DE4408791B4 - Process for producing a silicon oxide semiconductor film - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumoxidhalbleiterfilms, der sich aus einem amorphen Siliciumoxid zusammensetzt, welcher eine mikrokristalline Siliciumphase enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Film durch Zersetzen eines Materialgases enthaltend wenigstens SiH4, CO2 und H2 mit einem CO2/(SiH4 + CO2)-Strömungsratenverhältnis von 0,6 oder weniger hergestellt wird.A process for producing a silicon oxide semiconductor film composed of an amorphous silica containing a microcrystalline silicon phase, characterized in that the film is formed by decomposing a material gas containing at least SiH 4 , CO 2 and H 2 with a CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) flow rate ratio of 0.6 or less.

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Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliciumoxidhalbleiterfilms, der als Fensterschicht in einer fotovoltaischen Zelle aus amorphem Silicium (a-Si) geeignet ist.The The present invention relates to a process for producing a Silicon oxide semiconductor film serving as a window layer in a photovoltaic Cell of amorphous silicon (a-Si) is suitable.

Eine fotovoltaische Zelle mit a-Si als Hauptmaterial, das durch Glimmentladungszersetzung eines Materialgases oder einen Foto-CVD-ProzeB hergestellt wurde, zeichnet sich durch einen Dünnfilmaufbau sowie dadurch aus, daß leicht eine große Oberfläche erzielbar ist und die Herstellungskosten gering sind. Bei fotovoltaischen Zellen diese Art handelt es sich meistens um PIN-Zellen mit PIN-Übergängen. 2 zeigt den Aufbau einer solchen fotovoltaischen Zelle, die dadurch hergestellt wird, daß nacheinander auf einem Glassubstrat 1 eine transparente Elektrode 2, eine p-leitende a-Si-Schicht 3, eine p/i Zwischenschicht 4, eine i-leitende a-Si-Schicht 5, eine n-leitende a-Si-Schicht 6 und eine Metallelektrode 7 aufgeschichtet werden. Diese fotovoltaische Zelle erzeugt elektrische Energie aufgrund von Licht, das durch das Glassubstrat 1 einfällt.A photovoltaic cell having a-Si as the main material prepared by glow discharge decomposition of a material gas or a photo CVD process is characterized by a thin film structure and by the fact that a large surface area is easily achieved and the manufacturing cost is low. Photovoltaic cells of this type are mostly PIN cells with PIN transitions. 2 shows the construction of such a photovoltaic cell, which is produced by successively on a glass substrate 1 a transparent electrode 2 , a p-type a-Si layer 3 , a p / i interlayer 4 , an i-type a-Si layer 5 , an n-type a-Si layer 6 and a metal electrode 7 be piled up. This photovoltaic cell generates electrical energy due to light passing through the glass substrate 1 incident.

Foto-Ladungsträger, die hier zur Energieerzeugung beitragen, werden hauptsächlich in der i-Schicht erzeugt, während die p-Schicht und die n-Schicht tote Schichten bleiben. Zur Erhöhung der Ausgangsleistung einer fotovoltaischen Zelle, bei der das Licht über die p-Schicht 3 eintritt, wie in 2 gezeigt, ist es wichtig, den Lichtabsorptionskoeffizienten der eine Fensterschicht darstellenden p-Schicht zu verringern, so daß möglichst viel Licht die i-Schicht 5 erreicht. Zu diesem Zweck kann der optische Absorptionsverlust durch Erhöhen der optischen Lücke (Eg) in der p-Schicht reduziert werden. Zur Realisierung dieser Wirkung können Kohlenstoffatome zugesetzt werden, wie in der JP 56-64476 A beschrieben, Stickstoffatome zugesetzt werden, wie in der JP 57-181176 A beschrieben, Sauerstoffatome zugesetzt werden, wie in der JP 56-142680 A beschrieben, und Sauerstoffatome und Kohlenstoffatome zugesetzt werden, wie in den Druckschriften JP 58-196064 A und JP 61-242085 A beschrieben.Photocarriers contributing to energy production are generated mainly in the i-layer, while the p-layer and the n-layer remain dead layers. To increase the output power of a photovoltaic cell, where the light passes through the p-layer 3 enters, as in 2 As shown, it is important to reduce the light absorption coefficient of the p-layer constituting a window layer so that as much light as possible is the i-layer 5 reached. For this purpose, the optical absorption loss can be reduced by increasing the optical gap (Eg) in the p-layer. For realizing this effect, carbon atoms can be added as described in JP 56-64476 A, nitrogen atoms are added as described in JP 57-181176 A, oxygen atoms are added as described in JP 56-142680 A, and oxygen atoms and Carbon atoms are added, as described in the publications JP 58-196064 A and JP 61-242085 A.

Aus einem kürzlichen Bericht ergibt sich, daß in einen amorphen Siliciumcarbidfilm (a-SiC), dem Kohlenstoffatome zugesetzt wurden, erfolgreich eine mikrokristalline Phase eingeschlossen wurde, und zwar durch Verwendung des in der JP 64-051618 A beschriebenen ECR-CVD-Verfahrens oder des Plasma-CVD-Verfahrens, das in „Characterization of High-Conductive p-Type a-SiC:H Produced by Highly Hydrogen Dilution" von Kenichi Hanaki et al. in der Druckschrift "Technical Digest of the International PVSEC-3 (1987), Seite 49 beschrieben ist. Ein solcher Film hat infolge seiner a-SiC-Phase, die die mikrokristalline Si-Phase enthält, eine höhere Lichtleitfähigkeit und bessere elektrische Eigenschaften.Out a recent one Report shows that in an amorphous silicon carbide film (a-SiC), the carbon atoms were added, successfully including a microcrystalline phase was described by using the in JP 64-051618 A. ECR-CVD method or the plasma CVD method described in "Characterization of High-Conductive p-Type a-SiC: H Produced by Highly Hydrogen Dilution "by Kenichi Hanaki et al. in the publication "Technical Digest of the International PVSEC-3 (1987), page 49 is. Such a film has due to its a-SiC phase, the microcrystalline Si phase contains a higher one photoconductivity and better electrical properties.

Dadurch, daß man den a-Si-Film so ausbildet, daß er die mikrokristalline Si Phase enthält, wie oben beschrieben, wird die Lichtleitfähigkeit erhöht, die abzunehmen neigt, wenn Atome von Elementen anderer Art zur Erweiterung der optischen Lücke zugesetzt werden. Dies ist also ein vielversprechendes Verfahren zur Verbesserung der Eigenschaften der Fensterschicht der fotovoltaischen Zelle. Das bekannte Verfahren zur Mikrokristallisierung des a-SiC-Films ist jedoch schwierig industriell umzusetzen, da es die Filmherstellungsbedingungen für die Mikrokristallisation auf einen engen Bereich begrenzt und es darüberhinaus schwierig macht, die Abscheidungsrate zu erhöhen.Thereby, that he the a-Si film is formed so that he containing the microcrystalline Si phase as described above the light conductivity elevated, which tends to decrease when atoms of elements of other kind expand the optical gap be added. So this is a promising process to improve the properties of the window layer of the photovoltaic Cell. The known method for microcrystallization of the a-SiC film However, it is difficult to implement industrially because of the film manufacturing conditions for the Microcrystallization limited to a narrow range and beyond difficult to increase the deposition rate.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Films zu schaffen, mit dem industriell ein Siliciumoxid-(SiO)-Halbleiterfilm mit einem niedrigen Lichtabsorptionskoeffizienten und hoher Lichtleitfähigkeit geschaffen werden kann, der in auf a-Si-basierenden Filmen einen amorphen mikrokristallisierten Siliciumoxidfilm (a-SiO) aufweist, der ein Oxid enthält.task The present invention is a process for the preparation of a film industrially using a silica (SiO) semiconductor film with a low light absorption coefficient and high light conductivity which can be created in a-Si based films having amorphous microcrystallized silicon oxide film (a-SiO), which contains an oxide.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst.These Task is achieved by a method according to claim 1 solved.

Dabei wird in dem Materialgas eine Glimmentladung erzeugt, um die Gasmischung bei einer hochfrequenten Leistungsdichte von 40 mW/cm2 oder mehr zu zersetzen. Der Lichtabsorptionskoeffizient für Licht einer Wellenlänge von 340 nm oder mehr in dem erhaltenen SiO Halbleiterfilm beträgt 106 cm–1 oder weniger, und die Lichtleitfähigkeit liegt bei 10–6 S/cm oder mehr. Darüberhinaus ist es wirksam, als eine Fensterschicht in der fotovoltaischen Zelle einen p-leitenden oder einen n-leitenden Film zu benutzen, der durch Mischen des Materialgases mit einem Dotierungsgas erhalten wird.In this case, a glow discharge is generated in the material gas in order to decompose the gas mixture at a high-frequency power density of 40 mW / cm 2 or more. The light absorption coefficient for light of a wavelength of 340 nm or more in the obtained SiO 2 semiconductor film is 10 6 cm -1 or less, and the optical conductivity is 10 -6 S / cm or more. Moreover, it is effective to use as a window layer in the photovoltaic cell a p-type or n-type film obtained by mixing the material gas with a doping gas.

Das Herstellen einer Fensterschicht für eine fotovoltaische Zelle unter Verwendung eines SiH4, Co2 und H2 enthaltenden Materialgases ist in der zuvor genannten JP 61-242085 A beschrieben, wobei der Wert des Gasströmungsratenverhältnisses von Co2 zu (SiH4 + Co2) 0,83 beträgt, und der erhaltene a-Si-Film Sauerstoffatome und Kohlenstoffatome enthält. Wenn dagegen das genannte Verhältnis 0,6 oder weniger beträgt, liegt der Kohlenstoffanteil unterhalb der Meßgrenze, insbesondere bei einem Film, der durch eine Glimmentladung bei einer hochfrequenten Leistungsdichte von 40 mW/cm2 oder mehr erhalten wurde, und der Film wird zu einer SiO-Phase, die eine mikrokristallisierte Si Phase und eine a-SiO-Phase enthält und einen hohen Lichtabsorptionskoeffizienten bei einer Lichtleitfähigkeit von mehr als 10–6 S/cm aufweist.Producing a window layer for a photovoltaic cell using a SiH 4 , Co 2 and H 2 -containing material gas is described in the aforementioned JP 61-242085 A, wherein the value of the gas flow rate ratio of Co 2 to (SiH 4 + Co 2 ) is 0.83, and the obtained a-Si film contains oxygen atoms and carbon atoms , On the other hand, when said ratio is 0.6 or less, the carbon content is below the measurement limit, particularly, a film obtained by a glow discharge at a high-frequency power density of 40 mW / cm 2 or more, and the film becomes SiO Phase containing a microcrystallized Si phase and an α-SiO phase and having a high light absorption coefficient at a photoconductivity of more than 10 -6 S / cm.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:embodiments The invention will be explained in more detail with reference to the drawings. Show it:

1 in einer graphischen Darstellung den Zusammenhang zwischen der Lichtenergie und dem Lichtabsorptionsko effizienten eines p-leitenden SiO-Films gemäß einer Ausführungsform der Erfindung und eines p-leitenden a-SiO-Films gemäß dem Stand der Technik, 1 2 is a graph showing the relationship between the light energy and the light absorption coefficient of a p-type SiO 2 film according to an embodiment of the invention and a p-type a-SiO 2 film according to the prior art;

2 eine Querschnittsansicht einer fotovoltaischen Zelle, bei der ein gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellter p-leitender SiO-Film verwendet werden kann, 2 a cross-sectional view of a photovoltaic cell, in which a p-type SiO film prepared according to the present invention can be used,

3 eine graphische Darstellung, die den Zusammenhang zwischen der Lichtenergie und dem Lichtabsorptionskoeffizienten eines gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellten p-leitenden SiO-Films for verschiedene CO2/(SiH4 + CO2) Gasströmungsratenverhältnisse während der Filmherstellung als Parameter zeigt, 3 4 is a graph showing the relationship between the light energy and the light absorption coefficient of a p-type SiO 2 film prepared according to an embodiment of the present invention for various CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) gas flow rate ratios during film production as parameters;

4 eine graphische Darstellung des Zusammenhangs zwischen der Lichtenergie und dem Lichtabsorptionskoeffizienten eines gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellten n-leitenden SiO-Films für verschiedene CO2/(SiH4 + CO2) Gasströmungsratenverhältnisse als Parameter, und 4 FIG. 4 is a graph showing the relationship between the light energy and the light absorption coefficient of an n-type SiO 2 film prepared according to another embodiment of the present invention for various CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) gas flow rate ratios as parameters, and FIG

5 eine graphische Darstellung des Zusammenhangs zwischen dem CO2/(SiH4 + CO2) Gaströmungsratenverhältnis und der Lichtleitfähigkeit eines gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellten p-leitenden und eines n-leitenden SiO-Films. 5 FIG. 4 is a graph showing the relationship between the CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) gas flow rate ratio and the photoconductivity of a p-type and n-type SiO 2 films produced according to an embodiment of the present invention.

Unter den folgenden Bedingungen wurden p-leitende und n-leitenden SiO-Filme hergestellt: Mischen von SiH4, CO2 und H2, Zusetzen von B2H6 oder PH3 als Dotierungsgas zu dem Materialgas und Variieren des Strömungsratenverhältnisses für die einzelnen Gase: CO2/(SiH4 + CO2) 0 bis 0,6 H2/SiH4 160 bis 320 B2H6/SiH4 oder PH3/SiH4 0,08 Substrattemperatur 150°C Druck 0,5 Torr (67 Pa) Hochfrequenzleistungsdichte 50mW/cm2. Under the following conditions, p-type and n-type SiO 2 films were prepared: mixing SiH 4 , CO 2 and H 2 , adding B 2 H 6 or PH 3 as a dopant gas to the material gas, and varying the flow rate ratio for the individual gases : CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) 0 to 0.6 H 2 / SiH 4 160 to 320 B 2 H 6 / SiH 4 or PH 3 / SiH 4 0.08 substrate temperature 150 ° C print 0.5 torr (67 Pa) RF power density 50mW / cm 2 .

3 zeigt die Abhängigkeit des Absorptionskoeffizienten für Licht mit Wellenlängen von 340 nm bis 500 nm in p-leitenden Filmen, die durch Zusetzen von B2H6 als Dotierungsgas erzeugt wurden, von dem Gasströmungsratenverhältnis CO2/(SiH4 + CO2). Es hat sich herausgestellt, daß der Absorptionskoeffizient selbst für Licht kürzerer Wellenlängen 106 cm–1 oder weniger beträgt, mit zunehmender Wellenlänge abnimmt und mit zunehmenden Strömungsratenverhältnis ebenfalls abnimmt. 4. zeigt die Abhängigkeit des Absorptionskoeffizienten von den Gasströmungsratenverhältnis bei n-leitenden Filmen, die durch Zusetzen von PH3 als Dotierungsgas hergestellt wurden. Man beobachtet denselben Trend wie bei p-leitenden Filmen. Eine Analyse der hergestellten p-leitenden und der n-leitenden Filme unter Verwendung von ESCA bestätigte, daß der Sauerstoffanteil zunimmt, wenn die Strömungsrate des zugemischten CO2 relativ erhöht wird. Der Sauerstoffanteil betrug 25 bis 40 % bezogen auf das Atomgewicht, während der Kohlenstoffanteil unterhalb der Meßgrenze von 1 % lag. 3 shows the dependence of the absorption coefficient for light having wavelengths of 340 nm to 500 nm in p-type films formed by adding B 2 H 6 as a doping gas, from the gas flow rate ratio CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ). It has been found that the absorption coefficient is even for light of shorter wavelengths 10 6 cm -1 or less, decreases with increasing wavelength and also decreases with increasing flow rate ratio. 4 , shows the dependence of the absorption coefficient on the gas flow rate ratio in n-type films prepared by adding PH 3 as a dopant gas. The same trend is observed as with p-type films. An analysis of the prepared p-type and n-type films using ESCA confirmed that the oxygen content increases as the flow rate of the admixed CO 2 is relatively increased. The oxygen content was 25 to 40% based on the atomic weight, while the carbon content was below the measurement limit of 1%.

5 zeigt die Abhängigkeit der Lichtleitfähigkeit von dem Strömungsratenverhältnis. Die Lichtleitfähigkeit fällt mit zunehmender CO2-Strömungsrate, und die eine n-leitende Schicht repräsentierende Linie 51 zeigt eine höhere Lichtleitfähigkeit als die p-leitende Schicht, die durch die Linie 52 dargestellt ist. Zur Erzielung einer Lichtleitfähigkeit von mehr als 10–6 S/cm muß das Strömungsratenverhältnis CO2/(SiH4 + CO2) unter 0,6 liegen. 5 shows the dependence of the photoconductivity on the flow rate ratio. The optical conductivity decreases with increasing CO 2 flow rate, and the line representing an n-type layer 51 shows a higher photoconductivity than the p-type layer passing through the line 52 is shown. To achieve a light conductivity of more than 10 -6 S / cm, the flow rate ratio CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) must be less than 0.6 lie.

Messungen der Raman-Streuung an dem auf diese Weise erhaltenen SiO-Film ergaben, daß eine Spitze bei etwa 530 cm–1 vorhanden ist, was die Existenz von Si-Kristallen in den Raman-Spektren und die Koexistenz der mikrokristallinen Si-Phase und der a-SiO-Phase. Es bestätigte sich, daß die Stärke der Spitze bei etwa 530 cm–1 mit zunehmendem CO2/(SiH4 + CO2) Strömungsratenverhältnis abnimmt.Raman scattering measurements on the SiO 2 film obtained in this way revealed that a peak is present at about 530 cm -1 , indicating the existence of Si crystals in the Raman spectra and the coexistence of the microcrystalline Si phase and the Si a-SiO phase. It was confirmed that the thickness of the tip at about 530 cm -1 decreases with increasing CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) flow rate ratio.

1 vergleicht den Lichtabsorptionskoeffizienten des SiO-Films gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bei etwa 10–6 S/cm (was die untere Grenze ist, bei der die Lichtleitfähigkeit als Fensterschicht in einer fotovoltaischen Zelle verwendet werden kann) mit dem eines herkömmlichen p-leitenden a-SiO-Films. Es ergab sich, daß der Lichtabsorptionskoeffizient eines a-SiO-Films, der eine mikrokristalline Phase enthält und durch die Linie 11 dargestellt ist, ein Drittel des Lichtabsorptionskoeffizienten eines a-SiO-Films beträgt, der keine mikrokristalline Phase enthält und durch die Linie 12 dargestellt ist, und zwar über einen weiten Bereich von Wellenlängen, und daß der p-leitende a-SiO-Film ein vielversprechendes Material zur Verwendung als Fensterschicht in einer fotovoltaischen Zelle zusammen mit einem n-leitenden Film gleicher Eigenschaften ist. 1 compares the light absorption coefficient of the SiO 2 film according to the embodiment of the present invention at about 10 -6 S / cm (which is the lower limit at which the photoconductivity can be used as a window layer in a photovoltaic cell) with that of a conventional p-type a -SiO film. It was found that the light absorption coefficient of an a-SiO film containing a microcrystalline phase and through the line 11 is one third of the light absorption coefficient of an a-SiO film containing no microcrystalline phase and through the line 12 over a wide range of wavelengths, and that the a-SiO 2 p-type film is a promising material for use as a window layer in a photovoltaic cell together with an n-type film of the same characteristics.

Filme, die unter Verwendung von C2H2 anstelle von CO2 unter denselben Bedingungen, mit Ausnahme des Materialgases, wie in der oben beschriebenen Ausführungsform hergestellt worden, zeigten keine Raman-Spektren mit einer Spitze bei etwa 530 cm–1 (die die Existenz einer Si-Kristallphase anzeigen würde) und waren nicht mikrokristallisiert, obwohl der Kohlenstoffanteil in den erhaltenen Filmen nur 20 % bezogen auf das Atomgewicht betrug. Diese Tatsache deutet an, daß die Kohlenstoffatome die Mikrokristallisation des Siliciums wirksamer verhindern als die Sauerstoffatome, und es hat sich gezeigt, daß die so hergestellten Filme nicht als Material für die Fensterschicht in der fotovoltaischen Zelle geeignet sind, und zwar wegen der Abnahme der Lichtleitfähigkeit, selbst wenn der Lichtabsorptionskoeffizient durch Verwendung größerer Lücken verringert wäre.Films prepared using C 2 H 2 instead of CO 2 under the same conditions, except for the material gas, as in the embodiment described above, did not show Raman spectra with a peak at about 530 cm -1 (indicating existence Si crystal phase) and were not microcrystallized although the carbon content in the obtained films was only 20% by atomic weight. This fact indicates that the carbon atoms prevent the microcrystallization of the silicon more effectively than the oxygen atoms, and it has been found that the films thus prepared are not suitable as a material for the window layer in the photovoltaic cell because of the decrease of the photoconductivity. even if the light absorption coefficient were reduced by using larger gaps.

Durch die vorliegende Erfindung ist es möglich geworden, einen SiO-Film mit einer a-SiO-Phase zu schaffen, der eine Si mikrokristalline Phase aber keinen Kohlenstoff enthält. Für den a-SiO-Film verwendet CO2 mit einem niedrigen Mischungsverhältnis als Sauerstoffquelle und eine Gasmischung aus SiH4 und H2 zur Erzeugung einer mikrokristallisierten Si-Phase verwendet. Als Folge kann ein auf a-Si basierender Film erzeugt werden, der einen geringen Lichtabsorptionskoeffizienten aufweist, und zwar als Folge der Verwendung breiterer optischer Lücken durch Sauerstoffatome, sowie eine hohe Lichtleitfähigkeit als Folge der Existenz der mikrokristallisierten Phase. Daher kann der Film sehr wirksam für die p-leitende oder n-leitende Fensterschicht in einer auf a-Si basierenden fotovoltaischen Zelle eingesetzt werden.By the present invention, it has become possible to provide a SiO film having an a-SiO phase containing a microcrystalline Si phase but no carbon. For the a-SiO 2 film, CO 2 having a low mixing ratio uses as an oxygen source and a gas mixture of SiH 4 and H 2 is used for producing a microcrystallized Si phase. As a result, an a-Si based film having a low light absorption coefficient can be produced as a result of using wider optical gaps by oxygen atoms, as well as a high light conductivity due to the existence of the microcrystallized phase. Therefore, the film can be used very effectively for the p-type or n-type window layer in an a-Si based photovoltaic cell.

Claims (7)

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumoxidhalbleiterfilms, der sich aus einem amorphen Siliciumoxid zusammensetzt, welcher eine mikrokristalline Siliciumphase enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Film durch Zersetzen eines Materialgases enthaltend wenigstens SiH4, CO2 und H2 mit einem CO2/(SiH4 + CO2)-Strömungsratenverhältnis von 0,6 oder weniger hergestellt wird.A process for producing a silicon oxide semiconductor film composed of an amorphous silica containing a microcrystalline silicon phase, characterized in that the film is formed by decomposing a material gas containing at least SiH 4 , CO 2 and H 2 with a CO 2 / (SiH 4 + CO 2 ) flow rate ratio of 0.6 or less. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Glimmentladung in dem Materialgas bei einer Hochfrequenzleistungsdichte von 40 mW/cm2 oder mehr zur Zersetzung des Materialgases erfolgt.A method according to claim 1, characterized in that a glow discharge in the material gas occurs at a high frequency power density of 40 mW / cm 2 or more for decomposing the material gas. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch Mischen des Materialgases mit einem Dotierungsgas ein p-leitender oder ein n-leitender Film hergestellt wird.Method according to claim 1 or 2, characterized that by Mixing the material gas with a doping gas a p-type or an n-type film is produced. Siliciumoxidhalbleiterfilm hergestellt nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sein Lichtabsorptionskoeffizient für Wellenlängen von 340 nm oder mehr 106 cm–1 oder weniger beträgt.A silicon oxide semiconductor film produced by the method according to claim 1 or 2, characterized in that its light absorption coefficient for wavelengths of 340 nm or more is 10 6 cm -1 or less. Siliciumoxidhalbleiterfilm hergestellt nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß seine Lichtleitfähigkeit 10–6 S/cm oder mehr beträgt.A silicon oxide semiconductor film produced by the method according to claim 1 or 2, characterized in that its optical conductivity is 10 -6 S / cm or more. Siliciumoxidhalbleiterfilm nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem Film um einen p-leitenden oder einen n-leitenden Film handelt.A silicon oxide semiconductor film according to claim 4 or 5, characterized in that it the film is a p-type or n-type film. Verwendung des Siliciumoxidhalbleiterfilms nach Anspruch 4 bis 6 als Fensterschicht in einer fotovoltaischen Zelle.Use of the silicon oxide semiconductor film according to claim 4 to 6 as a window layer in a photovoltaic small cell.
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