DE410404T1 - Spektroskopiesysteme zur elektroreflexionsmessung. - Google Patents

Spektroskopiesysteme zur elektroreflexionsmessung.

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DE410404T1
DE410404T1 DE199090114222T DE90114222T DE410404T1 DE 410404 T1 DE410404 T1 DE 410404T1 DE 199090114222 T DE199090114222 T DE 199090114222T DE 90114222 T DE90114222 T DE 90114222T DE 410404 T1 DE410404 T1 DE 410404T1
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Claude F-34980 Saint Gely Du Fex Alibert
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Telecom Italia SpA
Original Assignee
CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA
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Publication date
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Claims (4)

CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. Patentansprüche
1. Verfahren zum Analysieren von Halbleitermaterialien durch Elektroreflektanz, wobei ein an die Oberfläche eines Probestücks (1) des Materials angelegtes variables elektrisches Feld eine Veränderung der Reflektanz der Oberfläche selbst bewirkt, dadurch gekennzeichnet, daß man das variable elektrische Feld durch eine punktartige Elektrode (5) anlegt, die man nahe bei der Oberfläche oder in Kontakt mit der Oberfläche des Probestücks (1) anordnet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die punktartige Elektrode (5) in Bazug zur Oberfläche des Probestücks (1) ortsveränderlich ist.
3. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einer Quelle (2) einer monochromatischen Lichtstrahlung, die sie auf die Oberfläche eines Probestücks (1) richtet, einem Detektor (3) zur Aufnahme der von der Oberfläche reflektierten Strahlung, einer Quelle (6) einer variablen elektrischen Spannung und einer Meßeinrichtung (4), die die vom variablen elektrischen Feld induzierten relativen Veränderungen der Oberflächenreflektanz bestimmt, dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle (6) des variablen elektrischen Felds mit einer punktartigen Elektrode (5) verbunden ist, die in der Nähe der Oberfläche oder in direktem Kontakt mit der Oberfläche des Probestücks (1) am Einfallpunkt der Lichtstrahlung angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Einrichtung zum Ändern der Position der punktartigen Elektrode (5) in Bezug zum Probestück (1) und des Einfall-
. punkts der Lichtstrahlung am Probestück (1) umfaßt.
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CH538687A (de) * 1971-11-23 1973-06-30 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern

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