DE3905860C2 - - Google Patents
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- H03J7/08—Automatic frequency control where the frequency control is accomplished by varying the electrical characteristics of a non-mechanically adjustable element or where the nature of the frequency controlling element is not significant using varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Spannungsüberlagerungsschaltung
nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Ein elektronischer Kanalwähler oder Tuner bei z. B.
einem Flüssigkristall-Fernsehempfänger besteht im wesentlichen
aus einem Abstimmkreis, einem Empfangsoszillator
und einem Mischkreis. Im Abstimmkreis wird eine
Resonanzfrequenz entsprechend den Frequenzen eines gewählten
Fernsehkanals variiert. Zum Ändern der Resonanzfrequenz
legt ein Kanalwählkreis eine Abstimmspannung an
den Abstimmkreis an, speziell eine Vorspannung an eine
im Abstimmkreis vorhandene variable Diode. Eine Schwingfrequenz
des Empfangsoszillators ist Schwankungen in
Abhängigkeit von Umgebungstemperatur, Alterung seiner
Bauelemente und dgl. unterworfen. Zur Aufrechterhaltung
einer einwandfreien Überlagerungsschwingungsfrequenz
ist ein automatischer Feinabstimm- bzw. AFA-Kreis vorgesehen,
der eine AFA-Spannung zum Korrigieren der
Schwingungsfrequenzabweichung der genannten Faktoren
erzeugt und diese Spannung dem elektronischen
Tuner einspeist.
Der AFA-Kreis erfaßt eine Abweichung von einer Mittenfrequenz
einer vom elektronischen Tuner abgenommenen
Zwischenfrequenz (ZF) und erzeugt eine der erfaßten
Abweichung proportionale Gleichspannung (AFA-
Spannung). Letztere steuert die Überlagerungsschwingungsfrequenz
des Tuners so, daß die Abweichung der Mittenfrequenz f0
der Zwischenfrequenz f0 aufgehoben wird. Als Ergebnis
wird die Zwischenfrequenz stabilisiert.
Fig. 1 veranschaulicht eine Beziehung zwischen einer
AFA-Spannung und einer Verschiebung der Mittenfrequenz
f0 der Zwischenfrequenz. In der graphischen Darstellung
von Fig. 1 sind auf der Ordinate die AFA-Spannung und
auf der Abszisse die Verschiebung der Mittenfrequenz f0
aufgetragen. V0 gibt eine Bezugsspannung an, welche die
Mittenfrequenz f0 darstellt (58,75 MHz nach Japanischer
Fernsehnorm). Wenn sich die Mittenfrequenz eines vom
elektronischen Tuner abgegebenen ZF-Signals, wie aus
der graphischen Darstellung hervorgeht, von der Mittenfrequenz
f0 zur höheren Seite (+) hin verschiebt, liefert
der AFA-Kreis eine AFA-Spannung, die niedriger ist
als die Spannung V0. Bei einer Verschiebung zur niedrigeren
Seite (-) hin liefert der AFA-Kreis dagegen eine
AFA-Spannung, die höher ist als die Spannung V0. Auf
diese Weise wird ein vorherbestimmter Mitziehbereich
zum Stabilisieren der Zwischenfrequenz
durch die AFA-Spannung aufgestellt.
Elektronische Tuner mit dem beschriebenen Aufbau lassen
sich in zwei Arten einteilen. Die eine Tuner-Art ist
mit zwei Eingangsklemmen versehen, von denen die eine
eine AFA-Spannung und die andere eine Abstimmspannung abnimmt.
Die andere Tuner-Art weist nur eine Eingangsklemme
zum Abnehmen einer Abstimmspannung auf. Dieser letztere
Tuner benötigt eine Schaltung zum
Einstellen einer Abstimmspannung unmittelbar
mittels einer AFA-Spannung, d. h. eine Spannungsüberlagerungsschaltung
zum Überlagern der Abstimmspannung mit
einer AFA-Spannung.
Ein Beispiel für eine Spannungsüberlagerungsschaltung
ist nachstehend beschrieben. Eine Kanalwähl-Spannungsklemme
nimmt eine Kanalwählspannung ab, die erzeugt
wird, wenn ein Fernseh-Zuschauer einen Kanalwählknopf
des Fernsehempfängers zum Einstellen des von ihm
gewünschten Kanals von Hand betätigt. Diese Klemme ist
mit der Basis eines ersten npn-Transistors verbunden,
der am Kollektor an eine erste Spannungsquelle
angeschlossen ist, während sein Emitter über einen
ersten Widerstand an einer Abstimmspannungsklemme des
elektronischen Tuners liegt. Eine AFA-Spannungsklemme
nimmt eine AFA-Spannung von einem AFA-Kreis ab. Die
AFA-Spannungsklemme ist mit einem Verbindungspunkt
zwischen zweiten und
dritten Widerständen verbunden, die in Reihe zwischen
eine zweite Spannungsquelle und einen Bezugspotentialpunkt
geschaltet sind. Der Verbindungspunkt zwischen
zweitem und drittem Widerstand ist über einen
vierten Widerstand an den Emitter eines zweiten npn-
Transistors angeschlossen, der seinerseits an seinem
Kollektor mit der Abstimmspannungsklemme des elektronischen
Tuners verbunden ist. Die Basis des zweiten Transistors
ist mit einem Verbindungspunkt zwischen fünften und
sechsten Widerständen verbunden, die in Reihe zwischen
die zweite Spannungsquelle und den Bezugspotentialpunkt
geschaltet sind. Der Emitter des zweiten Transistors
ist über einen siebten Widerstand an den Bezugspotentialpunkt
angeschlossen.
Bei dieser beschriebenen Spannungsüberlagerungsschaltung
entspricht eine an der Verzweigung zwischen zweitem
und drittem Widerstand auftretende Spannung der
Spannung V0. Diese Spannung hängt von einem Widerstandsverhältnis
der genannten Widerstände ab. Ein vom
ersten Widerstand zum Kollektor des zweiten Transistors
fließender Strom variiert in Abhängigkeit von der an
die AFA-Spannungsklemme angelegten AFA-Spannung. Eine
Änderung der an die Abstimmspannungsklemme des Tuners
angelegten Abstimmspannung liefert eine Spannungskomponente
zur automatischen Einstellung einer
Überlagerungsschwingungsfrequenz
des Tuners. Wenn angenommen wird, daß der
Widerstandswert des ersten Widerstands gleich R und ein
vom ersten Widerstand zum Kollektor des zweiten Transistors
fließender Strom gleich I sind, betragen eine
Änderung des Stroms IΔI und eine Änderung
der Abstimmspannung, d. h. eine AFA-Spannungskomponente,
R×ΔI.
Ein anderes Beispiel für die Spannungsüberlagerungsschaltung
ist im folgenden beschrieben. Eine Kanalwähl-Spannungsklemme
zum Abnehmen einer Kanalwählspannung
ist über einen achten Widerstand mit einer Abstimmspannungsklemme
eines elektronischen Tuners verbunden.
Eine AFA-Klemme ist mit einem Verbindungspunkt zwischen neunten
und zehnten Widerständen verbunden, die in Reihe
zwischen eine dritte Spannungsquelle und das Bezugspotential
geschaltet sind. Der Verbindungspunkt ist über
einen elften Widerstand mit der Abstimmspannungsklemme
des Tuners verbunden.
Wenn ein Widerstandswert des achten Widerstands zu R′
und ein vom achten Widerstand zu elften Widerstand
fließender Strom zu I′ vorausgesetzt werden, bestimmt
sich dann, wenn die Spannung V0 am Verbindungspunkt zwischen
neuntem und zehntem Widerstand auftritt, eine
AFA-Spannungskomponente zu R′×ΔI′.
Die Beziehungen zwischen der Abstimmspannung und den
Frequenzen der Fernsehkanäle sind in Fig. 2 dargestellt,
in welcher eine Abstimmspannung VT auf der Ordinate
und eine Kanalzahl auf der Abszisse aufgetragen
sind. Eine Kurve A gibt eine Änderung der Abstimmspannung
VT im VHF-Tiefband an; eine Kurve B steht für eine
Änderung der Abstimmspannung VT im VHF-Hochband, und
eine Kurve C steht für eine Änderung der Abstimmspannung
VT im UHF-Band.
Ersichtlicherweise sind diese, die Abstimmspannung/Kanalzahl-
Kennlinien darstellenden Kurven nicht-linear,
wobei eine Änderung der Abstimmspannung VT entsprechende
Frequenzänderung um so größer
wird, je höher die Kanalzahl ist. Im Tunerbetrieb im
AFA-Modus ist der Mitziehbereich bei den niedrigeren
Kanalzahlen weit, während er bei den höheren
Kanalzahlen schmal ist, weil die variierte Spannungskomponente
z. B. R×ΔI über den Gesamtbereich der Kanalzahlen
hinweg konstant ist. Die ungleichförmigen
AFA-Mitziehbereiche gestalten die Empfangseigenschaften
des Fernsehgeräts über den Bereich der Fernsehkanäle ungleichmäßig.
Dies bedeutet, daß einige Kanäle mit zufriedenstellender
Wiedergabe, andere Kanäle aber mit unzufriedenstellender
Wiedergabe empfangen werden.
Eine Spannungsüberlagerungsschaltung der eingangs genannten
Art ist aus Borg, A. N., "A low cost varactor
tuning system for television" in IEEE Transactions on
Consumer Electronics, Vol. CE-24, No. 1, 1978, Seiten
68-73, bekannt. Bei dieser Schaltung wird aber keine
Überlagerung der AFA-Spannung durchgeführt, welche von
der Impulsdauer eines Abstimmungssignals abhängt.
Aus der US 44 50 587 ist eine Abstimmschaltung bekannt,
die eine relativ gleichmäßige automatische Feinabstimmung
erlaubt. Hierzu wird die Abstimmempfindlichkeit
des Tuners in bezug auf Änderungen in der AFA-Spannung
möglichst gleichmäßig für einen gegebenen Frequenzbereich
gemacht. Im einzelnen wird dazu die Verstärkung
zwischen dem Ausgangssignal einer AFA-Schaltung und dem
Zwischenfrequenz-Ausgangssignal eines Tuners, also der
Verstärkungsgrad einer AFA-Komponente in der Abstimmspannung,
verändert, wobei eine Reihenschaltung aus
einem Schalter und einem ersten Widerstand zwischen dem
negativen Eingangsanschluß des Verstärkers eines Tiefpaßfilters
und der AFA-Schaltung vorgesehen ist und ein
zweiter Widerstand parallel zu dieser Reihenschaltung
liegt. Die Breite eines Q-Impulssignales ändert sich
abhängig vom Zustand des Schalters mit den jeweiligen
Kanälen, um so den Verstärkungsgrad der AFA-Spannung zu
verändern. So wird die Zeitdauer während der der zweite
Widerstand parallel zum ersten Widerstand liegt, mittels
des Schalters derart gesteuert, daß sich der effektive
Widerstandswert eines Kopplungsnetzwerkes verändert,
um so den Verstärkungsgrad der AFA-Spannung zu
verändern.
Weiterhin ist in Timmermann, F.: "Digitales Programmspeicher-
System" in "Funkschau", 1977, Heft 17, Seiten
769 bis 771 ein digitales Programmspeicher-System beschrieben,
bei dem sich das Tastverhältnis von Impulsen
entsprechend jeweiligen Bändern verändert, wobei aber
keine Überlagerung einer AFA-Spannung auf Impulse vorgenommen
wird. Im einzelnen wird zwar die Anregung gegeben,
einen analogen Umschalter einzusetzen, um eine
AFA-Einstellspannung der Abstimmspannung zu überlagern.
Es findet sich aber kein Hinweis, wo dieser Umschalter
vorzunehmen wäre oder wie die Überlagerung mittels des
Umschalters genau vorgenommen werden könnte.
Aus Penner, L., "Digital television tuner uses MOS LSI
and novolatile memory" in Electronics, 1976, April 1,
Seiten 86-90, ist eine Schaltungsanordnung bekannt,
bei der eine Spannung, die durch Glätten des Ausgangssignales
eines 4-Bit-Pulsbreitenmodulators erhalten
ist, auf ein Ausgangssignal eines 10-Bit-Pulsbreitenmodulators
überlagert wird.
Schließlich ist aus US 35 91 858 ein Impulswandler bekannt,
der im wesentlichen aus zwei Zweigen, nämlich
einerseits Transistoren und andererseits einem Inverter,
besteht.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Spannungsüberlagerungsschaltung
für einen elektronischen
Tuner zu schaffen, bei welcher der AFA-Mitziehbereich
über den Gesamtbereich der Kanalzahlen oder Frequenzbänder
hinweg gleichförmig ist.
Diese Aufgabe wird bei einer Spannungsüberlagerungsschaltung
nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1
erfindungsgemäß durch die in dessen kennzeichnendem
Teil enthaltenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich
aus den Patentansprüchen 2 bis 12.
Bei der erfindungsgemäßen Spannungsüberlagerungsschaltung
ändert sich ein Impuls-Tastverhältnis eines Impulssignals
für Kanalwahl für jeden Kanal derart, daß
sich ein Verhältnis von Durchschalt-Sperrperiode eines
ersten Transistors für jeden Kanal ändert. Demzufolge
besitzt ein über den Lastwiderstand fließender Hauptstrom
der Transistoreinheit eine konstante Größe, während
sich jedoch eine Fließperiode des Hauptstroms für
jeden Kanal ändert. Von diesem
Merkmal des Hauptstroms der Transistoreinheit wird Gebrauch
gemacht. Von dem Lade/Entladestrom des Kondensators im
Filter wird eine AFA-
Betriebskomponente variiert, um eine Änderung
der AFA-Spannung für jeden Kanal zu steuern.
Auf diese Weise kann ein AFA-Mitziehbereich
für alle Fernsehkanäle vergleichmäßigt werden.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 eine graphische Darstellung einer Beziehung
zwischen einer AFA-Spannung und einer Frequenzabweichung
von der Mittenfrequenz der Zwischenfrequenz,
Fig. 2 eine graphische Darstellung von Beziehungen
zwischen einer Abstimmspannung und Kanalzahlen,
Fig. 3 ein Schaltbild einer einer Ausführungsform der
Erfindung entsprechenden Spannungsüberlagerungsschaltung
für einen elektronischen Kanalwähler
oder Tuner,
Fig. 4A bis 4C graphische Darstellungen eines Kanalwähl-
Impulssignals, einer Kanalwählspannung
bzw. eines Änderungsbereichs einer AFA-Spannung
bei niedrigen Kanalzahlen,
Fig. 5A bis 5C graphische Darstellungen eines Kanalwähl-
Impulssignals, einer Kanalwählspannung
bzw. eines Änderungsbereichs einer AFA-Spannung
bei mittleren Kanalzahlen,
Fig. 6A bis 6C graphische Darstellungen eines Kanalwähl-
Impulssignals, einer Kanalwählspannung
bzw. eines Änderungsbereichs einer AFA-Spannung
bei hohen Kanalzahlen,
Fig. 7 eine graphische Darstellung einer Beziehung
zwischen einer Abstimmspannung und einem Impuls-
Tastverhältnis,
Fig. 8 ein Schaltbild einer anderen Ausführungsform
der Erfindung und
Fig. 9A bis 9B Schaltbilder noch einer anderen Ausführungsform
der Erfindung.
Fig. 3 veranschaulicht eine für einen elektronischen Tuner
vorgesehene Spannungsüberlagerungsschaltung,
die an einen elektronischen Tuner 11 mit
einer Abstimmspannungsklemme T als Spannungsspeiseklemme
zum Abnehmen einer Spannung für Kanalwahl angeschlossen
ist. Der Tuner 11 nimmt ein Hochfrequenzsignal von
einer nicht dargestellten Antenne an einer nicht dargestellten
Hochfrequenz- oder HF-Eingangsklemme ab und
liefert ein Zwischenfrequenzsignal an einer nicht dargestellten
Zwischenfrequenz- oder ZF-Ausgangsklemme.
In der Spannungsüberlagerungsschaltung wird ein Kanalwähl-Impulssignal
an eine Eingangsklemme 12 angelegt,
die mit der Basis eines npn-Transistors Q11 verbunden
ist, der in Abhängigkeit vom Kanalwählimpuls geschaltet
wird. Der Transistor Q11 ist am Emitter mit einem Bezugspotentialpunkt
verbunden. Der Kollektor des Transistors
Q11 ist über einen Lastwiderstand R11 mit einer
Spannungsquelle (+)B verbunden. Der Kollektor
des Transistors Q11 ist an ein Gleichrichterfilter mit
einem Widerstand R12 und einem Kondensator C11 angeschlossen.
Über dieses Filter erscheint eine Gleichspannung,
die der Dauer der Sperrperiode des Transistors Q11 proportional
ist, an der Ausgangsklemme des Kondensators
C11, d. h. an einem Verbindungspunkt
von Widerstand R12 und Kondensator C11. Die Gleichspannung
entspricht einer Kanalwählspannung bei der herkömmlichen
Schaltung. Die über den Kondensator C11 liegende
Spannung wird an die Basis eines npn-Transistors
Q12 angelegt, dessen Emitter über einen Widerstand R13
mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden ist, während
sein Kollektor an die Spannungsquelle (+)B angeschlossen
ist. Die am Emitter des Transistors Q12 erscheinende
Gleichspannung wird über einen Glättungskreis
aus einem Widerstand R14 und einem Kondensator
C12 zur Abstimmspannungsklemme T geleitet.
Ein Schaltkreis mit Transistoren Q21 bis Q26 wandelt
eine an einer Eingangsklemme 13 erscheinende automatische
Feinabstimm- bzw. AFA-Spannung in einen entsprechenden
Strom um und speist diesen dem Gleichrichterfilter
zu. Die Klemme 13 ist über einen Widerstand R21 mit der
Basis des pnp-Transistors Q21 gekoppelt, dessen Kollektor
mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden ist. Eine
der AFA-Spannung VAFT proportionale Spannung wird vom
Emitter dieses Transistors Q21 erhalten
und über eine Reihenschaltung aus Widerständen R23 und
R24 an die Basis eines Pegelschiebe-pnp-Transistors Q22
angelegt.
Der Transistor Q22 ist an der Basis mit der einen Seite
eines Kondensators C21 verbunden, dessen andere Seite
mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden ist. Der Emitter
des Transistors Q22 ist über einen Widerstand R27 mit
einer Spannungsquelle Vcc verbunden. Der Kollektor
des Transistors Q22 ist über eine Reihenschaltung
aus einem Widerstand R26 und einer Diode D23 an den Bezugspotentialpunkt
und weiterhin über einen Widerstand
R25 an die Basis eines npn-Transistors Q23 für AFA-
Spannungsüberlagerung angeschlossen. Der Emitter dieses
Transistors Q23 ist über eine Reihenschaltung aus Widerständen
R28 und R29 an den Bezugspotentialpunkt angeschaltet.
Der Kollektor des Transistors Q23 ist mit dem
Kollektor des Transistors Q11 verbunden. Mit dieser Verbindungsart
wird der Transistor Q23 während der Sperrperiode
des Transistors Q11 durchgeschaltet, um die
AFA-Spannung VAFT in einen Strom umzuwandeln und diesen
dem Gleichrichterfilter zuzuspeisen.
Eine Eingangsklemme 14 für eine Bandwählspannung
ist über einen Widerstand
R30 mit der Basis des npn-Transistors Q25 verbunden,
dessen Basis auch über einen Widerstand R31 am Bezugspotentialpunkt
liegt, während der Emitter unmittelbar
mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden ist. Der Kollektor
des Transistors Q25 ist mit einem Verbindungspunkt zwischen
den Widerständen R28 und R29 verbunden. Demzufolge
wird eine an der Klemme 14 eingespeiste Bandwählspannung
über die Widerstände R30 und R31 sowie den Transistor
Q25 dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen
R28 und R29 aufgeprägt.
Der Emitter des Transistors Q21 liegt über einen Widerstand
R22 an der Spannungsquelle Vcc an. Eine
Reihenschaltung aus einem Widerstand R32 und einer Diode
D21 ist zwischen die Basis des Transistors Q22 und
die Spannungsquelle Vcc geschaltet. Der Verbindungspunkt
zwischen den Widerständen
R23 und R24 ist über eine Diode D22 und eine Kollektor-
Emitterstrecke des npn-Transistors Q24 an den Bezugspotentialpunkt
angeschlossen.
Eine eine AFA-Abschaltspannung abnehmende
Klemme 15 ist mit der Basis des npn-Transistors
Q26 verbunden, dessen Emitter an den Bezugspotentialpunkt
angeschlossen ist, während sein Kollektor mit der
Anode der Diode D21 und auch der Basis des Transistors
Q24 verbunden ist.
Im folgenden ist die Arbeitsweise der beschriebenen
Spannungsüberlagerungsschaltung erläutert. Die Fig. 4A,
5A und 6A veranschaulichen jeweils Wellenformen des Kanalwähl-
Impulssignals zum Wählen der niedrigen, mittleren
und hohen Kanäle. Wie dargestellt, weist das Kanalwähl-
Impulssignal für unterschiedliche Kanalzahlen verschiedene
Tastverhältnisse auf. Die Fig. 4B, 5B und 6B
veranschaulichen jeweils Kanalwählspannungen in Verbindung
mit den Kanalwähl-Impulssignalen gemäß den Fig. 4A,
5A bzw. 6A. Die Fig. 4C, 5C und 6C veranschaulichen die
jeweiligen Änderungsbereiche einer
AFA-Spannung in Verbindung mit den Kanalwähl-Impulssignalen
gemäß den Fig. 4A, 5A bzw. 6A.
Die Fig. 4A bis 4C veranschaulichen die Arbeitsweise
der Spannungsüberlagerungsschaltung für den Fall, daß
ein niedriger Kanal in einem Fernsehband (z. B. Kanal 1
im VHF-Tiefband) gewählt ist. Im Betrieb wird dabei ein
in Fig. 4A gezeigtes Kanalwähl-Impulssignal der Klemme
12 aufgeprägt. In Abhängigkeit von diesem Impulssignal
wird der Transistor Q11 wiederholt durchgeschaltet, so
daß er gemäß Fig. 4B ein Impulssignal
D (ausgezogene Linie) erzeugt. Das Impulssignal
D verursacht weiter eine ebenfalls in Fig. 4B gezeigte
Kanalwählspannung Va. Eine Änderung einer Abstimmspannung
VT und eines Bereichs einer Änderungsspannung
ΔVT aufgrund der Änderung einer AFA-Spannung
sind in Fig. 4C dargestellt.
Wenn gemäß Fig. 4A eine niedrige Kanalfrequenz gewählt
ist, ist eine Impulsperiode (Niedrigpegelperiode) des
Kanalwähl-Impulssignals kürzer als eine invertierte Periode
(Hochpegelperiode). Der Transistor Q11 invertiert
das Impulssignal einer solchen Wellenform. Dementsprechend
ist eine Wellenform eines Impulssignals, das am
Kollektoranschluß des Transistors Q11 (ausgezogene Linie
D in Fig. 4B) erscheint, die Inversion der Wellenform
des Impulssignals gemäß Fig. 4A. Eine Hochpegelperiode
T1 des Ausgangsimpulses D entspricht der
Sperrperiode des Transistors Q11. Während dieser
Periode T1 wird eine Spannung von der Spannungsquelle
(+)B über den Widerstand R11 an den Kondensator
C11 angelegt, um letzteren aufzuladen. Während einer
Niederpegelperiode T2 befindet sich der Transistor Q11
im Durchschaltzustand. Während dieser Periode T2 wird
der Kondensator C11 über den Transistor Q11 entladen.
Das Laden/Entladen des Kondensators C11 erfolgt längs
einer ausgezogenen eingezeichneten Kurve E in Fig. 4B.
Demzufolge erscheint an der Ausgangsklemme des Kondensators
C11 eine mittlere Spannung
(strichpunktierte Linie in Fig. 4B) als Gleichspannung
(Kanalwählspannung Va), die durch ein Verhältnis der
Perioden T1 und T2 bestimmt wird.
Eine AFA-Spannung VAFT erscheint an der Basis des Transistors
Q22 über eine Strecke aus dem Widerstand R21,
der Basis-Emitterstrecke des Transistors Q21 und den
Widerständen R23 und R24. Der Transistor Q22 liefert am
Kollektor die durch die Diode D23 pegelverschobene AFA-
Spannung. In Abhängigkeit von der pegelverschobenen
AFA-Spannung wird der Transistor Q23 zur Herstellung
einer Stromstrecke geschlossen. Während der Sperrperiode
des Transistors Q11 schaltet diese Strecke den vom
Widerstand R11 zum Widerstand R12 fließenden Strom in
Nebenschluß, um damit den Ladestrom zum Kondensator C11
einzustellen. Infolgedessen enthält die an der Ausgangsklemme
des Kondensators C11 erscheinende Spannung, d. h.
eine an der Basis des Transistors Q12 erscheinende Spannung
Va′ (Fig. 3), die Überlagerung einer Änderung der
AFA-Spannung VAFT zur Kanalwählspannung Va.
Es sei angenommen, daß mit Ic der Arbeitsstrom
des Transistors Q23, dann, wenn die AFA-Spannung
gleich V0 ist, bezeichnet ist. Eine von einer Änderung
oder einer Pegelverschiebung der AFA-Spannung abhängende
Änderung ΔIc des Arbeitsstroms Ic besitzt
eine feste Größe. In diesem Fall schaltet der Transistor
Q23 nur während der Sperrperiode T1 des Transistors
Q11 durch. Der Ladestrom wird daher während der
Sperrperiode T1 durch eine Größe der Änderung ΔIc
eingestellt. In Fig. 4B bezeichnet ein schraffierter Abschnitt
F eine Spannungsänderung, die größenmäßig der
Änderung ΔIc des Arbeitsstroms Ic des Transistors
Q23 entspricht. Die als ΔVT bezeichnete Spannungsänderung
ist in Fig. 4C durch zwei parallele gestrichelte
Linien definiert. Wie dargestellt, liegt die Änderung
ΔVT auf beiden Seiten der Bezugsabstimmspannung
V0 (ausgezogene Linie in Fig. 4C) vor, welche die
Mittenfrequenz f0 der Zwischenfrequenz darstellt oder
bestimmt. Innerhalb des Bereichs der Spannungsänderung
ΔVT wird die Abstimmspannung VT eingestellt.
Dieser Spannungsbereich ΔVT gibt somit einen
AFA-Mitziehbereich an.
Die Fig. 5A bis 5C veranschaulichen die Arbeitsweise
der Spannungsüberlagerungsschaltung für den Fall, daß
ein zwischen den niedrigen und hohen Kanälen vorliegender
mittlerer Kanal im Fernsehband gewählt ist. Im dargestellten
Fall ist beispielsweise der Kanal 2 im VHF-
Tiefband gewählt. Gemäß Fig. 5A ist eine Impulsperiode
(Niederpegelperiode) des Kanalwähl-Impulssignals länger
als diejenige im niedrigen Kanal. Demzufolge ist ein
mittlerer Pegel der Kanalwählspannung Va, die auf dem
Kanalwähl-Impulssignal beruht, höher als derjenige im
niedrigen Kanal. Außerdem ist auch die Größe (schraffierter
Abschnitt in Fig. 5B) des Einstellstroms für
den Lade/Entladestrom des Kondensators C11 groß, so daß
gemäß Fig. 5C der Bereich der AFA-Spannungsänderung
ΔVT für die Abstimmspannung VT erweitert
ist.
Wenn ein hoher (hochzahliger) Kanal im Fernsehband empfangen
wird, ist die Impulsperiode (Niederpegelperiode)
des Kanalwählsignals gemäß Fig. 6A weiter verbreitert.
Damit erhöht sich die Kanalwählspannung Va, und sie
nähert sich der Spannung an der Stromquelle (+)B
an (vgl. Fig. 6B). Die Stromänderung ΔIc liegt für
eine verlängerte Zeitdauer vor. Infolgedessen ist die
Breite der Änderung ΔVT der Abstimmspannung VT gemäß
Fig. 6C weiter vergrößert.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt,
nutzt die Spannungsüberlagerungsschaltung
die Tatsache, daß sich die Sperrperiode
des Transistors Q11 mit der gewählten Kanalzahl
ändert. Die Dauer einer Änderung ΔIc des Arbeitsstroms
Ic des Transistors Q23, der zur Erzeugung einer
Änderung der AFA-Spannung dient, ändert sich in Übereinstimmung
mit der Änderung der Sperrperiode des Transistors
Q11. Infolgedessen kann eine für den gewählten
Kanal geeignete Änderung der AFA-Spannung erhalten und
dem Tuner aufgeprägt werden. Mit dem vorstehend beschriebenen
Merkmal sind die AFA-Mitziehbereiche, die
unabhängig von den Eichkennlinien gemäß Fig. 2 für alle
Kanäle in den Fernsehbändern gleichmäßig
sind, erfolgreich realisiert. Dies zeigt an, daß
ein Zuschauer das Fernsehprogramm jedes beliebigen Kanals
mit gleicher Empfangscharakteristik betrachten
kann.
Fig. 7 veranschaulicht die Beziehungen zwischen der Abstimmspannung
und dem Impuls-Tastverhältnis. In Fig. 7
sind auf der Ordinate eine Spannung und auf der Abszisse
ein Tastverhältnis (%) aufgetragen. Wie aus dieser
graphischen Darstellung hervorgeht, wird der Bereich
einer Änderung (mit ΔVT bezeichnet und durch zwei
strichpunktierte Linien definiert) der AFA-Spannung
VAFT in bezug auf die Abstimmspannung um so weiter, je
größer das Tastverhältnis ist. Infolgedessen kann ein
für die Charakteristika gemäß Fig. 2
zweckmäßiger AFA-Spannungsbereich eingestellt
werden. In Fig. 7 zeigt VAFT(-) an, daß die an
der Klemme 13 anliegende AFA-Spannung sich zur negativen
Seite (-) hin ändert. Ebenso zeigt VAFT(+) an, daß
sich die AFA-Spannung zur positiven Seite (+) hin ändert.
Je weiter der Bereich der AFA-Spannung VAFT ist,
um so stärker erhöht sich die Spannung Va.
Im AFA-Betrieb zeigt die AFA-Abschaltspannung
einen hohen Pegel, wobei unter dieser
Bedingung der Transistor Q26 in den Durchschaltzustand
versetzt ist. Wenn die genannte Spannung auf
einen niedrigen Pegel übergeht, d. h. wenn der AFA-Modus
aufgehoben wird, steigt das Kollektorpotential des
Transistors Q26 an, und der Transistor Q24 und die Diode
D21 werden aufeinanderfolgend durchgeschaltet.
Schließlich wird das Basispotential des Transistors Q22
auf einer durch ein Verhältnis der Widerstände R32 und
R24 bestimmten Spannung gehalten. Diese Spannung ist
die Bezugsspannung V0.
Bei der dargestellten Ausführungsform der Spannungsüberlagerungsschaltung
kann durch Änderung der an die
Klemme 14 angelegten Bandwählspannung für jedes Fernsehband
mittels der Umschaltoperation der Transistor Q23
in Übereinstimmung mit den Eichkennlinien (Fig. 2)
zweckmäßig vorgespannt werden. Infolgedessen wird die
Änderung ΔIc im Arbeitsstrom Ic des Transistors Q23
variiert, so daß eine entsprechende AFA-Regelempfindlichkeit
für jedes Fernsehband eingestellt
werden kan. Im VHF-Band ist beispielsweise die
Spannung an der Klemme 14 auf einen hohen Pegel gesetzt.
Bei diesem Pegel wird der Transistor Q25 zum
Kurzschließen des Widerstands R29 durchgeschaltet.
Im UHF-Band liegt eine niedrigpegelige Spannung
an der Klemme 14 an, wodurch der Transistor Q25
gesperrt wird. Unter diesen Bedingungen sind die Widerstände
R28 und R29 in Reihe geschaltet, wobei eine über
die Reihenschaltung liegende Spannung den Transistor
Q23 vorspannt. Die Emittervorspannung des Transistors
Q23 wird mithin entsprechend dem gewählten Fernsehband
geändert.
Wahlweise kann gemäß Fig. 8 der Kollektor des Transistors
Q23 an die Verzweigung zwischen dem Widerstand
R14 und dem Glättungskondensator C12 angeschlossen
sein.
Im folgenden ist eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Spannungsüberlagerungsschaltung anhand der
Fig. 9A und 9B beschrieben. Bei dieser Ausführungsform
sind mehrere Gleichrichterfilter gemäß Fig. 9A vorgesehen,
während die erste Ausführungsform nach Fig. 3 ein
einziges Gleichrichterfilter verwendet. Zusätzlich sind
bei dieser Ausführungsform Kreise 16, 17 und 18 zum Abnehmen
von Spannungen VL, VH und VU der betreffenden
Fernsehbänder vorgesehen. Aufgrund der Anordnung dieser
Kreise entfällt die Notwendigkeit für eine Umschaltoperation
zum Wählen eines gewünschten Bands aus diesen
Fernsehbändern. Wie erwähnt, wird der Arbeitsstrom Ic
des Transistors Q23 für jedes Band umgeschaltet. Die genannten
Kreise sind jeweils mit Verbindungspunkten
gekoppelt, so daß eine optimale AFA-Regelcharakteristik
erzielt wird.
Genauer gesagt: gemäß Fig. 3, die eine Schaltungsanordnung
in Verbindung mit den Transistoren Q11 und Q12
zeigt, sind (vgl. Fig. 9B) mehrere Gleichrichterfilter
aus Widerständen R41 bis R43 und Kondensatoren C41 bis
C43 zwischen den Transistoren Q11 und Q12 angeordnet.
Fig. 9B zeigt den Kreis 16 für das VHF-Tiefband.
Die Transistoren Q31 und Q32 entsprechen den Transistoren
Q23 bzw. Q25 gemäß Fig. 3. Der Kreis 17 ist für das
VHF-Hochband vorgesehen. Die Transistoren Q41 und Q43
entsprechen dabei den Transistoren Q23 bzw. Q25 gemäß
Fig. 3. Der Kreis 18 ist für das UHF-Band vorgesehen,
wobei die Transistoren Q51 und Q52 den Transistoren Q23
bzw. Q25 gemäß Fig. 3 entsprechen. Der Kollektor jedes
Transistors Q31, Q41 und Q51 ist mit einem der Verbindungspunkte
a bis e gemäß
Fig. 9A verbunden. Die Kollektorspannung des Transistors
Q22 wird über Widerstände R44, R47 und R50 an
die Transistoren Q31, Q41 bzw. Q51 angelegt.
Die vorstehend beschriebene Ausführungsform kann eine
verbesserte AFA-Regelcharakteristik für jedes Fernsehband
gewährleisten, die derjenigen bei der Spannungsüberlagerungsschaltung
nach Fig. 3, bei welcher der Vorspannungsstrom
des Kollektors des Transistors Q23 beim
jedesmaligen Wählen des Fernsehbands umgeschaltet wird,
überlegen ist.
Claims (12)
1. Spannungsüberlagerungsschaltung zum Zuspeisen eines
Abstimmsignals mit einer einer automatischen Feinabstimm-
(AFA-)Spannung überlagerten Kanalwählspannung
zu einer Abstimmspannungsklemme (T) eines elektronischen
Tuners (11), umfassend eine Kanalwählspannung-
Erzeugungseinheit zum Erzeugen einer Kanalwählspannung
auf der Grundlage eines ihr aufgeprägten Kanalwähl-
Impulssignals (vgl. 12) und eine Spannungsüberlagerungseinrichtung
zum Überlagern einer AFA-Spannung
zu der erzeugten Kanalwählspannung und zur Lieferung
der überlagerten Spannung als Abstimmspannung,
wobei die Kanalwählspannung-Erzeugungseinheit
aufweist:
einen ersten Transistor (Q11) mit einer Umschaltfunktion zum Invertieren des Kanalwähl-Impulssignals, wobei die Basis des ersten Transistors (Q11) mit dem Kanalwähl-Impulssignal gespeist wird, sein Kollektor über einen Lastwiderstand (R11) mit einer Spannungsquelle (+B) verbunden ist und sein Emitter an einen Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist, und wobei die Kanalwähl-Impulssignale der betreffenden Kanäle unterschiedliche Tastverhältnisse aufweisen und damit die Verhältnisse der Durchschalt- und Sperrperioden des ersten Transistors (Q11) für die jeweiligen Kanäle verschieden sind, und
ein Filter zum Glätten eines Impulssignals am Kollektor des ersten Transistors (Q11) und zum Zuspeisen des geglätteten Impulssignals zur Abstimmungsklemme (T) des elektronischen Tuners (11), wobei das Filter mit der Spannungsquelle (+B) gleichspannungsmäßig gekoppelte kapazitive Mittel (C11; C41, C42, C43) zum Laden und Entladen unter der Steuerung der Schaltoperation des ersten Transistors (Q11) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Spannungsüberlagerungseinrichtung eine Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) aufweist, deren Basis mit einer der AFA-Spannung proportionalen Gleichspannung gespeist wird und deren Kollektor- Emitter-Hauptstromstrecke zwischen eine Lade/Entladestrecke der kapazitiven Mittel (C11; C41, C42, C43) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist.
einen ersten Transistor (Q11) mit einer Umschaltfunktion zum Invertieren des Kanalwähl-Impulssignals, wobei die Basis des ersten Transistors (Q11) mit dem Kanalwähl-Impulssignal gespeist wird, sein Kollektor über einen Lastwiderstand (R11) mit einer Spannungsquelle (+B) verbunden ist und sein Emitter an einen Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist, und wobei die Kanalwähl-Impulssignale der betreffenden Kanäle unterschiedliche Tastverhältnisse aufweisen und damit die Verhältnisse der Durchschalt- und Sperrperioden des ersten Transistors (Q11) für die jeweiligen Kanäle verschieden sind, und
ein Filter zum Glätten eines Impulssignals am Kollektor des ersten Transistors (Q11) und zum Zuspeisen des geglätteten Impulssignals zur Abstimmungsklemme (T) des elektronischen Tuners (11), wobei das Filter mit der Spannungsquelle (+B) gleichspannungsmäßig gekoppelte kapazitive Mittel (C11; C41, C42, C43) zum Laden und Entladen unter der Steuerung der Schaltoperation des ersten Transistors (Q11) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Spannungsüberlagerungseinrichtung eine Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) aufweist, deren Basis mit einer der AFA-Spannung proportionalen Gleichspannung gespeist wird und deren Kollektor- Emitter-Hauptstromstrecke zwischen eine Lade/Entladestrecke der kapazitiven Mittel (C11; C41, C42, C43) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß
die kapazitiven Mittel (C11; C41, C42, C43) einen ersten Kondensator (C11) umfassen und
das Filter aufweist:
einen zweiten Transistor (Q12), dessen Kollektor mit der Spannungsquelle (+B) verbunden und dessen Emitter über einen zweiten Widerstand (R13) an den Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist,
eine Gleichrichtereinheit zum Gleichrichten des Impulssignals am Kollektor des ersten Transistors (Q11), umfassend eine Reihenschaltung aus dem ersten Kondensator (C11) und einem dritten Widerstand (R12), die zwischen den Kollektor des ersten Transistors (Q11) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist, sowie
eine Glättungseinheit zum Glätten des gleichgerichteten Impulssignals von der Gleichrichtereinheit, umfassend eine Reihenschaltung aus einem zweiten Kondensator (C12) und einem vierten Widerstand (R14), die zwischen den Emitter des zweiten Transistors (Q12) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist, wobei ein Knotenpunkt zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) an die Abstimmspannungsklemme (T) des elektronischen Tuners (11) angeschlossen ist.
die kapazitiven Mittel (C11; C41, C42, C43) einen ersten Kondensator (C11) umfassen und
das Filter aufweist:
einen zweiten Transistor (Q12), dessen Kollektor mit der Spannungsquelle (+B) verbunden und dessen Emitter über einen zweiten Widerstand (R13) an den Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist,
eine Gleichrichtereinheit zum Gleichrichten des Impulssignals am Kollektor des ersten Transistors (Q11), umfassend eine Reihenschaltung aus dem ersten Kondensator (C11) und einem dritten Widerstand (R12), die zwischen den Kollektor des ersten Transistors (Q11) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist, sowie
eine Glättungseinheit zum Glätten des gleichgerichteten Impulssignals von der Gleichrichtereinheit, umfassend eine Reihenschaltung aus einem zweiten Kondensator (C12) und einem vierten Widerstand (R14), die zwischen den Emitter des zweiten Transistors (Q12) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist, wobei ein Knotenpunkt zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) an die Abstimmspannungsklemme (T) des elektronischen Tuners (11) angeschlossen ist.
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß
die Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) einen dritten Transistor (Q23) umfaßt und
der Kollektor des dritten Transistors (Q23) mit einem Knotenpunkt zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (Q11) und dem dritten Widerstand (R12) verbunden ist und der Emitter des dritten Transistors (Q23) über fünfte und sechste Widerstände (R28, R29) an den Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist.
die Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) einen dritten Transistor (Q23) umfaßt und
der Kollektor des dritten Transistors (Q23) mit einem Knotenpunkt zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (Q11) und dem dritten Widerstand (R12) verbunden ist und der Emitter des dritten Transistors (Q23) über fünfte und sechste Widerstände (R28, R29) an den Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist.
4. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß
die Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) einen dritten Transistor (Q23) umfassen und
der Kollektor des dritten Transistors (Q23) mit einem Knotenpunkt zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) verbunden ist und der Emitter des dritten Transistors (Q23) über fünfte und sechste Widerstände (R28, R29) an den Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist.
die Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) einen dritten Transistor (Q23) umfassen und
der Kollektor des dritten Transistors (Q23) mit einem Knotenpunkt zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) verbunden ist und der Emitter des dritten Transistors (Q23) über fünfte und sechste Widerstände (R28, R29) an den Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist.
5. Schaltung nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet
durch eine Schalteinheit zum Schalten eines über
eine Hauptstromstrecke des dritten Transistors
(Q23) fließenden Strom nach Maßgabe eines gewählten
Frequenzbands.
6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schalteinheit eine Kurzschließeinheit zum
Kurzschließen des sechsten Widerstands (R29), wenn
ein spezifisches Frequenzband gewählt ist,
aufweist.
7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kurzschließeinheit umfaßt:
eine Klemme (14) zum Empfangen eines Spannungssignals entsprechend einem gewählten Frequenzband,
eine zwischen die Klemme (14) und den Bezugspotentialpunkt geschaltete Reihenschaltung aus siebten und achten Widerständen (R30, R31) sowie
einen vierten Transistor (Q25), dessen Basis mit einem Knotenpunkt zwischen siebtem und achtem Widerstand (R30, R31), dessen Kollektor mit einem Knotenpunkt zwischen fünftem und sechstem Widerstand (R28, R29) und dessen Emitter mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden sind.
eine Klemme (14) zum Empfangen eines Spannungssignals entsprechend einem gewählten Frequenzband,
eine zwischen die Klemme (14) und den Bezugspotentialpunkt geschaltete Reihenschaltung aus siebten und achten Widerständen (R30, R31) sowie
einen vierten Transistor (Q25), dessen Basis mit einem Knotenpunkt zwischen siebtem und achtem Widerstand (R30, R31), dessen Kollektor mit einem Knotenpunkt zwischen fünftem und sechstem Widerstand (R28, R29) und dessen Emitter mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden sind.
8. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß
die kapazitiven Mittel (C11; C41, C42, C43) eine Anzahl von ersten Kondensatoren (C41, C42, C43) aufweisen und
das Filter aufweist:
einen zweiten Transistor (Q12), dessen Kollektor mit der Spannungsquelle (+B) und dessen Emitter über einen zweiten Widerstand (R13) mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden sind,
eine zum Gleichrichten des Impulssignals am Kollektor des ersten Transistors (Q11) dienende Gleichrichtereinheit aus einer ersten Reihenschaltung und der Anzahl ersten Kondensatoren (C41, C42, C43), wobei die erste Reihenschaltung aus einer Anzahl von dritten Widerständen (R41, R42, R43) besteht, die zwischen den Kollektor des ersten Transistors (Q11) und die Basis des zweiten Transistors (Q12) geschaltet sind, und die mehreren ersten Kondensatoren (C41, C42, C43) jeweils zwischen die dritten Widerstände und den Bezugspotentialpunkt sowie zwischen die Basis des zweiten Transistors (Q12) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet sind, sowie
eine zum Glätten des gleichgerichteten Impulssignals von der Gleichrichtereinheit dienende Glättungseinheit mit einer aus einem vierten Widerstand (R14) und einem zweiten Kondensator (C12) bestehenden zweiten Reihenschaltung, die zwischen den Emitter des zweiten Transistors (Q12) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist, wobei ein Knotenpunkt zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) an die Abstimmspannungsklemme (T) des elektronischen Tuners (11) angeschlossen ist.
die kapazitiven Mittel (C11; C41, C42, C43) eine Anzahl von ersten Kondensatoren (C41, C42, C43) aufweisen und
das Filter aufweist:
einen zweiten Transistor (Q12), dessen Kollektor mit der Spannungsquelle (+B) und dessen Emitter über einen zweiten Widerstand (R13) mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden sind,
eine zum Gleichrichten des Impulssignals am Kollektor des ersten Transistors (Q11) dienende Gleichrichtereinheit aus einer ersten Reihenschaltung und der Anzahl ersten Kondensatoren (C41, C42, C43), wobei die erste Reihenschaltung aus einer Anzahl von dritten Widerständen (R41, R42, R43) besteht, die zwischen den Kollektor des ersten Transistors (Q11) und die Basis des zweiten Transistors (Q12) geschaltet sind, und die mehreren ersten Kondensatoren (C41, C42, C43) jeweils zwischen die dritten Widerstände und den Bezugspotentialpunkt sowie zwischen die Basis des zweiten Transistors (Q12) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet sind, sowie
eine zum Glätten des gleichgerichteten Impulssignals von der Gleichrichtereinheit dienende Glättungseinheit mit einer aus einem vierten Widerstand (R14) und einem zweiten Kondensator (C12) bestehenden zweiten Reihenschaltung, die zwischen den Emitter des zweiten Transistors (Q12) und den Bezugspotentialpunkt geschaltet ist, wobei ein Knotenpunkt zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) an die Abstimmspannungsklemme (T) des elektronischen Tuners (11) angeschlossen ist.
9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß
die Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) eine Anzahl dritter Transistoren (Q31, Q41, Q51) umfaßt und
der Kollektor jedes dritten Transistors entweder mit dem Kollektor (a) des ersten Transistors (Q11), Knotenpunkten (b, c) zwischen den dritten Widerständen und den ersten Kondensatoren, der Basis (d) des zweiten Transistors (Q12) oder dem Knotenpunkt (e) zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) verbunden ist.
die Transistoreinheit (Q23; Q31, Q41, Q51) eine Anzahl dritter Transistoren (Q31, Q41, Q51) umfaßt und
der Kollektor jedes dritten Transistors entweder mit dem Kollektor (a) des ersten Transistors (Q11), Knotenpunkten (b, c) zwischen den dritten Widerständen und den ersten Kondensatoren, der Basis (d) des zweiten Transistors (Q12) oder dem Knotenpunkt (e) zwischen dem vierten Widerstand (R14) und dem zweiten Kondensator (C12) verbunden ist.
10. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die dritten Transistoren (Q31, Q41, Q51) jeweils
entsprechend betreffenden Empfangsfrequenzbändern
vorgesehen sind.
11. Schaltung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch jeweils
den dritten Transistoren entsprechend vorgesehene
Vorspanneinheiten zur Lieferung von jeweils für
die Empfangsfrequenzbänder angemessenen Vorspannungen
zum Emitter des dritten Transistors.
12. Schaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß jede Vorspanneinheit aufweist:
Klemmen bzw. Anschlüsse zum jeweiligen Abnehmen von den Empfangsfrequenzbändern entsprechenden Spannungen (VL, VH, VU) und
vierte Transistoren (Q32, Q42, Q52), bei denen jeweils die Basiselektroden über fünfte Widerstände (R46, R49, R52) mit den Klemmen oder Anschlüssen, die Kollektoren jeweils über sechste Widerstände (R45, R48, R51) mit den dritten Transistoren Q31, Q41, Q51) und die Emitter mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden sind.
Klemmen bzw. Anschlüsse zum jeweiligen Abnehmen von den Empfangsfrequenzbändern entsprechenden Spannungen (VL, VH, VU) und
vierte Transistoren (Q32, Q42, Q52), bei denen jeweils die Basiselektroden über fünfte Widerstände (R46, R49, R52) mit den Klemmen oder Anschlüssen, die Kollektoren jeweils über sechste Widerstände (R45, R48, R51) mit den dritten Transistoren Q31, Q41, Q51) und die Emitter mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden sind.
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JP1988025522U JPH0724813Y2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 電子同調チューナの電圧重畳回路 |
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DE3905860C2 true DE3905860C2 (de) | 1992-08-27 |
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