DE4108329A1 - Ellipsometrische schichtfolgenbestimmung - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vor
richtung zum Bestimmen von Materialparametern dünner Schich
ten mit Hilfe der Ellipsometrie.
Die Dicke, der Brechungsindex und der Absorptionskoeffi
zient einer auf einem Substrat mit bekanntem Brechungsver
halten aufgebrachten dünnen Schicht mit Hilfe der Ellipso
metrie ist bekannt. Es ist auch bekannt, diese Material
parameter für die oberste Schicht einer Schichtenfolge
zu bestimmen, sofern diese Parameter für die darunter lie
genden Schichten bekannt sind; vgl. etwa die DE 39 36 541
A1. Derartige Ellipsometrieverfahren werden unter anderem
in der Halbleitertechnologie eingesetzt, um die Beschich
tung eines Substrates mit mehreren dünnen Schichten zu
kontrollieren. Ein derartiges In-situ-Verfahren ist etwa
in Journal of the Optical Society of America, Band 64,
Nr. 6, Seiten 804ff, beschrieben. Während des Aufwachsens
der Schichtfolge auf einem Substrat wird die Probe ständig
ellipsometrisch vermessen, wobei in diesem Falle ein Ellipso
meter mit einem rotierenden Analysator verwendet wird.
Bei diesem Meßverfahren werden die charakteristischen Ellipso
metriewinkel psi und Delta aufgezeichnet. Aus diesen Meß
werten, die in einem Delta-psi-Diagramm dargestellt werden,
können mit bekannten Rechenverfahren die Parameter der
einzelnen Schichten sehr genau bestimmt werden.
Bei beiden angegebenen Verfahren beträgt z. B. die Meßge
nauigkeit für die Dicke etwa ± 0,05 nm.
Es ist mit derartigen Ellipsometrieverfahren im Prinzip
auch möglich, die genannten Materialparameter von mehreren
Schichten einer Schichtfolge selbst dann zu bestimmen,
wenn nicht nur die Materialparameter der obersten Schicht,
sondern auch diejenigen darunter liegender Schichten unbe
kannt sind. Allerdings läßt sich nur ein ungefähres Bild
der Schichtenfolge erzielen, wobei hierfür noch dazu ein
erheblicher Rechenaufwand notwendig ist. Zwangsläufig sind
die Aussagen nur vage und zum Teil mehrdeutig, und die
Meßgenauigkeit ist nicht sehr hoch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
und eine Vorrichtung anzugeben, mit der die genannten Mate
rialparameter einzelner Schichten einer vorliegenden Schich
tenfolge einer Probe bestimmt werden können.
Mit der Erfindung wird nun vorgeschlagen, die Probe sukzessive
abzutragen und während des Abtragens ellipsometrisch zu
vermessen und die Meßwerte dabei aufzuzeichnen. Dies wird
so lange fortgesetzt, bis sämtliche zu bestimmenden Schich
ten abgetragen sind. Aus den aufgezeichneten Meßwerten
werden dann, ausgehend von den zuletzt erfaßten Meßwerten
die Materialparameter der einzelnen Schichten berechnet,
sozusagen rückgerechnet. Eine derartige Rückrechnung ist
mit nur geringem Rechenaufwand möglich.
Das Abtragen kann mit verschiedenen Methoden erfolgen,
so z. B. chemischem Naßätzen, "Beschuß" mit kleinen Teilchen,
wie Sand, Atomen, Ionen, Molekülen etc., oder generell
mikroabrasiven Verfahren. Das angegebene Verfahren ist
unabhängig von der Abtraggeschwindigkeit; diese braucht
auch nicht bekannt zu sein.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist auch dann durchzuführen,
wenn im Verlauf der Schichtenfolge eine undurchsichtige
Schicht vorhanden ist, an der normale Ellipsometrie nicht
durchführbar ist: Die Meßwerte verbleiben dann im wesentlichen
konstant, bis diese Schicht vollständig abgetragen ist.
Das angegebene Verfahren kann insbesondere bei der Wafer-
Herstellung in der Halbleitertechnologie von Vorteil sein.
Obwohl das Verfahren ein materialzerstörendes Prüfverfahren
ist, kann der zerstörte Bereich auf einen winzigen Mikrobe
reich beschränkt werden, so daß die analysierte Probe,
z. B. ein teurer Wafer, weiterverwendet werden kann.
Bevorzugt wird die Probe in einer Probenkammer, und zwar
in einer Vakuumkammer gehalten, in der dann gleichzeitig
die Vorrichtung zum Abtragen der Probe angeordnet ist,
z. B. eine richtbare Ionenkanone.
Die Erfindung ist in einem Ausführungsbeispiel anhand der
Zeichnung näher erläutert. In dieser stellen dar:
Fig. 1 eine Vorrichtung gemäß der Erfindung zum Bestimmen
von Materialparametern einer mit mehreren Schichten
versehenen Probe;
Fig. 2 einen Schnitt durch eine zu untersuchende Probe;
Fig. 3 ein Delta-psi-Diagramm in schematischer Darstellung
für die in Fig. 2 dargestellte ellipsometrisch ver
messene Probe.
In der sehr schematischen Darstellung gemäß Fig. 1 sieht
man eine Probenkammer 1, in der ein Probenhalter 2 für
eine Probe 3 angeordnet ist. Die Probenkammer 1 hat eine
Zuleitung 4 und eine Ableitung 5 und ist als Vakuumkammer
ausgebildet. Die auf den Probenhalter 2 angeordnete Probe
3 kann mit Hilfe eines elliptisch polarisierten Laserstrahls
6 bestrahlt werden, wozu ein Laser 7 mit einem Polarisator 8
und einem Kompensator, z. B. einem Lambda-Viertelplättchen
9 vorgesehen ist. Der Laserstrahl 6 tritt durch ein Fenster
10 in die Probenkammer ein, fällt schräg auf die Probe,
wird an deren Oberfläche reflektiert und tritt aus einem
Austrittsfenster 11 aus der Probenkammer hinaus. Der re
flektierte Laserstrahl durchläuft einen Encoder mit einem
kontinuierlich rotierenden Analysator 12, hinter dem ein
Fotodetektor 13 angeordnet ist. Die Ausgangssignale des
Fotomultiplayers 13 werden einem Prozessor bzw. einem Rechner
14 zugeführt, der auch den Encoder und Analysator 12 steuert,
was durch eine Steuerleitung 15 vom Rechner 14 zum Analysator
12 angedeutet ist. Der Rechner 14 weist unter anderem einen
Meßwertspeicher 16 auf und ist mit einem Terminal 17, z. B.
einem Monitor verbunden.
Die bisher beschriebene Apparatur ist an sich bekannt.
Zusätzlich ist jedoch in der Probenkammer 1 oberhalb des
Probenhalters 2 eine richtbare Ionenkanone 18 vorgesehen.
Ein Beispiel für eine Probe 3 ist in Fig. 2 gezeigt, diese
besteht aus einem Substrat 21, z. B. einem Siliziumkristall,
zwei darauf abgelegten optisch "durchsichtigen" Schichten
22 und 23, einer darauffolgenden dünnen undurchsichtigen
Schicht 24, z. B. einer Metallschicht, an die sich wiederum
zwei optisch "durchsichtige′′ Schichten 25 und 26 an
schließen. Die Schichten 22, 23, 25 und 26 können z. B.
Oxidschichten oder sonstige Halbleiterschichten sein und,
wie angedeutet, unterschiedliche Dicke aufweisen. Die Anzahl
der Schichten ist im Prinzip beliebig.
Nach Einbringen der Probe 3 in die Probenkammer 1 und Eva
kuierung der Probenkammer wird die Oberfläche der Probe
bestrahlt und das reflektierte Licht analysiert, und zwar
hinsichtlich der charakteristischen Ellipsometriewinkel
Delta und psi. Der gemessene Wert, der Anfangswert Vi,
ist in dem Delta-psi-Diagramm gemäß Fig. 3 eingetragen.
Anschließend wird die Ionenkanone 18 auf einen kleinen
Bereich der Probe 3 gerichtet und eingeschaltet, so daß
die Probe in diesem Bereich kontinuierlich abgetragen wird.
Während dieses Abtragens wird die Probe weiterhin im Hinblick
auf die Ellipsometriewinkel Delta und psi vermessen, so
daß sich ein erster Zug P1 von in Fig. 3 durch kleine Kreuze
angedeuteten Meßwerten ergibt. Sobald die oberste Schicht
26 abgetragen ist, wird der Verlauf der Meßwerte markant
unterbrochen, z. B. erscheint in dem Verlauf der Meßwerte
ein relativ scharfer erster Knick K1, der der Grenzfläche
zwischen den beiden Schichten 26 und 25 zuzuordnen ist.
An diesen Knick K1 schließt sich ein zweiter Zug P2 von
Meßwerten entsprechend der jeweiligen Dicke der zweiten
Schicht 25 an. Ist auch diese Schicht 25 abgetragen, so
trifft die Laserstrahlung auf die optisch undurchsichtige
Metallschicht 24. Deren optischen Eigenschaften hinsichtlich
der charakteristischen Ellipsometriewinkel Delta und psi
sind unabhängig von ihrer Dicke konstant, so daß sich die
Meßwerte praktisch nicht ändern, sondern durch das Apparate
rauschen um einen Mittelwert schwanken. Dies ist in Fig.
3 durch den Meßwerthaufen H angedeutet. Sobald der Laser
strahl dann auf die Oberfläche der jetzt freigelegten Schicht
23 trifft, verfolgen die Meßwerte einen dritten Zug P3,
der nach vollständigem Abtragen dieser Schicht 23 durch
einen zweiten Knick K2 abgeschlossen wird, an den sich
dann ein vierter Zug P4 von Meßwerten anschließt, der der
untersten Schicht 22 zugeordnet werden kann. Ist auch diese
Schicht vollständig abgetragen, so erreicht der Zug den
Endwert Ve der Meßwerte.
Um nun die Materialparameter Dicke, Brechungsindex und
Absorptionskoeffizient der einzelnen Schichten zu ermitteln,
werden die Meßwerte der Züge P1 bis P4 zurückgerechnet,
d. h. daß diese Berechnung am Endwert Ve beginnt. Durch
Rückrechnung der Meßwerte des Zuges P4 werden dann die
Materialparameter der untersten Schicht 22, durch Rückrechnung
der Meßwerte entlang des Zuges P3 die Parameter der zweiten
Schicht 23 usw. bestimmt.
Claims (9)
1. Verfahren zum Bestimmen von Materialparametern, nämlich
Dicke, Brechungsindex und Absorptionskoeffizient einzelner
Schichten einer mehrere Schichten aufweisenden Probe
mit Hilfe der Ellipsometrie, dadurch gekennzeichnet,
daß die Probe (3) sukzessive abgetragen sowie während des Abtragens ellipsometrisch vermessen wird und die Meßwerte dabei aufgezeichnet werden, bis sämtliche zu bestimmenden Schichten (22, 23, 25, 26) abgetragen sind,
und daß aus den Meßwerten, ausgehend von dem zuletzt erfaßten Meßwert (Ve), die Materialparameter der Schichten berechnet werden.
daß die Probe (3) sukzessive abgetragen sowie während des Abtragens ellipsometrisch vermessen wird und die Meßwerte dabei aufgezeichnet werden, bis sämtliche zu bestimmenden Schichten (22, 23, 25, 26) abgetragen sind,
und daß aus den Meßwerten, ausgehend von dem zuletzt erfaßten Meßwert (Ve), die Materialparameter der Schichten berechnet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
während des Abtragens der Probe (3) die charakteristischen
Ellipsometriewinkel (Delta, psi) aufgezeichnet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß die Probe (3) in einer Vakuumkammer (1) gehalten
wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Probe mit Hilfe eines mikro
abrasiven Verfahrens abgetragen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Probe (3) mit Teilchen beschossen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Probe mit Ionen beschossen wird.
7. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch
1, mit einer Probenkammer zur Aufnahme der Probe, einer
Lichtquelle, einem Polarisator zur elliptischen Polarisa
tion des Lichtes der Lichtquelle, einem Analysator,
einem Detektor sowie einer einen Meßwertspeicher enthal
tenden Auswerteschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß
in der Probenkammer (1) eine Vorrichtung (18) zum Abtragen
der Probe (3) vorgesehen ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung (18) zum Abtragen der Probe (3)
eine richtbare Ionenkanone (18) ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Probenkammer (1) eine Vakuumkammer
ist.
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1991
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