DE4334572C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVDInfo
- Publication number
- DE4334572C2 DE4334572C2 DE4334572A DE4334572A DE4334572C2 DE 4334572 C2 DE4334572 C2 DE 4334572C2 DE 4334572 A DE4334572 A DE 4334572A DE 4334572 A DE4334572 A DE 4334572A DE 4334572 C2 DE4334572 C2 DE 4334572C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- coating
- gas inlet
- coated
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/003—General methods for coating; Devices therefor for hollow ware, e.g. containers
- C03C17/004—Coating the inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung der Innenfläche
stark gewölbter, im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mit einem di
elektrischen und/oder metallischen Schichtsystem mittels eines CVD (Chemical
Vapor Deposition)-Verfahrens, bei welchem die Reaktionsgase, welche die
Schichtbildnermoleküle enthalten, durch eine gegenüber dem Kalottenschei
telpunkt und beabstandet von diesem angeordnete Gasaustrittsöffnung in
die Reaktionskammer mit dem(n) zu beschichtenden Substrat(en) eingeleitet
werden, und sodann in an sich bekannter Weise durch Erzeugung einer Reak
tionszone an der zu beschichtenden Substratinnenfläche die Abscheidung des
Schichtmaterials auf dem Substrat bewirkt wird. Des weiteren betrifft die
Erfindung auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist insbesondere zur Herstellung
von Reflektoren geeignet. Ein solches Verfahren ist beispielsweise in der
DE 40 08 405 C1 beschrieben.
Reflektoren bestehen in der Regel aus gewölbten, annähernd kalottenförmi
gen Substraten ("Kalotten"), meist aus Glas, mit einer innenseitigen Re
flexionsbeschichtung, z. B. einer Kaltlichtspiegelbeschichtung. Insbesonde
re werden als Substrate üblicherweise durch Pressen geformte Glasrohlinge
verwendet, welche auf ihrer äußeren Oberfläche bereits mit Lampenstutzen,
den sogenannten Kalottenhälsen, für die elektrischen Anschlüsse versehen
sind. Die Reflexionsbeschichtung kann aus einer metallischen Schicht, oder
aber, wenn ein spezieller spektraler Verlauf des Reflexionsgrades ge
wünscht ist, aus einem dielektrischen Schichtsystem bestehen. Die Anforde
rungen an die optische Qualität solcher Schichten, insbesondere auch an
die Gleichmäßigkeit ("Uniformität") der Beschichtung sind hoch.
Aus der DE 40 08 405 C1 ist bekannt, solche Reflektoren mittels eines
Plasma-CVD-Verfahrens herzustellen. Plasma-CVD-Verfahren wie auch die Her
stellung dielektrischer Schichtsysteme mit vorgegebenem spektralen Verlauf
sind an sich bekannt und in der Patent- und sonstigen Literatur vielfältig
beschrieben. Allerdings war es bis zu der Erfindung, die Gegenstand der DE
40 08 405 C1 ist, nicht möglich, Plasma-CVD-Verfahren zur Herstellung von
Schichtsystemen von hoher optischer Qualität auch auf stark gewölbte Sub
strate, wie z. B. Kalotten, zur Herstellung von Reflektoren mit Re
flexionsbeschichtungen anzuwenden. Zur Herstellung einer gleichmäßigen Be
schichtung auf einem stark gewölbten Substrat ist es, wenn eine aufwendige
Relativbewegung zwischen Substrat und Beschichtungszone vermieden werden
soll, erforderlich, daß sich die schichtbildende Reaktionszone während des
Beschichtungsprozesses über die gesamte zu beschichtende Fläche erstreckt.
Hierzu sind großvolumige Plasmazonen erforderlich, da zur vollständigen
Abdeckung der gesamten zu beschichtenden Fläche auch die von den stark ge
wölbten Substraten eingeschlossenen Hohlräume innerhalb des Plasmabereichs
liegen müssen.
Mit zunehmender Dicke der Plasmazone über einer zu beschichtenden Fläche
steigt aber die Wahrscheinlichkeit, daß sich nicht nur an der Grenzfläche
Substrat/Gasraum, sondern im gesamten Gasraum in einer sogenannten Homo
genreaktion Partikel bilden, welche sich dann als "Glasruß" auf der Sub
stratoberfläche absetzen und in die abgeschiedenen Schichten miteingebaut
werden. Diese zur Schichttrübung führende Partikelbildung, welche die
Schichten für optische Anwendungen unbrauchbar macht, tritt insbesondere
in den Randbereichen der Plasmazone auf, innerhalb welcher die Leistungs
dichte im Plasma unterhalb eines kritischen Wertes gesunken ist.
Um die oben beschriebene Partikelbildung im Gasraum bei der Plasma-CVD-Be
schichtung stark gewölbter Substrate zu unterdrücken, wird in der eingangs
genannten DE 40 08 405 C1 vorgeschlagen, mittels eines sogenannten Ver
drängungskörpers, welcher beispielsweise bei der Kalotteninnenbeschichtung
in das Kalotteninnenvolumen eintaucht und eine Gestalt aufweist, die in
etwa der Gestalt des gewölbten Substrats entspricht, die Dicke der zu re
agierenden Gasschicht über der zu beschichtenden Fläche so zu begrenzen,
daß das Ausmaß der in der Gasschicht während der Plasmaphase auftretenden
Glasrußbildung für die gewünschte optische Schichtqualität unschädlich
bleibt. Der Verdrängungskörper der DE 40 08 405 C1 hat somit u. a. die
Aufgabe, die Randbereiche der Plasmazone mit geringer Leistungsdichte, in
nerhalb welcher die Glasrußbildung bevorzugt auftritt, auszublenden, d. h.
die Schichtbildnermoleküle, die ohne die begrenzende Oberfläche des Ver
drängungskörpers in den Randbereich des Plasmas eindringen und zur Parti
kelerzeugung beitragen würden, aufzufangen und in einer kompakten Schicht
auf seiner Oberfläche festzuhalten. Die Zufuhr der Reaktionsgase erfolgt
gemäß DE 40 08 405 C1 durch den Verdrängungskörper hindurch, der hierzu ei
nen Kanal aufweist, der in eine zentrale Gasaustrittsöffnung in seiner
Stirnfläche mündet. Die Gasaustrittsöffnung ist somit gegenüber dem Kalot
tenscheitelpunkt beabstandet von der zu beschichtenden Fläche angeordnet.
Üblicherweise werden die Reaktionsgase bei CVD-Verfahren so geführt, daß
sie langsam und kontinuierlich in die Reaktionskammer mit dem(n) zu be
schichtenden Substrat(en) einströmen. Man ging bisher davon aus, daß
Wirbel in den Gasströmen zu Schichtinhomogenitäten führen. Wirbel sollten
daher um jeden Preis vermieden werden. So dient der in der DE 40 08 405 C1
beschriebene Verdrängungskörper auch nicht nur allein zur Begrenzung der
Reaktionszone, sondern auch zur Herstellung einer langsamen und
kontinuierlichen Strömung der Reaktionsgase an der zu beschichtenden
Fläche entlang.
Nachteilig an dem bekannten Verfahren ist, daß es aufwendig durchzuführen
ist. Der Verdrängungskörper, der in der Regel in nur geringem Abstand zur
zu beschichtenden Fläche angeordnet wird, wird praktisch gleichdick mit
dem Substrat mitbeschichtet. Es ist daher erforderlich, um ein allmähli
ches Zuwachsen des Spalts zwischen seiner substratseitigen Oberfläche und
der Substratinnenfläche zu verhindern, daß er regelmäßig von der aufge
wachsenen Schicht befreit wird. Insbesondere bei Anwendung eines Plasma-
Impuls-CVD-Verfahrens würde die allmähliche Verringerung des Abstandes
zwischen Verdrängungskörper und Substrat, d. h. die Verringerung der Dicke
der zu reagierenden Gasschicht, zu einer unerwünschten Abnahme der Be
schichtungsrate während des Beschichtungsprozesses führen. Ein weiterer
Nachteil des bekannten Verfahrens ist, daß auch die Herstellung des Ver
drängungskörpers sehr aufwendig ist, da er jeweils an die Gestalt des zu
beschichtenden Substrats angepaßt werden muß.
Aufgabe der Erfindung ist, ein Verfahren der eingangs genannten Art so
weiterzuentwickeln, daß es die oben beschriebenen Nachteile nicht auf
weist. Das Verfahren soll Beschichtungen von hoher optischer Qualität so
wie mechanischer, thermisch er und chemischer Stabilität liefern und den
noch einfach und kostengünstig durchzuführen sein. Eine weitere Aufgabe
der Erfindung besteht darin, eine Vorrichtung zur Durchführung des Be
schichtungsverfahrens bereitzustellen, welche sich durch einen möglichst
einfachen Aufbau auszeichnet, welche auch bei unterschiedlichen Substrat
geometrien ohne jeweilige Anpassung universell eingesetzt werden kann und
bei welcher eine Mitbeschichtung von Teilen der Reaktionskammer nicht zu
einer Veränderung kritischer Abmessungen der Reaktionskammer führt.
Diese Aufgabe wird gelöst mit einem Verfahren mit allen Merkmalen des Pa
tentanspruchs 1. Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens ist in Patentanspruch 4 beschrieben.
Im Gegensatz zu den bekannten CVD-Verfahren sieht die Erfindung vor, daß
die Reaktionsgase in einem gerichteten Gasstrahl in die Reaktionskammer
eingeleitet werden. Die Strömungsgeschwindigkeit muß dabei so hoch sein,
daß bis zum Auftreffen des Gasstrahls auf der Substratinnenfläche am Ka
lottenscheitelpunkt keine wesentliche Strahldivergenz auftritt. Dies läßt
sich dadurch erreichen, daß die Strömungsgeschwindigkeit so hoch gewählt
wird, daß für das Produkt aus Reynoldszahl R des Gasstrahls in der Gasein
trittsöffnung und dem Abstand h zwischen Gaseintrittsöffnung und Kalotten
scheitelpunkt gilt:
400 < R × h [mm] < 4000 (1)
mit R = r × v × d/n
r = Dichte des strömenden Mediums
v = Geschwindigkeit des strömenden Mediums
n = dynamische Zähigkeit des strömenden Mediums
d = Durchmesser der Gaseintrittsöffnung
(h wird zwar in mm eingegeben, R × h stellt jedoch eine dimensionslose Größe dar).
v = Geschwindigkeit des strömenden Mediums
n = dynamische Zähigkeit des strömenden Mediums
d = Durchmesser der Gaseintrittsöffnung
(h wird zwar in mm eingegeben, R × h stellt jedoch eine dimensionslose Größe dar).
Gleichung (1) wurde mit Hilfe von für verschiedene Reynoldszahlen berech
neten Strömungsprofilen sowie durch Experimente zur Uniformität von Be
schichtungen in Abhängigkeit von der Reynoldszahl für unterschiedliche
Kalottengeometrien, d. h. unterschiedliche Kalottengrößen empirisch ermit
telt. Für die derzeitigen Anwendungen sind Kalotten mit einer Höhe
(=Abstand zwischen Kalottenfuß und Scheitelpunkt) von 8 bis 100 mm von be
sonderem Interesse.
Es hat sich in überraschender Weise gezeigt, daß bei dieser Vorgehensweise
gleichmäßige Beschichtungen, d. h. solche mit nahezu über die gesamte Sub
stratfläche einheitlicher Schichtdicke, erzielt werden können. Insbesonde
re hat es sich auch gezeigt, daß bei Kalotten mit Kalottenhals die Geome
trie der Querschnittsfläche des Kalottenhalses keinen Einfluß auf die Uni
formität der Beschichtung hat. Dies könnte möglicherweise damit erklärt
werden, daß sich in dem Kalottenhals ein Gaspolster ausbildet, das das ge
samte Volumen des Kalottenhalses ausfüllt und an dessen Grenzfläche zur
Reaktionskammer eine azimutal gleichmäßige Umlenkung des Gasstrahls er
folgt. Der Kalottenhals kann während der Beschichtung allerdings auch ab
gedeckt werden.
Ebenso überraschend ist es, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren trotz
fehlender räumlicher Begrenzung der Plasmazone durch geeignete Festkörper
oberflächen auf einen Bereich mit gleichmäßig hoher Leistungsdichte
Schichten von hoher optischer Qualität sowie mechanischer, thermischer und
chemischer Stabilität erhalten werden. Eine Glasrußbildung findet nicht
statt. Dies läßt sich, wie weiter unten noch anhand berechneter Strömungs
profile näher erläutert wird, u. U. durch die Ausbildung besonderer Strö
mungswirbel im Kalotteninnenvolumen bei erfindungsmäßiger Einleitung der
Reaktionsgase erklären.
Eine geeignete Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfah
rens weist zur Einleitung der Reaktionsgase einen Düsenkörper mit einer
Gaseintrittsöffnung auf, der im wesentlichen außerhalb des
Kalotteninnenvolumens angeordnet ist, d. h. nicht oder nur geringfügig in
das Kalotteninnenvolumen hineinragt. Hierdurch kommt es auch bei einer
Mitbeschichtung nicht zu einer Änderung kritischer Abmessungen im
Reaktionsraumvolumen.
Ansonsten bestehen mit Ausnahme des Durchmessers der Gasaustrittsöffnung
bzw. des Gesamtdurchmessers mehrerer Gasaustrittsöffnungen (hierunter
soll der Durchmesser des resultierenden Gasstrahls, so wie er sich
unmittelbar nach Austritt aus dem Düsenkörper ausbildet, verstanden
werden) keine besonderen Anforderungen an die geometrische Gestalt eines
solchen Düsenkörpers. Durch Profilierung der dem Beschichtungsraum
zugewandten Seite des Düsenkörpers kann in gewissen Grenzen der Verlauf
der Schichtdicke beeinflußt werden. Viele unterschiedliche Düsenformen
sind somit zur Erzeugung des gerichteten Gasstrahls geeignet. Anhand der
Figuren soll jedoch im folgenden ein bevorzugter Düsenkörper vorgestellt
werden, welcher sich insbesondere bei der Beschichtung kalottenförmiger
Substrate zur Herstellung von Reflektoren als besonders geeignet erwiesen
hat.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Beschichtungsstation zur Innenbeschichtung einer ein
zelnen Kalotte zur Herstellung eines Reflektors mit einer
Flachdüse zur Erzeugung eines gerichteten Gasstrahls nach
der Erfindung,
Fig. 2 die Beschichtungsstation von Fig. 1 mit einer Flachdüse,
welche zur besseren Ausrichtung des Gasstrahls an der Gas
austrittsöffnung mit einem rohrförmigen Fortsatz versehen
ist und
Fig. 3 ein berechnetes Strömungsprofil, welches die Strömungsver
hältnisse der Reaktionsgase im Kalotteninnenvolumen bei
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt.
Man erkennt in Fig. 1 eine Beschichtungsstation 1 einer Beschichtungsan
lage zur Plasma-CVD-Beschichtung einer einzelnen Kalotte, bei welcher, wie
aus der DE 40 08 405 C1 bekannt, die Kalotte selbst einen Teil der Reakti
onskammer bildet. Zweckmäßigerweise weist eine Plasma-CVD-Anlage mehrere
solcher Beschichtungsstationen 1 auf. Die Vorteile einer Einzelbeschich
tungsstation gegenüber einer Reaktionskammer, in welcher mehrere zu be
schichtenden Kalotten angeordnet und gemeinsam beschichtet werden, sind in
der DE 40 08 405 C1 beschrieben.
In Fig. 1 ist die zu beschichtende Kalotte mit 2 bezeichnet. Sie weist,
da sie zur Herstellung eines Reflektors dient, einen Kalottenhals 3 auf.
Vor der Beschichtung werden die Substrate 2 üblicherweise einem Reini
gungsprozeß unterzogen, wobei bestimmte Reinigungsverfahren, z. B. solche,
bei denen die Kalotte 2 von einer Reinigungsflüssigkeit durchströmt wird,
es erforderlich machen, den von der Formgebung herrührenden Verschluß am
Kalottenhals 3 nach dem Pressen zu entfernen. Bei diesen sog. offenen Ka
lotten muß der Kalottenhals 3 vor Einbau der Kalotte 2 in eine Beschich
tungsstation 1 mittels geeigneter Maßnahmen verschlossen werden.
Die Reaktionskammer 4 wird, wie oben beschrieben, durch das Kalottenin
nenvolumen 5 selbst und ein an die Kalotte 2 angesetztes weiteres Teil ge
bildet. Dieses Teil kann, sowohl, so wie aus der DE 40 08 405 C1 bekannt,
ein halbseitig offenes Glasgefäß, welches an den Kalottenfuß 6 angesetzt
wird, sein; in Fig. 1 ist jedoch eine Ausführungsform dargestellt, bei
welcher die Kalotte 2 auf eine sog. Basisplatte 7, vorzugsweise aus einem
metallischen Werkstoff, mit entsprechender Aussparung 8 für Gasein- und
Gasaustrittsöffnungen, welche den unteren Teil der Reaktionskammer 4 bil
det, aufgesetzt ist. Ein Dichtungsring 9 zwischen Kalottenfuß 6 und Ba
sisplatte 7 sorgt für eine gasdichte Verbindung beider Teile. Diese Aus
führungsform hat gegenüber dem aus der DE 40 08 405 C1 bekannten, ange
setzten Gefäßteil den Vorteil der einfacheren Herstellung und Reinigung.
Darüber hinaus bildet die Metallplatte 7 gleichzeitig eine Abschirmung ge
gen Mikrowellenstrahlung.
Die in der Figur gezeigte Beschichtungsstation 1 enthält des weiteren eine
Mikrowellen-Innenleiter/Außenleiter-Anordnung zur Übertragung von Mikro
wellenenergie in die Reaktionszone zur Zündung und Speisung des Plasmas.
Die Vorteile eines PCVD-Abscheideverfahrens mittels mikrowellenangeregter
Plasmen ist bekannt. Der Innenleiter ist mit 10, der Außenleiter mit 11
bezeichnet. Zwischen Innenleiter 10 und Kalottenhals 3 ist eine Dichtungs
scheibe 12 angeordnet, welche zur Abdichtung des offenen Kalottenhalses
dient.
Den Boden der Reaktionskammer 4 bildet in Fig. 1 ohne Beschränkung der
Allgemeinheit eine sog. Düsenplatte 13. Die Düsenplatte 13 besitzt in
Fig. 1 eine zentrale Gaseinlaßöffnung 14 und um diese Öffnung azimutal
gleichmäßig verteilt angeordnete Gasauslaßöffnungen 15.
Der gerichtete Gasstrahl wird in der Vorrichtung von Fig. 1 mittels einer
sogenannten Flachdüse 16 erzeugt. Die Flachdüse 16 zeichnet sich dadurch
aus, daß sie nicht oder nur geringfügig in das Kalotteninnenvolumen 5 hin
ein ragt. Sie besteht im wesentlichen aus einer Platte 17, deren Oberflä
che plan, konvex oder konkav sein kann, und zur gezielten Beeinflussung
der Strömungsverhältnisse im Kalotteninnenvolumen eine entsprechende Pro
filierung aufweisen kann. Durch konvexe Oberflächenbereiche der Flachdüse
wird die Schichtdicke auf zugehörigen Substratbereichen erhöht, durch kon
kave reduziert. Der Zusammenhang zwischen den profilierten Bereichen der
Flachdüse und den zu beeinflussenden Bereichen der Schicht auf der Kalotte
ist komplex und wird jeweils empirisch ermittelt.
Die Flachdüse 16 kann integraler Bestandteil der Düsenplatte 13 sein. Sie
kann aber auch eine Montagebohrung 19 aufweisen und leicht entnehmbar auf
einen Konusfortsatz 20 der Düsenplatte 13 montiert, beispielsweise aufge
steckt werden. Dann ist dieses Bauteil zum Reinigen leicht ausbaubar. An
stelle des Konusfortsatzes 20 kann die Düsenplatte 13 aber auch einen
Gewindefortsatz aufweisen, auf welchen die Flachdüse 16 leicht höhen
verstellbar aufschraubbar ist.
Zur Herstellung einer gleichmäßigen Beschichtung auf einem (bzgl. der Ka
lottenachse rotationssymmetrischen) Substrat ist in Fig. 1 die Flachdüse
16 mit der zentralen Öffnung 18 für den austretenden Gasstrahl zentrisch
in der Reaktionskammer 4, d. h. in der Kalottenachse angeordnet. Man er
kennt in Fig. 1, daß der Gasstrahl auf den Scheitelpunkt der Kalotte, d. h.
auf den Kalottenhals ausgerichtet ist.
Wie bereits oben erwähnt wurde, hat es sich in überraschender Weise ge
zeigt, daß die Gestalt des Kalottenhalses 3 keinerlei Einfluß auf die
Gleichmäßigkeit der Beschichtung hat. So wurden selbst bei Kalottenhälsen
mit unterschiedlichem rechteckigem Querschnitt durchaus gleichmäßige Be
schichtungen erzielt, solange der Gasstrahl vollständig in den Kalotten
hals eintrat. Um eine Innenbeschichtung des Kalottenhalses zu vermeiden,
wird dieser jedoch vorzugsweise während der Beschichtung abgedeckt.
Des weiteren sollte, um eine gleichmäßige Beschichtung zu gewährleisten,
auch die Anordnung der Gasein- bzw. Gasauslaßöffnungen 14/15 an die Geome
trie des zu beschichtenden Substrats angepaßt sein. So befindet sich in
Fig. 1 die Gaseinlaßöffnung 14 im Mittelpunkt der Düsenplatte 13, gegenü
ber dem Scheitelpunkt der Kalotte, beabstandet von der zu beschichtenden
Fläche, während mehrere Gasauslaßöffnungen 15 azimutal gleichmäßig um die
Gaseinlaßöffnung verteilt angeordnet sind, so daß ein gleichmäßiges Absau
gen der Reaktionsgase gewährleistet ist. Die Gasauslaßöffnungen 15 werden
sinnvollerweise im einzelnen so ausgestaltet, daß sie in ihrer Gesamtheit
näherungsweise einen um die Gaseinlaßöffnung 14 umlaufenden Ringspalt bil
den. Im übrigen können weitere geeignete geometrische Anordnungen der Gas
auslaßöffnungen und die Gaseinlaßsöffnung vom Fachmann durch einfaches
Ausprobieren, ohne erfinderisches Zutun leicht ermittelt werden.
Die Gaseintrittsöffnung 18 des Düsenkörpers 16 kann sich bei entspre
chend großem Durchmesser (z. B. bei der Beschichtung großer Kalotten) auch
aus mehreren einzelnen Öffnungen zusammensetzen, beispielsweise auch als
Gasdusche mit einer Vielzahl aneinander angrenzender kleinerer Öffnungen
ausgebildet sein. Zur Berechnung der Reynoldszahl wird in diesem Fall
nicht der Durchmesser der kleineren Öffnungen, sondern der Durchmesser des
gesamten Gaseintrittsbereichs der Gasdusche, d. h. der Einfachheit halber
der Durchmesser des resultierenden Gasstrahls in unmittelbarer Nähe der
Gaseintrittsöffnungen bei Verlassen der Düse herangezogen.
Die Verwendung der oben beschriebenen Flachdüse hat den Vorteil, daß sie
nur sehr selten gereinigt werden muß. Zwar wird die Plattenoberfläche
ebenfalls wie auch der Verdrängungskörper aus der DE 40 08 405 C1 mitbe
schichtet, die entstandene Schicht hat jedoch auch bei sehr großer Dicke
auf die Funktion und die Güte der Kalottenbeschichtung keinen Einfluß, da
sie keine kritischen Abmessungen der Reaktionskammer verändert: die Flach
düse liegt entweder völlig außerhalb des Kalotteninnenvolumens 5 oder
nimmt nur einen sehr geringen Teil desselben ein. Insbesondere hat es sich
in vorteilhafter Weise gezeigt, daß die Bohrung selbst und ihre unmittel
bare Umgebung praktisch nicht mitbeschichtet werden. Die auf der Flachdüse
in zahlreichen Beschichtungsprozessen aufgewachsene Schicht muß erst nach
Standzeiten, die erheblich länger sind, als die aus dem Stand der Technik
bekannten, entfernt werden; nämlich dann, wenn eine Ablösung von Flitter
chen der Beschichtung zu befürchten ist. Im allgemeinen sind daher die
Standzeiten eines Düsenkörpers gegenüber den aus dem Stand der Technik be
kannten Verdrängungskörpern um einen Faktor 10 bis 100 größer.
In Fig. 2 trägt die Flachdüse 16 zur besseren Strahlführung einen rohr
förmigen Fortsatz 21, dessen Innenbohrung 22 mit der Gasaustrittsöffnung
18 in Verbindung steht. Der rohrförmige Fortsatz 21 verhindert wirksam ein
frühzeitiges Aufweiten des Gasstrahls. Auch der rohrförmige Fortsatz 21
nimmt nur einen geringen Teil des Kalotteninnenvolumens 5 ein, so daß auch
bei dieser Vorrichtungsvarianten eine Mitbeschichtung der Düse zu keiner
Änderung kritischer Abmessungen im Reaktionsraum führt. Die Verwendung des
rohrförmigen Fortsatzes 21 auf der Flachdüse 16 hat den Vorteil, daß die
sich ausbildenden Wirbel in Richtung Kalottenhals verlagert werden, so daß
über die Länge des Rohres die Ausdehnung des Beschichtungsbereiches einge
stellt werden kann.
Der in den Fig. 1 und 2 dargestellte Düsenkörper, welcher zur Durchfüh
rung des erfindungsgemäßen Verfahrens besonders geeignet ist, ist ohne Be
schränkung der Allgemeinheit jeweils bei Verwendung in
Einzelbeschichtungsstationen für Kalotten gezeigt. Das erfindungsgemäße
Verfahren läßt sich aber insbesondere mit dem oben beschriebenen bevor
zugten Düsenkörper auch in herkömmlichen Reaktionskammern, in welchen meh
rere Kalotten gemeinsam, d. h. gleichzeitig, beschichtet werden,
durchführen.
Geeignete Abmessungen für einen Düsenkörper lassen sich leicht ohne erfin
derisches Zutun, beispielsweise experimentell, ermitteln. Zur Erzeugung
des für die erfolgreiche Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
notwendigerweise gerichteten Gasstrahls wird der Durchmesser der Gasein
trittsöffnung der Gaszuführung, beispielsweise der oben beschriebenen
Flachdüse, in Abhängigkeit von den für die Ausbildung eines Gasstrahls
verantwortlichen Beschichtungsparametern (z. B. Massenfluß, Druck) so ein
gestellt, daß die eingangs beschriebene Beziehung zwischen Reynoldszahl R
und Abstand h von Gaseintrittsöffnung zu Kalottenscheitelpunkt erfüllt
ist. Ebenso lassen sich aber auch bei vorgegebenem Lochdurchmesser die Be
schichtungsparameter in gewissen Grenzen anpassen.
Fig. 3 zeigt zur Darstellung der Strömungsverhältnisse in der Kalotte bei
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahren ein mit Hilfe eines kommer
ziellen Simulationsprogramms zur Berechnung von Strömungen in inkompres
siblen Medien berechnetes Strömungsprofil. Die Berechnung wurde für eine
kleine Kalotte (Durchmesser 50 mm) durchgeführt, wobei für den Durchmesser
der Düsenbohrung 18 ein Wert von 6 mm, für den Außendurchmesser des Ab
saugkanals 15 von 43 mm, für den Innendurchmesser ein Wert von 35 mm
angenommen wurde. Des weiteren wurde der Berechnung ein Gasmassenfluß
(überwiegend O₂) von 174 sccm zugrundegelegt. Man erkennt in der Figur den
durch die Gaseintrittsöffnung 18 eintretenden Gasstrahl, der auf den
Kalottenscheitelpunkt ausgerichtet ist. Am Kalottenscheitelpunkt wird der
Gasstrahl umgelenkt und es kommt zur Ausbildung der dargestellten Wirbel.
Es hat sich gezeigt, daß eine gleichmäßige homogene und dichte
Beschichtung in der Kalotte nur dann erreicht wird, wenn die in Fig. 3
dargestellten Strömungsverhältnisse in der Kalotte vorliegen. Dies läßt
sich möglicherweise dadurch erklären, daß die Gaswirbel, die vermutlich
überwiegend aus verbrauchtem Reaktionsgas bestehen, die Funktion eines
Verdrängungskörpers übernehmen, d. h. die Dicke der zu reagierenden Gas
schicht über der zu beschichtenden Fläche begrenzen und für eine laminare
Strömung der frischen Reaktionsgase an der zu beschichtenden Fläche
entlang sorgen: da die Gaswirbel wohl überwiegend an schichtbildendem
Material verarmt sind, tragen sie selbst vermutlich nichts oder nur wenig
zur Beschichtung bei; darüber hinaus werden, wie man leicht sieht, die
frischen Reaktionsgase auf dem Rücken der Gaswirbel in einer laminaren
Strömung an der zu beschichtenden Fläche entlanggeführt, wobei die Dicke
dieser Gasschicht von der Höhe der Wirbel abhängt.
Simulationsrechnungen und Experimente haben nun gezeigt, daß sich die Aus
bildung solcher Gaswirbel über die Reynoldszahl der Gasströmung in der
Gaseintrittsöffnung und den Abstand von Gaseintrittsöffnung zu Kalotten
scheitelpunkt charakterisieren läßt. Hieraus resultiert die eingangs ange
gebene Beziehung (1). Solange sich das Produkt aus Reynoldszahl R und Ab
stand h in den in Gleichung (1) angegebenen Grenzen bewegt, kommt es zur
Ausbildung der oben beschriebenen Gaswirbel, woraus eine homogene, dichte
und gleichmäßige Beschichtung resultiert.
Die Strömungsverhältnisse in der Kalotte lassen sich in Abhängigkeit von
den oben genannten Parametern wie folgt charakterisieren: Bei vorgegebenem
Abstand h kommt es mit steigender Reynoldszahl R (beispielsweise durch Er
höhung des Massenflusses der Reaktionsgase bei konstantem Durchmesser der
Gaseintrittsöffnung(en) oder durch Verringerung des Durchmessers bei kon
stantem Massenfluß) zur Ausbildung von Gaswirbeln am Kalottenfuß. Mit wei
ter zunehmender Reynoldszahl wandern die Gaswirbel in der Kalotte nach
oben. Steigt die Reynoldszahl auf noch höhere Werte an, ist die Strömung
entlang der zu beschichtenden Fläche nicht mehr laminar. Ähnliche Überle
gungen lassen sich auch für die Verhältnisse bei veränderlichem Abstand h
bei fester Reynoldszahl R anstellen.
Für das in DE 40 08 405 C1 beschriebene Verfahren, bei welchem die Reak
tionsgase über den Verdrängungskörper langsam in das Reaktionsraumvolumen
einströmen, lassen sich zum Vergleich ebenfalls Werte für das Produkt aus
Reynoldszahl R und Abstand h bei üblichen Beschichtungsbedingungen ab
schätzen. Diese betragen nur etwa 1/10 der in Gleichung (1) angegebenen
unteren Grenze.
Vorzugsweise wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ein Plasma-Impuls-
CVD-Verfahren eingesetzt. Plasma-Impuls-CVD-Verfahren zur Herstellung di
elektrischer und/oder metallischer Schichtsysteme von hoher optischer Qua
lität sowie chemischer, thermischer und mechanischer Beständigkeit sind an
sich bekannt und beispielsweise auch für die Kalottenbeschichtung in der
eingangs erwähnten DE 40 08 405 C1 beschrieben. Insbesondere sind auch die
Vorteile eines Mikrowellen-Plasma-Impuls-CVD-Verfahrens hinlänglich be
kannt und beispielsweise in der oben zitierten Schrift ausführlich erläu
tert. Es hat sich gezeigt, daß die bekannten Vorteile eines (Mikrowellen)
Plasma-Impuls-CVD-Verfahrens auch bei der Durchführung des erfindungsge
mäßen Verfahrens erhalten bleiben.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch nicht nur bei Anwendung eines
Plasma-CVD-Verfahrens geeignet, sondern auch bei Anwendung eines thermi
schen CVD-Verfahrens, bei welchem die Reaktionszone an der zu beschichten
den Fläche durch Aufheizen des Substrats auf entsprechend hohe Temperatu
ren erzeugt wird. Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt hier
insbesondere in dem schnellen Austausch von frischem gegen verbrauchtes
Reaktionsgas, woraus wesentlich höhere Beschichtungsraten resultieren.
Die Düsenkörper nach der Erfindung wie auch die übrigen Teile der Reakti
onskammer der Einzelbeschichtungsanlage (mit Ausnahme der Kalotte selbst)
sollten aus einem Material bestehen, das ausreichend temperaturbeständig
und vakuumtauglich ist, das beständig ist gegen den Angriff chemisch ag
gressiver Prozeßgase und das möglichst nicht oder nur wenig mikrowellenab
sorbierend ist. Materialien, die diese Eigenschaften in sich vereinigen,
sind insbesondere Metalle, beispielsweise Aluminium.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht nur auf den Einsatz bei im mathe
matischen Sinne streng kalottenförmigen Substraten beschränkt. Asphärische
Substrate, auch nicht streng rotationssymmetrische, können auch beschich
tet werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels näher er
läutert:
Das folgende Beispiel soll die Möglichkeiten einer Flachdüse bei der Her
stellung einer Kaltlichtverspiegelung auf der Innenseite eines kalotten
förmigen Glaspreßlings mit Kalottenhals verdeutlichen. Als Beschichtungs
verfahren wurde das Plasma-Impuls-CVD-Verfahren eingesetzt.
Es wurde ein kalottenförmiges Substrat aus Glas mit einem Außendurchmesser
am Kalottenfuß von 50 mm und einer Höhe bis zum Hals von 20 mm beschich
tet. Die Beschichtung wurde in einer Kalottenbeschichtungsstation wie in
Fig. 1 dargestellt vorgenommen. Es wurde eine Flachdüse mit den folgenden
Abmessungen verwendet: Durchmesser 30 mm, Wandstärke 3 mm, Durchmesser der
zentralen Bohrung 4 mm. Die Oberfläche der Düse befand sich, so wie in
Fig. 1 dargestellt, etwa in Höhe des Kalottenfußes. Die Flachdüse war auf
einen konusförmigen Fortsatz der Düsen platte aufgesteckt. Der Abstand h
der Gaseintrittsöffnung zum Kalottenscheitelpunkt betrug 20 mm. Durch eine
näherungsweise kreisringförmige, konzentrisch zur Flachdüse in der Düsen
platte angeordnete Gasaustrittsöffnung wurden die verbrauchten Reaktions
gase abgesaugt. Für die hochbrechenden Schichten wurde TiO₂, für die nied
rigbrechenden Schichten SiO₂ als Schichtmaterial gewählt. Daher wurden
während der Beschichtung zu einem O₂-Massenfluß abwechselnd HMDSO
(C₆H₁₈OSi₂) für die SiO₂-Schicht und TiCl₄ für die TiO₂-Schicht zudotiert.
Bei der Beschichtung lag der Druck in der Reaktionskammer bei etwa 0,7
mbar, die Temperatur der Kalotte betrug etwa 90°C. Der O₂-Massenfluß lag
bei etwa 200 sccm (1 sccm = 1,013/60 × mbar × l/s), der HMDSO-Massenfluß
bei etwa 3,6 sccm und der TiCl₄-Massenfluß bei etwa 3,0 sccm. Die übrigen
Verfahrensparameter betrugen: Mikrowellenfrequenz 2,45 GHz, mittlere Mi
krowellenleistung 75 W, lmpulsdauer 0,6 ms, Impulspause 20 ms.
Zur Überprüfung von Gleichung (1) wird im folgenden die Reynoldszahl R für
das Ausführungsbeispiel berechnet. Hierzu wird die eingangs angegebene
Gleichung für R wie folgt umgeformt:
Die mittlere Geschwindigkeit v im Lochquerschnitt beträgt:
v = (4 × Q₀ × p₀/p)/(π × d²),
die Dichte r bei einem Druck p:
r = r₀ × p/p₀,
wobei Q₀, p₀ und r₀ der Massenfluß, der Druck und die Dichte unter Normal
bedingungen sind. Durch Einsetzen von v und r in die obige Gleichung für R
erhält man:
R = 4 × r₀ × Q₀/(π × d × n)
≈ 1,52 × Q₀[sccm]/d[mm].
≈ 1,52 × Q₀[sccm]/d[mm].
Die obige Vereinfachung gilt für Sauerstoff (r₀ = 1,429 kg/m³;
n = 1,92 · 10-7 Pa·s), der wesentlicher Bestandteil des Beschichtungs
gases ist und damit dessen Eigenschaften maßgeblich bestimmt.
Setzt man die oben angegebenen Werte für Massenfluß und Durchmesser der
Düse nun in die vereinfachte Gleichung für R ein, so erhält man:
R = 76 bzw. mit dem obigen Abstand h: R × h = 1520
Gleichung (1) ist damit für das Ausführungsbeispiel erfüllt.
Insgesamt wurden auf der Kalotteninnenfläche 23 Schichten, abwechselnd be
stehend aus SiO₂ und TiO₂ abgeschieden. Die Beschichtung war gleichmäßig,
kompakt und von hoher optischer Qualität. Die so hergestellte Kalotte mit
Kaltlichtverspiegelung ist insbesondere zur Verwendung als Reflektor für
die Objekt- und Raumbeleuchtungstechnik geeignet.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel wurde mit den gleichen Beschich
tungsparametern und Abmessungen von Substrat und Beschichtungsstation wie
in dem obigen Ausführungsbeispiel eine weitere Kalotte beschichtet, wobei
eine Flachdüse mit rohrförmigem Fortsatz verwendet wurde. Die Abmessungen
des rohrförmigen Fortsatzes waren: Länge 5 mm, Außendurchmesser 6 mm, In
nendurchmesser 4 mm.
Es wurde, wie im obigen Ausführungsbeispiel, eine gleichmäßige, kompakte
Beschichtung von hoher optischer Qualität erreicht.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß die Standzeiten der
Beschichtungsanlagen wesentlich höher sind, als bei bei herkömmlichen An
lagen. Es können in den Beschichtungsanlagen einfache Bauteile verwendet
werden, wie z. B. die oben beschriebenen Düsenkörper, die aufgrund ihrer
einfachen geometrischen Gestalt nicht nur preiswert zu fertigen, sondern
auch leicht zu reinigen sind. Da die erfindungsgemäßen Düsenkörper bei
vernünftiger Dimensionierung selbst bei Mitbeschichtung keine kritischen
Abmessungen der Reaktionskammern berühren, sind sie auch bei verschiedenen
Substratgeometrien universell ohne jeweilige Anpassung einsetzbar. Auch
entfällt die Notwendigkeit aufwendiger Reinigungsprozeduren.
Claims (11)
1. Verfahren zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter, im we
sentlichen kalottenförmiger Substrate mit einem dielektrischen und/
oder metallischen Schichtsystem mittels eines CVD-Verfahrens, bei
welchem die Reaktionsgase, welche die Schichtbildnermoleküle enthal
ten, durch wenigstens eine gegenüber dem Kalottenscheitelpunkt
beabstandet von der zu beschichtenden Fläche angeordnete
Gaseintrittsöffnung in die Reaktionskammer mit dem(n) zu
beschichtenden Substrat(en) geleitet werden
und sodann in an sich bekannter Weise durch Erzeugung einer Reakti
onszone an der zu beschichtenden Substratinnenfläche die Abscheidung
des Schichtmaterials auf dem Substrat bewirkt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Reaktionsgase zur Herstellung einer gleichmäßigen Beschich
tung mit einer solch hohen Geschwindigkeit in die Reaktionskammer
eingeleitet werden, daß für das Produkt aus der Reynoldszahl (R) des
Gasstrahls in der Gaseintrittsöffnung und dem Abstand (h) zwischen der
Gaseintrittsöffnung und dem Kalottenscheitelpunkt gilt:
400 < R × h [mm] < 4000.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Verfahren mittels eines Plasma-Impuls-CVD-Verfahrens durchge
führt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Plasma mittels Mikrowellen angeregt wird.
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach wenigstens einem der
Ansprüche 1 bis 3,
mit einer Reaktionskammer zum Anordnen des(r) zu beschichtenden Sub strats(e),
mit Einrichtungen zum Zu- und Abführen der frischen bzw. verbrauchten Reaktionsgase in die bzw. aus der Reaktionskammer, wobei die Einrich tung zum Zuführen der Reaktionsgase Gaseintrittsöffnungen aufweisen, die jeweils gegenüber den Kalottenscheitelpunkten und beabstandet von den zu beschichtenden Flächen angeordnet sind,
und mit Mitteln zur Erzeugung von Reaktionszonen an den zu beschichtenden Substratinnenflächen,
dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Zuführen der Reaktionsgase Düsenkörper (16) sind, welche nicht oder nur geringfügig in das Kalotteninnenvolumen hineinragen und jeweils eine oder mehrere Gaseintrittsöffnungen (18) aufweisen, deren Durchmesser bzw. bei mehreren Gaseintrittsöffnungen Gesamtdurchmesser zur Erzeugung eines gerichteten Gasstrahls so bemessen sind, daß für das Produkt aus Reynoldszahl (R) des Gasstrahls in der Gaseintrittsöffnung (18) bzw. des resultierenden Gasstrahls in unmittelbarer Nähe der mehreren Gaseintrittsöffnungen (18) und dem Abstand (h) zwischen der(n) Gaseintrittsöffnung(en) (18) und dem Kalottenscheitelpunkt gilt: 400 < R × h [mm] < 4000.
mit einer Reaktionskammer zum Anordnen des(r) zu beschichtenden Sub strats(e),
mit Einrichtungen zum Zu- und Abführen der frischen bzw. verbrauchten Reaktionsgase in die bzw. aus der Reaktionskammer, wobei die Einrich tung zum Zuführen der Reaktionsgase Gaseintrittsöffnungen aufweisen, die jeweils gegenüber den Kalottenscheitelpunkten und beabstandet von den zu beschichtenden Flächen angeordnet sind,
und mit Mitteln zur Erzeugung von Reaktionszonen an den zu beschichtenden Substratinnenflächen,
dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zum Zuführen der Reaktionsgase Düsenkörper (16) sind, welche nicht oder nur geringfügig in das Kalotteninnenvolumen hineinragen und jeweils eine oder mehrere Gaseintrittsöffnungen (18) aufweisen, deren Durchmesser bzw. bei mehreren Gaseintrittsöffnungen Gesamtdurchmesser zur Erzeugung eines gerichteten Gasstrahls so bemessen sind, daß für das Produkt aus Reynoldszahl (R) des Gasstrahls in der Gaseintrittsöffnung (18) bzw. des resultierenden Gasstrahls in unmittelbarer Nähe der mehreren Gaseintrittsöffnungen (18) und dem Abstand (h) zwischen der(n) Gaseintrittsöffnung(en) (18) und dem Kalottenscheitelpunkt gilt: 400 < R × h [mm] < 4000.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Düsenkörper eine Flachdüse (16) ist, welche auf der dem Sub
strat zugewandten Seite eine Platte (17) mit einer zentralen Bohrung
(18) zum Austritt des gerichteten Gasstrahls mit ausreichend hoher
Geschwindigkeit besitzt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Düsenplatte (17) eine Profilierung aufweist.
7. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 4 bei 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gasaustrittsöffnung (18) als Gasdusche ausgebildet ist.
8. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 4 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Flachdüse (16) an der Gasaustrittsöffnung (18) zur besseren
Ausrichtung des Gasstrahls einen in das Kalotteninnenvolumen hinein
ragenden, rohrförmigen Fortsatz (21) aufweist.
9. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 5 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Flachdüse (16) auf einen Konusfortsatz (20) der Düsenplatte
(13) in der Reaktionskammer (4) montiert ist.
10. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 4 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Mittel zur Erzeugung der Reaktionszone über der zu beschich
tenden Substratinnenfläche eine Mikrowellen-Innenleiter/Außenleiter-
Anordnung (10/11) sind, welche außerhalb der Reaktionskammer (4) von
oben auf die Kalotte (2) aufgesetzt wird.
11. Vorrichtung nach wenigstens einem der Ansprüche 4 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß das im wesentlichen kalottenförmige Substrat (2) einen Teil der
Reaktionskammer (4) bildet.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4334572A DE4334572C2 (de) | 1992-10-26 | 1993-10-11 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD |
DE59307886T DE59307886D1 (de) | 1992-10-26 | 1993-10-19 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD |
EP93116837A EP0595159B1 (de) | 1992-10-26 | 1993-10-19 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD |
CN93120379A CN1057348C (zh) | 1992-10-26 | 1993-10-25 | 用化学气相沉积法涂覆基本呈半球深拱形基体内表面的方法和设备 |
JP28880893A JP3303219B2 (ja) | 1992-10-26 | 1993-10-26 | 化学蒸着によりかなり丸くなった実質的に球冠状基板の内面を被覆する方法と装置 |
US08/141,656 US5496586A (en) | 1992-10-26 | 1993-10-26 | Process and device for coating the inner surface of greatly arched, essentially dome-shaped substrate by CVD |
US08/340,910 US5503677A (en) | 1992-10-26 | 1994-11-15 | Process and device for coating the inner surface of greatly arched, essentially dome-shaped substrates by CVD |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4236056 | 1992-10-26 | ||
DE4334572A DE4334572C2 (de) | 1992-10-26 | 1993-10-11 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4334572A1 DE4334572A1 (de) | 1994-04-28 |
DE4334572C2 true DE4334572C2 (de) | 1995-12-07 |
Family
ID=6471341
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4334572A Expired - Fee Related DE4334572C2 (de) | 1992-10-26 | 1993-10-11 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD |
DE59307886T Expired - Lifetime DE59307886D1 (de) | 1992-10-26 | 1993-10-19 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59307886T Expired - Lifetime DE59307886D1 (de) | 1992-10-26 | 1993-10-19 | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (2) | DE4334572C2 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19634795C2 (de) * | 1996-08-29 | 1999-11-04 | Schott Glas | Plasma-CVD-Anlage mit einem Array von Mikrowellen-Plasmaelektroden und Plasma-CVD-Verfahren |
AT500509B8 (de) * | 2004-03-08 | 2007-02-15 | Moerth Marlene | Verfahren zur pvd - innenbeschichtung von metallischen werkstücken mit tiefen bohrungen und läufen von feuerwaffen |
DE102005032001A1 (de) | 2005-07-08 | 2007-02-01 | Zf Friedrichshafen Ag | Mehrstufengetriebe |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4008405C1 (de) * | 1990-03-16 | 1991-07-11 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De |
-
1993
- 1993-10-11 DE DE4334572A patent/DE4334572C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-19 DE DE59307886T patent/DE59307886D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE59307886D1 (de) | 1998-02-05 |
DE4334572A1 (de) | 1994-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0446596B1 (de) | PCVD-Verfahren zur Herstellung eines auf der Innen- und/oder Aussenfläche mit einem dielektrischen und/oder metallischen Schichtsystem versehenen annähernd kalottenförmigen Substrats | |
DE3830249C2 (de) | ||
DE69016433T2 (de) | Beschichtungsverfahren und -vorrichtung. | |
EP0595159B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD | |
EP1921179B1 (de) | Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung | |
DE4010663C2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur plasmagestützten Beschichtung von Werkstücken | |
AT405279B (de) | Verfahren und vorrichtung zum bilden einer beschichtung durch pyrolyse | |
DE60314634T2 (de) | Titandioxid-beschichtungen hergestellt durch plasma-cvd bei atmosphärendruck | |
DE3833501C2 (de) | Vorrichtung zum Aufbringen einer Beschichtung auf einem Kunststoffsubstrat | |
DE19929184A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren für das Aufbringen von diamantartigem Kohlenstoff (DLC) oder anderen im Vakuum abscheidbaren Materialien auf ein Substrat | |
DE3316693A1 (de) | Verfahren zum herstellen von amorphen kohlenstoffschichten auf substraten und durch das verfahren beschichtete substrate | |
DE19912737A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von porösen SiO¶x¶-Schichten und poröse SiO¶x¶-Schichten | |
DE3926023A1 (de) | Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE3417192A1 (de) | Vorrichtung zur bildung eines amorphen siliziumfilms | |
EP2150633B1 (de) | Verfahren zum beschichten eines substrats | |
DE4129120A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substraten mit hochtemperaturbestaendigen kunststoffen | |
DE102006038780A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Beschichtung | |
DE4334572C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung der Innenfläche stark gewölbter im wesentlichen kalottenförmiger Substrate mittels CVD | |
DE19652454C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Außenbeschichtung von Lampen | |
DE69119755T2 (de) | Verbesserte glühfilament-cvd-anlage | |
EP3430864B1 (de) | Plasmadüse und verfahren zur verwendung der plasmadüse | |
EP1264004B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten | |
WO2012059203A1 (de) | Vorrichtung zum behandeln von substraten | |
DE102004020185A1 (de) | Gaslanze für die Innenbeschichtung von Hohlkörpern | |
DE4414083C2 (de) | Vorrichtung zum Herstellen dünner Schichten auf Kunststoff-Substraten und zum Ätzen solcher Substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SCHOTT GLAS, 55122 MAINZ, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SCHOTT AG, 55122 MAINZ, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20130501 |