DE3833501A1

DE3833501A1 - Verfahren und einrichtung zum anbringen vielschichtiger optischer interferenzschichten auf substraten mit komplexer oberflaechenform

Info

Publication number: DE3833501A1
Application number: DE3833501A
Authority: DE
Inventors: James C Lee
Original assignee: Honeywell Inc
Current assignee: Honeywell Inc
Priority date: 1987-10-05
Filing date: 1988-10-01
Publication date: 1989-04-13
Anticipated expiration: 2008-10-02
Also published as: DE3833501C2; US4827870A

Description

Die Erfindung befaßt sich mit der Beschichtung von Substraten, insbesondere von Substraten mit gekrümmter oder komplex konturierter Oberfläche. Sie zielt insbesondere auf ein Verfahren und eine Einrichtung zur Anbringung vielschichtiger optischer Interferenzschichten auf einem Polymersubstrat mit komplex gekrümmter Oberfläche.

Bei der Anbringung hochwertiger optischer Interferenzschichten aus herkömmlichen Schichtmaterialien wie MgF₂, SiO₂, TiO₂ usw. auf Polymeren optischer Qualität, wie beispielsweise Polykarbonat, CR-39, d. h. einem Spezialharz, Acrylharzkunst stoffen usw. besteht ein grundlegendes Problem darin, daß die physikalischen Eigenschaften des organischen Trägersubstrats nicht mit denen des anorganischen Beschichtungsmaterials übereinstimmen oder vereinbar sind. Der Unterschied im thermischen Ausdehnungskoeffizienten ist besonders kritisch und führt zu starken Spannungen in herkömmlichen Beschichtungen, die aus nur wenigen Schichten bestehen. Mehr als 20 Schichten sind praktisch auf diese Weise nicht herstellbar. Hierdurch werden die optischen Eigenschaften und Herstellungsmöglichkeiten stark begrenzt.

Die Erfindung offenbart demgegenüber ein Verfahren und eine Einrichtung zur Herstellung vielschichtiger Beschichtungen auf Polymersubstraten, wobei mehrere 100 Schichten auf Substraten praktisch beliebiger geometrischer Form aufgebracht werden können. Das Verfahren zum Aufbringen der Schichten auf polymeren Substraten ist gemäß der Erfindung im Anspruch 1 gekennzeichnet. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den nachgeordneten Unteransprüchen. Eine bevorzugte Ausführungsform der zur Ausübung des Verfahrens geeigneten Einrichtung ist im Anspruch 9 und den darauf rückbezogenen Unteransprüchen beschrieben. Die Erfindung kann beispielsweise zum Beschichten von Helmvisieren für Hubschrauberpiloten verwendet werden, um auf dem Helmvisier eine viellagige Beschichtung aufzubringen, welche die Augen des Piloten gegen den Einfluß von Laserwaffen schützt. Das Helmvisier oder ein beliebiges anderes Polymersubstrat wird dem Vorschlag der Erfindung folgend, durch plasmaunterstützte chemische Dampfab scheidung (plasma enhanced chemical vapor deposition PECVD) mit einer beliebigen Anzahl optisch hochwirksamer Interferenz schichten beschichtet.

Das Polymersubstrat wird in die Reaktionszone eines Beschichtungsapparates eingebracht. Durch eine Vakuumpumpe wird das Substrat entgast. Alsdann werden Beschichtungsstoffe zusammen mit einem inerten Trägergas und reaktiven Stoffen in die Reaktionszone gebracht. Durch Erregung des Plasmas entstehen Dünnfilmabscheidungsprozesse, die normalerweise bei niedrigen Temperaturen thermodynamisch unmöglich wären. Das Startreagens hat den Aufbau M-R, d. h. es ist allgemein gesehen eine organo- metallische Gruppe von Molekülen, wobei M ein Metall und R ein organischer Bestandteil ist.

Ein weiteres Merkmal der Erfindung ist in der Elektroden/Reagens zufuhreinrichtung zum Beschichten von Teilen komplexer geometrischer Form zu sehen. Vorzugsweise ist eine passive Elektrode mit einer eigenen Stromversorgungseinrichtung ausge stattet und hinsichtlich ihrer Oberflächenform derart gestaltet, daß sie einer Seite des Polymersubstrats eng angepaßt ist. Eine verstellbare Elektrode hat die komplementäre Kontur der passiven Elektrode und ist von dieser durch einen Spalt getrennt, in welchem die Plasmareaktion auftritt und in dem sich das Substrat befindet. Eine Reagens-Zufuhrleitung fördert das Reagens durch die verstellbare Elektrode in den Zwischenraum zwischen den Elektroden bzw. in die Reaktionskammer. Seitliche Abschirmungen schließen das Plasma in dem Elektrodenzwischenraum, d. h. in der Reaktionszone ein. Eine optische Überwachungseinrichtung gestattet die Messung und Beobachtung der Dicke des aufge brachten Niederschlags.

Ein besonderer Vorteil der Erfindung liegt im neuartigen Aufbau eines Beschichtungsapparats mit einer Elektrodengeometrie beliebiger Form, welche das Beschichten von Substraten mit komplexer Topographie mit extrem dünnen Schichten bei gleich förmiger Schichtdicke ermöglicht. Es lassen sich Dicken toleranzen innerhalb weniger Prozente der Wellenlänge sichtbaren Lichts über die gesamte beschichtete Oberfläche erzielen.

Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß man durch entsprechende Auswahl unterschiedlicher Materialien und Materialmischungen hochwirksame optische Interferenzschichten mit einer kontinuier lichen Gradientenänderung aufbringen kann, andererseits aber auch herkömmliche diskrete Mehrschichtinterferenzbeschichtungen mit einzelnen vorgegebenen unterschiedlichen Brechungsindizes. Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen beschrieben. Darin zeigt

Fig. 1 das Teilschnittbild einer Beschichtungs vorrichtung gemäß der Erfindung;

Fig. 2 einen Ausschnitt aus Fig. 1 mit der Elektroden anordnung in der Reaktionskammer und der Reagens- Zufuhr sowie der Schichtdicken-Beobachtungs vorrichtung;

Fig. 3 die perspektivische Ansicht einer Elektrodenanord nung für die Beschichtung eines einzelnen Helm visiers;

Fig. 4 eine Vorrichtung zum Beschichten von zwei Helmvisieren;

Fig. 5 eine plattenförmige Elektrodenanordnung zur Beschichtung einer Vielzahl von Linsen;

Fig. 6 eine ringförmige Elektrodenanordnung zur Beschichtung einer Vielzahl von Linsen;

Fig. 7 eine ringförmige Elektrodenanordnung für eine Vielzahl von Augenschutzgläsern;

Fig. 8 einen seitlichen Schnitt durch einen polymerisierten Hexamethyldiscloxanefilm auf einem Glassubstrat;

Fig. 9 eine entsprechende Schnittdarstellung eines polymerisierten Tetramethyltinfilms auf Glas; und

Fig. 10 die seitliche Ansicht eines vielschichtigen durch Plasmapolymerisation erzeugten Films.

Fig. 1 zeigt die wesentlichen Bestandteile eines Reaktors 10 zur plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidung PECVD. Der Behälter 25 umschließt eine optische Beobachtungseinrichtung sowie die Reaktionskammer 18. Mit einer Pumpe, beispielsweise einer Vakuumpumpe 12 wird die Reaktionskammer 18 evakuiert und das Substrat entgast. Zugleich erzeugt die Pumpe den für die Entstehung eines Plasmas erforderlichen Unterdruck. Über eine Leitung zwischen Pumpe 12 und Reaktionskammer 18 können bestimmte Bestandteile oder Gase aus der Reaktionskammer 18 entfernt werden. Fig. 2 zeigt die Anordnung der beiden Elektroden 28 und 34 in der Reaktionskammer 18. Zwischen den Elektroden befindet sich ein Zwischenraum oder Spalt 44, der als Reaktionszone dient. In diesen wird das zu beschichtende Substrat eingebracht. Ein Hochfrequenzgenerator 14 speist über ein Impedanzanpassungsnetzwerk 16 und einen Koppelkondensator 36 die Elektrode 34, um im Elektrodenzwischenraum ein Plasma zu erzeugen, welches die chemischen Reaktionen der M-R Komponenten fördert und damit die Bildung eines hochqualitativen dünnen Films auf der Subtratoberfläche bewirkt. Die Elektrode 34 ist in diesem Falle die angesteuerte Elektrode, während die Elektrode 28 als passive Elektrode wirkt. Die zweite Anschluß klemme des HF-Generators 14 liegt an Masse. Die Gegenelektrode 28 ist über eine eigene Stromversorgung 32 ebenfalls an Masse angeschlossen. Ein inertes Trägergas und die für die Reaktion in der Reaktionszone erforderlichen Substanzen werden von einer Zufuhreinrichtung 22 über eine Leitung 38 in die Reaktionskammer 18 gebracht. Die Leitung 38 verbindet die Versorgungseinrichtung 22 mit der Elektrode 34, welche eine Vielzahl von Poren oder Öffnungen aufweist, durch die das Gas und die Reagenzien die Reaktionszone 34 erreichen. Dieser Zwischenraum 44 ist der Raum zwischen den Elektroden 28 und 34, wo das Plasma entsteht und die Reaktion zur Beschichtung des Substrats abläuft. Eine optische Beobachtungsvorrichtung besteht aus einer Lichtquelle 24 und einem Detektor 26 und gestattet eine Beobachtung und präzise Messung der Schichtdicke, wobei ein Lichtstrahl von der Lichtquelle 24 in die Reaktionskammer 18, durch einen Kanal 52 in den Elektroden 28 und 34, durch das beschichtete Substrat und dann zum Detektor 26 verläuft. Auf diese Weise können genau abgestimmte vielschichtige optische Interferenzbeschichtungen hergestellt werden.

Vakuumpumpe 12, Stromversorgung 14, Impedanzanpassungsnetzwerk 16 und Zuleitungsverteiler 22 sind Standardbauteile, die auf dem Markt erhältlich sind und bei Plasmareaktoren verschiedener Hersteller Anwendung finden. Zu diesen Einrichtungen gehören mit einer Zentralpumpe ausgestattete flache Plattenreaktoren, wie sie in der Halbleiterindustrie zum Aufbringen passivierender Silikonnitridschichten Anwendung findet.

Die optische Überwachungseinrichtung, bestehend aus Lichtquelle 24 und Detektor 26 ist ein Spezialbauteil, welches beispiels weise von den Firmen Eddy Co. in Lafayette, Kalifornien, und Balzers AG in Liechtenstein lieferbar ist.

Die aus den Elektroden 28 und 34 sowie der Gaszuführung 38, 42 bestehende Einrichtung 18 ist in Fig. 2 im einzelnen darge stellt. Die Elektrode 28 ist als passive Elektrode mit einer solchen der Reaktorzone 44 zugewandten Oberflächengestalt hergestellt, daß sie dem Profil des zu beschichtenden Teils angepaßt ist. Dieses dreidimensionale Profil läßt sich nach der Beziehung C(r) als Funktion des Radius r bezogen auf ein geeignetes Koordinatensystem beschreiben. Das zu beschichtende Substrat kann mit seiner konvexen Seite auf der Elektrode 28 angeordnet sein zum Beschichten der konvexen Seite des Substrats oder auf einer Elektrode 28 mit konkavem Profil, um die konkave Seite des Substrats zu beschichten. In Fig. 2 hat die Elektrode 28 ein konkaves Profil. Sie besteht aus elektrisch leitfähigem Material und kann zur Unterstützung der Beschichtung mit einem positiven oder negativen elektrischen Potential, z. B. der Spannung V _a gegenüber Masse verbunden sein. Diese Vorspannung liefert eine getrennte Stromversorgungseinrichtung 32. In den meisten Fällen liegt die Elektrode 28 jedoch auf Bezugs- oder Massepotential.

Die aktive Elektrode 34 ist über einen Kondensator 36 und ein Anpassungsnetzwerk 16 an einen Hochfrequenzgenerator 14 ange schlossen. Der Kondensator 36 dient als Gleichstromsperre. Die Elektrode 34 hat eine dreidimensionale Kontur, die zur Kontur der Elektrode 28 komplementär ist, d. h. nach der Beziehung -C(r) bestimmt werden kann. Zwischen den beiden Elektroden 34 und 28 befindet sich ein Spalt 44 von der Breite G in der Größenordnung von 5 bis 10 cm. Der Plasmareaktor 10 wird mit einem Druck in der Größenordnung von 1 bis 200 Millitorr betrieben. Über ein elektrisch isolierendes Rohr 38 steht die Elektrode 34 mit dem Reagensverteiler 22 in Verbindung. Durch an geeigneter Stelle vorgesehene Öffnungen oder Düsen 42 in der Elektrode 34 werden die Substanzen in die zwischen den Elektroden befindliche Reaktionszone 44 eingesprüht. Die Düsen 44 sind derart angeordnet, daß über die gesamte Kontur C(r) eine gleichförmig dicke Beschichtung erzielt wird. Eine weitere Stromversorgungseinrichtung 46 legt an die Elektrode 34 eine Vorspannung V _b zwischen Null und -100 V Gleichspannung.

Elektrostatische Abschirmungen 48 schließen das Plasma in der Reaktionszone 44 zwischen den Elektroden 28 und 34 ein. Sie bilden praktisch einen Faraday'schen Käfig. Die Abschirmungen 48 bestehen ebenfalls aus elektrisch leitendem Material und liegen normalerweise auf Massepotential. Durch diese Abschirmungen 48 ist der Wirkungsgrad des Abscheidungsprozesses wesentlich erhöht. Sie sorgen dafür, daß die benutzten Substanzen sich hauptsächlich auf dem Substrat und nicht auf äußeren Wandflächen niederschlagen.

Der Kanal oder Tunnel 52 erstreckt sich durch die Elektroden 28 und 34 und überträgt den Lichtstrahl 54 von der Lichtquelle 24 durch das zu beschichtende Substrat hindurch zum Detektor 26. Dieser mißt die auftreffende Lichtmenge und damit die Dicke der auf dem Substrat aufgebrachten Schicht.

In Fig. 3 sind die Elektroden 28 und 34 derart geformt, daß sie die biradial gekrümmte Innenfläche eines Piloten-Helmvisiers zwischen sich in der zwischen den Elektroden gebildeten Reaktionszone aufnehmen können. Die Elektrode 34 ist mit einer Vielzahl von Austrittsöffnungen oder Düsen 42 für die in die Reaktionszone einzubringenden Substanzen ausgestattet. Eine Dunkelraumabdeckung 60 verhindert den Austritt des Meßlicht strahls in die Reaktionskammer 18.

Fig. 4 zeigt eine ähnliche Anordnung, mit der im gleichen Arbeitsgang zwei Helmvisiere 58 beschichtet werden können.

Fig. 5 veranschaulicht die gleichzeitige Beschichtung mehrerer Linsen 62. Sie sind in Vertiefungen 63 der zugleich als Linsen halter dienenden Elektrode 28 angeordnet. Die aktive Gegenelek trode 34 ist wiederum mit einer Vielzahl von an ihrer der Elektrode 28 zugewandten Stirnfläche vorgesehenen Düsen 42 versehen.

In Fig. 6 ist der Linsenträger 65 als Ring ausgebildet und bildet zugleich die passive Elektrode 28. Wiederum sind die Linsen 64 in entsprechend geformte Ausnehmungen 67 des Linsen halters 65 eingesetzt. Die aktive Elektrode 34 hat ebenfalls die Form eines Ringes und ist an ihrem äußeren Umfang mit einer Vielzahl von Austrittsdüsen 42 versehen. Zwei scheibenförmige Dunkelraumabschirmungen 68 und 69 verhindern wiederum eine Ausbreitung des Dickenmeßstrahls aus dem Kanal 52 in die Umgebung und damit eine unkontrollierte Schwächung des Meß strahls durch Streulicht. Zugleich begrenzen sie die Reaktions zone und halten das Plasma in der Reaktionszone eingeschlossen. Auch hier kann in einem Arbeitsgang eine Vielzahl von Linsen beschichtet werden.

In Fig. 7 ist eine andere Ausführungsform einer Beschichtungsein richtung schematisch wiedergegeben, mit deren Hilfe in einem Arbeitsgang eine Vielzahl von Augenschutzgläsern 66 beschichtet werden kann. Diese sind in einem ringförmigen, zugleich als Elektrode 28 ausgebildeten Substrathalter 70 an dessen Umfangs wand gehalten, und zwar in einer Vielzahl von entsprechend geformten Aufnahmen 71. In diesen Ring wird der als Gegenelek trode 34 dienende, mit Austrittsdüsen 42 versehene Verteilerring 72 eingeschoben. Seine Kanten und die der Austrittsdüsen sind abgerundet, um erhöhte lokale Feldstärken des das Plasma erzeugenden elektromagnetischen Feldes zu vermeiden.

Bei der plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidung werden die zu beschichtenden Substrate in die Reaktionszone 44 (siehe Fig. 2) des Plasmareaktors (siehe Fig. 1) gebracht. Durch die Vakuumpumpe 12 werden die Polymersubstrate in einem typischen Prozeßzyklus von 10^-6 Torr über zwei Stunden bei Raum temperatur sorgfältig entgaste. Alsdann werden die abzuscheiden den Substanzen zusammen mit einem Trägergas wie Xenon oder Argon und geeigneten Reagenzien, beispielsweise oxydierenden, wie O₂ oder N₂O, bzw. reduzierenden, wie H₂, über die Düsen 42 in die Reaktionszone eingeführt. Der Zustrom liegt üblicherweise in der Größenordnung von 1 bis 10 cm³ pro Minute und der Druck im Bereich zwischen 10^-3 und 10^-2 Torr bei einem Volumen der Reaktionszone 44 von 0,5 bis 1,0 m³. Dies gilt für den Zeitraum vor der Zündung des Plasmas durch eine elektrische Ladung in der Reaktionszone 44. Die Erregung des Plasmas ermöglicht chemische und physikalische Prozesse zur Dünnfilmabscheidung, die anderweit bei niedrigeren Prozeßtemperaturen, beispielsweise in der Größenordnung von 20 bis 100° Celsius thermodynamisch unmöglich wären. Der Grund für diese Plasmaunterstützung des Abscheidungsprozesses liegt darin, daß die Aktivierungsenergie für diesen Prozeß durch Kollisionen und durch Ladungsaustausch erzeugt wird und nicht thermisch, d. h. durch kT Energie.

Die Werkstoffe für Dünnfilme optischer Qualität können von einem Startreagens der Form M-R geliefert werden, wobei M ein Metallatom, z. B. Titan, Zink oder Zinn bezeichnet und R einen organischen Werkstoff, beispielsweise aus der Alkyl- oder Alkoxydgruppe. Durch Einstellung der Parameter des Plasma reaktors 10 können die aus den Reagenzien in einer reaktiven, z. B. oxydierenden Atmosphäre erzeugten Schichten physikalische Eigenschaften aufweisen, die sich von rein organischen bis zu rein anorganischen Eigenschaften erstrecken, je nach dem relativen Anteil der Metallatome M, d. h. der anorganischen Phase, wie üblicherweise als Metalloxyd MO _x eingeführt wird, und der organischen Phase R. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der Vorrichtung 10 lassen sich hochqualitative optische Schichten aufbringen, die den physikalischen und chemischen Eigenschaften des Polymersubstrats gut angepaßt sind.

Die Fig. 8 bis 10 zeigen Abtastelektronenstrahldarstellungen mit der durch die Erfindung ermöglichten einmaligen Micro struktur. Fig. 8 zeigt einen Schnitt durch einen Film aus Hexamethyldiscloxan HMDS, Fig. 9 einen Film aus Tetramethyltin TMT, d. h. hier gilt M = Sn und R = (CH₃ - )_n _{- 4}). Die Beschichtungen sind jeweils auf einem Glassubstrat aufgebracht. Fig. 10 schließlich zeigt eine Schnittdarstellung durch eine optische Interferenzbeschichtung aus den Werkstoffen ent sprechend den Fig. 8 und 9, wobei nicht weniger als 167 Schichten abwechselnd aus diesen Materialien aufgebracht sind und die Beschichtung bei zwei bestimmten Sperrwellenlängen eine optische Dichte 3 erzielt.

Die Darstellungen lassen erkennen, daß die Filme äußerst dicht, glasig und amorph sind und insbesondere nicht die bei her kömmlichen Abscheidungsprozessen übliche Mikrosäulenstruktur haben. Die dicht gepackte Mikrostruktur der gemäß der Erfindung erzeugten Schichten zusammen mit ihrer hervorragenden optischen Wirksamkeit und ihrer mechanischen Flexibilität eröffnen neue Möglichkeiten für die Beschichtung organischer Substrate. Die Flexibilität wird erzielt durch den organischen Anteil, der die elastomeren Qualitäten des Films bestimmt.

Claims

1. Verfahren zum Aufbringen hochwirksamer mehrschichtiger optischer Interferenzschichten auf einem Polymersubstrat mit komplexer Oberflächenform, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) das zu beschichtende Substrat wird in einer Reaktionszone (44) zwischen einer ersten (28) und einer zweiten (34) Elektrode angeordnet, welche der Kontur des Substrats angepaßt sind und wobei sich Reaktionszone und Elektroden in einer Kammer (18) befinden;
b) bestimmte Gaskomponenten werden aus der Kammer ausgepumpt;
c) den ersten und zweiten Elektroden (28, 34) wird elektrische Energie zur Erzeugung eines elektromagnetischen Feldes zwischen den Elektroden zugeführt;
d) in der Kammer wird ein bestimmter Druck erzeugt und aufrechterhalten;
e) Substanzen werden durch eine Vielzahl von Öffnungen (42) in die Reaktionszone eingebracht, wobei diese Substanzen ein Plasma bilden, wodurch auf dem Substrat durch plasmaunterstütze chemische Dampfabscheidung ein dünner Film niedergeschlagen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß das Plasma durch Abschirmvorrichtungen (48) in der Reaktionszone eingeschlossen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge kennzeichnet, daß die Dicke des Niederschlags auf dem Substrat beobachtet wird.

4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, daß bei der Zufuhr der Substanzen in die Reaktionszone (44) wenigstens ein inertes Trägergas und wenigstens ein reaktives Agens in die Reaktionszone eingebracht werden.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet, daß das inerte Trägergas aus der Gruppe mit den Elementen Argon, Xenon, Neon, Helium und Krypton stammt.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch ge kennzeichnet, daß das reaktive Agens zur Gruppe O₂, N₂O und H₂ gehört.

7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, daß der bestimmte Druck im Bereich 10^-3 und 10^-2 Torr liegt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz ein Startreagens in der Form M-R enthält, wobei M ein Metallatom und R einen organischen Bestandteil bezeichnet, und wobei die Substanz als dünner Film auf dem Substrat in einer reaktiven Atmosphäre niedergeschlagen wird, welche das reaktive Agens enthält und die eine physikalische Eigenschaft zwischen organischen und anorganischen Eigenschaften aufweist, welche zumindest teilweise durch den relativen Anteil von M und R bestimmt ist.

9. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche zum Aufbringen mehrschichtiger optischer Interferenzschichten auf einem Polymersubstrat mit komplexer Oberflächenform, gekennzeichnet durch

a) eine Reaktionskammer (18);
b) eine erste Elektrode (28) innerhalb der Kammer;
c) eine zweite Elektrode (34) innerhalb der Kammer und in der Nähe der ersten Elektrode;
d) eine an die erste und die zweite Elektrode (28, 34) angeschlossene erste Stromversorgungseinrichtung (14, 16); sowie
e) eine an die zweite Elektrode (34) angeschlossene Gaszufuhreinrichtung (38).

10. Einrichtung nach Anspruch 9, dadurch ge kennzeichnet, daß die erste Stromversorgungsein richtung einen Hochfrequenzgenerator (14) enthält.

11. Einrichtung nach Anspruch 9 oder 10, gekenn zeichnet durch in der Nähe der ersten und zweiten Elektroden (28, 34) angeordnete elektrisch leitende Abschirmplatten (48).

12. Einrichtung nach Anspruch 8, 9 oder 10, gekenn zeichnet durch eine an die erste Elektrode (28) und ein Bezugspotential angeschlossene zweite Strom versorgungseinrichtung (32) sowie eine an die zweite Elektrode (34) und das Bezugspotential angeschlossene dritte Stromversorgungseinrichtung (46).

13. Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, da durch gekennzeichnet, daß

a) die erste Elektrode (28) eine Oberflächenform hat, welche der Oberflächenkontur einer ersten Seite des Substrats angepaßt ist und
b) die zweite Elektrode eine Oberflächenform aufweist, welche der Oberflächenkontur einer zweiten Seite des Substrats angepaßt ist.

14. Einrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekenn zeichnet, daß die zweite Elektrode (34) auf der mit der Kontur versehenen Fläche eine Vielzahl von Düsen (42) aufweist, welche an die Gasversorgungseinrichtung (38) angeschlossen sind.

15. Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, ge kennzeichnet durch eine Pumpe (12), vorzugsweise eine Vakuumpumpe, welche an die Kammer (18) angeschlossen ist und der Entfernung bestimmter Gase sowie der Aufrechterhaltung eines vorgegebenen Drucks in der Kammer dient.

16. Einrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, ge kennzeichnet durch eine Beobachtungs vorrichtung (24, 25, 26) innerhalb der Kammer (18) für die Feststellung der Dicke der auf dem Substrat niederge schlagenen Schicht.

17. Einrichtung nach Anspruch 16, dadurch ge kennzeichnet, daß die Beobachtungseinrichtung (24, 25, 26)

a) eine Lichtquelle (24) umfaßt, die derart angeordnet ist, daß sie einen Lichtstrahl durch eine Öffnung (52) in der zweiten Elektrode (34), durch die Reaktionszone (44), durch die Beschichtung des Substrats, durch das Substrat sowie durch eine Öffnung (52) in der ersten Elektrode (28) überträgt und
b) einen Lichtempfänger (26) aufweist, der den durch die Öffnung in der ersten Elektrode (28) ankommenden Lichtstrahl empfängt.

18. Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 17, ge kennzeichnet durch

a) eine erste Elektrode (28) mit einer Oberfläche, welche der Kontur einer dieser Elektrode gegenüberstehenden ersten Seite des Substrats angepaßt ist;
b) einer zweiten Elektrode (34) mit einer Oberflächenform, welche der Kontur einer zweiten Seite des Substrats angepaßt ist und eine Vielzahl von Öffnungen (42) auf der mit der Kontur versehenen Oberfläche aufweist, und wobei sich die zweite Elektrode in unmittelbarer Nähe des Substrats und der ersten Elektrode und das Substrat seinerseits sich zwischen den beiden Elektroden befindet, um zwischen diesen ein elektrisches Feld entstehen zu lassen;
c) eine die Elektroden (28, 34) umschließende Kammer (18) mit einer an die zweite Elektrode (34) angeschlossenen Gaszu fuhreinrichtung (38) für die Zufuhr einer Substanz an die Öffnungen (42) der zweiten Elektrode (34);
d) an die beiden Elektroden angeschlossene Stromversorgungs einrichtungen (14, 16; 32; 46) für die Energiezufuhr zum Aufbau eines elektrischen Feldes zwischen der ersten und der zweiten Elektrode; und
e) eine Reaktionszone (44) zwischen den beiden Elektroden, wobei die Substanz in die Reaktionszone eintritt und eine plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung der Substanz als dünner Film auf dem Substrat erfolgt.