DE4130288A1 - Gassensor - Google Patents
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Description
Diese Erfindung betrifft eine verbesserte Halbleiter-
Sensoreinrichtung zur selektiven Feststellung der Anwesenheit
bestimmter Gase in der Atmosphäre, insbesondere von gasförmi
gen Kühlmitteln wie Fluorkohlenwasserstoffe (FCKWs) und Schwe
felhexafluorid.
Es gibt viele Fälle, in denen die Anwesenheit bestimmter Gase
oder Dämpfe in der Atmosphäre festgestellt werden muß. Das Gas
oder der Dampf könnte für den Menschen schädlich sein und so
mit die Überwachung des Arbeitsbereichs hinsichtlich der Ein
haltung bestimmter oberer Grenzwerte erforderlich machen. Oder
es wird gewünscht, Druckbehälter auf Leckagen hin zu überprü
fen, die ein Versagen des Behälters andeuten könnten. Typische
Gase oder Dämpfe, die bestimmt werden müssen, sind die Haloge
ne enthaltenen Gase, die als Kühlmittel und Feuerlöschmittel
eingesetzt werden. Bei korrekter Betriebsweise wird verlangt,
daß Leckagen in Kühlanlagen, Klimaanlagen und Feuerlöschanla
gen ausgeschlossen werden oder jedenfalls auf ein Minimum re
duziert bleiben. Es ist daher erforderlich, sowohl die Einzel
komponente als auch die Gesamtanlage auf Leckagen hin zu un
tersuchen.
Die vielfach eingesetzten Chlor-Fluor-Kohlenstoffverbindungen
(CFC), insbesondere die Kühlmittel R-12 und R-11 sowie die
Feuerlöschmittel HALON 1301 und HALON 1211, gehören zu der
Gruppe der chlorierten oder bromierten Verbindungen, deren
Einsatz aufgrund internationaler Vereinbarungen stufenweise
abgebaut oder streng begrenzt wird, da sie unter Verdacht ste
hen, zur Zerstörung des Ozons in der oberen Atmosphäre beizu
tragen. Zum Austausch dieser Verbindungen werden in den mei
sten Fällen entweder reine Fluorkohlenwasserstoffe (HFC), die
keinen Beitrag zur Zerstörung der Ozonschicht liefern, oder
aber Chlor-Fluorkohlenwasserstoffe (HCFC) mit einer stark ver
minderten Gefahr, an der Zerstörung der Ozonschicht beteiligt
zu sein. Zum Beispiel ersetzt der HFC R-13a mehr und mehr den
Stoff R-12 bei solchen Kühl- und Klimatisierungsanwendungen,
bei denen die korrekte Funktion von einer strengen Leckage
überwachung abhängt. Die Bestimmung geeigneter Methoden zur
Überwachung der Leckage ist der kritische Punkt beim Übergang
der Industrie zu solchen Stoffen, die keine Gefahr einer Zer
störung der Ozonschicht in sich bürgen. Wogegen beim gegenwär
tigen Stand der Technik die chlorinierten und bromierten Gase
(CFC, HCFC und Halon) sehr wirkungsvoll mit Gassensoren be
stimmt werden können, ist deren Wirksamkeit bei der Bestimmung
von HFC nicht ausreichend.
Der gegenwärtige Stand bei den Sensoren zu Bestimmung von Ga
sen und Dämpfen in der umgebenden Luft zeigt die Anwendung
einer Reihe von verschiedenen Prinzipien. Diese umfassen 1)
Bestimmung der Änderung der Wärmeverlustrate einer Schalt
kreiskomponente durch Veränderung der Wärmeleitfähigkeit in
der zu überwachenden Umgebungsluft, 2) Elektroneneinfangmetho
den, bei denen die im zu überwachenden Gas durch eine Bestrah
lung mit niederenergetischen Elektronen erzeugten Ionen be
stimmt werden, 3) Ionenemittermethoden, bei denen in einen
starken elektrischen Feld das zu überwachende Gas die Freiset
zungsrate der positiven Ionen aus einer Metallschicht beein
flußt, und 4) die Flächenerschöpfungsmethoden, bei denen das
zu untersuchende Gas die Konzentration der Ladungsträger in
der dem Gas ausgesetzten Oberfläche beeinflußt und somit den
inneren Widerstand des Sensors verändert.
Alle Sensoren nach dem Stand der Technik haben Schwierigkeiten
bei der Bestimmung von HFC. Die Wärmeleitfähigkeitssensoren
können nicht auf nur bestimmte Gase reagieren und sind daher
anfällig für Fehlanzeigen. Sie weisen auch nicht die hohe Emp
findlichkeit der anderen Sensortypen auf. Die Elektronenein
fangdetektoren verlangen radioaktive Strahlungsquellen, die
eine besondere Handhabung erfordern und in den meisten Fällen
auch behördlich genehmigt sein müssen. Nach dem Stand der
Technik weisen die Ionenemitter- und die Flächenerschöpfungs
methoden nur eine sehr geringe Empfindlichkeit gegenüber HFC
auf. Eine Methode, diese Empfindlichkeit zu erhöhen, ist die
Erhöhung der Betriebstemperatur des Sensors. Dies wirkt sich
jedoch dadurch nachteilig aus, daß einerseits die Lebensdauer
des Sensors stark verkürzt andererseits aber auch die Empfind
lichkeit gegenüber anderen Gases, insbesondere den chlorinier
ten oder bromierten Gasen erhöht wird. Diese hohe Empfindlich
keit gegenüber geringfügigen Verunreinigungen der umgebenden
Luft machen die derzeitigen Sensoren unbrauchbar für die Be
stimmung von HFC.
Ein Halbleitersensor mit der Fähigkeit, die Anwesenheit vieler
unerwünschter Gase und Dämpfe innerhalb einer Umgebungsatmosp
häre zu bestimmen, wird von Loh im U.S. Patent Nr. 37 51 968
offenbart. Darin steht ein Halbleiter, der Alkalimetallionen
enthält, die jederzeit aus dem zu untersuchenden Gas Anionen
aufnehmen können, in unmittelbarem Kontakt mit dem zu untersu
chenden Gas oder Dampf. Der Halbleiter wird dabei in besonde
rer Weise so vorbereitet, daß an seiner Oberfläche eine äußere
Schicht entsteht, die arm an Ionen ist. Der beheizte Halblei
ter hat in einer Atmosphäre ohne reaktiver Gase oder Dämpfe
eine nur geringe Leitfähigkeit. Die Anwesenheit einer oder
mehrerer der reaktiven Gase oder Dämpfe in der Atmosphäre
erzeugt jedoch einen Strom von Ionen durch die ionenarme Au
ßenschicht, wodurch die Leitfähigkeit des Halbleiters vergrö
ßert wird. Durch einen elektrischen Schaltkreis werden die
Mittel bereitgestellt, diese Zunahme der Leitfähigkeit des
Halbleitersensors zu bestimmen und ein Signal zu erzeugen, das
das Vorhandensein der reaktiven Anteile in der Umgebungsluft
des Prüfbereichs anzeigt.
Die nach dem Loh-Typus gebauten Sensoren haben sich als äu
ßerst brauchbare Werkzeuge zur Bestimmung der An- oder Abwe
senheit halogenhaltiger Gase in bestimmten Atmosphären erwie
sen. Anwendungsbereiche sind unter anderem die Leckagebestim
mung in Kühleinrichtungen und die Bestimmung möglicherweise
gefährlicher Gase in Betriebsräumen.
Jedoch enthalten viele Prüfumgebungen mehr als nur einen Be
standteil, der mit dem Sensor reagieren kann, wodurch manchmal
unerwünschte Fehlsignale erzeugt werden und die Feststellung,
daß ein bestimmtes Gas oder ein bestimmter Dampf enthalten
ist, erschwert wird. Beispielsweise kann der normalerweise in
jeder Luftatmosphäre enthaltene Wasserdampf ein Sensorsignal
auslösen und hat sich daher bei der Luftprobennahme als stö
rend erwiesen. Kohlenwasserstoffe und chlorhaltige Reinigungs
mittel wie z. B. Trichloräthylen sind ebenfalls störende Hin
tergrundgase, die in Industrieumgebungen häufig auftreten. Da
beim Stand der Technik die meisten Sensoren eine geringe Emp
findlichkeit gegenüber Gasen aufweisen, die weder Chlor noch
Brom enthalten, wie z. B. HFC oder Schwefelhexafluorid, ist es
fast unmöglich, das Vorhandensein dieser Gase, vor allem in
Gegenwart anderer Störgase, nachzuweisen. Dieser Sensortyp
wird üblicherweise bei einer Temperatur zwischen 700°C und
850°C betrieben. Eine Erhöhung der Betriebstemperatur erhöht
zwar das Signal beispielsweise von HFC oder Schwefelhexafluo
rid, sie verstärkt aber gleichzeitig auch die Störsignale, so
daß der mögliche Vorteil wieder aufgehoben wird. Eine erhöhte
Betriebstemperatur führt darüber hinaus aber auch zu einer
wesentlichen Verringerung der Lebensdauer des Sensors.
Ziel der Erfindung ist es, einen verbesserten Sensor für halo
genhaltige Gase, insbesondere HFC, vorzusehen, der eine ver
gleichsweise lange Lebensdauer aufweist und nicht von schnel
lem Verfall während des Betriebs betroffen ist.
Ein weiteres Ziel ist, einen verbesserten Sensor für halogen
haltige Gase vorzusehen, der nicht nur auf brom- oder chlor
haltige Gase (wie z. B. Halon, CFC und HCFC) reagiert, sondern
auch auf Gase, die kein Chlor oder Brom enthalten (wie z. B.
HFC und Schwefelhexafluorid).
Ein weiteres Ziel ist, einen verbesserten Sensor für halogen
haltige Gase vorzusehen, der eine genügend hohe Selektivität
aufweist, um fluorhaltige Gase, wie z. B. R-134a, auch in der
Gegenwart niedriger Mengen chlorierter oder bromierter Gasve
runreinigungen feststellen zu können.
Ein weiteres Ziel ist, einen miniaturisierten Halbleiterdetek
tor für halogenhaltige Gase vorzusehen, der eine verbesserte
Empfindlichkeit aufweist und für die preiswerte und automati
sierte Massenherstellung geeignet ist.
Weitere Ziele und deren Vorteile werden für den Fachmann beim
Studieren der vorliegenden Beschreibung im Zusammenhang mit
den beigefügten Zeichnungen offenbar werden.
Die genannten Ziele werden mit einem Gassensor erreicht, der
die Merkmale der Patentansprüche aufweist.
Die besonderen Details der bevorzugten Anwendungsform der Er
findung und die Funktionsweisen dieser Details werden hervor
gehoben und im Zusammenhang mit den folgenden Zeichnungen in
klaren, kurzen und exakten Worten dargestellt. Dabei ist
Bild 1 eine perspektivische Darstellung eines Sensors gemäß
den Lehren der Erfindung, wobei der Sensor in einen sche
matisch dargestellten Schaltkreis eingebunden ist, und
Bild 2 ein vergrößerter Längsschnitt durch den Sensor nach
Bild 1.
Bild 3 ist eine perspektivische Darstellung einer anderen
Anwendungsform eines Sensors gemäß den Lehren der Erfin
dung, wobei der Sensor mit der Technik der Mikroelektro
nik gefertigt wird.
Bild 4 ist eine perspektivische Darstellung in zerlegter An
ordnung des Sensors gemäß Bild 3.
Unter besonderer Bezugnahme auf die Darstellungen der Bilder 1
und 2 wird der Sensor (10) als symmetrisches Gebilde aufge
baut. Die dargestellte bevorzugte Anwendungsform ist gedacht
für die Prüfung auf halogenhaltige Gase, wobei der eigentliche
Sensor (11) aus glas-keramischen Stoffen gebildet wird. In der
vorliegenden Erfindung besteht der keramische Stoff bevorzugt
aus einer Mischung aus Alkalimetallsilikat und Aluminiumoxiden
oder Silizium, oder aber aus Aluminiumsilikat. Der keramische
Stoff bildet eine Lage erhöhten elektrischen Widerstands zwi
schen Kathode (14) und Anode (16). Die Elektroden können aus
Platin, Palladium, Legierungen aus Platin oder Palladium oder
aber aus anderen Metallen bestehen, die den hohen Temperaturen
widerstehen können. Die bevorzugte Zusammensetzung des kerami
schen Stoffs besteht aus einer Mischung aus Kaliumsilikat oder
Natriumsilikat mit Siliziumdioxid oder Aluminiumoxid. Die be
vorzugte Zusammensetzung ist eine Mischung aus Kaliumsilikat
und Aluminiumoxid. Die verschiedensten Gewichtsverhältnisse
können verwendet werden. Im Zusammenhang mit der Anwendung der
Erfindung kann ein Gewichtsverhältnis von einem Teil Alumini
umoxid zu ungefähr 0,25 bis 4,0 Teilen Kaliumsilikat einge
setzt werden. Ein Gewichtsteil Aluminiumoxid zu zwischen 1,5
bis 2,5 Teilen Kaliumsilikat gilt als bevorzugtes Mischungs
verhältnis. Die Zusammensetzung des Kaliumsilikats ist nicht
kritisch, und
es kann als Gewichtsverhältnis aus einem Teil Kaliumoxid zu
zwischen ungefähr 1,6 bis 2,5 Teilen Siliziumdioxid verwendet
werden. Als eine besonders wirkungsvolle Form des Kaliumsili
kats hat sich KASIL (PQ Corporation, Valley Forge, Pennsylva
nia), ein flüssiges Kaliumsilikat, bewährt. Zum Beispiel ist
KASIL 33 (PQ Corporation, Valley Forge, Pennsylvania) eine
wässrige Lösung, die an Feststoffen 36 Gewichtsprozent Silizi
umdioxid und Kaliumoxid im Gewichtsverhältnis 2 zu 1 enthält.
Aluminiumoxid, Siliziumoxid oder Aluminiumsilikate können un
terschiedliche Partikelgrößen haben. Die typische Durch
schnittsgröße der Partikel ist kleiner als 15 Mikron. Die be
vorzugte durchschnittliche Partikelgröße ist kleiner als 1
Mikron.
Die Heizwicklung (16) dient gleichzeitig als Anode. Jeder
Fachmann auf diesem Gebiet wird aber erkennen, daß auch ein
(von der Heizwicklung) getrennter Leiter als Anode eingesetzt
werden könnte, ohne vom Geist der Erfindung abzuweichen.
Die Kathode ist üblicherweise ein Draht mit einem Durchmesser
zwischen 5 und 25 mil (1 mil = 0,001 Zoll) und einer Länge
zwischen 0,25 und 1,0 Zoll. Die Anode und Heizwicklung ist
üblicherweise ein Draht mit einem Durchmesser zwischen 5 und
15 mil und einer Länge zwischen 2 und 5 Zoll. Diese Maße sind
keineswegs kritisch und andere Maße können eingesetzt werden.
Bei einer Anwendungsform der Erfindung wird der Sensor durch
Beschichtung einer Platinelektrode mit einem wäßrigen Brei
aus Kaliumsilikat und Aluminiumoxid hergestellt. Es kann auch
eine wässeriger Brei aus Aluminiumsilikat verwendet werden.
Nachdem die Beschichtung getrocknet ist, wird der beschichtete
Draht in die zu einer Spirale geformte Platindrahtanode posi
tioniert. Nun wird weiterer Brei zwischen der beschichteten
Elektrode und den Windungen der Anode eingetragen, bis alle
Hohlräume gefüllt sind, wonach die Einrichtung insgesamt ge
brannt wird. Die bevorzugte Ofentemperatur liegt im Bereich
zwischen 600°C und 1300°C. Der Schritt des Brennens kann
ausgelassen werden.
Jedoch wird dann der darauffolgende Kondi
tionierungsschritt zur Ausbildung der ionenarmen Außenschicht
länger dauern. Der Sensor kann nun in einen geeigneten Halter
montiert werden, durch dessen elektrisch isolierte Zuleitungen
der Heizstrom zum Sensor geleitet, eine Vorspannung zwischen
den Elektroden erzeugt und der zwischen den Elektroden flie
ßende Strom überwacht werden kann. Der Sensor wird nun kondi
tioniert, indem, zum einen, ein genügend starker Strom durch
die Heizspirale geschickt wird, so daß in der Heizspirale eine
Temperatur zwischen 600°C und 1000°C entsteht, und, zum an
deren, eine Gleichspannung zwischen der Heizspirale und der
zentralen Elektrode angelegt wird. Die Vorspannung hat eine
Höhe zwischen 0,5 und 5 Volt und wird so geschaltet, daß die
zentrale Elektrode auf negativem Potential zur Heizspirale
liegt. Die ionenarme Schicht wird in der Keramik durch den
zwischen den Elektroden fließenden Strom ausgebildet. Der
Strom nimmt in den ersten paar Stunden der Konditionierung
stark ab, stabilisiert sich dann aber nach ungefähr 24 Stun
den, wodurch angezeigt ist, daß sich die ionenarme Schicht
ausgebildet hat. Danach, beim Betrieb des Sensors, wird ein
Amperemeter (22) oder eine ähnliche, stromempfindliche Ein
richtung in den Schaltkreis (15) und (16) geschaltet. Als Bei
spiel ist das Amperemeter (22) im Bild 1 in Serie zwischen
Sensor (10) und der Vorspannungsquelle (20) geschaltet darge
stellt. Wenn die Umgebungsluft des Sensors (10) Halogene ent
hält, nimmt der durch den Sensor fließende Strom zu, was dann
am Amperemeter angezeigt wird.
Sensoren aus diesen Stoffen können über relativ lange Zeiträu
me bei Temperaturen zwischen 800°C und 1100°C betrieben wer
den. Bei diesen Temperaturen ist das Verhältnis von Ansprechen
auf CFC (beispielsweise R-12) zu Ansprechen auf HFC (bei
spielsweise R-134a) genügend klein, so daß HFC auch in Gegen
wart eines niedrigen CFC-Hintergrunds bestimmt werden kann.
Diese Sensoren können daher sowohl zur Bestimmung von HFC als
auch CFC, HCFC und Halon verwendet werden.
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann der Sensor
als kleine flächige Struktur geformt sein, die
preiswert hergestellt werden kann. Unter Bezugnahme auf Bilder
3 und 4 haben die Komponenten, die denen der Bilder 1 und 2
analog sind, die gleichen, allerdings um Einhundert erhöhten
Ziffern. Das Heizelement (116) ist eine dünne, auf die kerami
sche Schicht (111) serpentinförmig aufgebrachte Metallschicht,
wobei in den Zwischenräumen (119) die keramische Schicht (111)
offenliegt. Die keramische Schicht (111) ist eine ebene Lage
und bildet die Grenzschicht zwischen dem Heizelement und der
Kathode (114), die als ebene Metallschicht ausgebildet ist.
Den Unterbau der Kathode bildet eine weitere keramische
Schicht (123), die auch als Tragstruktur der gesamten Einheit
dient. Im Heizelement und den keramischen Schichten sind als
Zugang zu dem elektrischen Kontakt (115) an der Kathode geeig
nete Schlitze (124) angebracht.
Der Sensor wird in gleicher Weise, wie oben beschrieben, kon
ditioniert und damit die erforderliche ionenarme Schicht an
einer der Kontaktflächen der keramische Schicht (111) gebil
det, indem erstens eine 0,5 und 5,0 Volt Vorspannung so zwi
schen dem Kathoden Anschluß und dem Heizelement angelegt wird,
daß die Kathode auf negativem Potential zum Heizelement liegt;
sodann wird eine Stromquelle an die beiden Kontakte (116) und
(116′) des Heizelements angeschlossen, die eine Temperatur von
mehr als 500°C in der Heizschlange erzeugt. Danach, beim Be
trieb des Sensors, wird ein Amperemeter (122) oder eine ähnli
che, stromempfindliche Einrichtung in den Schaltkreis (115)
und (116) geschaltet. Als Beispiel ist das Amperemeter (22) im
Bild 3 in Serie zwischen Sensor (110) und der Vorspannungs
quelle (120) geschaltet dargestellt. Wenn die Umgebungsluft
des Sensors (110) Halogene enthält, nimmt der durch den Sensor
fließende Strom zu, was sofort am Amperemeter angezeigt wird.
Der Flächensensor kann, mit erneutem Bezug auf die Bilder 3
und 4, durch Siebdruckverfahren hergestellt werden, indem
zuerst unter Verwendung einer dickflüssigen Platintinte eine
leitende Schichtelektrode (114) auf den keramischen Unterbau
(123) gedruckt wird. Nachdem diese Schicht getrocknet und ge
brannt worden ist, wird eine Schicht aus keramischem Dielek
trikum (111) mit einem Muster, das den Schlitz (124) als Zu
gang zum Kontakt (115) der verdeckten Elektrode (114) frei
läßt, darüber gedruckt. Diese letztere Schicht wird getrocknet
und ausgehärtet. Danach wird ein zweites Elektroden-/Heiz
schlangenmuster (116) unter Verwendung einer dickflüssigen
Platintinte per Siebdruck auf die Oberfläche aufgetragen. Die
se letzte Schicht wird dann getrocknet und gebrannt.
Viele Varianten des flächenhaften Sensors sind möglich. Eine
Variante wäre die Trennung der Funktion der Heizschlange von
der der Elektroden. Bei solch einem Aufbau wird die zweite
Elektrode und das Muster der Heizschlange in zwei separaten
Schichten aufgetragen. Die Heizschlange kann auf der anderen
Seite der keramischen Tragstruktur der ersten Elektrode, in
nerhalb der keramischen Tragstruktur, oder aber auf der selben
Seite von der keramischen Tragstruktur wie die erste Elektrode
liegen, wobei im letzteren Fall zwischen der ersten Elektrode
und der Heizschlange eine elektrisch nichtleitende Schicht
eingeführt werden müßte.
Die Art und Weise der Auftragung der verschiedenen Schichten ist
nicht auf das Siebdruckverfahren beschränkt; es können auch
andere Verfahren wie zum Beispiel Kathodenzerstäubung (sputter
deposition), Aufdampfen (vapor deposition), Plasmasprühen
(plasma spraying), Schleuderlackieren (spin coating) oder an
dere geeignete Verfahren verwendet werden.
Obwohl die Erfindung unter Hinweis auf eine bevorzugte Anwen
dungsform beschrieben und in Bildern dargestellt worden ist,
wird es dem Fachmann selbstverständlich sein, daß diverse Än
derungen angebracht und einzelne Elemente der Erfindung durch
äquivalente Bausteine ausgetauscht werden können, ohne dabei
von den Ansprüchen der Erfindung abzuweichen.
Claims (9)
1. Elektrochemische Halbleiter-Einrichtung zur Bestimmung
des Vorhandenseins halogenhaltiger Gase in einer umgebenden
Atmosphäre, mit den Bestandteilen:
- a) irgendwie geartetes Anodenteil;
- b) irgendwie geartetes Kathodenteil;
- c) keramischer Stoff im Zwischenraum zwischen besagtem An odenteil und besagtem Kathodenteil, der selektiv dann auf ein fluorhaltiges Gas in Gegenwart chlor- oder bromhalti ger Gase reagiert, wenn die besagte Einrichtung bei Tem peraturen von wenigstens 800°C betrieben wird;
- d) Heizeinrichtung, durch die die Temperatur des besagten keramischen Stoffs auf die gewünschte Höhe gebracht wird;
- e) elektrischer Schaltkreis zwischen besagtem Anodenteil und besagtem Kathodenteil, durch den der Anodenteil gegenüber dem Kathodenteil auf negativem Potential gehalten wird;
- f) elektrische Meßeinrichtung im besagten elektrischen Schaltkreis, durch den angezeigt wird, wenn besagter ke ramischer Stoff auf ein bestimmtes Gas reagiert;
- g) elektrische Stromquelle, die an besagte elektrische Hei zeinrichtung angeschlossen ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der besagte keramische
Stoff aus einer Mischung aus Alkalimetallsilikat und Alumini
umoxid besteht.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der besagte keramische
Stoff aus einer Mischung aus Kaliumsilikat und Aluminiumoxid
in einem Verhältnis von ungefähr 0,25 bis 4 Gewichtsteilen
Kaliumsilikat zu einem Gewichtsteil Aluminiumoxid besteht.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der besagte keramische
Stoff aus einer Mischung aus Kaliumsilikat und Aluminiumoxid
in einem Verhältnis von ungefähr 1,5 bis 2,5 Gewichtsteilen
Kaliumsilikat zu einem Gewichtsteil Aluminiumoxid besteht.
5. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der besagte keramische
Stoff aus Aluminiumsilikat besteht.
6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der
Kathodenteil aus einem elektrisch leitfähigen Draht mit einem
ungefähren Durchmesser von 5 bis 25 mil und einer ungefähren
Länge von 0,25 bis 1 Zoll und der Anodenteil aus einem elek
trisch leitfähigen Draht mit einem ungefähren Durchmesser von
5 bis 15 mil und einer ungefähren Länge von 2 bis 5 Zoll be
steht.
7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der
besagte keramische Stoff dann auf ein bestimmtes halogenhalti
ges Gas reagiert, wenn besagte Einrichtung bei Temperaturen
von weniger als ungefähr 800°C betrieben wird.
8. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei be
sagte Einrichtung als flächige Struktur ausgebildet ist und
die besagte Heizeinrichtung aus einer in sich geschlossenen
leitfähigen, serpentinförmig auf eine Außenfläche besagter
Einrichtung aufgetragenen Metallschicht, der besagte Kathoden
teil aus einer leitfähigen Schicht, und der besagte Anodenteil
aus einer durch besagten keramischen Stoff von der Kathode
getrennten Schicht besteht.
9. Einrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste und dritte
der besagten leitfähigen Schichten die serpentinförmige leit
fähige Schicht umschließen und von besagtem Kathodenteil durch
den besagten keramischen Stoff getrennt sind.
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