DE4031505C2 - Gleichspannungs-Stromversorgung mit Einschaltstrombegrenzung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Gleichspannungs-Stromversorgung mit Einschaltstrombegrenzung gemäß dem Oberbegriff des Patentan­ spruchs 1 (siehe nachstehende JP 61-23 1878A).

Stromversorgungen dieser Art enthalten üblicherweise eine Gleich­ richterschaltung, die wechselspannungsseitig an eine Wechsel- oder Drehstromquelle angeschlossen sind. Ferner enthalten Stromversor­ gungen dieser Art üblicherweise einen Glättungskondensator, der der Gleichrichterschaltung gleichspannungsseitig parallel geschaltet ist.

Stromversorgungen dieser Art werden allgemein benötigt für gleich­ spannungsgespeiste Verbraucher, insbesondere für Netzgeräte, die mit einem Primärschaltregler ausgerüstet sind.

Damit vorgeschaltete Schutzelemente wie Schmelzsicherungen, Automaten oder Motorschutzschalter während des Einschalten des Geräts nicht ansprechen, muß der Einschaltstrom begrenzt werden.

Bei Stromversorgungen dieser Art (z. B. in Netzgeräten für Hochleistungs-Rundfunksender oder Fernsehsender, die mit einem Netztransformator ausgerüstet sind und bei denen eine Absicherung durch Automat oder Motorschutzschalter erfolgt) wird eine Begren­ zung des Einschaltstroms des Netztransformators üblicherweise mittels eines wechselspannungsseitig in die Stromleitungen eingefügten Bedämpfungswiderstands erreicht, der nach Beendigung des Ein­ schaltvorgangs mit einem parallel zum Widerstand geschalteten Relais oder Schütz überbrückt wird.

Eine elektronische Überbrückungsschaltung für den Bedämpfungs­ widerstand für einen Primärschaltregler ist in "Schaltnetzteile in der Praxis" von Otmar Kilgenstein (Vogel Buchverlag, Würzburg, 1986), Seite 120-121 beschrieben; eine weitere Beschreibung gibt die gattungsgemäße JP61-23 1878A, in : Patent Abstr. of Japan, Sect.E. Vol. 1 1(1987), Nr. 77 (E-487).

Für Primärschaltregler, die ja ohne Netztransformator direkt am Netz betrieben werden, muß der Ladestrom des Siebkondensators (= Einschaltstrom) durch einen Bedämpfungswiderstand begrenzt werden, der nach Kilgenstein in die Gleichstromseite gelegt werden kann.

Mit diesen Maßnahmen kann jedoch nur der Einschaltstrom begrenzt werden. Der Schutz insbesondere der elektrischen bzw. elektronischen Bauteile des Geräts bzw. des nachgeschalteten Verbrauchers vor zerstörerischen Überspannungen gewähren diese Lösungen dagegen nicht.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Gleichspannungs-Strom­ versorgung zu schaffen, die nicht nur den Einschaltstrom begrenzt, sondern auch die Spannungen beim Auftreten von netzseitigen Über­ spannungen (z. B. von Spannungsimpulsen gemäß VDE 0160/05.88 Abschnitt 7.3.1.1 (im folgenden kurz "VDE 0160"), um elektrische bzw. elektronische Bauteile des Geräts bzw. des Verbrauchers wie Siebkondensator, Halbleiter usw. vor Überspannungen zu schützen.

Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist durch die kenn­ zeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 beschrieben. Die weiteren Ansprüche beinhalten vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Fig. näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 das Blockschaltbild der erfindungsgemäßen Gleichspannungs- Stromversorgung am Beispiel eines mit einem Primärschalt­ regler ausgerüsteten Schaltnetzteils als gleichspannungsge­ speister Verbraucher;

Fig. 2 eine vorteilhafte Ausführungsform der erfindungs­ gemäßen Gleichspannungs-Stromversorgung gemäß Fig. 1 mit einem MOSFET als Schalter zur Überbrückung des Bedämpfungswiderstands;

Fig. 3 idealisierte Strom-Zeitverläufe des Ladestroms des Glättungskondensators sowie der Ströme durch den Überbrückungsschalter und den Bedämpfungswider­ stand in der erfindungsgemäßen Gleichspannungs- Stromversorgung gemäß Fig. 1 nach dem Einschalten bzw. beim Auftreten eines Überspannungs-Impulses gemäß VDE 0160.

Die erfindungsgemäße Gleichspannungs-Stromversorgung in Fig. 1 enthält eine Gleichrichterschaltung G1, die wech­ selspannungsseitig über eine Drossel L1 an eine Wech­ selspannungsquelle mit der Wechselspannung u_E∼ angeschlos­ sen ist. Gleichspannungsseitig ist der Gleichrichterschal­ tung G1 ein Glättungskondensator C1 parallel geschaltet, dessen Spannung mit U_C1 bezeichnet ist. Am Ausgang der Gleichspannungs-Stromversorgung ist ein gleichspannungs­ gespeister Verbraucher in Form eines Schaltnetzteils SNT angeschlossen, das mit einem Primärschaltregler ausgerü­ stet ist, der (lediglich symbolhaft) durch die vier Schal­ ter S1-S4, den Symmetrier-Kondensator K und den Übertrager T dargestellt worden ist.

Zwischen Gleichrichterschaltung G1 und Glättungskondensa­ tor ist ferner ein Bedämpfungswiderstand R1 sowie parallel zu diesem Widerstand ein über eine Ansteuerung ST ein- und ausschaltbarer Überbrückungsschalter V1 angebracht. In der Figur sind ferner der Gleichrichter-Sekundärstrom i_L sowie die Ströme i_R1 durch den Bedämpfungswi­ derstand R1 und i_V1 durch den Überbrückungsschalter V1 dargestellt. Wesentliche Parameter der Ansteuerung ST für das Ein- und Ausschalten des Überbrückungsschalters V1 sind der Strom i_L sowie zwei Schaltschwellenwerte, nämlich I₁ und I₂, wobei I₁ etwas größer oder gleich Null ist und I₂ größer als der Scheitelwert des Nennstromes des Stroms i_L ist.

Erfindungsgemäß dient die als Beispiel in Fig. 1 darge­ stellte Schaltung für einen Primärschaltregler hauptsäch­ lich zur Spannungsbegrenzung von U_C1 beim Auftreten eines netzseitigen Überspannungsimpulses z. B. nach VDE 0160 und zusätzlich zur Begrenzung des Einschaltstromes beim Anle­ gen der Versorgungsspannung u_E∼.

Dies wird durch den Bedämpfungs- oder Strombegrenzungswi­ derstand R1 erreicht, der durch den parallelgeschalteten Schalter V1 in Abhängigkeit vom Strom i_L eingeschaltet oder überbrückt wird.

Schaltungen zum Überbrücken eines Widerstandes, der der Einschaltstrombedämpfung dient, mit Hilfe eines Relais oder eines Thyristors sind, wie eingangs bereits erwähnt, hinreichend bekannt. Bei derartigen Schaltungen wird der Widerstand, der auf der Wechselstromseite angeordnet ist, nach einer bestimmten Zeit (vom Zuschalten der Netzspan­ nung an gerechnet) überbrückt. Die Zeit ist so lang bemes­ sen, daß der (erhöhte) Einschaltstrom innerhalb dieses Zeitraumes auf einen für den Betrieb zulässigen Wert ab­ geklungen ist.

Bei der erfindungsgemäßen Schaltung wird ein Schalter V1, (vorzugsweise ein Halbleiter) zum Überbrücken des Wider­ standes R1 in Abhängigkeit vom Strom durch den Widerstand R1 bzw. den Schalter V1 geschaltet. Bis zur Höhe des Stro­ mes I₂ (oberhalb des Scheitelwertes des Nennstromes) bleibt der Schalter V1 durchgeschaltet (eingeschaltet). Wird der Schaltschwellenwert I₂ überschritten, wird der Schalter V1 gesperrt (ausgeschaltet), so daß der Strom nur durch den Widerstand R1 fließt und dadurch begrenzt wird. Der Widerstand R1 ist groß gegen den Einschaltwiderstand des Schalters V1.

Ist der Strom i_L bis auf angenähert Null zurückgegangen, schaltet der Schalter V1 wieder ein und überbrückt damit den Widerstand R1.

Wesentlich ist, daß bei einer Stromerhöhung über den Scheitelwert des Nennstroms hinaus der Schalter V1 wieder sperrt, d. h. ausgeschaltet wird. Dieser Vorgang ist wich­ tig, wenn bei hohen und steilen Netzspannungssprüngen, wie sie z. B. bei einem eingangsseitigen Spannungs-Impuls nach VDE 0160 auftreten, der Strom stark ansteigt und damit der Glättungskondensator C1 auf unzulässig hohe Werte aufgela­ den werden würde, was unter anderem eine Gefährdung der Halbleiter-Schalter S1 . . . S4 des Verbrauchers SNT zur Folge hätte. Die Überspannung wird wirksam begrenzt, wenn die Zeitkonstante R1×C1 groß gegen die Impulsbreite z. B. des Impulses gemäß VDE 0160 ist.

Eine Begrenzung der Spannung U_C1 des Glättungskondensators C1 ist vor allem dann erforderlich, wenn der Verbraucher SNT Halbleiter enthält, die - bezogen auf den VDE-Impuls - keine genügend hohe Sperrspannungssicherheit aufweisen. Bei einer Eingangsspannung von z. B. u_E∼ = 220 V + 10% be­ trägt die Spannung am Kondensator C1 max. U_C1 = 340 V (Leerlauf). Mit dieser Spannung werden auch die Halbleiter S1 . . . S4 des Schaltnetzteils SNT belastet. Halbleiter mit einer zulässigen Sperrspannung von 500 V (Spannungssicher­ heit ≈ 1,5) wären also betriebsmäßig ausreichend. Beim Auftreten des VDE 0160-Impulses in Höhe von 2,3 × Û_n ≈ 715 V dagegen werden die Halbleiter spannungsmäßig überla­ stet (Û_n = 220.√2 V ≈ 310 V).

Eine Spannungsbegrenzung parallel zum Kondensator C1 ist jedoch bei einer Sperrspannungsicherheit von 1,5 bei Gerä­ ten höherer Leistung mit vertretbarem Aufwand kaum zu re­ alisieren. Eine relativ einfache Lösung bietet dagegen die Erfindung z. B. in Form der im folgenden beschriebenen vor­ teilhaften Ausführungsform gemäß Fig. 2 der erfindungsge­ mäßen Schaltung nach Fig. 1.

Der Hauptkreis besteht wie in Fig. 1 aus der Drossel L1, dem Brückengleichrichter G1, dem Glättungs- bzw. La­ dekondensator C1 und dem im Gleichstromzweig liegenden Be­ dämpfungswiderstand R1 mit parallelgeschaltetem MOSFET als Überbrückungsschalter V1 für den Bedämpfungswiderstand R1.

Die Induktivität der Drossel L1 dient lediglich zur Be­ grenzung der Stromanstiegsgeschwindigkeit bei steilen Netzspannungssprüngen, falls die (nicht gezeigten) Netzin­ duktivitäten zur Begrenzung nicht ausreichen sollten.

Als Verbraucher parallel zum Glättungskondensator C1 ist als Beispiel eines gleichspannungsgespeisten Verbrauchers wieder ein Schaltnetzteil SNT vorgesehen. Es wurde wie in Fig. 1 ein Vollbrücken-Durchflußwandler gewählt, dessen Schalter S1 . . . S4 z. B. durch MOSFETs realisiert werden kön­ nen.

Als Halbleiter-Überbrückungsschalter V1 kann neben dem hier gewählten MOSFET beispielsweise auch ein bipolarer Transistor, ein GTO-Thyristor oder ggf. ein Thyristor mit Löschkreis eingesetzt werden, je nach Leistung des Pri­ märschaltreglers. Ein MOSFET bietet jedoch den Vorteil der sehr einfachen, praktisch leistungslosen Ansteuerung.

Die hier als Beispiel gewählte Ansteuerschaltung für den MOSFET-Schalter V1 besteht aus einem invertierenden Trei­ ber D1, den Widerständen R3, R4 und R5 zur Erzeugung der Eingangsspannung für den Treiber D1, der Hilfsspannungser­ zeugung mit dem Widerstand R2, der Zenerdiode V2 und dem Kondensator C2 sowie der Diode V3.

Die für den Betrieb des MOSFET-Schalters V1 benötigte Hilfsspannung wird aus der Spannung U_C1 am Glättungskon­ densator C1 mit Hilfe des Widerstands R2, der Zenerdiode V2 und des Kondensators C2 gewonnen. Die mit der Zenerdi­ ode V2 stabilisierte Spannung speist den Treiber D1. Der Gleichrichter-Sekundärstrom i_L wird als Spannungs­ abfall am MOSFET-Schalter V1 bzw. am Bedämpfungswider­ stand R1 gemessen. Diese Spannung U_DS wird über die Wider­ stände R3, R4 und R5 dem Eingang E1 des Treibers D1 zuge­ führt.

Die Eingangsspannung des Treibers D1 wird durch die Diode V3 in Zusammenhang mit der Zenerdiode V2 begrenzt.

Bei Nennstrom ist die Spannung U_DS so niedrig, daß am Ein­ gang E1 des Treibers D1 ein Low-Signal liegt und damit am Ausgang A1 des Treibers D1 ein High-Signal steht, das den MOSFET-Schalter V1 durchschaltet (einschaltet).

Beim Auftreten von Überspannungen z. B. in Form eines Span­ nungsimpulses gemäß VDE 0160 steigt der Strom i_L an, so daß auch die Spannung U_DS aufgrund des R_DS(on)-Wider­ standes vom MOSFET-Schalter V1 ansteigt. Bei genügend ho­ her Spannung erhält der Treiber D1 am Eingang E1 High-Si­ gnal, der Ausgang A1 liefert ein Low-Signal, so daß der MOSFET-Schalter V1 sperrt (ausgeschaltet ist). Damit fließt i_L durch den Bedämpfungswiderstand R1, so daß U_DS weiter ansteigt und den einmal eingeleiteten Umschaltvor­ gang in Form einer Mitkopplung unterstützt. Da der Bedämpfungswiderstand R1 groß gegen den R_DS(on)-Wider­ stand des MOSFET-Schalters V1 ist, muß der Strom i_L nahezu Null werden, damit der MOSFET-Schalter V1 wieder einge­ schaltet wird, was praktisch am Ende der Ladestrom-Halb­ welle erfolgt.

Im Bezug auf den Einschaltvorgang kann man davon ausgehen, daß der Glättungskondensator C1 entladen ist, so daß beim Anlegen der Netzspannung U_E∼ die Spannung U_C1 im ersten Moment Null ist und damit auch die Hilfsspannung am Kon­ densator C2 Null ist. Demzufolge ist auch die Ausgangs­ spannung des Treibers D1 am Punkt A1 Null, so daß der MOS- FET-Schalter V1 gesperrt, d. h. ausgeschaltet ist. Der ge­ samte Ladestrom des Glättungskondensators C1 fließt durch den Bedämpfungswiderstand R1, der den Strom begrenzt.

Da sich die Hilfsspannung am Kondensator C2 erst aufbaut (Zeitkonstante durch Widerstand R2 und Kondensator C2 ge­ geben), bleibt während der ersten Stromhalbwelle der MOS- FET-Schalter V1 gesperrt, d. h. ausgeschaltet, und der Be­ dämpfungswiderstand R1 ist wirksam. Erst zum Ende der Halbwelle erhält der Treiber D1 am Eingang E1 ein Low-Si­ gnal, so daß am Ausgang A1 ein High-Signal entsteht und der MOSFET-Schalter V1 durchgeschaltet, d. h. eingeschaltet wird und den Widerstand R1 überbrückt.

Zum besseren Verständnis dieser Vorgänge bei der vorteil­ haften Ausführungsform gemäß Fig. 2 der erfindungsgemäßen Gleichspannungs-Stromversorgung gemäß Fig. 1 zeigt Fig. 3 den idealisierten, zeitlichen Verlauf des Stroms i_L des Glättungskondensators C1 und der Teilströme i_R1 durch den Bedämpfungswiderstand R1 und i_V1 durch den MOSFET- Schalter V1, deren Summe nach den Kirchhoffschen Regeln zu jedem Zeitpunkt dem Wert von i_L gleich sein muß.

In den ersten beiden Halbwellen ist der MOSFET-Schalter V1 durchgeschaltet (d. h. eingeschaltet), und es fließt nahezu der gesamte Strom i_L als Drainstrom i_V1 durch den MOSFET- Schalter V1. Nur ein geringer Teil fließt als i_R1 durch den Bedämpfungswiderstand R1.

Zum Zeitpunkt t₁ tritt ein steiler Stromimpuls auf, der z. B. durch einen Spannungs-Impuls gemäß VDE 0160 verur­ sacht worden ist. Die Größe der Stromanstiegsgeschwindig­ keit wird begrenzt durch Netzinduktivitäten und/oder die Drossel L1.

Zum Zeitpunkt t₂ wird der MOSFET-Schalter gesperrt (d. h. ausgeschaltet), da der Strom i_L den zweiten Schaltschwel­ lenwert I₂ überschritten hat, so daß praktisch der gesamte Strom durch den Bedämpfungswiderstand R1 fließt, wodurch der Strom i_L begrenzt wird.

Zum Zeitpunkt t₃ ist i_L fast auf Null, d. h. auf einen Wert unterhalb des ersten Schaltschwellenwertes I₁ abgeklungen, so daß der MOSFET-Schalter V1 wieder durchgeschaltet (d. h. eingeschaltet) wird und für die weiteren Halbwellen lei­ tend bleibt, sofern nicht zu einem späteren Zeitpunkt abermals der zweite Schaltschwellenwert I₂ von i_L über­ schritten wird.

Es versteht sich, daß die Erfindung durch fachmännisches Wissen und Können aus- und weitergebildet werden kann, ohne daß es hierzu einer erfinderischen Tätigkeit bedarf.

So ist es z. B. möglich, bei höheren Spannungs- und/oder Stromwerten anstelle des (beispielhaft) einen MOSFET- Schalters in Fig. 2 mehrere parallel und/oder in Serie ge­ schaltete MOSFETs als einen Gesamt-Überbrückungsschalter vorzusehen.

Auch ist es möglich, mehrere Leistungshalbleiter-Arten miteinander zu einem Überbrückungsschalter zu kombinieren (z. B. Bipolartransistoren oder Thyristoren mit MOSFETs usw.), beispielsweise in Form von Kaskade- oder Kaskode­ schaltungen. Auch andere Schaltungen zur Ansteuerung des MOSFETs sind denkbar.

Ferner kann selbstverständlich anstelle der in der Fig. 1 und 2 beispielhaft gezeigten Wechselspannungsquelle U_E∼ auch ein Drehstromnetzanschluß gewählt werden.

Außerdem können statt der in Fig. 1 und 2 beispielhaft ge­ zeigten Brückengleichrichterschaltung auch andere Gleich­ richterschaltungen wie Ein- oder Doppelwegschaltungen ge­ wählt werden.

Auch kann die Drossel L1 in Fig. 1 und 2 auf der Gleich­ spannungsseite der Gleichrichterschaltung G1 angeordnet werden.

Schließlich ist das in Fig. 1 und 2 gezeigte Schaltnetz­ teil SNT auch nur als ein Beispiel eines gleichspannungs­ gespeisten Verbrauchers aufzufassen.

Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Forderung nach Festigkeit gegen Überspannungen gemäß VDE 0160 nunmehr auch mit Halbleiter-Schaltern erfüllt werden kann, die im Vergleich zu den Lösungen des Stands der Technik erheblich geringere Durchbruch- bzw. Sperr­ spannungswerte aufweisen.

Claims (8)

1. Gleichspannungs-Stromversorgung mit Einschaltstrombegrenzung, bestehend aus:

• - einer primär- bzw. wechselspannungsseitig an eine Wechsel- oder Drehstromquelle angeschlossenen Gleichrichterschaltung (G1);
• - einem der Gleichrichterschaltung sekundär- bzw. gleichspannungs­ seitig parallelgeschalteten Glättungskondensator;
• - einer der Gleichrichterschaltung (G1) sekundärseitig direkt nachge­ schalteten Parallelschaltung aus einem Bedämpfungswiderstand (R1) zur Einschaltstrombegrenzung und einem diesen überbrückbaren, mittels einer Ansteuerung (ST) ein- und ausschaltbaren Schalter (V1), der während des Einschaltvorganges ausgeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet,
• - daß durch die Ansteuerung (ST) ein erster Wert des Gleichrichter- Sekundärstromes (i_L) etwas größer oder gleich Null als unterer Schaltschwellenwert (I₁) und ein zweiter Wert des Gleichrichter- Sekundärstromes (i_L) größer als der Scheitelwert des Nennstromes des Gleichrichter-Sekundärstromes (i_L) als oberer Schaltschwellen­ wert (I₂) eingestellt sind;
• - daß nach dem Einschaltvorgang der Schalter (V1) bei Werten des Gleichrichter-Sekundärstromes (i_L) kleiner oder gleich dem unteren Schwellenwert (I₁) eingeschaltet und bei Werten des Gleich­ richter-Sekundärstromes (i_L) größer oder gleich dem oberen Schwellenwert (I₂) ausgeschaltet ist.

2. Gleichspannungs-Stromversorgung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der nach einer Überschreitung des oberen Schaltschwellenwertes (I₂) durch den Gleichrichter-Sekundärstrom (i_L) ausgeschaltete Schalter (V1) erst nach der zeitlich nachfolgenden erstmaligen Unterschreitung des unteren Schaltschwellenwertes (I₁) durch den Gleichrichter-Sekundärstrom (i_L) wieder eingeschaltet wird, sonst aber bei zwischen den beiden Schaltschwellenwerten (I₁, I₂) liegenden Gleichrichter-Sekundärstromwerten (i_L) eingeschaltet ist.

3. Gleichspannungs-Stromversorgung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Parallelschaltung aus Bedämpfungs­ widerstand (R1) und Schalter (V1) zwischen Gleichrichterschaltung (G1) und Glättungskondensator (C1) geschaltet ist.

4. Gleichspannungs-Stromversorgung nach einem der An­ sprüche 1 bin 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Drossel (L₁) der Gleichrichterschaltung (G1) wechselspannungssei­ tig in Reihe vorgeschaltet ist.

5. Gleichspannungs-Stromversorgung nach einem der Ansprü­ che 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrich­ terschaltung (G1) eine Brücken- oder Doppelweg- oder Ein­ weg-Gleichrichterschaltung ist.

6. Gleichspannungs-Stromversorgung nach einem der Ansprü­ che 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter (V1) ein Halbleiter-Leistungsschalter ist.

7. Gleichspannungs-Stromversorgung nach Anspruch 6, da­ durch gekennzeichnet, daß der Halbleiter-Leistungsschalter ein Bipolartransistor oder ein Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO-Thyristor) oder ein Thyristor mit Löschkreis oder ein Metall-Oxyd-Semiconductor-Fieldeffect-Transistor (MOSFET) oder eine Kombination dieser Leistungsschalter, insbeson­ dere in Form einer Kaskade- oder Kaskodeschaltung ist.

8. Gleichspannungs-Stromversorgung nach Anspruch 7, mit einem MOSFET als Schalter (V1) zur Überbrückung des Be­ dämpfungswiderstands (R1), dadurch gekennzeichnet,

• - daß die Ansteuerung (ST) des MOSFET-Schalters (V1) einen invertierenden Treiber (D1) enthält, der ausgangsseitig (A1) über einen Eingangswiderstand (R6) an den Gatean­ schluß (G) des MOSFET-Schalters (V1) und eingangsseitig an einem Verbindungspunkt (E1) zwischen den ersten bei­ den (R4, R5) von drei in Reihe geschalteten Widerständen (R3, R4, R5) angeschlossen ist;
• - daß die Reihenschaltung der drei Widerstände (R3, R4, R5) parallel zum MOSFET-Schalter (V1) geschaltet ist;
• - daß zur Gewinnung der für den Betrieb des MOSFET-Schal­ ters (V1) benötigten Hilfsspannung aus der Spannung (U_C1) des Glättungskondensators (C1) eine weitere Reihenschaltung aus einem weiteren Widerstand (R2) und einer weiteren Parallelschaltung aus einer Zenerdiode (V2) und einem Kondensator (C2) vorgesehen ist, und daß diese weitere Reihenschaltung auf Seiten des weiteren Widerstandes (R2) mit dem Glättungskondensator (C1) und auf Seiten der weiteren Parallelschaltung mit dem Sour­ ceanschluß (S) des MOSFET-Schalters (V1) verbunden ist und daß der Verbindungspunkt zwischen weiterem Wider­ stand (R2) und weiterer Parallelschaltung aus Zenerdiode (V2) und Kondensator (C2) der weiteren Reihenschaltung über eine Diode (V3) mit dem Verbindungspunkt zwischen den ersten beiden Widerständen (R4, R5) und dem dritten Widerstand (R3) der Reihenschaltung der drei Widerstände verbunden ist.