DE4444786C2 - Interferenz-Bandpaßfilter - Google Patents
Interferenz-BandpaßfilterInfo
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
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Description
Die Erfindung betrifft Interferenz-Bandpaßfilter nach
dem Oberbegriff des Anspruchs 1, die eine geringe
Feuchtigkeitsdrift auch über einen langen Zeitraum bei
gleichzeitig und guter Transmission aufweisen.
Bekannte dielektrische Filter werden aus einem
Schichtaufbau dielektrischer Schichten, die alternie
rend hoch- und niedrigbrechend stapelförmig angeord
net sind, gebildet. Die optische Dicke dieser
Schichten ist dabei immer λ/4 der zentralen Wellen
länge λ des Filters.
Üblicherweise werden diese Schichten symmetrisch um
eine Abstandsschicht aus hoch- oder niedrigbrechendem
dielektrischen Material angeordnet. Ein solcher Auf
bau wird als Ein-Cavity-Filter bezeichnet. Die opti
sche Dicke der Abstandsschicht ist dabei λ/2 der zen
tralen Wellenlänge λ, sie kann aber auch in höherer
Ordnung von λ/2 ausgeführt sein (McLeod, H.; Thin
Film Optical Filters, 2. Aufl., Adam Hilgers Ltd.,
Bristol 1986). Ebenso ist es auch bekannt, Multi-Ca
vity-Filter zu verwenden, bei denen mehrere solcher
Systeme nacheinander angeordnet und mit Kopplungs
schichten verbunden werden, vgl. hierzu bspw. die
DD 263 836 A1.
Die Anordnung der hoch- und niedrigbrechenden Schich
ten kann dabei entweder mit einer hochbrechenden
Schicht H oder niedrigbrechenden Schicht L beginnend
erfolgen.
Der Schichtstapel hat dabei z. B. für den Fall, daß
der Stapelaufbau mit einer hochbrechenden Schicht
beginnt und die Abstandsschicht HH ebenfalls aus
hochbrechendem Material besteht, den folgenden Auf
bau:
Außenmedium HLHL. . .HL HH LHLH. . .LHLH Außenmedium
Die doppelte Schichtdicke wird symbolisch mit dem dop
pelten HH (oder LL für eine Abstandsschicht aus
niedrigbrechendem Material) dargestellt.
Üblicherweise werden solche Filter durch Aufdampfung
im Hochvakuum hergestellt (Pulker, H.K.; Coatings on
Glass, Elsevier, 1984). Bei einer solchen Schichther
stellung weisen die einzelnen Schichten Poren und
damit eine geringere Dichte und Brechzahl gegenüber
dem massiven Material auf (Gibson, Ion-Beam proces
sing of Optical Thin Films, Physics of Thin Films,
Vol. 13, 1987, S. 109-150).
Die Poren sind zwar im Vakuum leer, füllen sich je
doch im Laufe der Zeit mit der in der Umgebungsluft
enthaltenen Feuchtigkeit durch Kondensation. Dadurch
verändert sich die Brechzahl und demzufolge auch die
optische Dicke, was wiederum zur Veränderung der
spektralen Lage des Transmissionsbandes des Filters
führt. In der Praxis treten Verschiebungen im Bereich
von etwa 2% auf. Eine solche Verschiebung schränkt
die Einsatzmöglichkeiten stark ein. Besonders negativ
ist eine solche Feuchtedrift bei schmalbandigen Mono
chromator-Filtern, bei denen die Halbwertsbreite des
Transmissionsbandes überschritten werden kann. Dabei
ist die Halbwertsbreite die spektrale Breite des
Durchlaßbereiches bei der halben Peaktransmission und
die Peaktransmission die maximale Transmission im
Durchlaßbereich.
Nach dem Stand der Technik hilft man sich damit, daß
der Feuchtigkeitsaustausch durch Abschluß von der
Umwelt verhindert werden soll. Dabei werden
Dichtungsmittel zusammen mit Deckgläsern und Fassun
gen verwendet, die jedoch den Herstellungsaufwand,
die Größe und die Masse erhöhen. Trotz allem Aufwand
gelingt es nicht, eine vollständige Isolation des
Filters gegen die Umwelt zu erreichen. Die Feuchtig
keit dringt schleichend in die Poren ein, und der
Vorgang der Verschiebung der Durchlaßwellenlänge wird
lediglich verzögert. Da die verschiedensten Einflüsse
wirken, können diese nicht berücksichtigt oder gar
kompensiert werden. Eine kontinuierliche oder in kur
zen Abständen erfolgende Überprüfung eines solchen
Filters ist die Folge, um ständig einschätzen zu kön
nen, ob der Filter weiter verwendet werden kann oder
nicht.
Eine weitere bekannte Möglichkeit, der Feuchtigkeits
drift entgegenzuwirken, ist eine porenfreie Be
schichtung. Hier werden Verfahren wie Sputtern oder -
wie aus Gibson, Ion-Beam processing of Optical Thin
Films, Physics of Thin Films, Vol. 13, 1987, S. 109-150
bekannt - ionengeschützte Beschichtungsverfahren
verwendet. Solche Beschichtungsverfahren können zwar
zu Schichten mit dichter Struktur führen, die wenig
Feuchtigkeit aufnehmen, haben aber vielfach höhere
optische Verluste als konventionell im Hochvakuum
aufgedampfte Schichten, besonders im ultravioletten
Spektralbereich. Geringe optische Verluste in der
Abstandsschicht und den ihr benachbarten Schichten,
sind aber eine notwendige Voraussetzung dafür, daß
bei Filtern geringer Halbwertsbreite hohe Peaktrans
mission erreicht werden. Somit sind mit ionenge
stützten Bedampfungsverfahren zwar Filter hergestell
bar, die frei von Feuchtedrift sind, aber vielfach
erreichen diese Filter bei niedrigen Halbwertsbreiten
keine hohen Peaktransmissionen. Dabei ist auch der
relativ hohe technische Aufwand der ionengestützten
Beschichtungsverfahren zu berücksichtigen.
Aus der DE 23 57 593 OS ist ein Interferenz-Viel
schichtfilter mit breitbandigem Transmissionsbereich
bekannt, bei dem die Sperrbänder höherer Ordnung
teilweise unterdrückt sind und das eine periodische
Schichtanordnung der Struktur ABCDDCBA aufweist, wo
bei folgende Bedingungen zu erfüllen sind:
mit
x = nA/nB und
y = nB/nC
sowie
nAnD = nBnC.
Ein aus abwechselnd hoch- und niederbrechenden Oxid
schichten aufgebautes verlustarmes, hochreflektieren
des Vielschichtsystem ist in der DE 23 36 049 be
schrieben. Der dort beschriebene Schichtaufbau soll
die Beständigkeit gegen erhöhte Temperatur bei Unter
druck erhöhen. Für die Lösung wird angegeben, daß bei
dem aus abwechselnd hoch- und niederbrechenden Oxid
schichten aufgebauten Vielschichtsystem als nieder
brechende Schichten absorptionsarme Oxide des Silizi
ums verwendet werden und die hochbrechenden Schichten
aus Titanoxid sind. Dabei sollen wenigstens die drei
letzten, auf der von der Unterlage abgewandten Seite
des Systems gelegenen hochbrechenden Schichten aus
Zirkonoxid bestehen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Interferenz-Band
paßfilter, das aus dielektrischen Schichten gebildet
wird, dahingehend zu verbessern, daß es gute Trans
missionseigenschaften und kleinste Feuchtigkeitsdrif
ten aufweist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im kenn
zeichnenden Teil des Anspruchs 1 genannten Merkmale
gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbil
dungen der Erfindung ergeben sich mit den in den un
tergeordneten Ansprüchen enthaltenen Merkmalen.
Bei dem erfindungsgemäßen Filter sind die Schichten,
die im Bereich um die Abstandsschicht angeordnet
sind, aus Substanzen gebildet, die eine ausreichende
spektrale Transparenz, günstige mechanische und che
mische Eigenschaften sowie ein geeignetes Verdamp
fungsverhalten aufweisen. Die Struktur weist dabei
eine Dichte auf, die nur Poren zuläßt, die keine
Feuchtigkeit aufnehmen können. Die Beschichtung kann
in konventioneller Form durch Aufdampfen im Vakuum
oder ionengestützt erfolgen. Auch die Abstandsschicht
kann aus einer solchen Substanz mit einer Dicke von
bevorzugt λ/2 der Durchlaßwellenlänge gebildet sein.
An die Schichten, die im Bereich der Abstandsschicht
angeordnet sind, wird nicht die Forderung gestellt,
daß sich die Brechzahlen benachbarter Schichten stark
unterscheiden. Im Gegensatz dazu sollen die Schich
ten, die im nach außen weisenden Bereich des Filters
angeordnet sind, eine große Brechzahldifferenz bei
benachbarten Schichten aufweisen. Bei diesen Schich
ten werden nicht so hohe Anforderungen an die Dichte
ihrer Struktur in bezug auf Poren und damit auf die
Resistenz gegen Aufnahme von Feuchtigkeit gestellt.
Auch bezüglich der spektralen Transparenz werden an
diese Schichten geringere Anforderungen gestellt als
an die Schichten im Bereich der Abstandsschicht.
Die stark verringerte Feuchtigkeitsdrift - auch über
einen langen Zeitraum - ergibt sich dadurch, daß die
durch die Veränderung der optischen Dicke einer
Schicht hervorgerufene Beeinflussung der Wellenlänge
des Transmissionsbandes des Filters bei der Abstands
schicht am stärksten ist und von Schicht zu Schicht
sukzessive abnimmt, je weiter eine Schicht von der
Abstandsschicht entfernt ist. Die im erfindungsgemä
ßen Filter weiter außen liegenden Schichten, bei de
nen die Feuchtigkeitsdrift zugelassen ist, beeinflus
sen die Filterwellenlänge nur geringfügig.
Ausreichend gute Filtereigenschaften - hohe Peak
transmission bei kleiner Halbwertsbreite - ergeben
sich dadurch, daß optische Verluste (d. h. kleinere
spektrale Transparenz) einer Schicht die Filtereigen
schaften um so weniger negativ beeinflussen, je wei
ter die Schicht von der Abstandsschicht entfernt ist.
Die weiter außen angeordneten Schichten beeinträchti
gen die Filtereigenschaften auch bei relativ starken
optischen Verlusten nicht so stark.
Werden die inneren Schichten, wie bereits be
schrieben, mit äußerst geringer Porosität erzeugt,
kann ein Filter mit ausreichend guten Parametern bei
gleichzeitig geringster Feuchtigkeitsdrift erhalten
werden, wenn dabei die äußeren Schichten aus Substan
zen gebildet werden, die zwar die Poren aufweisen,
die Feuchtigkeit aufnehmen können, aber ein höheres
Brechungsverhältnis aufweisen, um
- - die Zahl der erforderlichen Schichten so klein wie möglich zu halten,
- - dabei die gewünschte Halbwertsbreite der spek tralen Transmissionsbande zu unterschreiten und
- - bei vorgegebener Schichtenzahl die Transmission außerhalb der Transmissionsbande so klein wie möglich zu halten, wobei
- - gleichzeitig die Bereiche niedriger Transmission neben der Transmissionsbande des Filters in bei de Richtungen verbreitert sind.
Nachfolgend soll die Erfindung beispielhaft beschrie
ben werden. Es zeigen:
Fig. 1 in einem Diagramm die Transmissionsverläufe
eines erfindungsgemäßen Filters für eine
Wellenlänge von 1000 nm im trockenen und
feuchten Zustand im Wellenlängenbereich von
970 nm bis 1030 nm;
Fig. 2 in einem Diagramm die Transmissionsverläufe
eines erfindungsgemäßen Filters für eine
Wellenlänge von 1000 nm im trockenen und
feuchten Zustand im Wellenlängenbereich von
800 nm bis 1200 nm;
Fig. 3 in einem Diagramm die Transmissionsverläufe
eines herkömmlichen Filters für eine Wel
lenlänge von 1000 nm im trockenen und
feuchten Zustand im Wellenlängenbereich von
970 nm bis 1030 nm, und
Fig. 4 in einem Diagramm die Transmissionsverläufe
eines herkömmlichen Filters für eine Wel
lenlänge von 1000 nm im trockenen und
feuchten Zustand im Wellenlängenbereich von
800 nm bis 1200 nm.
Allgemein soll ein 1-Cavity-Filter mit einem erfin
dungsgemäßen Aufbau beschrieben und in einer klar
stellenden Schreibweise wiedergegeben werden.
AM 1 S(-m). . .S(-2) S(-1) S(0) S(1) S(2). . .S(m) AM 2
Dabei ist S(0) die Abstandsschicht, und die negativ
numerierten Schichten S sind hier links und die po
sitiven rechts von dieser - also im Strahlengang vor
und nach ihr - angeordnet. Dabei werden diese alter
nierend aus Materialien mit niedriger Brechzahl nL
und hoher Brechzahl nH aufgebracht. So sind bei
spielsweise Schichten mit gerader Nummer hochbrechend
und mit ungerader niedrigbrechend oder umgekehrt.
Erfindungsgemäß sind die Schichten mit niedriger Num
mer aus Substanzen, die eine große Strukturdichte mit
kleinster Porosität aufweisen, gebildet. Dabei wird
ein kleineres Brechungsverhältnis zwischen den be
nachbarten hoch- und niedrigbrechenden Schichten zu
gelassen. Dagegen sind die Schichten mit den großen
Nummern aus Materialien mit einem größeren Brechungs
verhältnis und zugelassenermaßen größerer Porosität
gebildet.
Beispielsweise können die äußeren Schichten aus ZrO2
als hochbrechendes und SiO2 als niedrigbrechendes
Material gebildet sein. Für die inneren Schichten und
auch die Abstandsschicht können Al2O3 als hoch
brechendes und MgF2 als niedrigbrechendes Material
verwendet werden. Dabei kann die Abstandsschicht aus
Al2O3 oder MgF2 bestehen.
Nachfolgend soll ein aus vier Substanzen aufgebautes
Filter beschrieben werden. Es kann jedoch auch mit
drei geeigneten Substanzen ausgebildet sein, wenn
eine entsprechende Kombination hoch- und niedrigbre
chender Substanzen gewählt wird. Beispielsweise kann
bei der Erzeugung der inneren Schichten ein anderes
Beschichtungsverfahren für eines der Schichtmateria
lien benutzt werden, um dichtere Strukturen als bei
den äußeren Schichten zu erhalten.
Das beispielhaft durchgerechnete Filter mit den vier
Substanzen A bis D, deren Parameter,
- - Realteil der Schichtbrechzahl n im trockenen Zustand,
- - der Feuchtefaktor f - Quotient der Realteile der Schichtbrechzahlen im feuchten und trockenen Zustand (f=1 ist dabei totale Feuchtestabilität, wohingegen f<1 die optische Dicke der Schicht durch Feuchtigkeitsaufnahme im entsprechenden Verhältnis erhöht) und
- - der Imaginärteil der Schichtbrechzahl k, der für
die optischen Verluste steht,
in nachfolgender Tabelle aufgeführt sind.
Das aus den genannten Substanzen A bis D bestehende
Filter hat dabei folgenden Schichtaufbau:
M1 (AB)4 (CD)4 C C (DC)4 (BA)4 M2
A, B, C, D stehen für je eine λ/4-Schicht aus der
entsprechenden Substanz. Die Exponenten an den Klam
mern geben die Anzahl der sich wiederholenden Peri
oden der in der Klammer genannten Schichtpaare an. Es
sind demzufolge anschließend an das Außenmedium M1
erst vier Schichtpaare AB, dann folgend wieder vier
Paare CD, dann die aus dem Substanz C gebildete Ab
standsschicht CC mit einer Dicke von λ/2 angeordnet
und im Anschluß - gespiegelt dazu - der gleiche
Schichtaufbau auf der anderen Seite der Abstands
schicht erzeugt. Bei der Berechnung des spektralen
Transmissionsverlaufes, wie er in den Fig. 1 und 2
dargestellt ist, wurde jeweils von einer Brechzahl
1,5 für die Außenmedien M1 und M2 ausgegangen.
Den Fig. 1 und 2 sind die Transmissionsverläufe
für ein so ausgeführtes Filter im trockenen und
feuchten Zustand zu entnehmen. Dabei wurde in der
Fig. 2 lediglich der dargestellte Bereich ver
größert, um auch das Verhalten im Bereich jenseits
der Wellenlänge von λ0 = 1000 nm erkennen zu können.
Im Gegensatz dazu ist den in den Fig. 3 und 4 dar
gestellten Diagrammen der Transmissionsverlauf für
ein herkömmliches Filter mit folgendem Schichtaufbau
M1 (AB)7 A A (AB)7 M2
zu entnehmen. Dabei sind ein deutlich schlechteres
Verhalten bei Feuchtigkeit (eine Abdrift von 2%) so
wie geringere Maximaltransmission bei größerer Halb
wertsbreite erkennbar.
Claims (7)
1. Interferenz-Bandpaßfilter, bei dem in Cavity-Anordnung
auf beiden Seiten einer Abstands
schicht mehrere Paare von λ/4-Interferenzschich
ten mit abwechselnd hohem und niedrigem Bre
chungsindex angeordnet sind, wobei λ die Bezugs
wellenlänge ist, die das Filter transmittieren
soll,
dadurch gekennzeichnet,
daß die an die Abstandsschicht angrenzenden In
terferenzschichtpaare aus Materialien mit gerin
ger Feuchtesorption und mit geringen optischen
Verlusten bestehen, während die außen liegenden
Interferenzschichtpaare aus Materialien höherer
Feuchtesorption mit großer Brechzahldifferenz
bestehen.
2. Interferenz-Bandpaßfilter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß drei verschiedene
Schichtmaterialien A, B und C Schichtpaare AB,
AC oder BC bilden.
3. Interferenz-Bandpaßfilter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß vier verschiedene
Schichtmaterialien A, B, C und D Schichtpaare AB
und CD bilden.
4. Interferenz-Bandpaßfilter nach einem der Ansprü
che 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtpaare
periodisch aufeinanderfolgend einen ersten, an
die Abstandsschicht angrenzenden Schichtstapel
und einen zweiten, außen liegenden Schichtstapel
bilden.
5. Interferenz-Bandpaßfilter nach einem der Ansprü
che 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandsschicht
aus einer Substanz geringer Feuchtesorption ist.
6. Interferenz-Bandpaßfilter nach einem der
Ansprüche 1, 3, 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandsschicht
und die Schichtpaare mit geringer Feuchtesorp
tion aus Al2O3 als hochbrechendem Material und
aus MgF2 als niedrigbrechendem Material und die
außen liegenden Schichtpaare aus ZrO2 als hoch
brechendem Material und aus SiO2 als niedrigbre
chendem Material bestehen.
7. Interferenz-Bandpaßfilter nach einem der voran
gegangenen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß zumindest einige der
Schichten ionengestützt aufgebracht sind.
Priority Applications (1)
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DE19944444786 DE4444786C2 (de) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | Interferenz-Bandpaßfilter |
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DE4444786A1 DE4444786A1 (de) | 1996-06-20 |
DE4444786C2 true DE4444786C2 (de) | 1998-04-30 |
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ID=6535944
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DE19944444786 Expired - Fee Related DE4444786C2 (de) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | Interferenz-Bandpaßfilter |
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Families Citing this family (1)
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DE10134157B4 (de) * | 2001-07-13 | 2005-11-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bauelement mit ultrapräziser Oberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung |
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-
1994
- 1994-12-15 DE DE19944444786 patent/DE4444786C2/de not_active Expired - Fee Related
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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US-Z: Applied Optics, 25, Nr. 12, S. 1973-1976 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4444786A1 (de) | 1996-06-20 |
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