DE4234312A1 - Verfahren zur Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis eines SupraleitersInfo
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Description
Bei der Erfindung wird ausgegangen von einem Verfahren zur
Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder
Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters nach dem
Oberbegriff der Patentansprüche 1 und 9.
Mit dem Oberbegriff der Patentansprüche 1 und 9 nimmt die
Erfindung auf einen Stand der Technik Bezug, wie er durch
K. E. Gray und D. E. Fowler, J. Appl. Phys. 49 (4), April
1978, S. 2546-2555, bekannt ist. Dort wird ein Verfahren
zur Herstellung eines supraleitenden Strombegrenzers
angegeben, der bei der Temperatur des flüssigen Heliums
betrieben wird, was teuer und aufwendig ist. Der
Supraleiter steht mit einem nicht supraleitenden Metall in
engem Kontakt und ist spiralförmig angeordnet.
Bei derartigen Strombegrenzern, basierend auf Supraleitern,
wird von dem Übergang vom supraleitenden zum
normalleitenden Zustand Gebrauch gemacht. Dieser Übergang
kann durch ein Überschreiten der kritischen Werte für Strom
und/oder Magnetfeld geschehen, wobei es besonders günstig
ist, wenn dadurch eine Erwärmung auf eine Temperatur
oberhalb der kritischen Übergangstemperatur Tc erreicht
wird (thermisches Quenchen). Bei der rein resistiven
Strombegrenzung ist der Supraleiter in Reihe zwischen einem
Erzeuger und einem Verbraucher geschaltet. Er muß so
dimensioniert sein, daß er unter normalen
Betriebsbedingungen keine ohmschen Verluste hat, d. h., der
fließende Strom muß kleiner als der kritische Strom sein.
Wenn sich in einem Fehlerfall der Strom über den kritischen
Strom erhöht, setzen sofort ohmsche Verluste ein, und der
Supraleiter heizt sich innerhalb von 100 ms auf eine
Temperatur oberhalb der kritischen Übergangstemperatur Tc
auf. (Bei Hochtemperatursupraleitern liegt der spezifische
Normalwiderstand in der Größenordnung von 1 mΩcm.)
Die Begrenzungswirkung dieses Bauteiles steigt proportional
zum Normalwiderstand des Supraleiters und somit
proportional zu seiner Länge, bei gegebenem Querschnitt und
spezifischem Normalwiderstand.
Von entscheidender Wichtigkeit ist, daß das sog. Quenchen
bzw. Überhitzen möglichst gleichmäßig über die gesamte
Länge des Begrenzers erfolgt, da lokale Überhitzungen zur
thermischen Zerstörung des Leiters führen. Das Problem der
lokalen Überhitzung ist schon von den klassischen
Supraleitern her bekannt. Man begegnet ihm dadurch, daß
parallel zum Supraleiter ein metallischer Widerstand
geschaltet wird. Dieser Leiter hat einen Widerstand, der
wesentlich kleiner ist als der des Supraleiters im
normalleitenden Zustand. Zusätzlich besitzt er auch eine
gute Wärmeleitfähigkeit und eine hohe spezifische Wärme. Im
Falle einer plötzlichen Temperaturerhöhung übernimmt dieser
Leiter im wesentlichen den Stromtransport und die
Wärmeabfuhr. Er dient sowohl als elektrischer als auch als
thermischer Stabilisator.
Bei Drähten und Bandleitern auf HTSL-Basis ist diese
Stabilisierung durch den Silbermantel gegeben, von welchem
die Leiter auf Grund des üblichen Herstellungsverfahrens
umgeben sind.
Aus der EP-A1-0 842 221 ist ein Verfahren zum Herstellen
eines keramischen Hochtemperatursupraleiters vom Typ Bi-Sr-
Ca-Cu-O bekannt, bei dem das Verhältnis von
Bi : Sr : Ca : Cu bei (2-x) : 2 : (1+v) : (2+w) liegt,
0,05 x 0,6; 0 < v 0,5 und 0 < w 0,5. Oxide von Bi
und Cu sowie Karbonate von Ca und Sr werden unterhalb der
Schmelztemperatur, vorzugsweise bei 800°C, in eine
Bi-2Schichtverbindung umgewandelt. Dann wird die
Pulvermischung in eine gewünschte Form gepreßt und wenige
Grad oberhalb der Schmelztemperatur 1 h unter 1 bar O2
erschmolzen. Nach dem Erstarren liegt das Material im
wesentlichen als Bi-1Schichtverbindung vor. In einem
2Stufenprozeß (13 h bei 860°C unter 1 bar O2 und 60 h bei
800°C in Luft) wird das Material nachbehandelt und in die
Bi-2Schichtverbindung umgewandelt. Das anschließende
Abkühlen erfolgte unterhalb 700°C in einer N2-Atmosphäre.
Ohne Magnetfeld liegt die kritische Stromdichte jc bei
1,6 kA/cm2. Mit x = 0,05 und einer Nachbehandlung von 18 h
bei 800°C wurde jc (B = 0) = 2,12 kA/cm2 gemessen.
Aus der EP-A2-0 351 844 ist es bekannt, einen
Hochtemperatursupraleiter vom Typ Bi-Sr-Ca-Cu-O mit einer
Sprungtemperatur von 94 K und einer kritischen Stromdichte
von 2 kA/cm2 herzustellen. Nach einer 30minütigen
Hitzebehandlung in Sauerstoffatmosphäre bei 900°C wurde
für 10 min auf 920°C erhitzt und anschließend 6 h bei
880°C geglüht. Danach wurde mit einer
Abkühlgeschwindigkeit von 2 K/min auf 600°C abgekühlt,
anschließend in Stickstoffatmosphäre bis Zimmertemperatur.
Durch Jun-ichiro Kase et al., Partial Melt Growth Process
of Bi2Sr2Ca1Cu2Ox Textured Tapes on Silver, Japanese
Journal of Applied Physics, Vol. 29, No. 7, July 1990, S.
L1096-L1099, ist es bekannt, bei einer Temperatur von
77 K ohne äußeres Magnetfeld eine kritischen Stromdichte
jc von 13 kA/cm2 für orientierte Dickfilme zu erreichen.
Wie bei dem Verfahren nach der o. g. EP-A2-0 351 844 wird
auch hier das Pulver, gepreßt oder geschüttet, auf eine
plane Unterlage, vorzugsweise aus Silber, aufgebracht. Im
partiell geschmolzenen Zustand wird das Pulver zu einem
kompakten Körper oder Film verdichtet.
Aus dem Artikel von G. Triscone et al., Variation of the
superconducting properties of Bi2Sr2CaCu2O8+x with oxygen
content, Physica C 176 (1991), S. 247-256, insbesondere
aus Fig. 1 auf S. 248, ist es bekannt, wie die
Sprungtemperatur vom Sauerstoffpartialdruck beim Glühen und
von der Temperatur nach dem Abkühlen aus der Schmelze
(Temperatur des 1. Langzeitglühens) abhängt.
Die Erfindung, wie sie in den Patentansprüchen 1 und 9
definiert ist, löst die Aufgabe, Verfahren zur Herstellung
eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf
der Basis eines Supraleiters der eingangs genannten Art
derart weiterzuentwickeln, daß ein gleichmäßiger
Temperaturanstieg über die gesamte Länge gewährleistet und
gleichzeitig ein Betrieb bei Temperaturen des flüssigen
Stickstoffes möglich sind.
Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß mit wenig
Prozeßschritten ein Element mit guter thermischer und
mechanischer Stabilität erreicht wird.
Außer einer hohen Stromdichte zeigen die erfindungsgemäß
hergestellten Strombegrenzer oder Schaltelemente
Rißfreiheit und eine gute Homogenität in der kritischen
Stromdichte.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei
spielen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein gefalztes Silberband,
Fig. 2 ein Walzen eines Silberbandes gemäß Fig. 1, in
welches ein Kupferband eingelegt ist,
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein gemäß Fig. 2
gewalztes Silberband,
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine Ronde mit
eingelegten Stegen aus gewalztem Silberband
gemäß Fig. 2,
Fig. 5 einen vergrößerten Ausschnitt einer Ronde gemäß
Fig. 4 mit eingefülltem
Hochtemperatursupraleiter,
Fig. 6 einen Strombegrenzer, der aus einer Ronde gemäß
Fig. 5 durch Abschleifen von oben und unten
entstanden ist,
Fig. 7 eine Draufsicht auf einen spiralförmigen
Strombegrenzer gemäß Fig. 6 und
Fig. 8 ein Flußdiagramm zur Herstellung eines
Strombegrenzers gemäß Fig. 5.
In Fig. 1 ist mit (5) ein in der Mitte gefalztes Metallband
aus Silber bezeichnet.
In den Falz des Metallbandes (5) wird ein Kupferband bzw.
Falz-Einlageband (6) eingelegt, das nicht ganz so breit ist
wie die halbe Breite des Metallbandes (5), vgl. Fig. 2.
Mittels der Walzen (4) wird ein im Querschnitt in Fig. 3
gezeigtes Band (5, 6) erzeugt, das in eine Schmelzform bzw.
Ronde (1) gemäß Fig. 4 in Form einer Doppelspirale
eingelegt wird und darin Stege (2) bildet. Durch die Form
der Doppelspirale, vgl. auch Fig. 7, heben sich die
magnetischen Felder gegenseitig auf. Resultierende
Beschränkungen eines Supraleitungsstromes durch
Eigenfeldeffekte und Wechselstromverluste werden
weitestgehend vermieden.
Die Stege (2) sind zueinander und zu einem Rondenrand (1a)
der Höhe (h) beabstandet. Die Ronde (1) besteht aus einem
bei einer üblichen Betriebstemperatur des herzustellenden
Strombegrenzers oder Schaltelementes nicht supraleitenden
Metall, vorzugsweise aus einem Edelmetall oder aus einer
Edelmetallegierung, insbesondere aus Silber.
Das Verfahren eignet sich prinzipiell für alle Supraleiter,
welche durch Aufschmelzen und eventuell anschließendes
Nachglühen herstellbar sind.
In die Ronde (1) wird pulverförmiges Ausgangsmaterial bzw.
ein Pulvergemisch mit der Zusammensetzung: TlBaSrCa2Cu3On
oder Tl2Ba2CaCu2On oder Tl2Ba2Sr2Ca2Cu3On oder
Bi1,84Pb0,34Sr1,91Ca2,03Cu3,06On oder Bi2+xSr2CaCu2Oy
eingefüllt, mit 0 < x < 0,4; 8 y 8,3; n = je nach
Material ein unterschiedlicher Wert. Diese Pulver werden
aus Oxiden von Cu, Tl und Bi sowie aus Karbonaten von Ca,
Sr und Ba durch Kalzinieren bei 800°C durch einen weiter
unten beschriebenen Vorprozeß hergestellt.
Anhand von Fig. 8 wird das weitere Verfahren zur
Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder
Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters erläutert.
Bei Zimmertemperatur werden das gefalzte Band (5, 6) in
Gestalt einer Doppelspirale und das pulverförmige
Ausgangsmaterial für den Hochtemperatursupraleiter (3) in
die Ronde (1) eingebracht, vgl. Funktionsblock (10).
Anschließend wird das HTSL-Pulver bei Zimmertemperatur
gepreßt, vgl. Funktionsblock (11).
Auch während der weiteren, in Funktionsblöcken (12-18)
angegebenen Verfahrensschritte bleibt das zu schmelzende
und geschmolzene Pulver (3) in der Schmelzform (1), wobei
Heiz- und Kühlgeschwindigkeiten stets < 200 K/h gehalten
werden. Daher sind Schmelzform (1) und
Hochtemperatursupraleiter (3) isotherm. Somit werden starke
thermische Gradienten vermieden, woraus ein dichtes,
homogenes Gefüge resultiert.
Das partielle Schmelzen wird bei einer 1. Prozeßtemperatur
(T1) im Bereich von Tm K T1 Tm + 10 K, vorzugsweise in
einem Temperaturbereich von Tm K T1 Tm + 6 K während
einer 1. Prozeßdauer (D1) in einem Bereich von
5 min D1 3 h, vorzugsweise in einem Bereich von
9 min D1 1,5 h bei einem Sauerstoffpartialdruck
p(O2) 0,8 bar durchgeführt; Tm = Schmelztemperatur, vgl.
Funktionsblock (12). Wenn die Schmelztemperatur des
pulverförmigen Ausgangsmaterials mit zunehmender
Schmelzdauer sinkt, dann wird die Ofentemperatur
entsprechend gesenkt. Das partielle Schmelzen des Pulvers
(8) erfolgt bei ca. 880°C-910°C.
Anschließend wird die Probe gemäß Funktionsblock (13) bei
einem Sauerstoffpartialdruck p(O2) 0,8 bar mit einer
Abkühlgeschwindigkeit (-dT/dt) von 8 K/h -dT/dt 70 K/h
auf eine 2. Prozeßtemperatur (T2) eines nachfolgenden 1.
Langzeitglühens abgekühlt.
Das 1. Langzeitglühen gemäß Funktionsblock (14) erfolgt
bei einem Sauerstoffpartialdruck p(O2) 0,8 bar bei der 2.
Prozeßtemperatur (T2) in einem Temperaturbereich von
830°C T2 870°C, vorzugsweise in einem
Temperaturbereich von 840°C T2 850°C während einer 2.
Prozeßdauer (D2) in einem Zeitdauerbereich von
10 h D2 60 h, vorzugsweise in einem Bereich von
20 h D2 40 h.
Ein anschließendes 2. Langzeitglühen gemäß Funktionsblock
(15) erfolgt bei einem Sauerstoffpartialdruck p(O2) in
einem Druckbereich von 0,2 bar p(O2) 0,5 bar bei der 3.
Prozeßtemperatur (T3) in einem Temperaturbereich von
750°C T3 820°C, vorzugsweise in einem
Temperaturbereich von 780°C T3 820°C während einer 3.
Prozeßdauer (D3) in einem Zeitdauerbereich von
10 h D3 400 h, vorzugsweise in einem Zeitdauerbereich
von 20 h D3 200 h.
Danach wird abgekühlt, vgl. Funktionsblock (15), mit einer
Abkühlgeschwindigkeit -dT/dt = 100 K/h ± 20 K/h, wobei das
Abkühlen bei Temperaturen (T) 600°C in einer
Inertgasatmosphäre, vorzugsweise in Stickstoffatmosphäre
durchgeführt wird.
Anschließend erfolgt gemäß Funktionsblock (17) ein 3.
Langzeitglühen bei einem Sauerstoffpartialdruck p(O2) in
einem Druckbereich von 0,1 bar p(O2) 0,2 bar bei einer
4. Prozeßtemperatur (T4) in einem Temperaturbereich von
760°C T4 800°C, vorzugsweise in einem
Temperaturbereich von 770°C T4 790°C während einer 4.
Prozeßdauer (D4) in einem Zeitdauerbereich von
100 h D4 130 h, vorzugsweise in einem Zeitdauerbereich
von 115 h D4 125 h.
Das nachfolgende Abkühlen im Funktionsblock (18) erfolgt
gleich demjenigen gemäß Funktionsblock (16).
Zur Erzeugung von Hochtemperatursupraleitern wurden in
einem Vorprozeß Pulvermischungen aus Bi2O3, SrCO3, CaCO3
und CuO mit einem Verhältnis
Bi : Sr : Ca : Cu = 2 : 2 : 1 : 2 hergestellt. Diese
Mischungen wurden bei 800°C 16 h geglüht, danach gemahlen,
nochmals geglüht und aufgemahlen. Das erhaltene Pulver
hatte eine Korngröße von < 50 µm.
Durch diese Wärmebehandlung ist aus dem HTSL-Pulver ein
zusammenhängender Hochtemperatursupraleiter (3) entstanden.
Gleichzeitig wurde das Kupferband (6) zu CuO oxydiert,
d. h. zu einem elektrisch isolierenden Band.
Diese in Fig. 5 ausschnittsweise dargestellte Struktur wird
von oben bis zu einer oberen Schnittfläche (7) und von
unten bis zu einer unteren bzw. bodenseitigen Schnittfläche
(8) abgeschliffen, so daß eine in Fig. 6 gezeigte Struktur
des erzeugten Strombegrenzers bzw. Schaltelementes
resultiert. Diese Sandwichstruktur hat eine Schichtenfolge:
Rondenrand (1a), Hochtemperatursupraleiter (3), Metallband
(5), Isolator (6), Metallband (5),
Hochtemperatursupraleiter (3), . . . Rondenrand (1a), wobei
der hintere Rondenrand (1a) nur aus Fig. 4 ersichtlich ist.
Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf einen Strombegrenzer
gemäß Fig. 6 mit elektrischen Anschlußkontakten (2a, 2b).
Wichtig ist, daß die Stege (2) aus einem Material
bestehen, das die Eigenschaften des Supraleiters bei hohen
Temperaturen nicht beeinträchtigt, so daß die gesamte
Struktur in der Ronde (1) geschmolzen und gesintert werden
kann. Das fertige Bauteil besteht somit aus einer Platte
von fest miteinander verbunden Materialien, ohne
irgendwelche Einschnitte.
Vorteilhafterweise besteht der Steg (2) aus einer
Sandwichstruktur Metall-Isolator-Metall. Dadurch sind
sowohl die thermische Stabilisierung der Supraleiterstege
als auch die elektrische Querleitungentkopplung gegeben.
Als Metalle kommen vor allem Edelmetalle und
Edelmetallegierungen in Frage; als Isolatoren anorganische
Dielektrika, die thermisch stabil und chemisch inert
gegenüber dem Metall sind. Beispiele dafür sind die
gängigen Hochtemperatur-Keramikmaterialien, wie Al2O3, MgO,
aber auch Oxide, wie CuO und NiO, die sich aus den Metallen
während der o. g. Wärmebehandlung bilden.
Als Supraleitermaterial kann jede HTSC-Substanz verwendet
werden, deren Schmelz- und Sintertemperatur unterhalb des
Schmelzpunktes des verwendeten Metalles liegt und die mit
dem Metall nicht oder nur wenig reagiert. Mögliche
Materialkombinationen sind z. B. YBa2Cu3On mit Ag-Pd,
YBa2Cu3On mit Au, Bi2Sr2Ca2Cu2On oder Bi2Sr2Ca2Cu3On mit
Ag, Tl2Ba2CaCu2On oder Tl2Ba2Sr2Ca2Cu3On mit Pt, wobei n
für jedes Material verschiedene Werte hat.
In einer anderen Ausführung wird der Supraleiter als
biegsame Schicht auf den Steg (2) aufgebracht. Anschließend
werden eine Lage oder mehrere Lagen dieses Verbundsystems
Supraleiter-Metall-Isolator-Metall fest zu einer Spirale
gewickelt und der o. g. Glühbehandlung unterworfen. Die
Supraleiterschicht kann z. B. mittels eines Skalpells oder
durch Plasmaspritzen aufgebracht werden. Mit diesen
Verfahren können leicht Schichtdicken unterhalb 200 µm
hergestellt werden. Derartige Schichten von YBa2Cu3On oder
Supraleitermaterial auf Bi-Basis wachsen bekanntermaßen
orientiert auf Silbersubstrat auf, wodurch die Stromdichte
des Supraleiters wesentlich verbessert wird gegenüber
derjenigen von unorientiertem Material.
Entsprechend Fig. 4 werden in eine Ronde (1) aus Silber mit
einem Durchmesser von 100 mm und einer Randhöhe (h) des
Rondenrandes (1a) von 8 mm 2 Stegstreifen (2) von ca. 2 m
Länge und 5 mm Höhe derart eingelegt, daß daraus eine
Doppelspiralstruktur mit ca. 2 mm-4 mm Zwischenraum
entsteht. Die so entstandene Struktur wird mit Pulver der
Zusammensetzung Bi2Sr2Ca2Cu2On bis zum Rand gefüllt.
Anschließend wird das Pulver gepreßt. Einen kompakten
Körper mit guten supraleitenden Eigenschaften erhält man
durch partielles Aufschmelzen bei 890°C-940°C und
anschließendes Glühen bei 750°C-850°C in
sauerstoffreicher Atmosphäre. Anschließend werden die
Ober- und Unterseite des Bauteiles abgeschliffen, bis die
Supraleiterspirale (3) und die Stegstruktur (2) aus Ag und
CuO erscheint, vgl. Fig. 7.
Der Steg (2) wird gemäß den Fig. 1-3 folgendermaßen
hergestellt: ein Silberband (5) mit einer Breite von 15 mm
wird der Länge nach in der Mitte gefalzt. In dieses
Metallband (5) wird ein dünnes Kupferband (6) mit einer
Breite von 5 mm eingelegt. Anschließend werden die beiden
Bänder (5, 6) gewalzt. Dadurch erhält man ein schmales
Silberband mit Kupferkern (2). Infolge der guten
Sauerstoffdiffusion in Silber wird dieser Kern bei hohen
Temperaturen zu isolierendem CuO durchoxydiert.
Im Unterschied zu Beispiel 1 wird der Isolator im Steg (2)
von einer dünnen Lage Keramikpapier gebildet.
Im Unterschied zum Beispiel 1 wird anstelle des
Bi2Sr2Ca2Cu2On-Pulvers ein Oxidgemisch verwendet, das der
Zusammensetzung von Bi1,84Pb0,34Sr1,91Ca2,03Cu3,06On
entspricht. Dieses Pulver wird in der Ronde (1) bei
Zimmertemperatur vorgepreßt. Eine Verdichtung auf über
90% der theoretischen Dichte erhält man durch ein
Heißpressen zwischen 600°C-800°C. Anschließend
erfolgt die Umwandlung zu Bi1,84Pb0,34Sr1,91Ca2,03Cu3,06On
bei 845°C ohne Druck durch reaktives Sintern.
Bei allen Beispielen lag die kritische Übergangstemperatur
Tc oberhalb 93 K.
Bezeichnungsliste
1 Schmelzform; Ronde; berandete, kreisförmige
Silberscheibe
1a Rondenrand
2 Stege, Spiralstege aus nicht supraleitendem Material
2a, 2b elektrische Anschlußkontakte von 2
3 Hochtemperatursupraleiter
4 Walzen
5 Metallband, Silberband
6 Falz-Einlageband, Kupferband, Isolator
7 obere Schnittfläche
8 untere bzw. bodenseitige Schnittfläche
10-18 Funktionsblöcke
D1-D4 1.-4. Prozeßdauer
h Randhöhe von 1a
jc kritische Stromdichte
p(O2) Sauerstoffpartialdruck
T Temperatur
T1-T4 1.-4. Prozeßtemperatur
Tm Schmelztemperatur
1a Rondenrand
2 Stege, Spiralstege aus nicht supraleitendem Material
2a, 2b elektrische Anschlußkontakte von 2
3 Hochtemperatursupraleiter
4 Walzen
5 Metallband, Silberband
6 Falz-Einlageband, Kupferband, Isolator
7 obere Schnittfläche
8 untere bzw. bodenseitige Schnittfläche
10-18 Funktionsblöcke
D1-D4 1.-4. Prozeßdauer
h Randhöhe von 1a
jc kritische Stromdichte
p(O2) Sauerstoffpartialdruck
T Temperatur
T1-T4 1.-4. Prozeßtemperatur
Tm Schmelztemperatur
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung eines resistiven
Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis
eines Supraleiters (3),
- a) wobei der Supraleiter (3) in engem Kontakt mit einem
elektrisch gutleitenden Metall steht,
dadurch gekennzeichnet, - b) daß mindestens ein Band (5, 6) aus einem bei Betriebstemperatur nicht supraleitenden Metall (5) oder aus einer Nichtleiter-Metall-Komposition (5, 6) in mindestens einer Windung in eine Schmelzform bzw. Ronde (1) eingesetzt wird, derart, daß dieses Band (5, 6) in der Windung Stege (2) bildet, die gegenseitig und zu einem Rondenrand (1a) beabstandet sind,
- c) daß danach in die Ronde (1) nicht geschmolzenes, pulverförmiges Ausgangsmaterial eines Hochtemperatursupraleiters (3) eingebracht wird,
- d) daß anschließend das pulverförmige Ausgangsmaterial in der Ronde (1) partiell geschmolzen oder heißgepreßt wird, gefolgt von reaktivem Sintern und
- e) danach mindestens einem Langzeitglühen in sauerstoffhaltiger Atmosphäre unterworfen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
- a) daß die Nichtleiter-Metall-Komposition (5, 6) durch Falzen eines Metallbandes (5) aus einem bei einer üblichen Betriebstemperatur des Strombegrenzers oder Schaltelementes nicht supraleitenden Metall,
- b) nachfolgendes Einlegen eines Falz-Einlagebandes (6) aus einem Material, das zumindest nach der thermischen Behandlung ein elektrischer Isolator ist, in das gefalzte Metallband (5) und
- c) durch Walzen dieser Komposition gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
- a) daß das Metallband (5) aus einem Edelmetall oder aus einer Edelmetallegierung und
- b) daß das Falz-Einlageband (6) aus einem thermisch stabilen und chemisch gegenüber dem Material des Metallbandes (5) inerten, anorganischen Dielektrikum besteht,
- c) insbesondere, daß das Metallband (5) aus Silber und
- d) das Falz-Einlageband (6) aus einer Hochtemperaturkeramik, wie z. B. Al2O3, MgO, oder aus Oxiden, wie CuO, NiO, besteht, die sich aus dem jeweiligen Metall durch die thermische Behandlung bilden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet,
- a) daß das obere Teil der mit einem Hochtemperatursupraleiter (3) und mindestens einem Band (5, 6) gefüllten Ronde (1) bis zu einer oberen Schnittfläche (7) und
- b) das untere bzw. bodenseitige Teil bis zu einer unteren bzw. bodenseitigen Schnittfläche (8) entfernt wird,
- c) derart, daß ein Strombegrenzer bzw. Schaltelement mit einer Sandwichstruktur mit folgender Schichtenfolge entsteht: Hochtemperatursupraleiter (3), Metallband (5), Isolator (6), Metallband (5), Hochtemperatursupraleiter (3), . . . Fig. (5, 6).
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet,
- a) daß das partielle Schmelzen während einer 1. Prozeßdauer (D1) in einem Zeitbereich von 5 min D1 3 h,
- b) insbesondere, daß es in einem Temperaturbereich von Tm K T1 Tm + 6 K
- c) während einer 1. Prozeßdauer (D1) in einem Zeitbereich von 9 min D1 1,5 h
- d) bei einem Sauerstoffpartialdruck p(O2) 0,8 bar durchgeführt wird, Tm = Schmelztemperatur,
- e) insbesondere, daß der Hochtemperatursupraleiter vom
Typ Bi2+xSr2CaCu2Oy ist, mit
0 < x < 0,4,
8 y 8,3.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet,
- a) daß nach dem partiellen Schmelzen mit einer Abkühlgeschwindigkeit (-dT/dt) von 8 K/h -dT/dt 70 K/h auf eine 2. Prozeßtemperatur (T2) abgekühlt wird,
- b) daß ein 1. Langzeitglühen bei der 2. Prozeßtemperatur (T2) in einem Temperaturbereich von 830°C T2 870°C
- c) während einer 2. Prozeßdauer (D2) in einem Zeitbereich von 10 h D2 60 h
- d) bei einem Sauerstoffpartialdruck p(O2) 0,8 bar durchgeführt wird,
- e) insbesondere, daß das 1. Langzeitglühen bei der 2. Prozeßtemperatur (T2) in einem Temperaturbereich von 840°C T2 850°C
- f) während einer 2. Prozeßdauer (D2) in einem Zeitbereich von 20 h D2 40 h durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet,
- a) daß ein 2. Langzeitglühen bei einer 3. Prozeßtemperatur (T3) in einem Temperaturbereich von 750°C T3 820°C
- b) während einer 3. Prozeßdauer (D3) in einem Zeitbereich von 10 h D3 400 h
- c) bei einem Sauerstoffpartialdruck p(O2) im Bereich 0,2 bar p(O2) 0,5 bar durchgeführt wird,
- d) insbesondere, daß das 2. Langzeitglühen bei einer 3. Prozeßtemperatur (T3) in einem Temperaturbereich von 780°C T3 820°C
- e) während einer 3. Prozeßdauer (D3) in einem Zeitbereich von 20 h D3 200 h durchgeführt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet,
- a) daß der Hochtemperatursupraleiter vom Typ Tl2Ba2CaCu2On oder
- b) Tl2Ba2Sr2Ca2Cu3On oder
- c) (Bi, Pb)2Sr2Ca2Cu3On ist,
n = je nach Material unterschiedlicher Wert.
9. Verfahren zur Herstellung eines resistiven
Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis
eines Supraleiters (3),
- a) wobei der Supraleiter (3) in engem Kontakt mit einem
elektrisch gutleitenden Metall steht,
dadurch gekennzeichnet, - b) daß auf mindestens ein Band (5, 6) aus einem bei einer üblichen Betriebstemperatur des Strombegrenzers oder Schaltelementes nicht supraleitenden Metall (5) oder aus einer Nichtleiter-Metall-Komposition (5, 6) ein Hochtemperatursupraleiter (3) als biegsame Schicht aufgebracht wird,
- c) daß anschließend diese Komposition fest zu einer Spirale gewickelt und
- d) danach mindestens einem Langzeitglühen in sauerstoffhaltiger Atmosphäre unterworfen wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
- a) daß das Aufbringen des Hochtemperatursupraleiters (3) durch Plasmaspritzen
- b) in einer Schichtdicke < 200 µm erfolgt,
- c) insbesondere, daß das nicht supraleitende Metall (5) Silber ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4234312A DE4234312A1 (de) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | Verfahren zur Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4234312A DE4234312A1 (de) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | Verfahren zur Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4234312A1 true DE4234312A1 (de) | 1994-04-14 |
Family
ID=6470237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4234312A Withdrawn DE4234312A1 (de) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | Verfahren zur Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4234312A1 (de) |
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| DE102006032972B3 (de) * | 2006-07-17 | 2008-02-14 | Siemens Ag | Supraleitende Strombegrenzereinrichtung vom resistiven Typ mit mehrteiligem Halteelement |
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