harmonische erzeugen, die innerhalb und jenseits der
Displayeinrichtung ohne weiteres abgestrahlt oder geleitet werden.
Obwohl jedoch durch ein sorgfältiges
Augenmerk auf das Design und das Layout der Schaltung die Erzeugung
unerwünschter
SVM-Produkte erheblich reduziert werden kann, kann der eigentliche
Displaysignalinhalt zu SVM-Signalen wesentlicher Größe und spektraler
Zusammensetzung führen,
so daß sich
jenseits der Displayeinrichtung unerwünschte Emissionen ergeben.
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KURZE DARSTELLUNG
DER ERFINDUNG
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Unerwünschte Emissionen
werden durch eine erfindungsgemäße Anordnung
zur Analyse des Displaysignalinhalts und die Erzeugung eines Amplitudensteuersignals
durch eine Vorrichtung wie in Anspruch 1 definiert verhindert. Eine
Vorrichtung zur Abtaststrahlgeschwindigkeitsmodulation umfaßt einen
Abtastgeschwindigkeitsmodulationssignalprozessor zum Erzeugen eines
Abtastgeschwindigkeitsmodulations ablenksignals als Reaktion auf
ein Abtastgeschwindigkeitsmodulationssignal. Ein Erzeugungsmittel
liefert ein Mitkoppelungssignal an den Prozessor zum Steuern der Abtastgeschwindigkeitsmodulationsablenksignalamplitude
als Reaktion auf eine Komponente des Abtastgeschwindigkeitsmodulationssignals.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNG
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1 veranschaulicht einen
beispielhaften SVM-Ansteuerverstärker mit
Ausgangsleistungssteuerung und Geschwindigkeitsmodulationsspule.
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2 veranschaulicht eine weitere
beispielhafte SVM-Schaltungsanordnung
mit Emissionssteuerung der SVM-Signalamplitude.
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3A ist ein Blockschaltbild
einer erfindungsgemäßen Anordnung
für die
SVM-Emissionssteuerung.
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3B veranschaulicht eine
erfindungsgemäße Anordnung
zum Erzeugen eines SVM-Emissionssteuersignals.
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4 veranschaulicht eine weitere
erfindungsgemäße Anordnung
zum Erzeugen eines SVM-Emissionssteuersignals.
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5 und 6 sind Frequenzspektrumskurven, die die
gemessene Emissionsleistung im Vergleich zu einem Standardraster
nach FCC Teil 15b für
Pegel unerwünschter
Strahlung zeigen.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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1 zeigt einen Abtaststrahlgeschwindigkeitsmodulationssignalprozessor
und einen SVM-Spulen-Ansteuerverstärker. Ein
SVM-Eingangssignal, Y' und
Y'gnd, ist an einen
Differenzverstärker 100 gekoppelt
und kann durch wohlbekannte Verfahren erzeugt werden, beispielsweise
durch Differenzierung der Displaysignalluminanzkomponente. Der Verstärker 100 sorgt
für eine
Verstärkung
des SVM-Eingangssignals
und sorgt auch für
eine Steuerung der Amplitude des Ausgangssignals V1. Ein Pufferverstärker 200 empfängt das
Ausgangssignal V1 und sorgt für
eine Trennung zwischen der den Verstärkungsfaktor bestimmenden Funktion
des Verstärkers 100 und
dem Treiberverstärker 300,
der den Leistungsverstärker 400 und
die SVM-Spule L3 ansteuert. Der im Leistungsverstärker 400 fließende Strom
I2 entwickelt eine Spannung V2, die an ein Tiefpaßfilter 500 gekoppelt
wird und eine Steuerspannung V3 bildet. Die Spannung V3 wird zum Steuerstrom
I1 im Differenzverstärker 100 zurückgekoppelt.
Somit steigen mit dem Strom I2 im Leistungsverstärker 300 auch die
Spannungen V2 und V3. Der Anstieg der Spannung V3 reduziert die
Basis-Emitter-Vorspannung
des Transistors Q3, was bewirkt, daß der Strom I1 im Differenzverstärker 100 abnimmt.
Die Abnahme beim Differenzverstärkerstrom
I1 führt
zu einer Reduzierung der Signalamplitude V1, weshalb ein Negativrückkoppelungsregelkreis
gebildet ist, der die SVM-Ansteuersignalamplitude
reduziert und einen zu großen
Verlust im SVM-Spulen-Treiberverstärker 400 verhindert.
Es versteht sich jedoch, daß,
da die SVM-Signalamplitude als Reaktion auf die Spannung V3 durch
den Differenzverstärker 100 gesteuert
wird, ein derartiges Steuersignal als Reaktion auf eine Benutzerschärfesteuerung
abgeleitet werden kann. Eine derartige manuelle Steuerung der SVM-Signalamplitude oder Spitzenwertbildung
kann durch einen Steuerkreis erleichtert werden, wenn ein vom Benutzer
bestimmtes Steuersignal Vs an den Differenzverstärker 100 gekoppelt
wird. Weiterhin kann die vom Benutzer gesteuerte Schärfe in Verbindung
mit dem Regelkreis ermöglicht
werden, wodurch ein zu großer
Verlust im Ausgangsverstärker 400 verhindert
wird.
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Ein
verarbeitetes SVM-Signal Y' wird
an eine Basiselektrode eines npn-Transistors Q1 angelegt, mit dem
der npn-Transistor
Q2 einen Differenzverstärker 100 bildet.
Das SVM-Signal Y'gnd
wird an die Basis des Transistors Q2 angelegt, dessen Kollektorelektrode über einen
Widerstand R6 an eine Stromversorgung gekoppelt ist. An Widerstand
R6 entsteht ein Ausgangssignal V1. Der Kollektor des Transistors Q1
ist direkt mit der Stromversorgung verbunden, und der Emitter ist über ein
Paar von in Reihe geschalteten Widerständen R1 und R2 an dem Emitter des
Transistors Q2 gekoppelt. Der Verbindungspunkt der Widerstände ist
mit dem Kollektor eines npn-Transistors Q3 verbunden. Die Basis
des Transistors Q3 ist mit einem Potential von etwa 1,2 Volt verbunden,
das am Verbindungspunkt der Teilerwiderstände R3 und R4 entsteht, wobei
Widerstand R3 mit einer Versorgung von 24 Volt und Widerstand R4 mit
Masse verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q3 ist über den
Widerstand R5 mit Masse verbunden. Wenn das Leistungssteuersignal
V3 nicht ausreicht, um die Diode Dl durchzuschalten, werden der Strom
I1 und somit die SVM-Signalamplitude V1 am Kollektor des Transistors
Q2 durch den Widerstandsteiler R3 und R4 bestimmt .
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Das
amplitudengesteuerte SVM-Signal V1 ist an den Pufferverstärker 200 angekoppelt,
und zwar an der Basis des Emitterfolgertransistors Q4. Der Kollektor
des Transistors Q4 ist mit der Stromversorgung verbunden, und der
Emitter ist über
Widerstand R7 mit Masse verbunden. Der Emitter des Transistors Q4
ist ebenfalls mit dem Treiberverstärker 300 verbunden,
und zwar an den Basen der als Emitterfolger angeschlossenen Transistoren
Q5 und Q6, npn bzw. pnp. Diese Emitterfolgerkonfiguration kann so
angesehen werden, daß sie
wie ein Gegentaktfolger funktioniert, wobei der Transistor Q5 bei positiven
Signalausschlägen
und der Transistor Q6 bei negativen Signalausschlägen leitet,
wobei der Mittelteil des Signals etwa ± 600 Millivolt, entfernt oder
gekernt ist. Der Kollektor des Transistors Q5 ist mit der Stromversorgung
verbunden, und der Kollektor des Transistors Q6 ist mit Masse verbunden.
Die Emitter der Transistoren Q5 und Q6 sind über einen Widerstand R8 verbunden,
der einen Ausgangslastwiderstand bildet. Die Ausgangssignale vom
Treiberverstärker 300 sind
von den Emittern der Transistoren Q5 bzw. Q6 über Kondensatoren Cl und C2
an den Leistungsverstärker 400 gekoppelt.
Die Kondensatoren C1 und C2 sorgen für eine Wechselstromkoppelung
des SVM-Signals an dem Leistungsverstärker 400 an den jeweiligen
Basen der SVM-Spulen-Treibertransistoren
Q7 und Q8.
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Die
SVM-Spulen-Treibertransistoren Q7 und Q8 bilden einen komplementären Verstärker, wobei die
Basiselektroden über
einen Widerstandspotentialteiler, der durch die Widerstände R9,
R10, R11 und R12 gebildet wird und zwischen eine Hochspannungsversorgung
und Masse gekoppelt ist, für
den nominellen Betrieb in Klasse B vorgespannt werden. Der Widerstand
R9 ist zwischen die Hochspannungsversorgung und die Basis des Transistors
Q7 geschaltet, die auch das wechselstromgekoppelte SVM-Signal vom
Kondensator C1 erhält.
Die Basis des Transistors Q7 ist über die in Reihe geschalteten Widerstände R10
und R11 auch mit der Basis des Transistors Q8 verbunden. Der Verbindungspunkt der
Widerstände
R10 und R11 ist über
den Kondensator C3, der auch mit einem Ende der SVM-Spule L3 verbunden
ist, von Masse abgekoppelt. Der Widerstand R12 verbindet die Basis
des Transistors Q8 mit Masse, damit der vorspannende Potentialteiler vervollständigt wird.
Das wechselstromgekoppelte SVM-Signal von Kondensator C2 ist auch
an die Basis des Transistors Q8 angeschlossen.
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Die
Kollektoren der Leistungsverstärkertransistoren
Q7 und Q8 sind verbunden und bilden das SVM-Ausgangssignal, das
an die SVM-Spule L3 gekoppelt ist. Ein Widerstand R17 ist an die
SVM-Ablenkspule L3 angeschlossen, um Resonanzeffekte der Spule,
der Verdrahtung und einer parasitären Kapazität zu dämpfen. Das Kleinsignalende
der SVM-Spule L3 und der Widerstand R17 sind mit dem Verbindungspunkt
der Widerstände
R10, R11 und des Kondensators C3 verbunden, der an ein Potential
von etwa der Hälfte
des Potentials der Hochspannungsversorgung vorgespannt ist. Der
Leistungsverstärker 400 kann
als eine Brückenanordnung
angesehen werden, wobei die SVM-Spule von den Kollektoren der Widerstände Q7 und
Q8 angesteuert wird, wobei die untere Seite der Spule zu den Transistoremittern
zurückgeführt ist,
und zwar über
niederohmige wechselstromgekoppelte Reihennetze, die jeweils durch
den Kondensator C4 und dem Widerstand R15 zum Emitter des Transistors
Q7 und den Kondensator C5 und dem Widerstand R16 zum Emitter des Transistors
Q8 gebildet sind. Der Emitter des Transistors Q7 erhält einen
Strom von der Hochspannungsversorgung über den Widerstand R13, und
der Emitter des Transistors Q8 vervollständigt den Verstärkerausgangsstromweg
zu Masse über
den Widerstand R14. Einfach ausgedrückt kann man es deshalb so
betrachten, daß negative Übergänge in dem
an die Basis des Transistors Q7 angelegten Signals eine Stromleitung
bewirken und den Kondensator C3 auf das Versorgungspotential laden,
während
positive Übergänge in dem
an den Transistor Q8 angelegten SVM-Signal eine Entladung des Kondensators
C3 zu Masse bewirken.
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Ein
Widerstand R18 ist an dem Verbindungspunkt des Kondensators C5 und
des Widerstands R16 angeschlossen und koppelt eine am Widerstand R14
gebildete Spannung V2 proportional zum Fluß des Stroms I2 im Treiberverstärker. Das
andere Ende des Widerstands R18 ist an den Kondensator C8 angeschlossen,
der mit Masse verbunden ist, wodurch ein Tiefpaßfilter 500 gebildet
wird und eine Gleichstrom-Leistungsbegrenzerspannung
V3 erzeugt wird. Die Gleichstrom-Leistungsbegrenzerspannung V3 wird
an die Anode der Diode Dl angelegt, die leitet, wenn die Spannung
V3 das Diodenpotential übersteigt
und das positive Potential am Emitter des Transistors Q3 anliegt.
Wenn die Diode Dl leitet, wird somit die Basis-Emitter-Vorspannung
des Differentialverstärkerstromquellentransistors
Q3 reduziert. Die Reduzierung der Basis-Emitter-Vorspannung des Transistors
Q3 bewirkt, daß der
Strom I1 abnimmt, wodurch die Amplitude des SVM-Signals V1 reduziert
wird. Analog kann das Schärfesignal
Vs über den
Widerstand X30 an dem Tiefpaßfilterkondensator
C6 angelegt werden und wie für
die Leistungsbegrenzerspannung V3 beschrieben bewirken, daß sich der
Strom I1 ändert
und so auch die wahrgenommene Bildschärfe durch die Amplitudensteuerung des
SVM-Signals V1. Somit kann die SVM-Signalamplitude proportional
zum Strom I2 gesteuert werden, um den Verlust und die Überhitzung
in den Leistungsverstärkertransistoren
Q7 und Q8 oder als Reaktion auf eine vom Benutzer bestimmte Schärfeanforderung
oder als eine Kombination aus beiden zu begrenzen.
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Obwohl
die Amplitude des SVM-Signals V1 so gesteuert werden kann, daß die Verlustleistungen begrenzt
oder die Displayschärfe
gesteuert wird, erzeugt der Amplitudensteuermechanismus des Differenzverstärkers 100 auch
eine entsprechende Änderung
der Gleichstromkomponente des Signals V1, wenn die Amplitude geändert wird.
Beispielsweise wird durch eine Reduzierung des Stroms I1 die Amplitude
des Signals V1 reduziert und außerdem
ein geringerer Spannungsabfall am Widerstand R6 erzeugt. Somit bewegt
sich bei Reduzierung der Amplitude des Signals V1 die Gleichstromkomponente des
Signals V1 näher
an das Stromversorgungspotential heran. Bei Steuerung der SVM-Amplitude sind die
nachfolgenden gleichstromgekoppelten Verstärkerstufen 200 und 300 jedoch
variierenden Gleichstromvorspannungsbedingungen ausgesetzt, die
in der Folge Änderungen
bei der Linearität
des SVM-Signals oder Differenzen beim Verstärkungsfaktor bei SVM-Signalpolarität erzeugen
können.
Wenn sich der Strom I1 nominell Null nähert, erreicht die Ausgangsspannung
nominell die Versorgungsspannung. Dies ist ein Problem, wenn die
auf den Differenzverstärker
folgende Schaltung gleichstromgekoppelt sein muß. Wenn der ausgegebene Gleichstrom
ansteigt, kann die auf den Differenzverstärker folgende Schaltung Vorspannungsströme entwickeln,
die zu hoch, zu niedrig oder unsymmetrisch sind. Ströme, die
zu niedrig oder zu hoch sind, können
bewirken, daß Einrichtungen
abschalten oder gesättigt
werden, und Ströme,
die unsymmetrisch werden, können
Differenzen bei der Wellenform, dem Frequenzgang und den Übergangswerten
hervorrufen.
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Die
Leistung zu verbessern, die für
die Anzeige von HDTV-Bildern
erforderlich ist, erfordert eine Vergrößerung der Bandbreite des SVM-Systems
bei gleichzeitiger Beibehaltung oder Verbesserung der Symmetrie
des SVM-Signals. Außerdem konkurrieren
höhere
Anforderungen hinsichtlich SVM-Stromspitzen
mit einer Anforderung, Fernsehempfängeremissionsstandards zu genügen. Außerdem wird
durch die Implementierung der Elektronenstrahlgeschwindigkeitsmodulation
in einer Projektionsdisplayvorrichtung die Anzahl der SVM-Treiberverstärker und
entsprechender Kabelbäume
vergrößert, wodurch
die Wahrscheinlichkeit für
unbeabsichtigte Emissionen zunimmt. Wie oben beschrieben, bewirkt
eine beispielhafte Reduzierung der Amplitude des Signals V1 eine
entsprechende Vergrößerung der
Gleichstromkomponente des Signals. Die Steuerung der SVM-Amplitude
kann somit zu sich ändernden
Vorspannungsströmen
führen, was
einen nichtlinearen Betrieb und folglich eine Asymmetrie zwischen
positiven und negativen Übergängen im
SVM-Signal bewirkt. Eine derartige Asymmetrie oder Nichtlinearität des Signals
erzeugt inhärent
harmonische Produkte, die mit Wahrscheinlichkeit sowohl innerhalb
als auch jenseits des Displays emittiert oder abgestrahlt werden.
Außerdem
führt eine
Asymmetrie von positiven und negativen SVM-Signalübergängen zu einer ungleichen Elektronenstrahlablenkung,
die sich als eine unsymmetrische Kantenanhebung manifestiert. Außerdem führen asymmetrische
SVM-Wellenformen, die den Leistungsverstärker 400 ansteuern,
dazu, daß weitere
unerwünschte
harmonische Produkte mit höherer Leistung
erzeugt werden, die zur Emission jenseits der Displayeinrichtung
in der Lage sind.
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Das
Problem der Gleichstromkomponentenschwankung, wenn die Amplitude
des SVM-Signals gesteuert wird, wird durch eine in 2 gezeigte vorteilhafte Schaltungsanordnung
eliminiert. In 2 wird
ein verarbeitetes SVM-Signal Y' an
eine Basiselektrode eines npn-Transistors Q1 angelegt, der mit dem
npn-Transistor Q2 den Differenzverstärker 100 bildet. Das
SVM-Signal Y'gnd
wird an die Basis des Transistors Q2 angelegt, dessen Kollektorelektrode über in Reihe
geschaltete Widerstände
R5 und R6 an eine Stromversorgung gekoppelt ist. Ein Ausgangssignal
V1 entsteht an den Widerständen
R5 und R6. Der Kollektor des Transistors Q1 ist direkt mit der Stromversorgung
verbunden, und der Emitter ist über ein
Paar von in Reihe geschalteten Widerständen R1 und R2 an den Emitter
des Transistors Q2 gekoppelt. Der Verbindungspunkt der Widerstände R1 und
R2 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors Q3 verbunden, der mit dem
Transistor Q11 den Differenzverstärker 150 bildet. Die
Basis des Transistors Q3 ist mit einem Potential von etwa 4,1 Volt
verbunden, das am Verbindungspunkt der Teilerwiderstände R3 und R4
entsteht, wobei der Widerstand R3 mit einer Versorgung von 24 Volt
und der Widerstand R4 mit Masse verbunden ist. Der Emitter des Transistors
Q3 ist über
in Reihe geschaltete Widerstände
R27 und R29 mit dem Emitter des Transistors Q11 verbunden. Der Verbindungspunkt
der Widerstände
R27 und R29 ist über
den Widerstand R28 mit Masse verbunden. Der Kollektor des Transistors
Q11 ist über
den Lastwiderstand R5 des Verstärkers 100 mit
der Versorgungsspannung verbunden. Die Basis des Transistors Q11 ist über einen
in Reihe geschalteten Widerstand R26 und Tiefpaßfilter 500 mit einer
Verstärkungsfaktorsteuerspannung
V3 gekoppelt.
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Die
Funktionsweise der Differenzverstärker 100 und 150 kann
man über
ein Beispiel verstehen, bei dem die Verstärkungsfaktorsteuerspannung
V3 bei der Basis des Transistors Q11 erhöht wird und folglich Strom
I150 zunehmend vom Transistor Q3 zum Transistor Q11 weggelenkt wird.
Wenn der Strom im Transistor Q3 reduziert wird, wird auch der Kollektorstrom
I1 reduziert, der den Differenzverstärker 100 versorgt
und die Amplitude des Ausgangssignals V1 steuert. Vorteilhafterweise
wird der weggelenkte Strom Icomp vom Kollektor des Transistors Q11
an den Verbindungspunkt der Widerstände R5 und R6 gekoppelt, die
die Ausgangslast des Differenzverstärkers 100 bilden.
Somit führt
eine beispielhafte positive Zunahme des Werts des Steuersignals V3
zu einer Abnahme beider Ströme
I1 und I100, während
der Strom Icomp ansteigt und eine kompensierende Gleichspannung
erzeugt wird, so daß die Amplitude
des SVM-Signals V1 ohne irgendeine wesentliche entsprechende Erhöhung der
Gleichstromkomponente des Signals reduziert wird.
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Im
Transistor Q3 wird der Strom I1 an den Differenzverstärker 100 gekoppelt
und zwischen den Transistoren Q1 und Q2 aufgeteilt. Im Verstärker 150 wird
der Strom Icomp des Transistors Q11, der die Differenz zwischen
den Strömen
I150 und I1 darstellt, wie beschrieben an den Verbindungspunkten
der Lastwiderstände
R5 und R6 gekoppelt. Somit beträgt der
durch den Widerstand R5 zur Versorgung fließende Strom Itot ungefähr Icomp
+ I100, doch ist Itot infolge des Stroms I99 im Transistor Q1 kleiner
als I150. Während
der Verstärkungsfaktorsteuerstrom
I1 im Transistor Q3 steuerbar reduziert wird, steigt somit ein entsprechender
komplementärer
Strom Icomp im Transistor Q11 an. Der Wert des Lastwiderstands R5
ist so ausgewählt,
daß, wenn
die Ströme I100
und Icomp als Itot kombiniert werden, die an Widerstand R5 entstehende
Spannung Vcomp unabhängig
von den Verhältnissen
der aus der Amplitudensteuerung des SVM-Signals entstehenden Ströme im wesentlichen
konstant bleibt. Wenn die Signalamplitude im Verstärker 100 reduziert
wird, fließt der
kompensierende erhöhte
Strom mit dem Ergebnis durch einen Teil des Lastwiderstands des
Verstärkers 100,
daß die
Gleichstromkomponente im wesentlichen konstant bleibt. Außerdem werden
die Wechselstromkennlinien des Differenzverstärkers im wesentlichen nicht
beeinflußt,
wenn der Verstärkungsfaktor
des Differenzverstärkers 100 gesteuert wird.
Durch die vorteilhafte Beibehaltung der Gleichstromkomponente werden
somit Änderungen
bei der Linearität
und beim Übergangsverhalten,
die in nachfolgenden SVM-Signalverstärkungsstufen
auftreten, größtenteils
eliminiert. Zusätzlich
zu der Eliminierung von Linearitätsund Übergangsverhaltensverzerrungen
wird außerdem
die Symmetrie des SVM-Signals beibehalten, damit man sowohl vorher
als auch nachher eine im wesentlichen gleiche Kantenanhebung erhält. Eine
derartige Signalwellenformsymmetrie verhindert außerdem unähnliche
Ansteuersignale mit der damit einhergehenden Erzeugung von harmonischen
Signalen.
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Das
amplitudengesteuerte gleichstromstabilisierte Signal V1 von 2 ist an den Pufferverstärker 200 gekoppelt,
der einen Emitterfolgertransistor Q4 und einen Transistor Q5 aufweist,
konfiguriert als eine einstellbare Diode. Das Signal V1 wird an
die Basis des Emitterfolgertransistors Q4 angelegt, wobei der Emitter
an die Basis des Transistors Q5 gekoppelt ist. Der Kollektor des
Transistors Q4 ist direkt mit der Stromversorgung verbunden, und
der Emitter ist über
drei Widerstände
R9, R8, R7, die als ein Potentialteiler geschaltet sind, an Masse
gekoppelt. Ein Kondensator C1 ist an den Widerstand R8 angeschlossen.
Der Emitter des Transistors Q4 ist an den Kollektor des Transistors
Q5 und über
einen Reihenwiderstand R10 an die Basis des Transistors Q6 angeschlossen.
Der Verbindungspunkt der Widerstände
R9, R8 ist mit der Basis des Transistors Q5 verbunden, wobei der
Emitter an den Verbindungspunkt der Widerstände R8, R7 angeschlossen ist.
Der Emitter des Transistors Q5 ist außerdem über einen Reihenwiderstand
R11 an die Basis des Transistors Q7 angeschlossen. Das Potential
am Widerstand R8 beträgt
etwa ein Drittel des Potentials an den Widerständen R9, R8 und am Kollektor
und Emitter des Transistors Q5. Das Potential am Widerstand R8 wird jedoch
durch die Basis-Emitter-Spannung Vbe des Transistors Q5 eingestellt,
wodurch sich die Kollektor-Emitter-Spannung
auf einen Wert stabilisiert, der im wesentlichen das Dreifache desjenigen
der Basis-Emitter-Spannung
Vbe beträgt.
Der Transistor Q5 kann deshalb so betrachtet werden, daß er eine
einstellbare Referenzdiode von etwa 2,1 Volt oder einen Vbe-Spannungsvervielfacher
darstellt, der eine Kollektor-Emitter-Spannung von etwa dem Dreifachen des
Vbe-Potentials des Transistors Q5 herstellt. Somit erhalten die
an die Basen der jeweiligen Gegentakt-Emitterfolgertransistoren Q6 und Q7
des Treibers 300 angekoppelten SVM-Signale einen Gleichstromoffset
voneinander um ein Potential des Dreifachen des Vbe-Werts des Transistors
Q5. Das SVM-Signal zwischen den Emittern der parallel geschalteten
Emitterfolgertransistoren Q8/10 und Q9/12 wurde 4-Vbe-Offsetpotentialen
unterzogen. Da jedoch die Signale bei den Widerständen R10
und R11 auf einen Wert von 3Vbe vorgespannt wurden, wurde das Signal
an den Emittern der Transistoren Q8/10 und Q9/12 einem Noise-Coring von 1Vbe oder etwa
700 Millivolt unterzogen. Der Treiberverstärker 300 weist npn-Emitterfolgertransistoren
Q6, Q8 und Q10 und pnp-Emitterfolgertransistoren Q7, Q9 und Q12
auf. Die Emitter der Transistoren Q6 und Q7 sind durch den Widerstand
R12 miteinander gekoppelt, wobei der Kollektor des Transistors Q6
mit der Versorgungsspannung und der Kollektor des Transistors Q7
mit Masse verbunden ist. Die Basen der parallelgeschalteten Transistoren
Q8 und Q10 sind mit dem Emitter des Transistors Q6 verbunden, und
die Kollektoren sind mit der positiven Versorgung verbunden. Die
Emitter der Transistoren Q8 und Q10 sind jeweils über Reihenwiderstände R15
und R17 gekoppelt, um ein Ausgangssignal zum Koppeln des Kondensators 10 der
Leistungsverstärkerstufe 400 zu
bilden. Analog sind die Basen der parallelgeschalteten Transistoren
Q7 und Q9 an dem Emitter des Transistors Q7 angeschlossen. Die Kollektoren
der Transistoren Q9 und Q12 sind mit Masse verbunden, wobei die
Emitter jedes Transistors jeweils über Reihenwiderstände R13
und R16 gekoppelt sind, um ein Ausgangssignal zum Koppeln an den
Kondensator C2 der Leistungsverstärkerstufe 400 zu bilden.
Der Verbindungspunkt der Ausgangswiderstände R15 und R17 und des Kondensators
C3 ist über
den Widerstand R14 mit den entsprechenden Komponenten der Transistoren
Q9 und Q12 verbunden.
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Der
Leistungsverstärker 400 von 2 ist an eine Abtastgeschwindigkeitsmodulationsablenkspule L3
gekoppelt gezeigt, die an einem Halsgebiet einer Kathodenstrahlröhre positioniert
ist, wobei die CRT auch mit Vertikal- und Horizontalablenkspulen
gezeigt ist, die mit V und H markiert sind. Die SVM-Spule L3 fungiert
in Verbindung mit der Horizontalablenkspule, um die Abtastgeschwindigkeit
in Richtung der horizontalen Abtastung zu stören.
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Das
SVM-Ansteuersignal wird durch den Kondensator C3 zwischen dem Verbindungspunkt der
Widerstände
R14, R15 und R17 und der Basis des Leistungsverstärkertransistors
Q14 wechselstromgekoppelt. Analog sorgt der Kondensator C2 für eine Wechselstromkoppelung
zwischen dem Verbindungspunkt der Widerstände R13, R14 und R16 und der
Basis des Leistungsverstärkertransistors Q16.
Ein durch die Widerstände
R18, R19, R20 und R21 gebildeter Potentialteiler ist zwischen eine
Hochspannungsversorgung von beispielsweise 180 Volt und Massepotential
geschaltet. Der Teiler erzeugt Spannungen von etwa 0,7 Volt über Masse
und etwa 0,7 Volt unter der Hochspannungsversorgung, um die Basen
der Ausgangstransistoren Q16 bzw. Q14 vorzuspannen.
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Am
Verbindungspunkt der Teilerwiderstände R19 und R20 wird eine Spannung
erzeugt, die etwa die Hälfte
des Werts der Hochspannungsversorgung beträgt. Dieses Gleichspannungspotential
ist an den Kondensator C4 gekoppelt und kann als die Quelle des
Stroms der SVM-Spule angesehen werden, wobei über den Kondensator C3 gekoppelte
negative SVM-Signalübergänge den
Transistor Q14 hochschalten und versuchen, den Kondensator C4 auf den
Wert der Hochspannungsversorgung zu laden. Analog bewirken über den
Kondensator C2 gekoppelte positive SVM-Signalübergänge das Durchschalten des Transistors
Q16 und versuchen, den Kondensator C4 zu Masse zu entladen. Diese
das SVM-Signal betreffenden Ströme
werden jedoch über
die SVM-Ablenkspule L3 an die jeweiligen Emitter der Transistoren
Q14 und Q16 gekoppelt, und zwar über
niederohmige, in Reihe geschaltete Widerstands- und Kondensatornetze
R24, C5 bzw. R25, C6, damit die erforderlichen Geschwindigkeitsstörungen des
abtastenden Elektronenstrahls erzeugt werden. Der von den Leistungstransistoren
Q14 und Q16 geleitete mittlere Strom fließt über den Widerstand R22 zu Masse
und erzeugt eine Spannung V2 proportional zur Größe des Stroms. Die Spannung
V2 ist an dem Tiefpaßfilter 500 gekoppelt,
der durch einen in Reihe geschalteten Widerstand R26 und in Nebenschluß geschalteten
Kondensator C8 gebildet wird, was die Spannung V3 erzeugt. Die tiefpaßgefilterte Spannung
V3 wird über
den in Reihe geschalteten Widerstand R26 an die Basis des Transistors
Q11 gekoppelt, der Teil des Differenzverstärkers 150 ist. Wie zuvor
beschrieben, bewirkt eine beispielhafte Zunahme der Spannung V3,
daß der
Strom I150 zunehmend vom Transistor Q3 weggelenkt wird, was den Kollektorstrom
I1 reduziert und die Amplitude des SVM-Signals V1 am Kollektor des Transistors
Q2 verringert.
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Bei
einer alternativen Ausgangsanordnung können die Leistungsverstärker Stufe 400,
die Transistoren Q14 und Q16 durch Transistorpaare ersetzt werden,
die auf ähnliche
Weise wie das Transistorpaar Q8, 10 und das Transistorpaar Q9, 12
parallel geschaltet sind. Diese alternative, parallel geschaltete
Ausgangsleistungstransistorkonfiguration ist in 2 durch die Komponenten Q14a, Q16a, R24a und
R25a dargestellt, die alle gestrichelt gezeigt sind.
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Wie
bereits beschrieben wurde, können Mängel bei
der SVM-Signalverarbeitung
unerwünschte
Produkte und Harmonische erzeugen, die sowohl innerhalb als auch
jenseits der Displayeinrichtung geleitet oder abgestrahlt werden
können. Zudem
werden die Erzeugung und die unbeabsichtigte Abstrahlung durch die
Displayeinrichtung durch die Federal Communications Commission,
47 CFR § 15
Unterabschnitt B, Unintentional Radiators, Abschnitt § 15.101
befohlen, das Grenzen für
Emissionsspektren zwischen 30 MHz und 1 GHz spezifiziert. Wenngleich
durch ein sorgfältiges
Augenmerk auf das Design und das Layout einer Schaltung die Erzeugung
unerwünschter
SVM-Produkte oder von Harmonischen erheblich reduziert werden kann, kann
unerwünschte
Strahlung infolge eines hochfrequenten gepulsten Stroms entstehen,
der das die Geschwindigkeit modulierende Ablenkfeld bereitstellt.
Der SVM-Spulenstrom liegt in der Größenordnung von 1 Ampere mit
sowohl einer Impulsdauer als auch Wiederholperioden von etwa 100
Nanosekunden, wobei der SVM-Spulenstrom besonders reich an harmonischen
Produkten ist, die die Neigung aufweisen, sowohl von der Kopplung
als auch von der SVM-Spule
abzustrahlen. Das eigentliche Displaysignal kann Bilder von ausreichender
Größe und Spektralgehalt
enthalten, was die Wahrscheinlichkeit für Strahlung und unbeabsichtigte
Emission vergrößert. Es
hat sich beispielsweise herausgestellt, daß eine Seite statischen Textes
mit einer Breite von etwa 200 Zeichen, die den Buchstaben H anzeigt,
ein SVM-Signal mit hoher Amplitude und extremem Spektralgehalt erzeugt,
was ausreicht, um unerwünschte
Emissionen zu verursachen. Analog erzeugen Videodisplaybilder, die
Helligkeitsänderungen
mit hoher Amplitude enthalten, besonders dann ähnliche problematische SVM-Signale,
wenn die Größe des Bilds
verändert
wird, beispielsweise durch Zoomen, was so angesehen werden kann,
daß es
ein überstrichenes Frequenzspektrum
ergibt.
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Eine
vorteilhafte SVM-Emissionssteueranordnung ist in 3A dargestellt, die eine erfindungsgemäße Anordnung
in einer Projektionsdisplayvorrichtung mit drei Displayröhren jeweils
mit einer SVM-Spule und Treiberverstärker zeigt. Wenngleich drei
Kathodenstrahlröhren
gezeigt sind, kann das Problem der SVM-Emission und der erfindungsgemäßen Lösung dafür gleichermaßen auf
eine Displayeinrichtung mit einer einzigen CRT anwenden. Diese beispielhafte
Steueranordnung verwendet einen negativen Rückkopplungssteuerkreis, LOOP 1, für die Steuerung
des SVM-Treiberleistungsverlusts und einen Mitkopplungssteuerkreis
LOOP 2 für
die Steuerung von SVM-abgeleiteten Emissionen. In 3A erzeugt jeder SVM-Spulen-Treiberverstärker, beispielsweise DRIVE
AMP 30, ein Steuersignal V2 gemäß dem Ausgangsleistungsverlust,
der zu jedem jeweiligen SVM-Signalprozessor zurückgekoppelt wird. Aus Gründen der
Deutlichkeit der Zeichnung ist jedoch nicht jeder einzelne Steuerkreis
gezeigt.
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Die
SVM-Emissionssteueranordnung von 3A funktioniert
wie folgt. Eine vom Displaysignal abgeleitete Luminanzsignalkomponente
Y wird an Block 10 gekoppelt, der die Luminanzkomponente unter
Einsatz wohlbekannter Verfahren, beispielsweise durch Differenzierung
oder durch bandformende Filter zu einem Ausgangssignal SVM 1 verarbeitet. Das
Signal SVM 1 von Block 10 wird an Block 20 gekoppelt,
der das Signal zusätzlich
verarbeitet, um beispielsweise SVM-Signalbegrenzung, Noise-Coring (Abschneiden
der Spannung zwischen 0 und einem Schwellwert) und Amplitudensteuerung
bereitzustellen, wie unter Bezugnahme auf die in 2 dargestellte Schaltung beschrieben
wurde. Das amplitudengesteuerte Signal SVM 2 wird an die
Spulentreiberleistungsverstärkerstufe 30 gekoppelt,
die Stromimpulse I zur Ankopplung an die SVM- Ablenkspule 40 erzeugt, um
die gewünschte
Geschwindigkeitsmodulation des Abtaststrahls zu erzeugen. Der mittlere
Stromfluß im
beispielhaften Spulentreiberverstärker 30 wird überwacht
und zum Block 20 zurückgekoppelt,
um eine negative Rückkopplungsschleife zur
Steuerung der SVM-Signalamplitude als Reaktion auf den Leistungsverlust
im SVM-Spulen-Treiberverstärker
zu bilden. Da jedoch der Regelkreis den mittleren Treiberverlust
steuert, reagiert er ineffektiv auf SVM-Signalkomponenten, die mit
Wahrscheinlichkeit zu unerwünschten
Emissionen führen.
Unerwünschte
Emissionen ergeben sich in der Regel aus schnellen Kantenübergängen im
Displaybildsignal, die infolgedessen harmonisch verwandte Spektralprodukte
erheblicher Amplitude enthalten. Somit analysiert der SVM-Signal-Analysatorblock 50 vorteilhafterweise
den Spektralgehalt des Signals SVM 1 und erzeugt ein Steuerkreis-Steuersignal
Ve als Reaktion auf die Amplitude und die Spektralzusammensetzung.
Das Emissionssteuersignal Ve wird als ein Steuerkreis-Mitkopplungssteuersignal
angelegt, wodurch ein Steuerkreis LOOP 2 gebildet wird,
um eine Steuerkreis-Amplitudensteuerung der SVM-Signal-Ansteuerspule 40 bereitzustellen.
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3B zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung
(50), die die Amplitude und den Spektralgehalt des in die
SVM-Amplitudensteuerung
der beispielhaften Figur eingegebene verarbeitete Displaysignal Y' analysiert. Die
Anordnung der 3B erzeugt
ein Gleichstromsignal Ve, das eine Steuerung der angelegten SVM-Signalamplitude
zusätzlich
zu der durch das Signal V2 bereitgestellten Regelkreisleistungssteuerung
bereitstellt. In 3B ist
das verarbeitete Displaysignal Y' über einen
Kondensator C2 an die Basis des npn-Transistors Q1 gekoppelt, mit
dem der npn-Transistor Q2 als Differenzverstärker konfiguriert ist. Auch
die Basis des Transistors Q1 ist über die in Reihe geschalteten
Widerstände
R5 und R9 and die Basis des Transistors Q2 gekoppelt. Der Vebindungspunkt
der Widerstände
R5 und R9 ist an einen Potentialteiler angeschlossen, der Vorspannungspotentiale
von etwa 4 Volt für
die Basen der Transistoren Q1 und Q2, etwa 2 Volt für die Basis
des Stromquellentransistors Q3 und etwa 6,5 Volt für die Basis des
Ausgangstransistors Q6 bereitstellt. Der Potentialteiler wird durch
die Widerstände
R7, R11, R10 und R12 gebildet, wobei der Widerstand R12 mit einer
positiven Versorgung von beispielsweise 12 Volt und der Widerstand
R7 mit Masse verbunden ist. Der Verbindungspunkt der Widerstände R12
und R10 ist durch den Kondensator C8 von Masse entkoppelt, wobei
der Verbindungspunkt der Widerstände
R10 und R11 über
den Kondensator C3 von Masse entkoppelt ist und die Widerstände R11
und R7 durch den Kondensator C4 von Masse entkoppelt sind. Der Emitter
des Stromquellentransistors Q3 ist mit Masse über den Widerstand R6 verbunden,
wobei der Kollektor Strom an den Verbindungspunkt aus dem den Verstärkungsfaktor
bestimmenden Widerständen
R3 und R4 liefert, die in Reihe zwischen die Emitter der Transistoren
Q1 und Q2 gekoppelt sind. Ein frequenzselektives Netz wird durch
Induktor L1, Kondensator Cl und Dämpfwiderstand R2, die als ein Reihenresonanzkreis
oder ein Filter geschaltet sind und parallel zu dem den Verstärkungsfaktor
bestimmenden Widerständen
R3 und R4 des Differenzverstärkers
gekoppelt sind, gebildet. Somit wird der Verstärkungsfaktor des Differenzverstärkers von
einem durch die Widerstände
R3 und R4 bestimmten Wert zunehmend auf einen Höchstwert gesteigert, der etwa
neunmal größer ist,
wenn sich der Reihenresonanzkreis oder das Bandpaßfilter,
der beziehungsweise das durch den Induktor L1 und den Kondensator
C1 gebildet wird, eine Reihenresonanz bei etwa 15 MHz nähert. Die
Kollektoren der Differenzverstärkertransistoren
Q1 und Q2 sind mit der positiven Versorgung über die Lastwiderstände R1 und
R11 verbunden, an denen ein frequenzabhängiges Ausgangssignal entsteht.
Somit wird das Eingangssignal Y' selektiv
verstärkt,
wobei innerhalb der Bandbreite des Bandpaßfilters auftretende Signalfrequenzkomponenten
eine größere Verstärkung erhalten
als außerhalb
der Filterbandbreite liegende Frequenzkomponenten.
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Die
selektiv verstärkten
Komponenten erscheinen in Gegenphase an den Kollektoren der Transistoren
Q1 und Q2 und werden an die Basis von jeweiligen npn-Emitterfolgern
Q4 und Q5 gekoppelt. Die Kollektoren der Transistoren Q4 und Q5
sind mit der Stromversorgung verbunden, und die Emitter sind jeweils
mit dem Emitter des Stromquellentransistors Q6 über frequenzselektive Netze
verbunden. Somit können
die Transistoren Q4 und Q5 so betrachtet werden, daß sie als
ein Vollwellengleichrichter fungieren, der positive Signalströme Ihf an
den Emitter des Transistors Q6 liefert. Das frequenzselektive Netz
des Transistors Q4 weist einen Reihenwiderstand R14 auf, der parallel
zu einem in Reihe geschalteten Widerstand R13 und einem Kondensator
C5 gekoppelt ist. Ein ähnliches
Netz in dem Emitter des Transistors Q5 besteht aus einem Reihenwiderstand
R15, der parallel zu einem Widerstand R16 und einem Kondensator
C6 gekoppelt ist. Die Reihenschaltung aus Widerstand und Kondensator
gestattet, daß höherfrequente
Signalkomponenten die Emitterlastwiderstände R14 beziehungsweise R15 umgeben.
Der Emitter des Transistors Q6 ist über den Widerstand R17 an die
positive Versorgung gekoppelt, während
der Kollektor über
den Widerstand R18 mit Masse verbunden ist. Die Basis des Stromquellentransistors
Q6 ist über
den Verbindungspunkt aus den Widerständen R12 und R10 auf etwa 6,5
Volt vorgespannt, was dazu führt,
daß die
an den Emitter des Transistors Q6 gekoppelten Emitterfolger Q4 und Q5
nur bei positiven Signalkomponenten leiten, die eine ausreichende
Amplitude aufweisen, um das Emitterpotential des Transistors Q6
zu überwinden. Durch
Kombinieren der Frequenzselektivität und der verarbeiteten Signalamplitude
verursachen nur Displaysignale spezifischer Größe und Spektralzusammensetzung,
daß das
Emissionssteuersignal Ve erzeugt wird. Die Anordnung aus den Transistoren
Q4, Q5 und Q6 kann so betrachtet werden, daß sie wie ein Vollwellengleichrichter
fungiert, der den Kondensator C7 über den Widerstand X19 gezwungenermaßen lädt,
damit ein Emissionssteuersignal Ve gebildet wird. Jedoch wird nicht
nur der Kondensator C7 durch beide Polaritäten des Eingangssignals Y' geladen, sondern
auch das Steuersignal Ve reagiert auf die Spektralzusammensetzung
des Signals Y'.
Einfach ausgedrückt
ist die am Kondensator C7 erzeugte Spannung um so größer, je
größer die
Anzahl der vom Displaybilddetail abgeleiteten Übergänge. Außerdem erhalten Y'-Signalfrequenzkomponenten
in einem Bereich von etwa 15 MHz eine größere Verstärkung. Das Emissionssteuersignal
Ve reagiert somit sowohl auf positive als auch negative Signalübergänge, die
Geschwindigkeit des Übergangsereignisses
und ist in Richtung auf die Erzeugung eines Steuersignals Ve für im Bereich
von etwa 15 MHz auftretende SVM-Komponenten gewichtet. Das Emissionssteuersignal
Ve ist an den Widerstand X31 der in 2 gezeigten
beispielhaften SVM-Amplitudensteueranordnung
gekoppelt. Das in beiden 2 und 4 gezeigte Amplitudensteuersignal
V3 weist beim Einsetzen der Ausgangsleistungssteuerung einen Wert
von etwa 1,2 Volt auf. Wenn jedoch Bilder wie das beispielhafte
H-Textfeld angezeigt werden, steigt der Wert des Amplitudensteuersignals
V3 auf etwa 2,4 Volt, was die Amplitude des SVM-Ansteuersignals
im wesentlichen auf Null reduziert.
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4 zeigt eine weitere erfindungsgemäße Anordnung 50A zum
regenerierenden Erzeugen eines Emissionssteuersignals Ve. Das verarbeitete Displaysignal
Y' ist über einen
Reihenwiderstand R1 und einen Kondensator C1 an die Basis eines npn-Transistors
Q1 gekoppelt. Die Basis des Transistors Q1 ist auch an einen Induktor
L1 gekoppelt, der ein Vorspannungspotential von etwa 0,5 Volt von dem
durch die Widerstände
R2 und R3 gebildeten Spannungsteiler liefert. Der Widerstand R2
ist an eine positive Versorgung von beispielsweise 12 Volt angeschlossen,
wobei der Widerstand R3 mit Masse verbunden ist. Der Kollektor des
Transistors Q1 ist über
einen Widerstand R4 an die positive Versorgung angeschlossen, und
der Emitter ist mit Masse verbunden. Der Kondensator C1 und der
Induktor L1 bilden ein Resonanzkreisfilter mit einer Frequenz von etwa
15 MHz. So wird die Amplitude von Komponenten des Eingangssignals
Y' mit Frequenzen
im Bereich von etwa 15 MHz durch die Resonanzwirkung des Reihenresonanzkreises
vergrößert. Da
die Basis des Transistors Q1 mit etwa 0,5 Volt vorgespannt ist, reichen
nur positive SVM-Signalkomponenten mit über einigen wenigen hundert
Millivolt liegenden Amplituden zum Durchschalten des Transistors
aus. Der Kollektor des Transistors Q1 ist über den Widerstand R5 an die
Basis eines pnp-Transistors Q1 gekoppelt, dessen Emitter mit der
positiven Versorgung verbunden ist und dessen Kollektor über den
Lastwiderstand R6 mit Masse verbunden ist. Der Kollektortransistor
Q2 ist auch zu der Basis des Transistors Q1 über ein differenzierendes Netz
rückgekoppelt,
das durch einen Kondensator C2 und einen Widerstand R7 gebildet
ist, die für
eine positive Rückkopplung sorgen,
wodurch ein monostabiler Vorgang entsteht. Die positiven Y'-Signalkomponenten
mit ausreichender Amplitude oder Frequenzbereich bewirken, daß die Transistoren
Q1 und Q2 über
einen Zeitraum von etwa 100 Nanosekunden, bestimmt durch den Kondensator
C2, einen instabilen Zustand annehmen. Die Stromleitung des Transistors
Q2 erzeugt einen positiven Impuls PS von nominell 12 Volt am Kollektor,
der mit einem Widerstand R8 und Kondensator C3 gekoppelt ist, die
in Reihe mit Masse verbunden sind, um einen Integrierer zu bilden.
Der Verbindungspunkt des Kondensators und des Widerstands ist mit
der Basis eines Emitterfolgertransistors Q3 verbunden, der ein Ausgangssteuersignal
Ve erzeugt. Der Kollektor des Transistors Q3 ist über einen Widerstand
R9 mit der positiven Versorgung verbunden, und der Emitter ist über die
Widerstände
R10, R31 mit dem Tiefpaßfilter 500 der
in 2 gezeigten beispielhaften
SVM-Amplitudensteuerung gekoppelt.
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5 stellt die von drei Achsen
des Displays ausgehende summierte elektromagnetische Strahlung in
einer Entfernung von 3 Metern gemessen von 30 MHz bis 1 GHz gemäß dem durch
FCC Teil 15b befohlenen Leistungsmeßraster dar. Das in 5 gezeigte Emissionsspektrum
ist repräsentativ
für Emissionen,
die aus dem Display des Textfelds mit dem Buchstaben H ohne Verwendung
der erfindungsgemäßen Steueranordnung
der Anmelderin entstehen. 5 zeigt,
daß in
einem Frequenzband, das sich von nominell 30 MHz bis etwa 100 MHz
erstreckt, das Leistungsgrenzraster übersteigende Spektralkomponenten
existieren. Die Verwendung der erfindungsgemäßen Anordnung der Anmelderin von 3B wird auf die Amplitudensteuerschaltung von 2 angewendet und liefert
einen Steuerkreis der SVM-Amplitude. die erfindungsgemäße Steuersignalableitung
der Anmelderin führt
zu unerwünschten
Emissionen, die erheblich unter die befohlenen Pegel reduziert sind,
und wie in 6 gezeigt,
wird Konformität
mit den Anforderungen von FCC Teil 15b erzielt.