DE3840704A1 - Verfahren zur erzeugung eines kupferplattierten schichtstoffs - Google Patents

Verfahren zur erzeugung eines kupferplattierten schichtstoffs

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Description

Die Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren zur kontinuierlichen Erzeugung eines kupferplattierten hitzehärtbaren Harzschichtstoffs zur Verwendung als gedruckte Schaltungskarten in elektrischen oder elektronischen Einrichtungen.
Bekannte Verfahren zur Herstellung eines kupferplattierten Schichtstoffs umfassen ein kontinuierliches Doppelband- Preßverfahren, bei welchem ein Schichtstoffmaterial, das eine gewünschte Anzahl harzimprägnierter Kunststoffe (vorimprägniertes Glasfasermaterial) in kontinuierlichen Längen und eine Kupferfolie kontinuierlicher Länge umfaßt, die auf mindestens einer der Außenflächen der Grundstoffe unter Druck zwischen einem Paar Bändern erhitzt werden, wie es in der JP-A-61-10 456 beschrieben ist (der Ausdruck "JP-A", wie er hier verwendet wird, bedeutet eine "ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung").
Gemäß diesem Verfahren werden harzimprägnierte Grundstoffe und eine Kupferfolie (bzw. Kupferfolien), die beide Raumtemperatur haben, zwischen einem Paar Bändern zugeführt und unter einem Druck von 49 bar (50 kg/cm2) auf eine Temperatur von etwa 200°C oder höher in einer Heizzone der Doppelbandpresse zwecks Aushärten des Harzes erhitzt. Der vereinte Schichtstoff wird anschließend unter Druck rasch in einer Kühlzone der Doppelbandpresse abgekühlt und aus dieser abgegeben.
Die Anwendung eines hohen Drucks von 49 bar (50 kg/cm2) oder höher in der Heizzone war eine wesentliche Bedingung zur Erzielung eines Schichtstoffs, der frei von Blasen und dgl. war. Jedoch war die Verwendung eines derartigen hohen Drucks von verschiedenen Schwierigkeiten begleitet. Wurde beispielsweise ein Fluid, beispielsweise Luft oder Öl, als Druckmedium verwendet, so war eine spezielle Dichtungsvorrichtung erforderlich, um ein Austreten des Druckmediums zu verhindern, wodurch die Vorrichtung große Abmessungen erhielt. Dennoch war es schwierig, ein Lecken vollständig zu verhindern. Werden andererseits Walzen zur Ausübung des Drucks verwendet, so sind eine große Anzahl Walzen mit kleinem Durchmesser erforderlich, um eine Oberflächenglätte zu gewährleisten. Da jedoch die auf die Walzen einwirkende Last, die zur Anwendung des gewünschten Drucks genügt, zu hoch für die Festigkeit der Walzen wäre, sollten einige Vorrichtungen wie beispielsweise eine Stützanordnung vorhanden sein, um einen Bruch der Walzen mit geringem Durchmesser zu verhindern.
Gemäß einem Versuch, die Schwierigkeiten zu überwinden, die die vorausgehend aufgeführten Druckanwendungsverfahren begleitet haben, wurde vorgeschlagen, ein geschmolzenes Metall als Druckmedium zu verwenden, und der Schichtstoff wird durch das Druckmedium in die Gestalt eines Festkörpers gepreßt, der durch Abkühlen des geschmolzenen Metalls auf eine Temperatur unterhalb des Schmelzpunkts desselben gebildet wird. Dieses Verfahren bringt jedoch eine weitere Schwierigkeit bei der Handhabung des erstarrten Metalls.
Bei dem vorausgehend beschriebenen bekannten Laminierungsverfahren haben die zugeführten harz­ imprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien Raumtemperatur. Unmittelbar nach dem Aushärten des Harzes durch Erhitzen unter Druck, wird der kupferplattierten Schichtstoff rasch unter Druck auf eine Temperatur abgekühlt, die niedriger als der Glasübergangspunkt des Harzes ist, worauf sich die Abgabe anschließt. Die harzimprägnierten Grundstoffe, Kupferfolien und Stahlbänder für das Doppelband-Pressen unterscheiden sich bezüglich des Wärmeausdehnungskoeffizienten voneinander. Daher verursacht ein rasches Erhitzen in der Heizzone manchmal eine Faltenbildung der Kupferfolie, die durch den Unterschied der Wärmeausdehnung bedingt ist. Um dies zu verhindern wurde vorgeschlagen, eine ausreichende Spannung auf jeden der harzimprägnierten Grundstoffe und die Kupferfolien auszuüben, jedoch war eine derartige Anordnung noch unbefriedigend. Selbst wenn keine Faltenbildung eintritt, läßt das rasche Abkühlen des ausgehärteten kupferplattierten Schichtstoffs auf eine Temperatur, die geringer als der Glasübergangspunkt des unter Druck stehenden Harzes ist, große innere Spannungen innerhalb des kupferplattierten Schichtstoffs zurück, die zu einer Abmessungsinstabilität führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines kupferplattierten Schichtstoffs mittels Doppelbandpressen zu schaffen, bei welchem der erforderliche, am Schichtstoff einwirkende Druck, gegenüber den bekannten Doppelbandpreßverfahren stark verringert ist, ohne eine Blasenbildung zu bewirken.
Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Erzeugung eines kupferplattierten Schichtstoffs mittels eines Doppelband-Preßverfahrens zu schaffen, das weder eine Faltenbildung der Kupferfolie verursacht, noch große Restspannungen im erhaltenen Schichtstoff zurückläßt.
Als Ergebnis ausgedehnter Untersuchungen haben die Erfinder ein Verfahren zur Verwendung eines Schichtstoffmaterials gefunden, das vorausgehend unter verringertem Druck durch Wärme verschmolzen wurde. Es wurde ferner gefunden, daß ein kupferplattierter Schichtstoff, der frei von Falten an der Kupferfolie ist und verringerte innere Restspannungen aufweist, erhalten werden kann, indem die harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien vorausgehend erhitzt werden und die Temperatur zum Abkühlen des ausgehärteten kupferplattierten Schichtstoffs in der Kühlzone oberhalb des Glasübergangspunkts des Harzes gehalten wird, wodurch ein Verfahren zur Herstellung eines kupferplattierten Schichtstoffs erzielt wird, dessen Abmessungsänderungen so klein wie möglich gehalten sind, während zum Pressen ein verringerter Druck verwendet wird.
Zur Lösung der eingangs genannten Aufgabenstellung betrifft die Erfindung eine Verbesserung eines Verfahrens zur Erzeugung eines kupferplattierten Schichtstoffs durch einen Doppelband-Preßvorgang, das ein Erhitzen eines Beschichtungsmaterials umfaßt, das mindestens einen harzimprägnierten Grundstoff kontinuierlicher Länge und eine Kupferfolie kontinuierlicher Länge umfaßt, die auf mindestens einer der Außenflächen des Grundstoffs bzw. der Grundstoffe zwischen einem Paar unter Druck stehenden Bändern übereinanderliegen. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Schichtmaterial verwendet wird, das in einer Vakuumkammer bei Unterdruck kontinuierlich heißverschmolzen wurde.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der ersten Erfindung beträgt der Unterdruck für das kontinuierliche Heißverschmelzen nicht mehr als 665 mbar (500 mmHg), und die Luft in der Nachbarschaft des Einlasses und Auslasses der Vakuumkammer für das kontinuierliche Heißverschmelzen, durch welche die harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien eingeführt und abgegeben werden, hat eine Reinheitsklasse von 100 000 oder weniger.
Eine zweite Erfindung betrifft eine Verbesserung eines Verfahrens zur kontinuierlichen Herstellung eines kupferplattierten Schichtstoffs mittels des vorausgehend aufgeführten Doppelband-Preßverfahrens und ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Schichtmaterial verwendet wird, das kontinuierlich bei Unterdruck in einer Vakuumkammer heißverschmolzen wurde, und daß die Temperaturänderungen des heißverschmolzenen Schichtungsmaterials, des Paars Bänder, und des kupferplattierten Schichtstoffs in der Heizzone und der Kühlzone der Doppelbandpresse innerhalb eines Bereiches von 100° gesteuert wird. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der zweiten Erfindung werden die harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien bis zu einer Temperatur, die nicht geringer als 100°C ist, heißverschmolzen und zwischen dem Paar Bändern zugeführt, während sie auf dieser Temperatur gehalten werden; das Paar Bänder am Einlaß zur Zuführung der harzimprägnierten Grundstoffe und der Kupferfolien werden auf eine Temperatur erhitzt, die nicht geringer als 100°C ist; und die Temperatur des kupferplattierten Schichtstoffs wird, während dieser aus der Kühlzone der Doppelbandpresse abgegeben wird, auf einer Temperatur gehalten, die um mindestens 20° höher als der Glasübergangspunkt des Harzes ist.
Gemäß dem verbesserten erfindungsgemäßen Verfahren kann der Druckzustand der Doppelbandpresse erheblich bis auf 9,8 bis 29,4 bar (10 bis 30 kg/cm2) verringert werden, und der erhaltene kupferplattierte Schichtstoff hat eine ausgezeichnete Abmessungsstabilität, d. h. er ist ohne Abmessungsveränderung oder Verwerfung.
In den anliegenden Zeichnungen zeigen die Fig. 1 und 2 jeweils schematisch das erfindungsgemäße Verfahren.
Es wird auf die Einzelbeschreibung der Erfindung Bezug genommen. Der erfindungsgemäß verwendete harzimprägnierte Grundstoff kann im wesentlichen hergestellt werden, indem kontinuierlich ein Lack oder eine lösungsmittelfreie, hitzehärtbare Harzzusammensetzung, die ein Phenolharz, ein Epoxidharz, ein ungesättigtes Polyesterharz, etc. in einem verstärkenden Grundstoff von kontinuierlichen Längen imprägniert wird, wie beispielsweise Kraftpapier, Linterspapier, Glasfasergewebe, Glasvlies, etc. imprägniert wird, woran sich eine Lösungsmittelentfernung durch Trocknen oder ähnliches anschließt.
Die Kupferfolie, die auf den harzimprägnierten Grundstoff kaschiert werden kann, umfaßt Elektrolysekupferfolie, gewalzte Kupferfolie, etc., deren Rückseite (die Seite, die in Anlage mit dem harzimprägnierten Grundstoff steht) behandelt sein kann, um eine gute Haftfläche zu liefern, oder deren Rückseite mit einer Klebstoffschicht (10) sein kann. Eine geeignete Kupferfolie wird aus diesen entsprechend der Art des verwendeten Imprägnierungsharzes ausgewählt.
Die Doppelband-Presse kann von jedem der Bautypen sein, die ein Fluid (beispielsweise Luft oder Öl) als Druckmedium verwenden, Walzen mit kleinem Durchmesser, eine Kombination aus Druckmedium und Walzen mit kleinem Durchmesser, oder ähnlichen Einrichtungen. Ein Druck von 9,8-29,4 bar (10 bis 30 kg/cm2) reicht für das Pressen aus. Die Preßtemperatur und Preßzeit (Verweilzeit) werden entsprechend der Art des verwendeten harzimprägnierten Grundstoffs bestimmt. Vom Gesichtspunkt der Produktivität ist es vorteilhaft, die Preßtemperatur bei etwa 200°C einzustellen, was etwas höher ist im Vergleich zum gewöhnlichen Schichtstoff-Formen, um dadurch die Verweilzeit zu verringern.
Gemäß der ersten Erfindung erfolgt das Heißverschmelzen der harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien bei Unterdruck in einer Vakuumkammer, die eine Heizvorrichtung und eine Preßvorrichtung enthält. Eine gewünschte Anzahl harzimprägnierter Grundstoffe und eine Kupferfolie (bzw. Kupferfolien) werden in die Vakuumkammer eingeführt und bei Unterdruck erhitzt, um das Imprägnierungsharz zu schmelzen und gleichzeitig Luft und jegliche flüchtige Reststoffe, die in den einzelnen harzimprägnierten Grundstoffen, zwischen den harzimprägnierten Grundstoffen, und zwischen dem Harz-imprägnierten Grundstoff und der Kupferfolie vorhanden sind, zu entfernen. Anschließend werden die erhitzten harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien durch Pressen in einen Körper verschmolzen. Um die Vakuumkammer unter Unterdruck zu halten, werden der Einlaß und der Auslaß der Kammer, durch welche die harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien eingeführt oder abgegeben werden, mittels eines Paars Walzen oder mehrerer Walzenpaare verschlossen. Nichtsdestotrotz ist es schwierig, den Eintritt von Luft in die Vakuumkammer durch den Verschluß völlig zu verhindern. Sollte die Luft in der Nachbarschaft des Einlasses und Auslasses Staub enthalten, so wird dieser mit der Luft mitgeführt und legt sich an den Oberflächen der harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien an, die in Berührung mit dem Verschluß stehen. Insbesondere ist an der Kupferfolienfläche haftender Staub geeignet, eine Ungleichmäßigkeit der Folie beim Verpressen unter Druck zu verursachen. Um dies zu vermeiden, wird vorzugsweise die Reinheit der Luft in der Nachbarschaft des Einlasses und Auslasses der Vakuumkammer auf Klasse 100 000 oder weniger gehalten, insbesondere 10 000 oder weniger, indem eine geeignete Einrichtung hinzugegeben wird, beispielsweise durch Installieren der gesamten Vorrichtung in einem gereinigten Raum oder durch Blasen gereinigter Luft aus der Nachbarschaft des Einlasses und Auslasses der Vakuumkammer.
Wie vorausgehend erwähnt wurde, bezweckt die Wärmebehandlung der harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien in der Vakuumkammer nicht nur ein Schmelzen während Luft aus dem harzimprägnierten Grundstoffen oder zwischen dem Grundstoff und der Kupferfolie entfernt wird, sondern gemäß einer bevorzugten Ausführungsform die Entfernung von Blasen, die notwendigerweise in den einzelnen harzimprägnierten Grundstoffen während deren Herstellung erzeugt wurden. Entsprechend ist es besonders erwünscht, daß die in die Vakuumkammer eingeführten harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien erhitzt werden, während sie einmal voneinander getrennt sind, damit der flüchtige Inhalt und dergleichen ausreichend abgeführt wird, und daß sie anschließend durch Heißpressen verschmolzen werden.
Bei der vorliegenden Erfindung kann der anzuwendende erforderliche Druck auf einem Bereich von 9,8 bis 29,4 bar (10 bis 30 kg/cm2) verringert werden, was viel niedriger als der üblicherweise verwendete Druck von 49 bar (50 kg/cm2) ist, indem das somit heißverschmolzene Schichtungsmaterial verwendet wird.
Bei der zweiten Erfindung wird das vorausgehend beschriebene Heißverschmelzen bei Unterdruck mit der Steuerung der Temperaturänderung zwischen dem heißverschmolzenen Schichtungsmaterial, dem Paar Bändern, und dem erhaltenen kupferplattierten Schichtstoff innerhalb eines Bereichs von 100° kombiniert wird. Erfindungsgemäß wird das Harz durch Erhitzen auf etwa 200°C unter Druck ausgehärtet. Entsprechend kann die Temperaturänderung während der Stufen der Einführung des heißverschmolzenen Schichtungsmaterials über das Aushärten des Harzes bei Erhitzen unter Druck innerhalb von 100° gesteuert werden, indem sowohl das heißverschmolzene Schichtungsmaterial und das Paar Bänder auf einer Temperatur von 100°C oder höher gehalten werden und ferner ein Paar Zufuhrwalzen der Doppelbandpresse (die Walzen zur Einführung des Schichtungsmaterials zwischen die Bänder) auf einer Temperatur von 100°C oder höher gehalten wird. Ferner wird bevorzugt, daß der eine hohe Temperatur aufweisende kupferplattierte Schichtstoff, in dem das Harz durch Erhitzen unter Druck ausgehärtet wurde, unter Druck in einer Kühlzone auf eine Temperatur von nicht weniger als 100°C gekühlt wird, und insbesondere auf eine Temperatur, die um mindestens 20° höher als die Glasübergangstemperatur des ausgehärteten Harzes ist. Eine derartige Steuerung der Kühltemperatur kann leicht erzielt werden, indem die Menge des Kühlmediums verringert wird, das der Kühlzone zugeführt wird, oder indem überhaupt kein Kühlmedium verwendet wird.
Der kupferplattierte Schichtstoff, der durch die Kühlzone hindurchgetreten ist, wird anschließend auf eine Temperatur unterhalb der Glasübergangstemperatur des ausgehärteten Harzes abgekühlt, indem man ihn im wesentlichen bei einem Druck gleich Null innerhalb der Doppelbandpresse abkühlen läßt, oder indem Kaltluft (Zwangskühlung) zur Außenseite der Doppelbandpresse geblasen wird oder durch ähnliche Kühlmaßnahmen.
Somit kann der Druckzustand während des Doppelbandpressens erheblich auf 9,8-29,4 bar (10-30 kg/cm2) verringert werden, und die Abmessungsbeständigkeit des erhaltenen kupferplattierten Schichtstoffs kann erheblich verbessert werden.
Die Heizvorrichtung, die für das Heißverschmelzen bei Unterdruck oder für ein einleitendes Aufheizen verwendet wird, kann in üblicher Weise ausgebildet sein und unterliegt keinen besonderen Beschränkungen. Beispielsweise kann eine Strahlungsheizung im weiten Infrarotbereich, etc. oder eine Berührungsheizung mit Hilfe von Heizwalzen etc. verwendet werden. Eine Strahlungsheizung mittels einer berührungslosen, weitgehend im Infrarotbereich arbeitenden Heizvorrichtung, oder einer Lampe wird bevorzugt.
Bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens werden anschließend unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen erläutert. Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens der ersten Erfindung. Fig. 2 ist eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens der zweiten Erfindung, bei welchem die gleiche Anordnung gemäß Fig. 1 ferner eine Vorrichtung für ein einleitendes Erhitzen enthält.
Gemäß Fig. 8 werden acht Bahnen einer harzimprägnierten Grundstoffs (10), die kontinuierlich aufgerollt sind und zwei Bahnen einer Kupferfolie (2) in eine Vakuumkammer (2) eingeführt, die mittels einer Vakuumpumpe (7) über ein Paar Vakuumverschlußwalzen (20) auf Unterdruck gehalten wird. In der Vakuumkammer (2) werden die Grundstoffe und die Kupferfolien bei Unterdruck von ihren beiden Seiten mittels einer weitgehend im Infrarotbereich arbeitenden Heizvorrichtung (23) erhitzt und dann mittels zwei Paaren von Heißpreßwalzen (22) vereinigt. Das auf diese Weise verschmolzene Schichtungsmaterial (12) wird von der Vakuumkammer (2) über ein Paar Vakuumverschlußwalzen (21) ausgegeben und einer Doppelbandpresse (3) zugeführt, wo es unter Druck erhitzt wird, um das Harz auszuhärten und die harzimprägnierten Grundstoffe und die Kupferfolien in einen Schichtstoff zu vereinen. Der erhaltene kupferplattierte Schichtstoff wird von der Doppelbandpresse (3) abgegeben und mit einer Schneidvorrichtung (4) in Längsabschnitte geschnitten.
Vor den Verschlußwalzen (20) und hinter den Verschlußwalzen (21) ist eine einfache Hülle vorgesehen, in die saubere Luft durch Einlässe (24) eingeblasen wird, um die Luft in diesen Bereichen sauber zu halten, so daß Staub in der Umgebungsluft vom Eintritt in die Vakuumkammer und der Verursachung von Fehlern am kupferplattierten Schichtstoff gehindert wird.
Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform, die die gleiche Anordnung wie Fig. 1 aufweist, mit der Maßgabe, daß eine Hilfsheizvorrichtung (25) zusätzlich zwischen der Vakuumkammer (2) und der Doppelbandpresse (3) vorgesehen ist, wobei die Zufuhrwalzen zur Einführung des Schichtungsmaterials in die Doppelbandpresse Zufuhrtrommeln (34) sind, die mit Heizanordnung ausgestattet sind, und ein Kühlgebläse (42) hinter den Auslaß der Doppelbandpresse vorgesehen ist.
Das bei Unterdruck verschmolzene Schichtungsmaterial (12) wird auf der Verschmelzungstemperatur gehalten oder mittels der Hilfsheizvorrichtung (25) weiter erhitzt und zwischen einem Paar Stahlbändern (33) eingeführt, die mittels der Zufuhrtrommeln (34) beheizt werden. Das Schichtungsmaterial wird kontinuierlich in der Heizzone (31) der Doppelbandpresse (3) bei etwa 200°C unter einem Druck von 9,8-29,4 bar (10-30 kg/cm2) verpreßt, so daß das Harz ausgehärtet und das Schichtungsmaterial in einen kupferplattierten Schichtstoff vereint wird.
Der kupferplattierte Schichtstoff wird anschließend in der Kühlzone (32) der Doppelbandpresse (3) auf eine Temperatur abgekühlt, die geringfügig höher als die Glasübergangstemperatur des Harzes ist. Nachdem der Druck entlastet ist, wird der Schichtstoff von der Doppelbandpresse ausgegeben, rasch mittels des Kühlgebläses (42) gekühlt und mit der Schneidvorrichtung (4) auf Längsabschnitte geschnitten.
Die Erfindung wird nunmehr im einzelnen unter Bezugnahme auf die anschließenden Beispiele beschrieben, jedoch wird darauf hingewiesen, daß die Erfindung nicht auf diese beschränkt angesehen wird. Bei diesen Beispielen sind alle Prozentangaben Gewichtsprozente, falls nichts anderes angegeben ist.
Beispiel 1
Glasfasergewebe mit einer Dicke von 0,2 mm wurde mit einem Epoxidharzlack imprägniert und getrocknet, um vorimprägniertes Glasfasermaterial kontinuierlicher Länge mit einem Harzanteil von 40% zu erhalten.
Acht Bahnen des vorimprägnierten Glasfasermaterials und zwei 35 µm dicke Kupferfolien wurden in einer in Fig. 1 dargestellten Weise aufgelegt, um ein Schichtungsmaterial mit einer Kupferfolie an dessen beiden Seiten zu bilden.
Das Schichtungsmaterial wurde in eine Vakuumkammer eingeführt, wo es zwecks Verschmelzens und Vereinigung in einen Körper heißverpreßt wurde. Das verschmolzene Schichtungsmaterial wurde in eine Doppelbandpresse eingeführt, wo es unter Druck erhitzt wurde, um einen kupferplattierten Schichtstoff mit kontinuierlicher Länge zu erhalten, der aus der Doppelbandpresse abgegeben und mit einer Schneidvorrichtung abgeschnitten wurde, um einen auf Größe geschnittenen kupferplattierten Schichtstoff zu ergeben.
Bei dieser Ausführungsform war die gesamte Vorrichtung in einem Raum mit einer Reinheitsklasse von 100 000 oder weniger installiert, und die Reinheit der Luft in der Nachbarschaft des Einlasses und des Auslasses der Vakuumkammer wurde gewährleistet, indem trockene Luft mit einer Reinheitsklasse von 10 000 oder weniger zugeblasen wurde. Die Verweilzeit und der Druck in der Vakuumkammer war jeweils 0,3 min und 133 mbar (100 mmHg). Die Oberflächentemperatur des vorimprägnierten Glasfasermaterials während des Verschmelzens betrug 100°C. Die Verweildauer, Temperatur und Druck in der Doppelbandpresse war jeweils 1,0 min, 200°C und 24,5 bar (25 kg/cm2).
Charakteristische Eigenschaften des erhaltenen Kupfer­ plattierten Schichtstoffs sind in Tabelle 1 angegeben.
Vergleichsbeispiel 1
Ein kupferplattierter Schichtstoff wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß das vorimprägnierte Glasfasermaterial und die Kupferfolien nicht bei Unterdruck heißverschmolzen wurden, und daß der für den Doppelbandpreßvorgang ausgeübte Druck auf 49 bar (50 kg/cm2) erhöht wurde.
Die charakteristischen Eigenschaften des erhaltenen kupferplattierten Schichtstoffs sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 2
Ein Schichtungsmaterial mit gleichem Aufbau, wie es in Beispiel 1 verwendet wurde, außer daß die Dicke der Kupferfolie 18 µm betrug, wurde bei Unterdruck in gleicher Weise wie beim Beispiel 1 heißverschmolzen. Das verschmolzene Schichtungsmaterial wurde ferner mittels einer weitgehend im Infrarotbereich arbeitenden Heizvorrichtung gemäß Fig. 2 auf 120°C erhitzt und anschließend in die Doppelbandpresse eingeführt. Die Zufuhrtrommeln der Doppelbandpresse wurden mittels eines Wärmeübertragungsmediums auf 120°C erhitzt, und ein Paar Bädern wurden dadurch auf 120°C erhitzt. Das erhitzte Schichtungsmaterial wurde in eine Heizzone der Doppelbandpresse gefördert, die auf 200°C eingestellt war, wo es bei einer Maximaltemperatur von 200°C bei einem Druck von 24,5 bar (25 kg/cm2) gepreßt wurde. Der Schichtstoff wurde aus der Heizzone in eine Kühlzone gefördert, wo er unter Druck auf 160°C gekühlt wurde, worauf er anschließend innerhalb der Doppelbandpresse bei einem Druck Null auf 130°C gekühlt wurde. Der aus der Doppelbandpresse abgegebene Schichtstoff wurde mit Hilfe von Luftgebläsen rasch auf 30°C gekühlt, um den kupferplattierten Schichtstoff zu erhalten.
Charakteristische Eigenschaften des erhaltenen Kupfer­ plattierten Schichtstoffs sind in Tabelle 1 angegeben.
Vergleichsbeispiel 2
Ein kupferplattierter Schichtstoff wurde in der gleichen Weise wie im Vergleichsbeispiel 1 hergestellt, außer daß die Dicke der Kupferfolie auf 18 µm geändert wurde.
Charakteristische Eigenschaften des erhaltenen Kupfer­ plattierten Schichtstoffes sind in Tabelle 1 angegeben.
Tabelle 1
Wie aus der vorausgehenden Beschreibung ersichtlich ist, kann erfindungsgemäß ein blasenfreier kupferplattierter Schichtstoff erhalten werden, ohne daß ein hoher Druck für den Doppelbandpreßvorgang erforderlich ist, indem ein Schichtungsmaterial verwendet wird, das einleitend bei Unterdruck verschmolzen wurde. Infolgedessen können die Anordnung zum Unterdrucksetzen und andere für den Doppelbandpreßvorgang verwendete Einrichtungen sehr ein­ fach und sehr wirtschaftlich hergestellt werden.
Darüber hinaus kann durch die Steuerung der Temperaturänderung eines Schichtungsmaterials während seines Durchtritts durch die Doppelbandpresse innerhalb eines Bereichs von 100° ein kupferplattierter Schichtstoff mit verbesserter Abmessungsstabilität und ausgezeichneter Oberflächenbeschaffenheit der Kupferfolie erhalten werden.
Es ist somit ersichtlich, daß die Erfindung ein ausgezeichnetes Verfahren für den Einsatz in der Praxis und von industriellem Wert liefert, sowohl hinsichtlich der Vorrichtung für die kontinuierliche Schichtstoffbildung als auch hinsichtlich der Erzielung der erzeugten kupferplattierten Schichtstoffe.
Die Erfindung wurde im einzelnen unter Bezugnahme auf ihre spezifischen Ausführungsformen beschrieben, jedoch ist es für den Fachmann offensichtlich, daß verschiedene Änderungen und Modifizierungen möglich sind, und diese werden im Rahmen der anliegenden Ansprüche von der Erfindung mitumfaßt.

Claims (7)

1. Verfahren zur kontinuierlichen Erzeugung eines kupfer­ plattierten Schichtstoffs durch einen Doppelband- Preßvorgang, das ein Erhitzen eines Beschichtungsmaterials umfaßt, das mindestens einen harzimprägnierten Grundstoff kontinuierlicher Länge und eine Kupferfolie kontinuierlicher Länge umfaßt, die auf mindestens einer der Außenflächen des Grundstoffs bzw. der Grundstoffe zwischen einem Paar unter Druck stehenden Bändern übereinanderliegen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schichtungsmaterial verwendet wird, das kontinuierlich bei Unterdruck in einer Vakuumkammer heißverschmolzen wurde.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterdruck für das kontinuierliche Heißverschmelzen nicht mehr als 665 mbar (500 mmHg) beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Luft in der Nachbarschaft des Einlasses und Auslasses der Vakuumkammer für das kontinuierliche Heißverschmelzen, durch welche die harzimprägnierten Grundstoffe und Kupferfolien eingeführt und abgegeben werden, eine Reinheitsklasse von 100 000 oder weniger hat.
4. Verfahren zur kontinuierlichen Erzeugung eines kupfer­ plattierten Schichtstoffs durch einen Doppelband- Preßvorgang, das das Erhitzen eines Schichtungsmaterial umfaßt, das mindestens einen harzimprägnierten Grundstoff kontinuierlicher Länge und eine Kupferfolie kontinuierlicher Länge umfaßt, die auf mindestens einer der Außenflächen des Grundstoffs bzw. der Grundstoffe zwischen einem Paar unter Druck stehenden Bändern übereinanderliegen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schichtungsmaterial verwendet wird, das kontinuierlich bei Unterdruck in einer Vakuumkammer heißverschmolzen wurde, und daß die Temperaturänderungen des heiß verschmolzenen Schichtungsmaterials, des Paars Bänder, und des kupferplattierten Schichtstoffs in der Heizzone und der Kühlzone der Doppelbandpresse innerhalb eines Bereiches von 100° gesteuert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die harzimprägnierten Grundstoffe und die Kupferfolien auf eine Temperatur von nicht weniger als 100°C heißverschmolzen werden und zwischen dem Paar Bänder zugeführt werden, während sie auf dieser Temperatur gehalten werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Paar Bänder am Einlaß zur Zuführung der harzimprägnierten Grundstoffe und der Kupferfolien auf eine Temperatur erhitzt wird, die nicht niedriger als 100°C ist.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur des Kupfer­ plattierten Schichtstoffs während der Ausgabe aus der Kühlzone der Doppelbandpresse auf einer Temperatur ist, die um mindestens 20° höher als die Glasübergangstemperatur des Harzes ist.
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