DE4438892C2 - Abgleichbarer kapazitiver Sensor und Verfahren zum Abgleichen eines solchen Sensors - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen abgleichbaren kapazitiven Sensor mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zum Abgleichen eines solchen Sensors.

Im industriellen Einsatz ist es oft notwendig, den in­ dustriellen Prozeß zu regeln und zu automatisieren. Hierbei ist eine genaue und zuverlässige Feuchtemessung erfor­ derlich. Als geeignete Meßwertgeber sind kapazitive Feuchte­ sensoren bekannt. Solche, beispielsweise in Dünnfilm-Technik hergestellten Feuchtesensoren, weisen eine auf einem Träger­ körper angeordnete kapazitive Einrichtung auf. Auf dem Trägerkörper sitzt eine Grundelektrode. Über der Grundelek­ trode befindet sich eine Dielektrizitätsschicht und auf der Dielektrizitätsschicht eine Deckelelektrode. Die Grundelek­ trode und die Deckelelektrode bilden hierbei die kapazitiven Platten eines Plattenkondensators. Die Grundelektrode und Deckelelektrode sind darüber hinaus mit Anschlüssen verse­ hen. Abhängig von der auf die kapazitive Einrichtung wirken­ den Feuchte, ändert sich der Kapazitätswert zwischen Grund­ elektrode und Deckelelektrode, was zur Feuchtebestimmung ausgenutzt wird.

Um eine genaue Feuchtemessung zu ermöglichen, muß der kapa­ zitive Feuchtesensor nach der Herstellung auf einen vorge­ wählten Sollwert bei einer bestimmten Feuchte abgeglichen bzw. geeicht werden. Es ist mittlerweile bekannt, in einem Abgleichvorgang die Deckelelektrode zu strukturieren und so die wirksame Plattenfläche der Deckelelektrode zu verändern. Das Strukturieren erfolgt mittels eines Laserschnittes, der die Deckelelektrode in vorgegebener Weise durchtrennt.

Nachteilig bei diesem Verfahren ist, daß mit Laserlicht durch die Deckelelektrode hindurchgeschossen wird. Sowohl die darunterliegende Dielektrizitätsschicht als auch die Grundelektrode werden regelmäßig hierbei beschädigt. In dem erfolgten Einschnitt können darüber hinaus sich Staub- und Mikropartikel ablagern, was insbesondere bei höheren Feuch­ ten, die auf den kapazitiven Sensor wirken, nachteilig ist. Es kann sogar zu einem Kurzschluß zwischen Deckel- und Grundelektrode kommen, was eine weitere Meßwertauswertung unmöglich macht. Solche Sensoren weisen demzufolge nur noch einen eingeschränkten Feuchtemeßbereich auf. Die kapazitiven Feuchtesensoren sind nämlich nicht mehr hochfeuchtebestän­ dig. Auch bei geringeren Feuchten hat sich eine Driftneigung eines derartigen kapazitiven Sensors gezeigt, was durch die Staub- bzw. Mikropartikelablagerung im erwähnten Einschnitt bedingt ist. Der Einsatz solcher kapazitiver Feuchtesensoren ist für industrielle Anwendungen somit nur noch einge­ schränkt möglich.

Darüber hinaus sind bereits Veröffentlichungen zur Wider­ standsbestimmung bekannt, die sich mit dem Abgleichen einer Materialschicht auf einem Trägerkörper befassen. Die Mate­ rialschicht ist bei diesen Veröffentlichungen regelmäßig eine Widerstandsschicht, die mittels Laser, Sandstrahlen oder Funkenerosion usw. abgetragen und dadurch hochohmiger gemacht wird, um den Sollwert des Widerstandes zu erreichen.

So ist in DE 30 42 720 C2 ein Verfahren zum Abgleichen einer Widerstandsschicht beschrieben, bei welchem in der Material­ schicht zwei orthogonal zueinander verlaufende Einschnitte erzeugt werden. Die Materialschicht wird jedoch nicht voll­ ständig durchtrennt.

In EP 0 150 784 B1 ist dagegen ein Verfahren zum Abgleichen eines Temperaturfühlers beschrieben, bei dem die Wider­ standsschicht eine Leiterbahnstruktur mit teilweise parallel zueinander verlaufenden Trimmbahnen aufweist. Durch Auf­ trennen bestimmter, vorher ermittelter Trimmbahnen, kann der Widerstandswert eingestellt werden. Als mögliche Verfahren zum Unterbrechen der Leiterbahnen wird die Verwendung eines Lasers, Sandstrahlen, Spaltelektroden, Funkenerosion oder eine mechanische Durchtrennung mittels Ritzen oder Fräsen vorgeschlagen.

Selbst wenn diese bekannten Verfahren zum Abgleichen von Widerstandsschichten auch zum Strukturieren der eingangs erwähnten Deckelelektroden von bekannten, abgleichbaren kapazitiven Feuchtesensoren eingesetzt werden würden, stellt sich weiter das Problem, daß bei der Strukturierung der Grundelektrode die darüberliegende Deckelelektrode samt Dielektrizitätsschicht beschädigt wird. Reicht die Beschä­ digung bis zur Grundelektrode, können sich im Schnittbereich die bereits erwähnten Staub- und Mikropartikel ablagern, die eine Langzeitstabilität des Sensors ausschließen. Darüber hinaus ist bei hoher Feuchte mit einem Kurzschluß zwischen Deckel- und Grundelektrode zu rechnen.

Aus DE 43 08 132 A1 und DE 33 46 181 A1 sind zwar ebenfalls kapazitive Sensoren bekannt. Der Abgleichvorgang dieser ka­ pazitiven Sensoren wird in diesen beiden Dokumenten jedoch nicht angesprochen. Die in DE 43 08 132 A1 beschriebene An­ ordnung weist als Grundelektrode eine elektrisch leitfähige Metallschicht auf, die mikrolithographisch strukturiert ist. Auf dieser strukturierten Grundelektrode wird eine dünne Isolierschicht aufgebracht, die von einer sogenannten Op­ ferschicht und einer ebenfalls strukturierten Deckelelek­ trode überdeckt ist. Eine derartige Struktur kann sowohl in ihrer Gesamtheit als Meßwertaufnehmer oder auch vereinzelt durch Trennung des Gesamtchips parallel zu den unteren schmalen Stegen Anwendung finden. Zum Abgleich der kapaziti­ ven Anordnung muß wiederum die Deckelelektrode durchtrennt werden. Darüber hinaus ist bei dieser Anordnung keine Di­ elektrizitätsschicht zwischen Grundelektrode und Deckelelek­ trode vorgesehen.

Der in DE 33 46 181 A1 beschriebene kapazitive Sensor be­ steht im wesentlichen aus mit Kontaktfingern ineinander ver­ zahnten Elektroden, die in einer Ebene liegend auf einem Trägerkörper angeordnet sind. Die Finger der Elektrode 5 sind mit im Querschnitt trapezförmigen und aus elektrisch leitfähigem Material bestehenden Leisten elektrisch in Ver­ bindung. Diese Leisten erstrecken sich parallel zu den Fin­ gern der Elektrode und überlappen diese von oben her be­ trachtet. Zwischen den Leisten existiert ein Spalt. Die Ka­ pazität, welche auf Feuchtigkeit reagiert, wird zwischen den Fingern der Elektrode und den Seitenwänden der Leisten ge­ bildet. Ein Abgleich dieses Sensors ist nicht vorgesehen.

In DE 32 03 990 A1 ist der Abgleichvorgang für einen kapazi­ tiven Sensor, bei welchem die Deckelelektrode mit einem La­ serstrahl durchschossen wird, beschrieben. Damit stellt sich das Problem, daß die Deckelelektrode beschädigt wird.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen abgleichbaren kapazitiven Sensor anzugeben, der auch bei hohen Feuchten feuchtebeständig ist und sich durch eine hohe Langzeitstabilität auszeichnet. Darüber hinaus soll ein Verfahren zum Abgleichen eines solchen Sensors angegeben werden.

Diese Aufgabe wird durch einen kapazitiven Sensor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.

Weiterbildungen eines solchen Sensors sind Gegenstand der Ansprüche 1 bis 7.

Ein Verfahren zum Abgleichen eines solchen kapazitiven Sensors ist Gegenstand des Anspruchs 8. Eine Weiterbildung dieses Verfahrens ist im Anspruch 9 angegeben.

Die Erfindung beruht also im wesentlichen darauf, die Grund­ elektrode und damit die auf dem Trägermaterial sitzende Elektrode, über der die Dielektrizitätsschicht samt darüber­ liegender Deckelelektrode angeordnet ist, mit einer Vielzahl von voneinander isolierten Elektrodenteilflächen auszubil­ den, die lediglich über elektrisch leitende und als Soll­ trennstellen dienende Kontaktbahnen mit dem Anschluß der Grundelektrode verbunden sind. Die Deckelelektrode ist erfindungsgemäß im Bereich über den Kontaktbahnen der Grund­ elektrode mit Aussparungen versehen.

Durch eine derartige Gestaltung des kapazitiven Sensors ist es in einfacher Weise möglich, den kapazitiven Sensor mit einem vorgegebenen Sollkapazitätswert am Ende des Herstel­ lungsprozesses zu versehen. Hierfür muß der aktuelle Kapa­ zitätswert des kapazitiven Sensors am Ende des Herstellpro­ zesses bei gegebener und bekannter Feuchte gemessen werden. Abhängig von diesem gemessenen Kapazitätswert müssen so viele Elektrodenteilflächen der Grundelektrode wirkungslos geschaltet werden, damit der vorgegebene Sollkapazitätswert erreicht wird. Hierfür werden diejenigen Elektrodenteilflä­ chen bestimmt, bei denen die Kontaktbahnen, die die Elektro­ denteilflächen mit dem Anschluß der Grundelektrode elek­ trisch verbinden, durchtrennt werden müssen. Anschließend werden die so ermittelten Kontaktbahnen durch ein geeignetes Verfahren, beispielsweise mittels Laserlicht, Sandstrahlen, Sägen, Ritzen oder dergleichen durchtrennt.

Da erfindungsgemäß die Deckelelektrode im Bereich über den Kontaktbahnen, die gegebenenfalls durchtrennt werden, Aus­ sparungen aufweist, kann ein Kurzschluß zwischen Deckelelek­ trode und Grundelektrode im Schnittbereich durch Ablagerung von feuchten Staub- bzw. Mikropartikeln vermieden, zumindest aber reduziert werden. Vorzugsweise ist die Aussparung der Deckelelektrode so gewählt, daß von oben auf die Deckelelek­ trode gesehen, die Aussparung einen größeren Durchmesser aufweist als die Schnittfläche.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Grundelektrode Elektrodenteilflächen auf, die über neben­ einander und auf einer gemeinsamen Geraden liegenden Kon­ taktbahnen mit dem Anschluß der Grundelektrode verbunden sind. Hierdurch ist es möglich, daß die Aussparung in der Deckelelektrode als Schlitz ausgebildet ist, der über den Kontaktbahnen liegt. Zum Abgleichen bzw. Trimmen des kapa­ zitiven Sensors ist dadurch lediglich eine Führung der Schnitteinrichtung entlang dieses Schlitzes notwendig. Bei Bedarf wird an den Stellen der durchtrennenden Kontaktbahnen der Schnitt, beispielsweise durch Laserlichtbestrahlung, durchgeführt.

In einer anderen Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Elektrodenteilflächen der Grundelektrode in ihren Größen jeweils gemäß dem Dualsystem zueinander abgestimmt sind. Die einzelnen Elektrodenteilflächen können so folgende Größenverhältnisse zueinander aufweisen, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 usw. Durch eine derartige Ausbildung ist eine "digitale" Größenvariation der wirksamen Grundelektrodenfläche möglich.

Die Erfindung wird nachfolgend im Zusammenhang mit vier Figuren näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 Ein Schnittbild durch die Struktur eines bekann­ ten kapazitiven Sensors,

Fig. 2 die Draufsicht auf eine Grundelektrode bei einem bekannten kapazitiven Sensor,

Fig. 3 ein Schnittbild durch die Struktur eines kapazi­ tiven Sensors nach der Erfindung, und

Fig. 4 die Draufsicht auf die Grundelektrode mit Elek­ trodenteilflächen eines kapazitiven Sensors nach der Erfindung.

Die in den nachfolgenden Figuren verwendeten gleichen Be­ zugszeichen, stehen, sofern nicht anders angegeben, für Teile mit gleicher Bedeutung.

In Fig. 1 ist das Schnittbild eines bekannten kapazitiven Sensors ausschnittsweise dargestellt. Der Sensor besteht im wesentlichen aus einem Trägerkörper 4, einer auf dem Träger­ körper 4 sitzenden Grundelektrode 3 sowie einer darüber befindlichen Dielektrizitätsschicht 2, die beispielsweise ein Polymer sein kann. Auf dem Polymer sitzt eine Deckelelektro­ de 1. Die Deckelelektrode 1 und die Grundelektrode 3 sind in nicht dargestellter Weise jeweils mit einem Anschluß verse­ hen. Zwischen diesen Anschlüssen ist ein Kapazitätswert meßbar, der von den wirksamen Elektrodenflächen der Deckel­ elektrode 1 sowie der Grundelektrode 3 abhängt. Darüber hinaus hängt dieser Kapazitätswert auch von der Dielektrizi­ tätskonstanten der verwendeten Dielektrizitätsschicht 2 ab. Schließlich, und das wird zur kapazitiven Feuchtebestimmung ausgenutzt, hängt der Kapazitätswert auch von der Feuchte ab, die auf den kapazitiven Sensor einwirkt. Bei bekannter Elektrodenfläche der Deckelelektrode 1 sowie der Grundelek­ trode 3 und bekannter Dielektrizitätskonstanten der Dielek­ trizitätsschicht 2 kann somit die Kapazitätsänderung an den Anschlüssen des kapazitiven Sensors zur Feuchtebestimmung ausgenutzt werden. In Fig. 2 ist die zu dem in Fig. 1 gezeigten kapazitiven Sensor zugehörige Grundelektrode 3 mit Anschluß 7 dargestellt. Die Grundelektrode 3 besteht im wesentlichen aus einer quadratischen, metallischen Fläche, die unstrukturiert ist.

Zum Abgleichen eines solchen bekannten kapazitiven Sensors ist es bekannt, beispielsweise mittels Laserlicht die Deckelelektrode 1 in vorgegebener Weise zu strukturieren bzw. durchtrennen. Hierbei wird die wirksame Elektrodenflä­ che der Deckelelektrode gezielt verkleinert, um den Kapazi­ tätswert des kapazitiven Sensors entsprechend einem vorge­ gebenen Sollkapazitätswert einzustellen.

Wie in Fig. 1 dargestellt, besteht beim Durchtrennen der Deckelelektrode 1 die Gefahr, daß nicht nur die Dielektri­ zitätsschicht 2 sondern auch die Grundelektrode 3 durch­ trennt bzw. angeschnitten wird. Der Trennschnitt ist in Fig. 1 mit dem Bezugszeichen 5 skizziert. In diesem Trenn­ schnitt 5 können sich Staub- und/oder Mikropartikel abla­ gern. Diese Staub- bzw. Mikropartikel sind in Fig. 1 mit dem Bezugszeichen 6 bezeichnet. Bei hoher Feuchte kann dies dazu führen, daß zwischen der Deckelelektrode 1 und der Grundelektrode 3 ein Kurzschluß auftritt, was die Verwendung des kapazitiven Sensors zur Feuchtemessung unmöglich macht.

In Fig. 3 ist ein Schnittbild durch die Struktur eines kapazitiven Sensors nach der Erfindung dargestellt. In Fig. 4 ist ein Ausführungsbeispiel einer zugehörenden Grundelek­ trode 3 gezeigt. Wie aus Fig. 3 ersichtlich, befindet sich auf dem Trägerkörper 4 wieder eine Grundelektrode 3, die im Gegensatz zur Grundelektrode von Fig. 2 jetzt in einzelne Elektrodenteilflächen 3a bis 3i unterteilt ist. Die Grund­ elektrode 3 weist eine Vielzahl solcher Elektrodenteilflä­ chen 3a bis 3i auf, die voneinander bis auf Kontaktbahnen 8 isoliert sind. Die Isolierung der einzelnen Elektrodenteil­ flächen 3a bis 3i voneinander wird durch eine beabstandete Anordnung der einzelnen Elektrodenteilflächen 3a bis 3i erreicht. Die einzelnen Elektrodenteilflächen 3a bis 3i sind über die erwähnten Kontaktbahnen 8 an den Anschluß 7 der Grundelektrode 3 elektrisch angeschlossen. Die elektrisch leitenden Kontaktbahnen 8 dienen als Solltrennstellen und liegen im Ausführungsbeispiel der Grundelektrode 3 von Fig. 4 auf einer Geraden nebeneinander.

Über dieser Grundelektrode 3 ist, ähnlich wie in Fig. 1, eine Dielektrizitätsschicht 2 angeordnet. Auf der Dielektri­ zitätsschicht 2 sitzt eine Deckelelektrode 1 auf, die im Bereich über den Kontaktbahnen 8 der Grundelektrode 3 Aus­ sparungen 9 aufweist. Obwohl im Ausführungsbeispiel von Fig. 3 die Dielektrizitätsschicht 2 über den Kontaktbahnen 8 der Grundelektrode 3 angeordnet ist, könnte die Dielek­ trizitätsschicht 2 an diesen Stellen auch entfallen bzw. Aussparungen aufweisen.

Die Aussparung 9 in der Deckelelektrode 1 ist so groß ge­ wählt, daß beim Durchtrennen der Kontaktbahnen 8 in der Grundelektrode 3 ein Trennschnitt durchgeführt werden kann, ohne die Deckelelektrode 1 zu beschädigen bzw. zu berühren. Zweckmäßigerweise wird die Aussparung 9 deshalb größer gewählt als die Schnittfläche der Durchtrennung. Hierdurch wird gewährleistet, daß bei im Trennschnitt 5 befindlicher Feuchtigkeit bzw. Flüssigkeit aufgrund hoher Feuchte kein Kurzschluß zwischen Deckelelektrode 1 und Grundelektrode 3 auftritt. Durch eine derartige große Ausbildung der Aus­ sparung 9 wird eine aufgrund der Kapillarwirkung der Flüs­ sigkeit entstehende elektrische Verbindung zwischen Deckel­ elektrode 1 und Grundelektrode 3 ausgeschlossen.

Um die Gesamtelektrodenfläche der Grundelektrode 3 mit den Elektrodenteilflächen 3a bis 3i in "digitaler" Weise vari­ ieren zu können, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die einzelnen Elektrodenteilflächen 3a bis 3i größenmäßig ent­ sprechend dem Dualsystem auszubilden. Die Elektrodenteilflä­ chen 3a bis 3i können hierfür beispielsweise folgende rela­ tiven Größen aufweisen: 1, 2, 4, 8, 16, 32 usw . . Das Verfah­ ren zum Abgleichen eines solchen kapazitiven Sensors ge­ schieht im wesentlichen mit folgenden Schritten:

• - Bestimmung eines Sollkapazitätswertes des kapazitiven Sensors,
• - Messen des aktuellen Kapazitätswertes des kapazitiven Sensors bei einer vorgegebenen Feuchte am Ende des Her­ stellprozesses des kapazitiven Sensors,
• - Bestimmung derjenigen Elektrodenteilflächen 3a bis 3i, bei denen die Kontaktbahnen 8 durchtrennt werden müssen, und
• - Durchtrennen der entsprechenden Kontaktbahnen 8 mittels einer geeigneten Einrichtung, z. B. einem Laser.

Die beim Messen des Kapazitätswertes des kapazitiven Sensors vorgegebene Feuchte kann beispielsweise die Feuchte bei normalem Raumklima sein. Um den Sollkapazitätswert zu errei­ chen, werden erfindungsgemäß also nur die jeweils notwendi­ gen Elektrodenteilflächen 3a bis 3i miteinander über die Kontaktbahnen 8 elektrisch verbunden. Erfindungsgemäß sind nach dem Herstellprozeß des kapazitiven Sensors zunächst sämtliche Elektrodenteilflächen 3a bis 3i über ihre Kontakt­ bahnen 8 miteinander elektrisch verbunden. Damit hat der kapazitive Sensor zunächst eine verhältnismäßig große Kapa­ zität, die voraussetzungsgemäß größer als die nach dem Trimmvorgang einzustellende Sollkapazität ist. Erfindungs­ gemäß werden zuvor ermittelte Kontaktbahnen durchtrennt, um die Kapazität des kapazitiven Sensors auf den Sollkapazi­ tätswert hin zu verkleinern.

Der erfindungsgemäße kapazitive Sensor weist eine gute Langzeitstabilität, Robustheit und einen großen Einsatzbe­ reich (0 . . . 100% rF) auf. Darüber hinaus werden erfindungsge­ mäß für die Feuchtemessung maßgebliche Teile, wie Deckel­ elektrode 1 und Grundelektrode 3 durch den Trimmvorgang weder bearbeitet noch belastet. Allein die Kontaktbahnen 8 der Grundelektrode 3, und gegebenenfalls die Dielektrizi­ tätsschicht 2 werden durchtrennt.

Bezugszeichenliste

1 Deckelelektrode
2 Dielektrizitätsschicht
3 Grundelektrode
3a Elektrodenteilfläche
3b Elektrodenteilfläche
3c Elektrodenteilfläche
3d Elektrodenteilfläche
3e Elektrodenteilfläche
3f Elektrodenteilfläche
3g Elektrodenteilfläche
3h Elektrodenteilfläche
3i Elektrodenteilfläche
3k Elektrodenteilfläche
4 Trägerkörper
5 Trennschnitt
6 Staub, Mikropartikel
7 Anschluß
8 Kontaktbahn
9 Aussparung

Claims (9)

1. Abgleichbarer kapazitiver Sensor mit einer auf einem Trägerkörper (4) angeordneten kapazitiven Einrichtung, welche eine auf dem Trägerkörper (4) sitzende Grundelek­ trode (3) und eine über der Grundelektrode (3) liegende Deckelelektrode (1) aufweist, wobei zwischen der Grund­ elektrode (3) und der Deckelelektrode (1) eine Dielek­ trizitätsschicht (3) angeordnet ist und die Deckelelek­ trode (1) und die Grundelektrode (3) mit Anschlüssen (7) versehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Grund­ elektrode (3) eine Vielzahl von voneinander isolierten Elektrodenteilflächen (3a bis 3i) aufweist, welche lediglich über elektrisch leitende und als Solltrenn­ stellen dienende Kontaktbahnen (8) mit dem Anschluß (7) der Grundelektrode (3) verbunden sind, und daß die Deckelelektrode (1) im Bereich der Kontaktbahnen (8) der Grundelektrode eine Aussparung (9) aufweist.

2. Abgleichbarer kapazitiver Sensor nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß die Kontaktbahnen (8) iden­ tisch zueinander ausgebildet sind.

3. Abgleichbarer kapazitiver Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussparung (9) der Deckelelektrode (1) ein Schlitz ist, unter welchem die Kontaktbahnen (8) der Grundelektrode (3) nebeneinander angeordnet sind.

4. Abgleichbarer kapazitiver Sensor nach einem der Ansprü­ che 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden­ teilflächen (3a bis 3i) jeweils unterschiedlich groß ausgebildet sind.

5. Abgleichbarer kapazitiver Sensor nach Anspruch 4, da­ durch gekennzeichnet, daß die Elektrodenteilflächen (3a bis 3i) nach dem Dualsystem zueinander abgestimmte Größen aufweisen.

6. Abgleichbarer kapazitiver Sensor nach einem der Ansprü­ che 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dielektri­ zitätsschicht (2) ein Polymer ist.

7. Verfahren zum Abgleichen eines kapazitiven Sensors nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch fol­ gende Verfahrensschritte:

• - Bestimmung eines Sollkapazitätswertes des kapazitiven Sensors.
• - Messen des Kapazitätswertes des kapazitiven Sensors bei einer vorgegebenen Feuchte.
• - Bestimmung derjenigen Elektrodenteilflächen (3a bis 3i) der Grundelektrode (3), bei denen die Kontaktbahnen (8) zum Erreichen des Sollkapazitätswertes durchtrennt werden müssen, und
• - Durchtrennen der entsprechenden Kontaktbahnen (8).

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Durchtrennen der entsprechenden Kontaktbahnen (8) mittels Laser erfolgt.

9. Verfahren nach Anspruch 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Durchtrennen der entsprechenden Kontaktbahnen entlang einer geraden Bahn erfolgt.