DE4223295C1 - Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung

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DE4223295C1
DE4223295C1 DE19924223295 DE4223295A DE4223295C1 DE 4223295 C1 DE4223295 C1 DE 4223295C1 DE 19924223295 DE19924223295 DE 19924223295 DE 4223295 A DE4223295 A DE 4223295A DE 4223295 C1 DE4223295 C1 DE 4223295C1
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transistor
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operational amplifier
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DE19924223295
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Martin Dipl Ing Feldtkeller
Michael Lenz
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Infineon Technologies AG
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Siemens AG
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/225Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the temperature

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Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung.
Vor allem für Fensterkomparatorschaltungen werden zwei oder mehr Referenzspannungen benötigt. Bei der Erzeugung dieser Referenzspannungen wird häufig eine bereits vorhandene Referenzspannungsquelle mehrfach genutzt, um insgesamt den Schaltungsaufwand möglichst gering zu halten. Wie allgemein bekannt ist, lassen sich mittels eines aus Widerständen bestehenden Spannungsteilers auf einfache Weise aus einer einzigen Referenzspannungsquelle mehrere Referenzspannungen ableiten. Jedoch sind diese abgeleiteten Referenzspannungen stets kleiner oder gleich der von der Referenzspannungs­ quelle abgegebenen Spannung.
Zur Erhöhung einer gegebenen Referenzspannung schlägt bei­ spielsweise Robert C. Dobkin in "References for A/D Con­ verters", Application Note 184, National Semiconductor Corporation, Juni 1977 vor, der jeweiligen Referenzspan­ nungsquelle einen Gleichspannungsverstärker nachzuschalten. Insbesondere wenn mehrere abgeleitete Referenzspannungen zueinander und zu der gegebenen Referenzspannung mit hoher Genauigkeit in einer festen, möglichst temperaturunab­ hängigen Beziehung stehen sollen, ist jedoch bei der bekannten Schaltungsanordnung ein erheblicher Abgleich­ aufwand erforderlich.
Eine integrierte Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer beliebigen, geregelten, temperaturunabhängigen Referenz­ spannung aus einer ungeregelten Eingangsspannung ist aus der US-PS 36 17 859 bekannt. Dort wird durch die Eingangsspan­ nung einerseits eine Referenzspannungsquelle und anderer­ seits ein Versorgungsanschluß eines als Spannungsfolger geschalteten Operationsverstärkers angesteuert. Der nicht­ invertierende Eingang des Operationsverstärkers ist mit dem Mittelabgriff eines von dem positiven Pol der Referenz­ spannung angesteuerten Spannungsteilers und der inver­ tierende Eingang mit dem negativen Pol der Referenz­ spannungsquelle verbunden.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer beliebigen, temperaturunabhängigen Referenz­ spannung anzugeben.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand des in der einzigen Figur der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Die in der Zeichnung gezeigte Ausführungsform einer er­ findungsgemäßen Schaltungsanordnung weist einen zwei Strom­ quellen steuernden Operationsverstärker auf. Der Opera­ tionsverstärker besteht aus zwei npn-Transistoren 9 und 10, deren miteinander gekoppelte Emitter über eine Kon­ stantstromquelle 13 an ein Bezugspotential 1 angeschlossen sind. Der Kollektor des npn-Transistors 9 ist mit dem Kol­ lektor eines pnp-Transistors 6 und der Kollektor des npn- Transistors 10 ist mit Basis und Kollektor eines pnp-Tran­ sistors 7 sowie mit der Basis des pnp-Transistors 6 ver­ bunden. Die Emitter der beiden pnp-Transistoren 6 und 7 liegen an einem positiven Versorgungspotential 2. Außerdem ist ein als Diode betriebener npn-Transistor 8 vorgesehen, bei dem Basis und Kollektor an ein positives Eingangsrefe­ renzpotential 4 angeschlossen sind und dessen Emitter zum einen mit der Basis des npn-Transistors 9 und unter Zwi­ schenschaltung einer Konstantstromquelle 12 mit dem Be­ zugspotential 1 gekoppelt ist.
Die Basis des npn-Transistors 10 ist zum einen über eine Konstantstromquelle 14 an das Bezugspotential angeschlos­ sen und zum anderen mit dem Emitter eines npn-Transistors 11 verbunden, dessen Kollektor an das Eingangsreferenzpo­ tential 4 gelegt ist. Die Basis des npn-Transistors 11 bildet den invertierenden Eingang und Basis und Kollektor des npn-Transistors 8 sowie der Kollektor des npn-Tran­ sistors 11 bilden den nichtinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers.
An den Kollektor des npn-Transistors 9 sind zudem die Basen zweier pnp-Transistoren 17 und 19 angeschlossen, deren Emitter jeweils über einen Widerstand 16 bzw. 18 mit dem Versorgungspotential 2 gekoppelt sind. Der Kollektor des pnp-Transistors 17 ist zum einen mit der Basis des npn- Transistors 11 und zum anderen über einen Widerstand 15 mit dem Bezugspotential 1 gekoppelt. Der Kollektor des pnp-Transistors 19, an dem ein Ausgangsreferenzpotential 3 abnehmbar ist, ist über einen Widerstand 22 an das Ein­ gangsreferenzpotential 4 angeschlossen. Die pnp-Transisto­ ren 17 und 19 in Verbindung mit den Widerständen 16 bzw. 18 bilden die zwei, durch den Operationsverstärker gesteu­ erten Stromquellen. Schließlich ist zwischen das Eingangs­ referenzpotential 4 und das Bezugspotential 1 ein aus zwei Widerständen 20 und 21 bestehender Spannungsteiler ge­ schaltet, an dessen Abgriff ein Ausgangsreferenzpotential 5 abnehmbar ist.
Für die weiteren Betrachtungen wird von einem Anwendungs­ fall ausgegangen, bei dem neben einer gegebenen Referenz­ spannung U41 zwei dazu symmetrische und daraus abgeleitete Referenzspannungen U31 und U41 benötigt werden. Aus der Symmetriebedingung ergibt sich, daß die Differenz zwischen der abgeleiteten Spannung U31 und der gegebenen Referenz­ spannung U41 gleich der Differenz zwischen der gegebenen Differenzspannung U41 und der abgeleiteten Referenzspan­ nung U51 ist. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die gegebene Referenzspannung U41 gleich der Differenz zwi­ schen dem Eingangsreferenzpotential 4 und dem Bezugspoten­ tial 1, die abgeleitete Referenzspannung U31 gleich der Differenz zwischen dem Ausgangsreferenzpotential 3 und dem Bezugspotential 1 und die abgeleitete Referenzspannung U51 gleich der Differenz zwischen dem Ausgangsreferenzpoten­ tial 5 und dem Bezugspotential 1. Die Erzeugung der nied­ rigeren abgeleiteten Referenzspannung U51 erfolgt in ge­ wohnter Weise mittels eines Spannungsteilers mit den Wi­ derständen 20 und 21. Der Widerstandswert R21 des Wider­ stands 21 verhält sich dabei zum Widerstandswert R20 des Widerstands 20 wie die Differenz der gegebenen Referenz­ spannung U41 und der abgeleiteten Referenzspannung U51 zur abgeleiteten Referenzspannung U51. Also wie eine gegebene Spannungsdifferenz dU zur abgeleiteten Referenzspannung U51.
R21/R20 = (U41-U51)/U51 = dU/U51 (1)
Zur Erzeugung der höheren abgeleiteten Referenzspannung U31 regelt der Operationsverstärker die beiden Stromquel­ len derart, daß der Spannungsabfall über dem Widerstand 15 gleich der gegebenen Referenzspannung U41 ist. Der Span­ nungsabfall über dem Widerstand 22, der gleich der Span­ nungsdifferenz dU sein soll, ist gleich dem Produkt aus gegebener Referenzspannung U41, den Widerstandswert R22 des Widerstandes 22 und dem Kollektorstrom 119 des Tran­ sistors 19 geteilt durch das Produkt aus dem Wert R15 des Widerstands 15 und des Kollektorstroms 119 des pnp-Tran­ sistors 19. Die Kollektorströme 117 und 119 stellen die Ausgangsströme der beiden Stromquellen dar. Die Diffe­ renzspannung dU hängt demnach von der gegebenen Refe­ renzspannung U41, von dem Verhältnis der Ströme 119 und 117 der beiden Stromquellen und von dem Verhältnis der Widerstandswerte R22 und R15 ab.
dU = U41 (R22/R15) (I19/I17) (2)
Da sich Strom- und Widerstandsverhältnisse im Gegensatz zu Absolutwerten in integrierter Schaltungstechnik sehr genau herstellen lassen, kann mit einer erfindungsgemäßen Schal­ tungsanordnung die Spannungsdifferenz dU mit einem ledig­ lich sehr geringen Fehler (≦ 0,5%) erzeugt und auf die gegebene Referenzspannung U41 aufgestockt werden, woraus sich die abgeleitete Referenzspannung U31 ergibt. Ein Ab­ gleich ist daher vorteilhafterweise nicht mehr notwendig.
Neben der gezeigten Ausführungsform sind verschiedene Ausgestaltungen des Operationsverstärkers und der Strom­ quellen ohne weiteres möglich. Außerdem sind weitere abgeleitete Referenzspannungen dadurch zu erzeugen, daß der Widerstand 22 durch einen Spannungsteiler mit einem oder mehreren Abgriffen ersetzt wird und/oder daß bei dem Spannungsteiler zwischen Eingangsreferenzpotential 4 und Bezugspotential 1 weitere Abgriffe vorgesehen werden.

Claims (4)

1. Schaltungsanordnung zur Referenzspannungserhöhung mit einem Operationsverstärker (6 bis 14), dessen Ausgang zwei Stromquellen (16 bis 19) ansteuert, dessen invertierender Eingang aus einer der beiden Stromquellen (16, 17) ge­ speist wird und über einen Widerstand (15) an ein Bezugs­ potential (1) angeschlossen ist und dessen nicht invertie­ render Eingang zum einen an ein Eingangsreferenzpotential (4) angeschlossen ist und zum anderen über einen weiteren Widerstand (22) aus der anderen Stromquelle (18, 19) ge­ speist wird, wobei am Abgriff zwischen dem weiteren Wider­ stand (22) und der anderen Stromquelle (18, 19) ein Aus­ gangsreferenzpotential (3) abnehmbar ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß beim Operationsverstärker ein erster und zweiter Transistor (9, 10) des einen Lei­ tungstyps, deren miteinander gekoppelte Emitter über eine erste Konstantstromquelle (13) an das Bezugspotential (1) angeschlossen sind,
ein dritter Transistor (6) des anderen Leitungstyps, des­ sen Emitter mit einem Versorgungspotential (2) und dessen Kollektor mit dem Kollektor des ersten Transistors (9) verbunden ist,
ein vierter Transistor (7) des anderen Leitungstyps, des­ sen Emitter mit dem Versorgungspotential (2) und dessen Kollektor mit seiner Basis, mit der Basis des dritten Transistors (6) sowie mit dem Kollektor des zweiten Tran­ sistors (10) verbunden ist,
ein fünfter Transistor (8) des einen Leitungstyps, dessen mit seinem Kollektor gekoppelte Basis den nicht invertie­ renden Eingang des Operationsverstärkers bildet und des­ sen Emitter mit der Basis des ersten Transistors (9) sowie über eine zweite Konstantstromquelle (12) mit dem Bezugs­ potential (1) verbunden ist, und
ein sechster Transistor (11) des einen Leitungstyps, des­ sen Basis den invertierenden Eingang des Operationsverstär­ kers bildet, dessen Kollektor mit Basis und Kollektor des fünften Transistors (8) verbunden ist und dessen Emitter über eine dritte Konstantstromquelle (14) an das Bezugs­ potential angeschlossen ist, vorgesehen sind, und
daß als gesteuerte Stromquellen ein siebter und achter Transistor (17, 19) des anderen Leitungstyps vorgesehen sind, deren Basen miteinander und mit dem Kollektor des ersten Transistors (9) verbunden sind, deren Emitter an das Versorgungspotential (2) angeschlossen sind und deren Kollektoren die Ausgänge der gesteuerten Stromquellen bilden.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen das Eingangsreferenzpotential (4) und das Bezugspotential (1) ein Spannungsteiler (20, 21) mit mindestens einem Abgriff geschaltet ist, an dem mindestens ein weiteres Ausgangsreferenzpotential (5) abnehmbar ist.
4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Widerstand (22) durch einen weiteren Spannungsteiler mit mindestens einem Abgriff ersetzt wird.
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