DE4434912A1 - Verfahren zur Herstellung einer Sensoreinrichtung mit GMR-Sensorelementen - Google Patents

Description

Gegenstand der nicht-vorveröffentlichten deutschen Patentan­ meldung P 44 27 495.5 ist eine besondere Sensoreinrichtung zur Erfassung eines äußeren Magnetfeldes. Die Sensoreinrich­ tung enthält hierzu eine Brückenschaltung mit vier paarweise zugeordneten diagonalen Brückenelementen, die sich in zwei zwischen Anschlußpunkten für einen über die Einrichtung zu führenden vorgegebenen Strom parallelgeschalteten Brücken­ zweigen befinden. Dabei soll mindestens eines der Brückenele­ mente als ein Sensorelement mit sehr großem magnetoresistiven Effekt (GMR) ausgebildet sein. Außerdem soll die Empfindlich­ keit mindestens eines der Brückenelemente bezüglich des äuße­ ren Magnetfeldes verschieden gegenüber der Magnetfeldempfind­ lichkeit anderer Brückenelemente sein. Vorzugsweise weist das mindestens eine Brückenelement mit großem magnetoresistiven Effekt einen schichtförmigen Aufbau insbesondere in Form eines Schichtpaketes mit einer magnetfeldempfindlichen Meß­ schicht und mindestens einer von der Meßschicht magnetisch zumindest weitgehend entkoppelten Biasschicht auf.

Bei solchen Schichtpaketen mit GMR-Effekt, wie sie insbeson­ dere für die Sensorelemente dieser Sensoreinrichtung verwen­ det werden können, ist der spezifische Widerstand ρ abhängig vom Winkel ϕ zwischen den Magnetisierungsrichtungen aufein­ anderfolgender ferromagnetischer Schichten. Dieser Widerstand kann in zwei Teile zerlegt werden, einen vom Winkel ϕ abhän­ gigen Anteil ρ₀, der bei einer parallelen Ausrichtungen der Magnetisierungen erhalten wird, und einen winkelabhängigen Anteil Δρ. In empfindlichen Systemen beträgt Δρ typischerwei­ se 15 bis 30% von ρ₀. Es zeigt sich jedoch, daß sowohl ρ₀ wie auch in geringerem Umfang Δρ eine Abhängigkeit von der Betriebstemperatur T besitzen. So ist bei Raumtemperatur T_a ρ₀, das von einem stark temperaturabhängigen Beitrag der Pho­ nonen und Magnonen geprägt ist, annähernd proportional zu T/T_a. Das bedeutet z. B., daß bei einer Temperaturerhöhung um 50°C über T_a sich eine Änderung von ρ₀ um etwa 17% ergibt. Eine solche Änderung ist für die meisten Anwendungen uner­ wünscht. Andererseits ist die Temperaturabhängigkeit Δρ mate­ rialabhängig, wobei sie für Fe größer ist als für Ni oder Co. Verglichen zu ρ₀ ist jedoch diese Abhängigkeit von Δρ, das im wesentlichen durch Streuungen an Gitterdefekten hervorgerufen wird, verhältnismäßig gering. Außerdem führen mechanische Verspannungen entsprechender Sensorelemente zu einer ρ₀-Ände­ rung und könnten als Beitrag zu Δρ aufgefaßt werden.

Bei der vorgeschlagenen Sensoreinrichtung wird nun von der Überlegung ausgegangen, daß mit einer Brückenschaltung eine Trennung der Summanden ρ₀ und Δρ des spezifischen Widerstan­ des ρ von Schichtpaketen mit GMR-Effekt derart möglich ist, daß eine Abhängigkeit der an den Meßpunkten der Brückenschal­ tung in der Mitte jedes Brückenzweiges abzunehmenden Meßspan­ nung praktisch nur noch von Δρ besteht. Voraussetzung hierzu ist, daß die Brückenelemente des Paares, welches die GMR-Brückenelemente enthält, sich praktisch nur hinsichtlich die­ ses Summanden Δρ, der auf Streueffekte an Gitterdefekten zu­ rückzuführen ist, unterscheiden. Da Δρ nur wenig tempera­ turabhängig ist, läßt sich so mit der Brückenschaltung vor­ teilhaft ein entsprechend temperaturkompensiertes Meßsignal in Abhängigkeit von dem äußeren Magnetfeld erhalten, das ge­ gebenenfalls auch bzgl. mechanischer Spannungen zwischen den Brückenelementen zumindest teilweise kompensiert ist.

Zur Herstellung einer entsprechenden Sensoreinrichtung können vorteilhaft alle Schichtpakete ihrer Brückenelemente, zumin­ dest aber die eines Paares von Brückenelementen mit unter­ schiedlicher Magnetfeldempfindlichkeit, auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet werden. Dann ist nämlich zu gewährlei­ sten, daß sich diese Brückenelemente zumindest weitgehend auf gleichem Temperaturniveau befinden, d. h. thermisch aneinander gekoppelt sind. Die temperaturabhängigen Anteile ρ₀ des spe­ zifischen Widerstandes ρ dieser Elemente gehen dann in die Meßspannung der Brückenschaltung praktisch nicht mehr ein.

Zur Realisierung eines entsprechenden Aufbaus in Planartech­ nik werden gemäß einem Vorschlag der genannten DE-Patentan­ meldung zunächst gleiche, erste Schichtpakete vorzugsweise aller Brückenelemente, d. h. auch die der Elemente mit glei­ cher Magnetfeldempfindlichkeit, auf dem Substrat erzeugt. Für letztere Elemente können jedoch gegebenenfalls auch andere identische Elemente vorgesehen werden. Zur Ausbildung des (ersten) Paares von Brückenelementen mit unterschiedlicher Magnetfeldempfindlichkeit wird dann in einem zweiten Schritt auf dem ersten Schichtpaket eines dieser Brückenelemente ein weiteres (zweites) Schichtpaket allein für dieses Element aufgebracht. Dieses zweite Schichtpaket unterscheidet sich von dem ersten Schichtpaket hinsichtlich seiner Signalemp­ findlichkeit. Dies läßt sich dadurch erreichen, daß man z. B. die Dicken von sich entsprechenden Schichten in den beiden Elementen unterschiedlich wählt. Auch unterschiedliche Magne­ tisierungsrichtungen in den entsprechenden Biasschichten der Schichtpakete sind möglich.

Statt dessen kann man zur Herstellung der vorgeschlagenen Sen­ soreinrichtung für alle ihre Brückenelemente einen Stapel von zwei unterschiedlichen Schichtpaketen vorsehen und dann für ein einziges Element dessen zweites Schichtpaket wieder ent­ fernen. Darüber hinaus ist es auch möglich, zumindest für die Brückenelemente mit unterschiedlicher Magnetfeldempfind­ lichkeit einen Stapel von einer größeren Anzahl von Schich­ tenpaketen vorzusehen, wobei für das Elementenpaar eine un­ terschiedliche Anzahl der Schichtpakete gewählt wird.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein weiteres Ver­ fahren zur Herstellung einer mit der genannten DE-Anmeldung vorgeschlagenen Sensoreinrichtung anzugeben, das sich ver­ hältnismäßig einfach ausführen läßt. Insbesondere sollen mit dem Verfahren Brückenelemente zu erhalten sein, deren thermi­ sche Kopplung verbessert ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit folgenden Schritten gelöst:

• 1) Auf einem allen Brückenelementen gemeinsamen Substrat wird der Aufbau mindestens eines Brückenelement es mit einer vorgegebenen Magnetfeldempfindlichkeit in dem hierfür vor­ gesehenen Bereich des Substrates ausgebildet,
• 2) das Substrat mit dem darauf befindlichen mindestens einen Brückenelement mit der vorgegebenen Magnetfeldempfind­ lichkeit wird als Trägerstruktur für einen Überzug aus dem Aufbau mindestens eines weiteren Brückenelement es mit der anderen Magnetfeldempfindlichkeit vorgesehen,
• 3) der Überzug aus dem Aufbau des mindestens einen weiteren Brückenelementes wird bis auf den mindestens einen Bereich des Substrates, in dem sich das mindestens eine weitere Brückenelement befinden soll, wieder entfernt,
• 4) gegebenenfalls werden die Schritte 2) und 3) mindestens einmal wiederholt, um noch mindestens ein weiteres Brückenelement auszubilden.

Da alle Brückenelemente unmittelbar und nebeneinander auf dem Substrat als wärmeleitender Brücke angeordnet sind, lassen sich so vorteilhaft annähernd gleiche Temperaturverhältnisse an den einzelnen Elementen gewährleisten. Ferner werden Ele­ mente mit guter Qualität erhalten. Normalerweise nimmt näm­ lich die Qualität eines Elementes mit wachsender Dicke ab, so daß insbesondere in Fällen mit gestapelten Schichtpaketen diejenigen, die weiter von dem Substrat entfernt sind, eine verminderte Qualität aufweisen. Außerdem führen Isolations­ schichten zwischen gestapelten Schichtpaketen zu einer uner­ wünschten thermischen Entkopplung dieser Schichtpakete und damit von dem Substrat. Mit dem vorliegenden Verfahren können insbesondere Schichtpakete erhalten werden, die entsprechende Qualitätseinbußen nicht aufweisen.

Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens gehen aus den Unteransprüchen hervor.

Zur weiteren Erläuterung wird nachfolgend auf die schemati­ sche Zeichnung Bezug genommen. Dabei zeigen deren Fig. 1 bis 6 einzelne Schritte eines ersten Verfahrens zur Herstel­ lung einer Sensoreinrichtung. Aus den Fig. 7 bis 11 gehen einzelne Schritte eines weiteren Herstellungsverfahrens her­ vor. In den Figuren sind sich entsprechende Teile jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen.

Eine mit den erfindungsgemäßen Maßnahmen herzustellende Sen­ soreinrichtung enthält vier Brückenelemente, die zu einer Brücke verschaltet werden. Die Brücke weist zwei Brücken­ zweige auf, die zwischen zwei Anschlußpunkten der Brücke pa­ rallelgeschaltet sind. Über die Brücke soll an diesen An­ schlußpunkten ein vorgegebener Strom geführt werden. Jeder der Brückenzweige enthält zwei in Reihe geschaltete Brücken­ elemente. Zwischen diesen beiden Elementen jedes Brückenzwei­ ges liegt je ein Meßpunkt der Brücke. An diesen Meßpunkten kann eine Meßspannung abgenommen werden.

Für die Brückenelemente soll allgemein gelten, daß die Emp­ findlichkeit mindestens eines der Elemente bezüglich eines äußeren Magnetfeldes verschieden ist gegenüber der Magnet­ feldempfindlichkeit von mindestens zwei anderen Brückenele­ menten. Es ergeben sich dann die folgenden Fälle:

• 1) Ein erstes Brückenelement ist hinsichtlich seiner Magnet­ feldempfindlichkeit verschieden gegenüber den restlichen drei Elementen. Zumindest zwei der restlichen drei Elemen­ te können untereinander auch verschieden sein. Vorteilhaft sind jedoch die restlichen drei Elemente alle gleich.
• 2) Zwei erste Brückenelemente sind bezüglich ihrer Magnet­ feldempfindlichkeit gleich, jedoch gegenüber den restli­ chen zwei Elementen verschieden. Dabei können die beiden restlichen Elemente gleiche oder unterschiedliche Magnet­ feldempfindlichkeiten aufweisen. Hierbei ist jedoch auszu­ schließen, daß die an dem ersten Anschlußpunkt der Brückenschaltung gemeinsam angeschlossenen Brückenelemente aus den beiden Brückenzweigen eine gleiche, erste Magnet­ feldempfindlichkeit besitzen, während die übrigen, mit dem zweiten Anschlußpunkt gemeinsam verbundenen Brückenelemen­ te eine gleiche, jedoch zweite Magnetfeldempfindlichkeit aufweisen. Ferner sollen auch nicht für die beiden Brückenzweige jeweils gleiche Elemente gewählt werden, wo­ bei die Elemente des ersten Brückenzweiges verschieden ge­ genüber denen des zweiten Brückenzweiges sind. In diesen genannten Fällen ist nämlich der angestrebte Zweck einer Kompensation der Temperaturabhängigkeit und/oder einer me­ chanischen Spannungsabhängigkeit nicht zu erreichen.

Brückenelemente mit gleicher Magnetfeldabhängigkeit bzw. -empfindlichkeit und damit gleichem elektrischen Widerstand R in einem Magnetfeld können auch so ausgeführt sein, daß ihre Magnetfeldempfindlichkeit praktisch Null ist; d. h., bei die­ sen Elementen handelt es sich dann um rein ohmsche Elemente. Auf alle Fälle weist die Brückenschaltung mindestens zwei Elemente auf, die nur im feldfreien Fall, d. h. ohne äußeres Magnetfeld, einen gleichen Widerstand R_m besitzen. Dieser Wi­ derstand soll sich bei vorhandenem Magnetfeld um einen Anteil ΔR_m ändern. Hierzu wird zumindest für eines dieser beiden Elemente ein Sensorelement mit sehr großem magnetoresistiven Effekt (GMR) gewählt. Der prinzipielle Aufbau eines entspre­ chenden Sensorelementes ist z. B. aus der DE-OS 42 32 244 be­ kannt. Dementsprechend enthält ein solches Brückenelement ein auf einem Substrat aufgebrachtes, für ein GMR-Element typi­ sches Schichtpaket. Dieses Schichtpaket besitzt als unterste Schicht eine hartmagnetische Schicht, eine darauf aufge­ brachte, als Koppelschicht wirkende Zwischenschicht sowie eine auf dieser Zwischenschicht abgeschiedene ferro- oder ferrimagnetische Schicht. Letztere Schicht stellt dabei eine Biasschicht mit im Meßbereich zumindest annähernd konstanter Magnetisierung in ihrer Schichtebene dar. Die drei genannten Schichten bilden ein sogenanntes Bias-Schichtsystem. Statt des Bias-Schichtsystems kann auch nur eine einzelne Bias-Schicht vorgesehen werden. Ein solches Schichtensystem kann mit einer magnetisch wenigstens annähernd entkoppelnden Zwi­ schenschicht abgedeckt sein, auf der sich eine magnetfeldemp­ findliche Meßschicht befindet. An dieser Meßschicht sind An­ schlußkontakte zum Führen des vorgesehenen Stromes über das Element angebracht. Dieser Aufbau des Schichtpaketes kann noch mit einer Schutzschicht überzogen sein.

Maßnahmen zur Gestaltung der Schichtpakete von zwei Brücken­ elementen derart, daß unterschiedliche Magnetfeldempfindlich­ keiten erhalten werden, sind aus der genannten, nicht-vorver­ öffentlichten DE-Patentanmeldung P 44 27 495.5 zu entnehmen. Diese Maßnahmen erstrecken sich insbesondere auf eine unter­ schiedliche Ausgestaltung der Bias-Schichtsysteme.

Nachfolgend sind zwei Verfahrenswege beschrieben, um eine Sensoreinrichtung mit Brückenelementen unterschiedlicher Ma­ gnetfeldempfindlichkeit zu erhalten.

Verfahrensweg I

Für den anhand der Fig. 1 bis 6 nachfolgend erläuterten Verfahrensweg sei eine Ausführungsform einer Sensoreinrich­ tung angenommen, bei der zunächst ein erstes Brückenelement mit einer ersten Magnetfeldempfindlichkeit hergestellt wird und sich daran die Herstellung der restlichen drei Brücken­ elementen mit einer zweiten Magnetfeldempfindlichkeit an­ schließt.

Gemäß Fig. 1 wird auf einem als Unterbau dienenden Substrat 2 zunächst eine Fotolackschicht aufgebracht. Diese Lackschicht wird anschließend in einem Bereich B1, in dem ein Schichtpaket eines ersten Brückenelement es erstellt werden sollen, z. B. mittels einer Fotolithographie-Technik entfernt. Die so gewonnene Struktur aus Substrat 2 und dar­ auf aufgebrachter, strukturierter Lackschicht 3 ist mit 4 bezeichnet und stellt eine Trägerstruktur für weitere Schichten dar.

Gemäß Fig. 2 wird auf der Struktur 4 ein (erstes) Schich­ tensystem 5 mit einer Schichtenfolge abgeschieden, die dem Aufbau des zu erstellenden ersten Brückenelementes ent­ spricht. Dieses einen Überzug der Struktur 4 darstellende Schichtensystem wird dann mit den darunterliegenden Teilen der strukturierten Lackschicht 3 außerhalb des Bereichs B1 wieder entfernt, wobei insbesondere eine sogenannte Lift-off-Technik eingesetzt wird. Für diese Technik wird vor­ teilhaft eine Dicke dl der Lackschicht 3 vorgesehen, die größer ist als die Dicke d2 des Schichtensystems 5. Es er­ gibt sich so eine in Fig. 3 veranschaulichte Struktur 6 aus Substrat 2 und darauf aufgebrachtem ersten Schichtpaket S1 des ersten Brückenelementes. Das Brückenelement sei mit E11 bezeichnet.

Den vorstehend beschriebenen Verfahrensschritten schließen sich nun analoge Schritte zur Herstellung der restlichen Brückenelemente E12, E21 und E22 an.

Gemäß Fig. 4 wird anschließend unter Einsatz von bekannten Lithographie-Techniken außerhalb von Bereichen B2, B3 und B4, an denen die Schichtpakete der restlichen Brückenele­ mente E12, E21 und E22 erstellt werden sollen, die als Un­ terbau dienende Struktur 6 aus Fig. 3 mit einer entspre­ chend strukturierten Lackschicht 7 versehen. Die so erhal­ tene Trägerstruktur ist mit 8 bezeichnet.

Gemäß Fig. 5 wird auf dieser Trägerstruktur 8 der Fig. 4 ein Überzug 9 aus einem (zweiten) Schichtensystem abge­ schieden, dessen Schichtenfolge der der zu erstellenden Schichtpakete der restlichen Brückenelemente entspricht. Dieser Überzug 9 wird dann zusammen mit den darunterlie­ genden Teilen der strukturierten Lackschicht 7 außerhalb der Bereiche B2 bis B4 wieder entfernt.

Übrig bleibt der in Fig. 6 gezeigte Aufbau aus dem Substrat 2 mit darauf aufgebrachten, nebeneinander angeord­ neten Schichtpaketen S1, S2, S2′, S2′′. Dabei ist das Schichtpaket S1 dem ersten Brückenelement E11 mit einer er­ sten Magnetfeldempfindlichkeit zugeordnet, während mit den Schichtpaketen S2, S2′ und S2′′ die restlichen Brückenele­ mente E12 bzw. E21 bzw. E22 mit einer zweiten Magnetfeld­ empfindlichkeit ausgebildet werden.

Sollen die restlichen Brückenelemente E12, E21 und E22 nicht alle den gleichen Aufbau des Überzugs 9 besitzen, so schließen sich analoge Schritte zur Herstellung der Elemen­ te mit abweichender Magnetfeldempfindlichkeit an. Ebenso ist es möglich, daß zunächst zwei oder drei Brückenelemente mit gleichem Aufbau in Form eines Schichtpakets S1 erstellt werden und dann das Substrat mit diesen Schichtpaketen als Trägerstruktur für die Schichtpakete der übrigen Brücken­ elemente dient.

Eine entsprechendes Ausführungsbeispiel sei dem nachfolgend anhand der Fig. 7 bis 11 beschriebenen Verfahrensweg II zugrundegelegt, wobei zunächst zwei Brückenelemente mit einer ersten Magnetfeldempfindlichkeit ausgebildet werden und sich daran die Herstellung der restlichen zwei Brückenelemente mit einer davon unterschiedlichen Magnetfeldempfindlichkeit an­ schließt.

Verfahrensweg II

Gemäß Fig. 7 wird auf einem als Unterbau dienenden Substrat 2 ein Überzug aus einem Schichtensystem 10 mit einer Schichtenfolge abgeschieden, die dem Aufbau der bei­ den ersten Schichtpakete der Brückenelemente mit gleicher (erster) Magnetfeldempfindlichkeit entspricht. Auf diesem Schichtensystem mit einer Dicke d3 werden anschließend in Bereichen B1 und B2, in denen die ersten Schichtpakete der (ersten) Brückenelemente E11 und E22 entstehen sollen, ent­ sprechend große Schichtteile 11a und 11b einer Hilfsschicht abgeschieden. Diese Hilfsschicht kann insbesondere aus einem Metall wie Ti bestehen und aufgesputtert werden. Sie wird durch bekannte Ätztechniken strukturiert. Ihre Dicke d4 ist dabei kleiner als die des Schichtensystems 10.

Danach wird gemäß Fig. 8 das Schichtensystem bis auf die von den Schichtteilen 11a und 11b der Hilfsschicht abge­ deckten Bereiche bis zur Oberfläche des Substrat es 2 wegge­ ätzt. Unterhalb der Schichtteile 11a und 11b verbleiben so die ersten Schichtpakete S1 und S1′ der beiden (ersten) Brückenelemente E11 und E22. Die so entstandene Struktur aus Substrat 2 und Schichtpaketen S1 und S1′ ist in der Figur mit 12 bezeichnet und dient als Träger bzw. Unterbau für weitere Schichten.

Den vorstehend beschriebenen Verfahrensschritten schließen sich nun analoge Schritte zur Herstellung der restlichen Brückenelemente E12 und E21 an.

Hierzu wird die Trägerstruktur 12 anschließend gemäß Fig. 9 mit einem Überzug 13 aus einem Schichtensystem abgedeckt, dessen Schichtenfolge dem Aufbau der auszubildenden zweiten Schichtpakete der restlichen (zweiten) Brückenelemente E12 und E21 entspricht.

Gemäß Fig. 10 werden dann auf diesem Schichtensystem 13 bzw. Überzug in Bereichen B3 und B4, in denen die zweiten Schichtpakete der restlichen Brückenelemente entstehen sol­ len, entsprechend große Hilfsschichtteile 15a und 15b, bei­ spielsweise aus dem Material der Hilfsschichtteile 11a und 11b, abgeschieden. Anschließend werden alle Teile des Schichtensystems 13 außerhalb der Bereiche B3 und B4 wieder entfernt. Gegebenenfalls können dabei auch die Hilfs­ schichtteile 15a und 15b sowie die Hilfsschichtteile 11a und 11b aus dem Ätzstopplack ebenfalls abgetragen werden.

Man erhält so den in Fig. 11 gezeigten Aufbau aus dem Substrat 2 mit darauf aufgebrachten, nebeneinander angeord­ neten Schichtpaketen S1, S1′, S2 und S2′. Dabei sind die Schichtpakete S1 und S1′ den ersten Brückenelementen E11 und E22 und die Schichtpakete S2, S2′ den zweiten Brücken­ elementen E12 und E21 zuzuordnen.

Abweichend von den dargestellten Verfahrenswegen ist auch eine Kombination einzelner Verfahrensschritte aus beiden Ver­ fahrenswegen möglich. So läßt sich zum Beispiel mindestens ein Schichtpaket S1 gemäß Verfahrensweg I herstellen, an­ schließend wird dieses Schichtpaket mit einem entsprechenden Lackschichtteil abgedeckt und dann werden die restlichen Schichtpakete S2 gemäß Verfahrensweg II ausgebildet. Ebenso ist auch eine umgekehrte Kombination der Verfahrensschritte möglich, indem mindestens ein erstes Schichtpaket gemäß Ver­ fahrensweg II hergestellt wird, dann der es abdeckende Lack­ schichtteil entfernt wird und anschließend die weiteren Schichtpakete gemäß Verfahrensweg I ausgebildet werden.

Claims (11)

1. Verfahren zur Herstellung einer Sensoreinrichtung zur Er­ fassung eines äußeren Magnetfeldes, die mit vier paarweise einander zugeordneten, diagonalen Brückenelementen in zwei zwischen Anschlußpunkten für einen vorgegebenen, über die Elemente zu führenden Strom parallelgeschalteten Brückenzwei­ gen einer Brückenschaltung versehen wird, wobei mindestens eines der Brückenelemente als ein einen sehr großen magneto­ resistiven Effekt (GMR) zeigendes Sensorelement und minde­ stens ein Brückenelement vorgesehen wird, dessen weitgehend gleiche Abhängigkeit von dem Magnetfeld und die anderen, ein zweites Paar bildenden diagonalen Empfindlichkeit bezüglich des äußeren Magnetfeldes verschieden ist gegenüber der Ma­ gnetfeldempfindlichkeit anderer Brückenelemente nach Patent . . . (Patentanmeldung P 44 27 495.5) ge­ kennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:

1. Auf einem allen Brückenelementen (E11, E12, E21, E22) ge­ meinsamen Substrat (2) wird der Aufbau (Schichtpaket S1) mindestens eines Brückenelementes (E11) mit einer vorge­ gebenen Magnetfeldempfindlichkeit in einem hierfür vorge­ sehenen Bereich (B1) des Substrates ausgebildet,

2. das Substrat (2) mit dem darauf befindlichen mindestens einen Brückenelement (E11) wird als eine Trägerstruktur (8) für einen Überzug (9) aus dem Aufbau (Schichtpakete S2, S2′, S2′′) mindestens eines weiteren Brückenelementes (E11, E21, E22) mit der anderen Magnetfeldempfindlichkeit vorgesehen,

3. der Überzug (9) aus dem Aufbau (Schichtpakete S2, S2′, S2′′) des mindestens einen weiteren Brückenelementes (E12, E21, E22) wird bis auf den mindestens einen Bereich (B2, B3, B4) des Substrates, in dem sich das mindestens eine weitere Brückenelement befinden soll, wieder entfernt,

4. gegebenenfalls werden die Schritte 2. und 3. mindestens einmal wiederholt, um noch mindestens ein weiteres Brückenelement auszubilden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet,

• - daß zur Ausbildung mindestens eines Brückenelementes (E11; E12, E21, E22) auf dem jeweiligen Unterbau (Substrat 2 bzw. Struktur 6) eine Lackschicht (3 bzw. 7) aufgebracht wird, die so strukturiert wird, daß die Oberfläche des Unterbaus nur außerhalb des zur Ausbildung des mindestens einen Brückenelementes vorgesehenen Bereiches (B1 bzw. B2, B3, B4) beschichtet wird,
• - daß dann auf der so gebildeten Trägerstruktur (4 bzw. 8) der Überzug (5 bzw. 9) aus dem Aufbau (S1 bzw. S2, S2′, S2′′) des mindestens einen Brückenelementes abgeschieden wird und
• - daß anschließend die strukturierte Lackschicht mit den auf ihr befindlichen Teilen des Überzugs wieder entfernt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur Entfernung der strukturierten Lackschicht (3, 7) mit den auf ihr befindlichen Teilen des Überzugs (5 bzw. 9) eine Lift-Off-Technik vorgesehen wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß eine Lackschicht (3) mit einer Dicke (d1) vorgesehen wird, die größer als die Dicke (d2) des Überzugs (5, 9) ist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur Ausbildung mindestens eines Brückenelementes (E11, E22; E12, E21) auf dem jeweiligen Un­ terbau (Substrat 2 bzw. Struktur 12)

• - zunächst ein Überzug (10 bzw. 13) aus dem Aufbau (S1, S1′ bzw. S2, S2′) des mindestens einen Brückenelementes abge­ schieden wird,
• - dann auf diesen Überzug eine Hilfsschicht (11a, 11b; 15a, 15b) aufgebracht wird, die so strukturiert wird, daß die Oberfläche des Unterbaus nur in dem zur Ausbildung des min­ destens einen Brückenelementes vorgesehenen Bereich (B1, B2 bzw. B3, B4) mit der Hilfsschicht beschichtet wird
• - und anschließend der Überzug außerhalb seiner von der strukturierten Hilfsschicht abgedeckten Teile wieder ent­ fernt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine Hilfsschicht (11a, 11b, 15a, 15b) mit einer Dicke (d4) vorgesehen wird, die kleiner als die Dicke (d3) des darunterliegenden Überzugs (10, 13) ist.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Hilfsschicht (11a, 11b, 15a, 15b) aus einem Metall aufgesputtert wird und mittels Ät­ zens strukturiert wird.