DE4305672A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Netzwerken auf Kurzschlüsse und/oder Unterbrechungen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Netzwerken auf Kurzschlüsse und/oder Unterbrechungen

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DE4305672A1
DE4305672A1 DE19934305672 DE4305672A DE4305672A1 DE 4305672 A1 DE4305672 A1 DE 4305672A1 DE 19934305672 DE19934305672 DE 19934305672 DE 4305672 A DE4305672 A DE 4305672A DE 4305672 A1 DE4305672 A1 DE 4305672A1
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Matthias Dr Brunner
Juergen Dr Frosien
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/312Contactless testing by capacitive methods

Description

Die Erfindung betrifft Verfahren zum Testen von Netz­ werken auf Kurzschlüsse und/oder Unterbrechungen gemäß den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 12 sowie eine Vorrichtung zum Testen von Netzwerken auf Kurzschlüsse und/oder Unterbrechungen gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruches 15.
Aus der EP 0 189 777 ist ein Korpuskularstrahl-Meßver­ fahren zum berührungslosen Testen von Leitungsnetz­ werken auf Kurzschlüsse und Unterbrechungen bekannt. Hierbei wird zunächst ein erster Punkt des zu untersu­ chenden Netzwerkes durch genügend langes Bestrahlen mit einem Elektronenstrahl in einer Zeit TC auf die Span­ nung VC aufgeladen. Anschließend werden alle anderen, interessierenden Netzwerkpunkte nacheinander mit dem gleichen Elektronenstrahl und unveränderter Primärener­ gie in der Zeit TR abgetastet. Wird an einem dieser Punkte in einem Sekundärelektronen-Detektor der gleiche Sekundärelektronenstrom wie am ersten Punkt beobachtet, so sind die beiden Punkte notwendigerweise leitend mit­ einander verbunden. Unterscheiden sich hingegen die ge­ messenen Potentiale wesentlich voneinander, so liegt eine Unterbrechung vor.
Um evtl. Kurzschlüsse mit benachbarten Netzwerken fest­ zustellen, wird der Elektronenstrahl nach dem Aufladen des ersten Netzwerks kurzzeitig auf das zweite Netzwerk gerichtet. Stellt sich am Sekundärelektronen-Detektor wiederum der gleiche Sekundärelektronenstrom ein, so sind die Netzwerke kurzgeschlossen.
Dieses bekannte Verfahren kann jedoch nicht bei kapazi­ tiv verkoppelten Netzwerken angewendet werden.
Fig. 8 zeigt den einfachsten Fall von gekoppelten Netz­ werken, wobei auf einem Substrat 3 ein erstes Netz­ werk 1 und ein zweites Netzwerk 2 nebeneinander ange­ ordnet sind. Die Netzwerke 1, 2 werden hierbei durch einfache Leitbahnen gebildet, die über die Kapazität C miteinander verkoppelt sind. Die Leitbahn 2 ist über den Widerstand R auf Masse gelegt. Das erste Netzwerk 1 wird durch einen ersten Korpuskularstrahl, der bei­ spielsweise durch einen Elektronenstrahl 4 gebildet wird, auf ein erstes Potential V1 aufgeladen.
Bei sogenannten "floatenden" Netzwerken ist der Wider­ stand R unendlich. In diesem Fall bleibt die an der Kapazität C abfallende Spannung auf dem Wert Null, so daß auch kein Strom IM fließt. Das sich am zweiten Netzwerk 2 einstellende zweite Potential V2 entspricht demzufolge dem Potential V1 des ersten Netzwerkes 1.
Obwohl kein Ohmscher Kurzschluß vorliegt, haben beide Netzwerke den gleichen zeitlichen Spannungsverlauf, so daß eine Unterscheidung kurzgeschlossener oder vonein­ ander getrennter Netzwerke nicht möglich ist.
Entsprechend lassen sich auch Unterbrechungen im Netz­ werk 1 nicht mehr feststellen, da sich das Potential V1 auch in dem abgetrennten, vom Elektronenstrahl 4 nicht erfaßten Teil des Netzwerks 1 über das Netzwerk 2 ein­ stellt.
Bisher hat man dieses Problem dadurch gelöst, daß man das zweite Netzwerk mit Masse kontaktiert. Dies wird dadurch erreicht, daß beispielsweise Kontaktspitzen auf dem zweiten Netzwerk 2 oder auf mit diesem verbundenen Kontaktelektroden positioniert werden. Bei mehrlagigen Substraten, die durchgehende Metallisierungsebenen be­ sitzen (z. B. bei MCMs zur späteren Spannungsversorgung von ICs), können die Kopplungen vermieden werden, indem die Metallisierungsebenen kontaktiert und auf Mas­ sepotential gelegt werden.
Bei einer mechanischen Kontaktierung wird der in Fig. 8 dargestellte Widerstand R zu Null. In diesem Fall fließt ein Strom IM über die Kontaktierung ab, so daß keine Aufladung des Netzwerks 2 stattfindet. Auf den beiden Netzwerken 1 und 2 stellen sich somit unter­ schiedliche Potentiale V1 und V2 ein. Andererseits stellt sich bei einem Kurzschluß zwischen den beiden Netzwerken 1, 2 an beiden Netzwerken das gleiche Poten­ tial ein, das im vorliegenden Fall Null wäre. Statt ei­ ner Kontaktierung mit Masse ist natürlich auch eine Verbindung mit einer anderen Spannungsquelle möglich. Bei einem Kurzschluß würde sich dann auf beiden Netz­ werken die Spannung dieser Spannungsquelle einstellen.
Die mechanische Kontaktierung hat jedoch oft Beschädi­ gungen und Partikel-Kontamination des Substrats zur Folge. Außerdem ist die genaue Positionierung von Kon­ taktspitzen auf Kontaktelektroden oder direkt auf dem Netzwerk wegen der oft sehr geringen Abmessungen tech­ nisch aufwendig. Sollen zudem verschiedenste Substrate getestet werden, müssen die Kontaktvorrichtungen je­ weils neu angepaßt werden, was wiederum sehr zeitauf­ wendig ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die Verfahren gemäß den Oberbegriffen der Ansprüche 1 und 12 sowie die Vorrichtung gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruches 15 derart weiterzuentwickeln, daß die oben genannten Nachteile vermieden werden.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale der Ansprüche 1, 12 und 15 gelöst, indem die Stabilisierung eines Netzwerkes auf einem Potential mit Hilfe freier Ladungsträger erfolgt.
Die freien Ladungsträger können mit Hilfe eines zweiten Korpuskularstrahles oder durch eine Gasentladung im Bereich des zu stabilisierenden weiteren Netzwerkes erzeugt werden.
In beiden Fällen ist ein berührungsloses Testen von kapazitiv verkoppelten Netzwerken auf Kurzschlüsse und/oder Unterbrechungen möglich.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche und werden im Zusammenhang mit der Zeichnung und der folgenden Beschreibung näher erläu­ tert.
In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispieles,
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines zwei­ ten Ausführungsbeispieles,
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines drit­ ten Ausführungsbeispieles,
Fig. 4 eine Darstellung eines vierten Ausfüh­ rungsbeispieles,
Fig. 5 eine Aufsicht auf ein Substrat,
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer er­ findungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 7 eine Darstellung eines fünften Ausführungsbeispieles sowie
Fig. 8 eine schematische Darstellung eines Aus­ führungsbeispieles gemäß dem Stand der Technik.
In Fig. 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel schematisch dargestellt, wobei auf einem Substrat 3 ein erstes Netzwerk 1 und ein zweites Netzwerk 2 angeordnet sind. Die beiden Netzwerke 1, 2 sind hier lediglich als ein­ fache Leitbahnen dargestellt. Die beiden Netzwerke sind üblicherweise nicht geerdet. Daher führt die kapazitive Kopplung (Kapazität C) dieser sog. "floatenden" Netz­ werke untereinander, die aufgrund der geringen Abstände voneinander u. U. wesentlich größer als ihre Kapazität gegen Masse ist, zu einer Verfälschung der Meßergeb­ nisse. So würde beispielsweise das Netzwerk 2 fast das­ selbe Potential annehmen, wie das benachbarte Netz­ werk 1, zu dem eine große Koppelkapazität C besteht.
Demzufolge wird erfindungsgemäß zunächst das erste Netzwerk 1 mittels eines ersten Korpuskularstrahles auf ein erstes Potential V1 aufgeladen. Als Korpusku­ larstrahl kann dabei entweder ein Elektronen-, Ionen- oder Photonen-Strahl verwendet werden.
Das Aufladen des ersten Netzwerkes 1 geschieht zweckmä­ ßigerweise dadurch, daß beispielsweise ein Elektronen­ strahl 4 auf einen Punkt des ersten Netzwerkes 1 wäh­ rend einer ersten Zeitspanne TC gerichtet wird. Gleich­ zeitig kann das Aufladen des ersten Netzwerkes 1 auf die Spannung V1 durch Detektieren der vom Auftreffpunkt des Elektronenstrahls 4 emittierten Sekundärelektronen kontrolliert werden.
Parallel hierzu werden die mit dem ersten Netzwerk 1 kapazitiv verkoppelten weiteren Netzwerke, z. B. Netz­ werk 2, auf einem zweiten Potential V2 stabilisiert. Hierzu wird beispielsweise ein Ionenstrahl 5 verwendet. Dabei werden im zweiten Netzwerk Ladungsträger erzeugt, durch die der zwischen dem ersten und dem weiteren Netzwerk 1, 2 durch die kapazitive Kopplung fließende Strom IL kompensiert wird. Werden gerade so viele La­ dungsträger im zweiten Netzwerk 2 erzeugt, wie für die Kompensierung des Stromes IL notwendig ist, so stellt sich am zweiten Netzwerk 2 das Potential V2 gleich Null ein.
Fig. 5 zeigt eine Aufsicht der Darstellung gemäß Fig. 1, wobei ein weiteres, zunächst nicht interessierendes Netzwerk 2′ vorgesehen ist. Beim Aufladen des ersten Netzwerkes 1 wird der Elektronenstrahl 4 beispielsweise auf einen Punkt 10 gerichtet, während der entladende, bzw. stabilisierende Ionenstrahl 5 am Punkt 11 auf das zweite Netzwerk 2 trifft.
Anschließend wird der Elektronenstrahl 4 auf einen Meß­ punkt 12 gerichtet und verbleibt dort für eine zweite Zeitspanne TR, die so bemessen ist, daß sie der Bedin­ gung TR < TC/N genügt, wobei N die Anzahl der Meßpunkte angibt. Das Potential an diesem Meßpunkt 12 kann durch Nachweis der vom Elektronenstrahl 4 ausgelösten Sekundärelektronen bestimmt werden.
Der Elektronenstrahl wird zum Aufladen hierbei bei­ spielsweise mit einem Strom von 1 µA für einige Milli­ sekunden (TC) auf den Punkt 10 gerichte. Die Zeitspanne TR an den Meßpunkten wird dann etwa im Bereich von 10 µs gewählt werden.
Nachdem zwischen dem Punkt 10 und dem Meßpunkt 12 keine Unterbrechung im ersten Netzwerk 1 vorliegt, wird sich am Meßpunkt etwa das gleiche Potential V1 einstellen. Wird der Elektronenstrahl 4 auf einen weiteren Meß­ punkt 14 gerichtet, so kann anhand der dort ausgelösten Sekundärelektronen festgestellt werden, daß hier ein deutlicher Potentialunterschied zum Punkt 10 besteht. Das wiederum bedeutet, daß zwischen dem Punkt 10 und der Meßstelle 14 eine Unterbrechung 13 vorliegen muß. Richtet man den Elektronenstrahl 4 auf den Meßpunkt 15 des zweiten Netzwerkes 2, so wird sich der gleiche Potentialunterschied ergeben. Besteht jedoch zwischen den Netzwerken 1, 2 ein Kurzschluß, der in Fig. 5 mit gestrichelter Linie 22 dargestellt ist, so stellt sich auf beiden Netzwerken das gleich Potential ein.
Werden beim Stabilisierungsvorgang auf das zweite Netz­ werk 2 durch den Ionenstrahl 5 gerade so viele Ladungs­ träger aufgebracht, daß der durch die kapazitive Kopp­ lung fließende Strom IL gerade kompensiert wird, so ist das Potential am Punkt 11 sowie an den Meßpunkten 15 und 14 gleich Null.
Im Rahmen der Erfindung ist es jedoch auch möglich, mehr als die gerade zur Kompensation des Stromes notwendigen Ladungsträger zu erzeugen. Mit zunehmender positiver Aufladung des zweiten Netzwerkes nimmt der Strom IL ab und geht bei einem bestimmten Potential auf Null zurück, so daß sich das zweite Netzwerk 2 auf ein bestimmtes zweites Potential auflädt, das nicht über­ schritten wird. Auf diese Weise stellt sich am zweiten Netzwerk 2 durch die Korpuskularstrahlung, unabhängig von Amplitude und Dauer der Bestrahlung, ein defi­ niertes Potential V2 ein.
In Fig. 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel darge­ stellt, bei dem auf einem Substrat wiederum ein erstes Netzwerk 1 sowie weitere, mit diesem verkoppelte Netz­ werke 2, 2′ vorgesehen sind. Während das erste Netzwerk wiederum mit einem Elektronenstrahl 4 aufgeladen wird, wird der zweite, die weiteren Netzwerke stabilisierende Korpuskularstrahl hier durch einen Photonenstrahl 5, gebildet. Durch den Photonenstrahl werden auf den weiteren Netzwerken 2, 2′ Elektronen ausgelöst (Pfeil 16). Dadurch laden sich die weiteren Netzwerke 2, 2′ entsprechend entgegengesetzt, d. h. positiv auf. Das Netzwerk 1 ist mit dem Netzwerk 2 über eine Kapazität C1 und mit dem Netzwerk 2′ über eine Kapazität C2 verkoppelt. Im einfachsten Fall ist die Kopplung mit den beiden Netzwerken jeweils gleich groß. In diesem Fall reicht es aus, wenn auf den beiden weiteren Netzwerken 2, 2′ jeweils nur die Hälfte der Ladungsträger erzeugt werden.
Insbesondere in den Fällen, in denen die einzelnen Kopplungen verschieden sind und dadurch möglicherweise nicht genau bestimmt werden können, wird man entspre­ chend mehr Ladungsträger erzeugen, so daß es zu der oben beschriebenen Selbstbegrenzung des Stroms IL kommt.
Bei dem in Fig. 3 dargestellten dritten Ausführungsbei­ spiel wird für die zweite Korpuskularstrahlung wiederum beispielhaft eine Photonenstrahlung 5, verwendet. Das Besondere an diesem Ausführungsbeispiel liegt darin, daß nicht nur das zweite und weitere Netzwerk 2, 2′ durch einen gerichteten Photonenstrahl 5′ entladen wird, sondern vielmehr das gesamte Substrat 3 mit einer ungerichteten Korpuskularstrahlung entsprechender Amplitude belegt wird. In diesem Fall ist natürlich zu beachten, daß das Netzwerk 1 sowohl der zweiten als auch der ersten Korpuskularstrahlung ausgesetzt ist.
Das vierte Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 verwendet wiederum beispielhaft einen Photonenstrahl 5′, um das zweite Netzwerk 2 zu stabilisieren. Hierzu wird ein Be­ reich zwischen dem zweiten Netzwerk 2 und einer Refe­ renzelektrode 17 der Photonenstrahlung 5, ausgesetzt. Die Photonenstrahlung 5, erzeugt in dem an sich isolierenden Substrat zwischen dem zweiten Netzwerk 2 und der Referenzelektrode 17 eine Leitfähigkeit (Pfeil 18). Dadurch, daß die Referenzelektrode 17 beispielsweise an Masse liegt, kann der durch das Potential V1 des ersten Netzwerks 1 erzeugte Strom IL über das zweite Netzwerk 2, den leitfähigen Bereich des Substrates 3 (Pfeil 18) und die Referenzelektrode 17 abfließen. Das zweite Netzwerk 2 ist somit auf dem Masse- Potential stabilisiert.
Neben einem Ionenstrahl 5 und einem Photonenstrahl 5, kommt für den zweiten Korpuskularstrahl auch ein Elek­ tronenstrahl in Frage. Die Elektronen-Energie muß dabei jedoch unter der sog. Neutralpunkt-Energie liegen, um mehr Elektronen auszulösen als eingeschossen werden.
In dem in Fig. 7 dargestellten fünften Aus­ führungsbeispiel werden die freien Ladungsträger durch Gasentladung in einem Bereich 7 über dem zu stabilisierenden weiteren Netzwerk erzeugt. Die Gasentladung erfolgt beispielsweise durch Anlegen einer entsprechenden Spannung an zwei Elektroden 6.
Die im Bereich 7 erzeugten freien Ladungsträger werden vom weiteren Netzwerk 2 eingefangen, um den zwischen dem ersten und dem weiteren Netzwerk durch die kapazitive Koppelung C fließenden Strom IL zu kompensieren. Dabei ist es möglich, daß im Bereich 7 mehr Ladungsträger erzeugt werden als zur Kompensation des Stromes IL notwendig sind. Das weitere Netzwerk 2 fängt dann lediglich den zur Kompensation notwendigen Teil der Ladungsträger ein.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich nicht nur die Unterbrechungen im ersten Netzwerk feststellen. Wie aus Fig. 5 zu ersehen ist, wird beispielsweise das Netzwerk 2′ an einem Punkt 19 durch einen gerichteten zweiten Korpuskularstrahl auf einem bestimmten zweiten Potential stabilisiert. Anschließend wird der erste Korpuskularstrahl, z. B. der Elektronenstrahl 4, auf einen Meßpunkt 20 des Netzwerkes 2′ gerichtet. Es wird nun versucht, unter gleichzeitiger Messung der aus­ gelösten Sekundärelektronen auf das Netzwerk 2′ Ladung aufzubringen. Dies wird jedoch nur dann gelingen, wenn das Netzwerk 2′ wie im vorliegenden Fall an einer Stelle 21 unterbrochen ist. Ansonsten würden die durch den ersten Korpuskularstrahl aufgebrachten La­ dungsträger sofort durch die zuvor aufgebrachten La­ dungsträger kompensiert werden.
Soll bei den auf einem Substrat 3 befindlichen Netz­ werken lediglich überprüft werden, ob Unterbrechungen vorliegen, ist es gemäß einem erfindungsgemäßen Ausfüh­ rungsbeispiel ausreichend, wenn wenigstens ein interes­ sierendes Netzwerk 2′ sowie hiermit kapazitiv verkoppelte Netzwerke an jeweils einem Punkt durch einen Korpuskularstrahl auf einem bestimmtem Potential stabilisiert werden.
Anschließend wird ein weiterer Korpuskularstrahl auf einen anderen Punkt des interessierenden Netzwerkes gerichtet, um dort entgegengesetzte Ladungsträger zu erzeugen. Das Potential an diesem Meßpunkt wird durch Nachweis der vom zweiten Korpuskularstrahl ausgelösten Sekundärelektronen bestimmt. Bleibt das Potential zunächst auf Null, ist dies ein Hinweis darauf, daß das Netzwerk nicht unterbrochen ist. Lassen sich jedoch sofort Sekundärelektronen nachweisen, deutet dies auf eine Unterbrechung hin.
Sollen die oben beschriebenen Verfahren zum Testen von Netzwerken auf Kurzschlüsse und/oder Unterbrechungen mit großen Kontaktpunktzahlen bzw. an einer großen Anzahl zu testender Substrate durchgeführt werden, ist es vorteilhaft, das erfindungsgemäße Verfahren rechnergesteuert durchzuführen.
In Fig. 6 ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Testen von Netzwerken auf Kurzschlüsse und/oder Unter­ brechungen dargestellt.
Sie enthält eine erste Quelle zur Erzeugung einer ersten Korpuskularstrahlung, die beispielsweise durch eine Elektronenquelle 30 gebildet wird. Ferner ist eine Einrichtung vorgesehen, um den ersten Korpuskularstrahl auf ein erstes Netzwerk 1 zu richten, die im wesentlichen aus magnetischen Linsen 31 besteht. Ferner ist eine Ablenkeinrichtung 32 vorgesehen, um den Elektronenstrahl auf dem Substrat 3 auf oder zwischen den Netzwerken abzulenken. Die durch den Korpuskularstrahl ausgelösten Sekundärelektronen werden von einem Sekundärelektronen-Detektor 33 empfangen. Diesem Detektor kann beispielsweise auch ein Gegenfeld- Spektrometer zur quantitativen Potentialmessung vorge­ schaltet sein.
Schließlich ist eine Einrichtung zur Stabilisierung eines weiteres Netzwerkes 2 auf einem bestimmten Potential vorgesehen, die durch eine Einrichtung zur Erzeugung von freien Ladungsträgern gebildet wird. Diese Einrichtung kann beispielsweise, wie in Fig. 6 dargestellt, durch eine zweite Quelle 34 zur Erzeugung einer zweiten Korpuskularstrahlung, beispielsweise einer Photonenstrahlung 5′ realisiert werden.
Diese Einrichtung zur Stabilisierung kann jedoch auch durch eine Einrichtung zur Erzeugung einer Gasentladung im Bereich des zu stabilisierenden weiteren Netzwerkes gebildet werden, siehe auch Fig. 7.
Die oben beschriebenen Verfahren sowie die Vorrichtung sind insbesondere zum Testen von LCD-Substraten geeignet. Als weitere Anwendungsbereiche kommen aber auch beliebig andere Leitungsnetzwerke in Betracht, wie MCM-Schaltungen oder auch Aktiv-Matrix-LCDs.

Claims (19)

1. Verfahren zum Testen von Netzwerken auf Kurzschlüsse und/oder Unterbrechungen, wobei
  • a) zunächst ein erstes Netzwerk (1) mit Hilfe eines ersten Korpuskularstrahles auf ein erstes Potential (V1) aufgeladen wird und wenigstens ein mit dem ersten Netzwerk (1) kapa­ zitiv verkoppeltes weiteres Netzwerk (2, 2′) auf einem zweiten Potential (V2) stabilisiert wird,
  • b) und wobei anschließend der erste Korpuskular­ strahl auf wenigstens einen Meßpunkt (12, 14) des ersten Netzwerkes (1) gerichtet und das Potential an diesem Meßpunkt durch Nachweis der vom ersten Korpuskularstrahl ausgelösten Sekundärelektronen bestimmt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stabilisierung des weiteren Netz­ werkes (2, 2′) auf dem zweiten Potential (V2) mit Hilfe freier Ladungsträger erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die freien Ladungsträger mit Hilfe eines zweiten Korpuskularstrahles erzeugt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß als erster Korpuskularstrahl ein Elek­ tronen-, Ionen- oder Photonenstrahl verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als zweiter Korpuskularstrahl ein Elektronen-, Ionen- oder Photonenstrahl (5, 5′) verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die freien Ladungsträger durch Gasentladung in einem Bereich (7) des zu stabilisierenden weiteren Netzwerkes (2, 2′) erzeugt werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsträger den zwischen dem ersten und dem weiteren Netzwerk durch die kapazitive Koppelung (C, C1, C2) fließenden Strom (IL) kompensieren.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mehr Ladungsträger erzeugt werden als zur Kom­ pensation des Stromes (IL) notwendig sind, wobei das weitere Netzwerk (2, 2′) lediglich den zur Kompensa­ tion notwendigen Teil der Ladungsträger einfängt.
8. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Korpuskularstrahl zwischen dem weite­ ren Netzwerk (2) und einer, vorzugsweise auf Masse liegenden, Referenzelektrode (17) eine Leitfähigkeit (Pfeil 18) erzeugt.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das am Meßpunkt (12, 14, 15) ermittelte Potential mit dem ersten und/oder zweiten Potential (V1, V2) verglichen wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Korpuskular­ strahl zum Aufladen des ersten Netzwerkes (1) wäh­ rend einer ersten Zeitspanne (TC) auf einen Punkt (10) des ersten Netzwerkes (1) gerichtet ist und anschließend während einer zweiten Zeitspanne (TR) auf wenigstens einen Meßpunkt (12, 14, 15) ge­ richtet ist, wobei die zweite Zeitspanne (TR) klei­ ner ist als die Division der ersten Zeitspanne (TC) durch die Anzahl der Meßpunkte.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Korpuskular­ strahl auf wenigstens einen Meßpunkt (15, 20) des weiteren Netzwerkes gerichtet wird, um anhand der dort ausgelösten Sekundärelektronen zu testen, ob sich das weitere Netzwerk (2, 2′) an diesem Meßpunkt aufladen läßt.
12. Verfahren zum Testen von Netzwerken und Unterbre­ chungen, wobei ein interessierendes Netzwerk (2′) sowie hiermit kapazitiv verkoppelte Netzwerke an je­ weils einem Punkt dieser Netzwerke auf einem be­ stimmten Potential stabilisiert werden,
und wobei anschließend ein Korpuskularstrahl auf wenigstens einen Meßpunkt (20) des interessierenden Netzwerkes (2′) gerichtet wird,
und das Potential an diesem Meßpunkt durch Nachweis der vom Korpuskularstrahl ausgelösten Sekundärelek­ tronen bestimmt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stabilisierung der Netzwerke auf dem be­ stimmten Potential mit Hilfe freier Ladungsträger erfolgt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die freien Ladungsträger mit Hilfe eines weite­ ren Korpuskularstrahles erzeugt werden.
14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die freien Ladungsträger durch Gasentladung in einem Bereich des zu stabilisierenden Netzwerkes erzeugt werden.
15. Vorrichtung zum Testen von Netzwerken auf Kurz­ schlüsse und/oder Unterbrechungen, enthaltend
  • a) eine erste Quelle (Elektronenquelle 30) zur Er­ zeugung einer ersten Korpuskularstrahlung (Elektronenstrahl 4),
  • b) eine Einrichtung (magnetische Linsen 31), um den ersten Korpuskularstrahl auf ein erstes Netzwerk zu richten,
  • c) eine Einrichtung zur Stabilisierung eines zwei­ ten Netzwerks (2) auf einem bestimmten Potential,
  • d) eine Ablenkeinrichtung (32) für den ersten Kor­ puskularstrahl
  • e) sowie eine Einrichtung (Sekundärelektronen-De­ tektor 33) zum Nachweis von Sekundärelektronen,
dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Stabilisierung durch eine Einrichtung zur Erzeugung von freien Ladungsträgern gebildet wird.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich­ net, daß die Einrichtung zur Erzeugung von freien Ladungsträgern durch eine weitere Quelle (34) zur Erzeugung einer zweiten Korpuskularstrahlung gebil­ det wird.
17. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich­ net, daß die Einrichtung zur Erzeugung von freien Ladungsträgern durch eine Einrichtung zur Erzeugung einer Gasentladung (Elektroden 6) im Bereich des zu stabilisierenden weiteren Netzwerkes gebildet wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8362428B2 (en) 2007-07-09 2013-01-29 Medical Research Council Transmission electron microscope

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU432429A1 (ru) * 1970-02-24 1974-06-15 В. С. Тюньков , А. В. Платонов Устройство для контроля обрыва жилы микропровода в стеклянной изоляции
EP0066070A1 (de) * 1981-05-26 1982-12-08 International Business Machines Corporation Verfahren und Vorrichtung zu kontaktlosem elektrischem Testen
DE3235461A1 (de) * 1982-09-24 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur kontaktlosen pruefung eines objekts, insbesondere von mikroverdrahtungen, mit einer korpuskularstrahl-sonde
EP0285896A2 (de) * 1987-04-10 1988-10-12 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für HalbleiterprÀ¼ftechnik mbH Verfahren zum Testen von Leitungsnetzwerken
SU1539692A1 (ru) * 1987-12-23 1990-01-30 Краснодарское Отделение С Опытным Производством Научно-Исследовательского Института Источников Тока Способ поиска неисправностей в последовательно-параллельных соединени х фотопреобразователей
US5057773A (en) * 1989-03-21 1991-10-15 International Business Machines Corporation Method for opens/shorts testing of capacitively coupled networks in substrates using electron beams
DE3733040C2 (de) * 1987-09-30 1992-04-09 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU432429A1 (ru) * 1970-02-24 1974-06-15 В. С. Тюньков , А. В. Платонов Устройство для контроля обрыва жилы микропровода в стеклянной изоляции
EP0066070A1 (de) * 1981-05-26 1982-12-08 International Business Machines Corporation Verfahren und Vorrichtung zu kontaktlosem elektrischem Testen
DE3235461A1 (de) * 1982-09-24 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur kontaktlosen pruefung eines objekts, insbesondere von mikroverdrahtungen, mit einer korpuskularstrahl-sonde
EP0285896A2 (de) * 1987-04-10 1988-10-12 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für HalbleiterprÀ¼ftechnik mbH Verfahren zum Testen von Leitungsnetzwerken
DE3733040C2 (de) * 1987-09-30 1992-04-09 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De
SU1539692A1 (ru) * 1987-12-23 1990-01-30 Краснодарское Отделение С Опытным Производством Научно-Исследовательского Института Источников Тока Способ поиска неисправностей в последовательно-параллельных соединени х фотопреобразователей
US5057773A (en) * 1989-03-21 1991-10-15 International Business Machines Corporation Method for opens/shorts testing of capacitively coupled networks in substrates using electron beams

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8362428B2 (en) 2007-07-09 2013-01-29 Medical Research Council Transmission electron microscope

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