DE4119741C1 - - Google Patents

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DE4119741C1 DE4119741A DE4119741A DE4119741C1 DE 4119741 C1 DE4119741 C1 DE 4119741C1 DE 4119741 A DE4119741 A DE 4119741A DE 4119741 A DE4119741 A DE 4119741A DE 4119741 C1 DE4119741 C1 DE 4119741C1
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Verbin­ dungsplatten für die Erzeugung einer elektrisch leitenden Verbindung von LLCCC-Bauelementen gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruches 1.
Aus der US-PS 47 51 199 ist es bekannt, bei der Herstellung von Halblei­ ter-Arrays zum Ausgleich von Bewegungen, die durch mechanische Vibratio­ nen oder unterschiedliche Längenänderungen hervorgerufen werden, winkel­ förmige Verbindungselemente als Anschlußstücke einzusetzen. Aus der EP-OS 02 16 363 A2 sind diverse Ausführungsformen von solchen Verbin­ dungselementen bekanntgeworden. Aus der Druckschrift von Amey, D. I. "Eine neue LSI-Gehäuse-Norm", in elektronik industrie, Seite 19, Fig. 3, ist es bekannt, durch Querstege verbundene Verbindungselemente für LSI- Gehäuse zu verwenden.
Der Einsatz von LLCCC-Bauelementen (Lead Les Ceramic Chip Carrier) in der Raumfahrttechnik ist aufgrund der stark unterschiedlichen physikali­ schen Eigenschaften von Bauteil und Leiterplatte bisher nur auf Keramik­ substrate oder Spezialsubstrate mit angepaßten Ausdehnungskoeffizienten möglich. Diese oberflächenmontierbaren integrierten Schaltkreise befin­ den sich in einem hermetisch dichten Keramikgehäuse, welche keine flexi­ blen Anschlüsse mehr haben und die vielfache Kontaktierung - bis zu 68 Anschlüsse - zum Keramiksubstrat muß über Lötflächen hergestellt werden. In der Fig. 1 ist die Standardverbindung für LLCCC-Bauelemente beim bisherigen Stand der Technik aufgezeigt. Für die Verwendung solcher Bau­ elemente auf Leiterplatten in der Raumfahrttechnik ist diese Verbin­ dungstechnik jedoch nicht ausreichend zuverlässig, da die auftretenden Temperaturwechselbelastungen zu große Ausdehnungsprobleme aufwerfen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art aufzuzeigen, mit dem LLCCC-Bauelemente auch für die Raumfahrtelektronik einsetzbar sind, indem eine zuverlässige Entla­ stung der Lötstellen bei den auftretenden Temperaturwechselbelastungen und Vibrationen gewährleistet ist, und die aufgelöteten Bauteile pro­ blemlos kontrolliert und ausgewechselt werden können.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgezeigten Maßnahmen in überraschend zuverlässiger Weise gelöst. In den Unteransprüchen sind Ausgestaltungen und Weiterbildungen angegeben und in der nachfolgenden Beschreibung ist ein Ausführungsbeispiel erläutert. Die Figuren der Zeichnung ergänzen diese Erläuterungen. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schemabild der Standardverbindung für LLCCC-Bauelemente nach dem Stand der Technik,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines Teilstückes von ausgeätzten Verbindungselementen gemäß dem vorgeschlagenen Herstellungsver­ fahren,
Fig. 3 ein Schemabild (Querschnitt) der vorgeschlagenen Verbindungs­ technik für die Raumfahrtverwendung von LLCCC-Bauelementen,
Fig. 4 eine Ni-Folie mit den Verbindungselementen nach der galvanischen Verzinnung.
In der Raumfahrttechnik werden heute Epoxid-Glasfasergewebeplatten als Basismaterial für Leiterplatten verwendet. Um nun auf solchen Leiter­ platten auch LLCCC-Bauelemente auflöten zu können und eine elektrische Verbindung herzustellen, wird vorgeschlagen aus einer beidseitig 10 bis 15 µ stark mit Sn60Pb galvanisch verzinnten Ni-Folie 100 Verbindungs­ elemente 10 auszuätzen. Wie aus der Fig. 4 ersichtlich, bleibt ein Rand­ streifen 101 der Folie 100 unverzinnt, um an ihm die effektive Verzin­ nungsstärke messen und die Walzrichtung feststellen zu können.
Anschließend werden - wie die Fig. 2 veranschaulicht - die Verbindungs­ elemente 10 in ihrem mittleren Bereich mit einer halbkreisförmigen Wöl­ bung oder Biegung 11 versehen. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Radius dieser Biegung 11 - wie überhaupt alle Dimensionierungen in der Zeichnung - vergrößert dargestellt. In Wirklichkeit beträgt hier dieser Radius z. B. 0,5 mm. Nach der Erstellung dieser Biegung werden die Verbindungselemente 10 einseitig auf Länge geschnitten, das heißt einer der Querstege 10a - wie dargestellt - wird an der durch die gewünschte Elementenlänge bestimmten Stelle abgeschnitten.
Die einseitig noch durch den anderen Quersteg 10a miteinander verbunde­ nen Verbindungselemente 10 werden mit ihrem freien Ende 10b mit dem LLCCC-Bauelement einzeln verlötet. Nach dieser Verlötung wird nun der andere Quersteg 10a an der erforderlichen Steglänge abgetrennt und die freien Enden der nun am LLCCC-Bauelement durch die vorangegangene Verlö­ tung in ihrer Lage fixierten Verbindungselemente 10 werden um 90° nach außen abgewinkelt und als Kontaktflächen 10c auf der Leiterbahn 12 der Leiterplatte 13 verlötet und so die elektrische Verbindung von Bauele­ ment und Leiterplatte hergestellt.
Durch dieses Verfahren werden nun die bisherigen Ausdehnungsprobleme durch die hohen Temperaturwechselbelastungen in der Raumfahrt eliminiert und so die Verwendung von LLCCC-Bauelementen in der Raumfahrttechnik er­ möglicht. Aber noch weitere Vorteile bietet das vorgeschlagene Verfah­ ren, nämlich eine gute optische Kontrolle der Lötstellen, außerdem las­ sen sich die aufgelöteten Bauteile leicht und absolut unproblematisch auswechseln. Die Lötstellen müssen praktisch bei Vibrationen und Tempe­ raturwechselbelastungen keine besonderen Belastungen mehr aufnehmen und letztlich wird durch dieses Verfahren das Einsatzspektrum von hochinte­ grierten Schaltkreisen wesentlich erweitert.

Claims (3)

1. Verfahren zur Herstellung von Verbindungselementen (10) für die Erzeugung einer elektrisch leitenden Verbindung von LLCCC-Bauelementen (SMC-Bauteile ohne Anschlußdrähte mit einem Keramikgehäuse) und einer Leiterplatte, gekennzeichnet durch folgenße Verfahrensschritte:
  • a) Ausätzen der Verbindungselemente (10) aus einer beidseitig galva­ nisch verzinnten Ni-Folie (100) unter Beibehaltung eines beidseiti­ gen Quersteges (10a),
  • b) anschließend Ausbildung einer halbkreisförmigen Biegung (11) im mittleren Bereich ihrer Längsausdehnung, deren konkave Seite nach der Montage der Leiterplatte (13) zugewandt ist,
  • c) Abwinkelung der ebenen Kontaktflächen (10c) an beiden Enden eines Verbindungselementes (10) um 90° nach außen,
  • d) Abschneiden eines der beiden Querstege (10a),
  • e) Verlötung der Verbindungselemente (10) mit ihren freien Enden (10c) mit dem LLCCC-Bauelement,
  • f) und anschließend Abschneiden des anderen Quersteges (10a) von den Verbindungselementen (10) und Herstellung der Verbindung des LLCCC-Bauelementes mit der Leiterplatte (13) durch Verlötung der Kontaktflächen (10c) mit der Leiterbahn (12).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ni- Folie (100) zur Herstellung der Verbindungselemente (10) 10 bis 15 µ stark ist und beidseitig mit Sn60Pb verzinnt und umgeschmolzen wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ni-Folie (100) einen Randstreifen (101) aufweist, der von der Verzinnung ausgenommen ist.
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