DE3829135A1 - Operationsverstaerker hoher bandbreite - Google Patents
Operationsverstaerker hoher bandbreiteInfo
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Description
Operationsverstärker sind gleichspannungsgekoppelte
Verstärker mit hoher Spannungsverstärkung, hohem Ein
gangswiderstand und niedrigem Ausgangswiderstand. Sie
bestehen in der Regel aus zwei hintereinandergeschal
teten Differenzverstärkerstufen, die einzeln phasen
kompensiert sind und auf einer Endstufe mit niedrigem
Ausgangswiderstand als Last arbeiten. Für hohe Grenz
frequenzen sind sie vorzugsweise vorwärtskompensiert.
Die obere Grenzfrequenz der offenen Verstärkung beträgt
maximal 10 Hz. Die Frequenz, bei der die Verstärkung
auf 1 abgesunken ist, liegt maximal bei 10 MHz.
Hochfrequenzverstärker sind vorzugsweise symmetrisch
und ausschließlich mit NPN-Transistoren aufgebaut und können
nicht offsetarm und mit hoher Verstärkung realisiert werden.
Eine aus der DE-OS 34 46 600 bekannte Schaltungsmaßnahme für
einen breitbandigen Operationsverstärker besteht darin, die
Signalwege mittels Hoch- und Tiefpässe in einen HF- und
einen NF-Zweig aufzuspalten. Diese Schaltung ist jedoch
wegen der Filter nicht auf einem Halbleiterchip integrier
bar, erfordert hohen Bauelementeaufwand und Platzbedarf und
mindestens zwei getrennt aufgebaute Operationsverstärker.
In der gleichen DE-OS ist ein breitbandiger Operations
verstärker beschrieben, mit einem lediglich einen Eingang
aufweisenden HF-Verstärker und einem Operationsverstärker.
Der eine Eingang des Operationsverstärkers ist mit dem
Eingang des HF-Verstärkers verbunden und der andere Eingang
über eine Gegenkopplung mit dem Ausgang der Schaltung. Die
Ausgangssignale des HF-Verstärkers und des Operationsver
stärkers werden in einem Summierpunkt zusammengefaßt, der
den Ausgang des breitbandigen Operationsverstärkers bildet.
Die Schaltung wirkt so, daß Signale bis etwa 10 Hz vom
Operationsverstärker verstärkt werden und Signale hoher
Frequenz vom HF-Verstärker. Diese Schaltung hat jedoch den
Nachteil, daß die Verstärkerzweige keine gemeinsame Gegen
kopplung haben. Dadurch muß der HF-Verstärker mehrstufig
aufgebaut werden, um die gewünschte Verstärkung zu errei
chen. Er kann durch die notwendigen Koppelkondensatoren
nicht integriert werden. Die Gleichtakt- und Supply-Rejek
tion im HF-Bereich wird von den ungünstigen Werten des
HF-Verstärkers bestimmt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Nachteile des
Standes der Technik zu verbessern. Insbesondere soll ein
problemlos integrierbarer Operationsverstärker hoher Band
breite mit geringer Offsetspannung, geringem Rauschen,
breitbandiger Gleichtaktunterdrückung und großer Unempfind
lichkeit gegen Versorgungsspannungsschwankungen angegeben
werden.
Die Erfindung wird bei einem Operationsverstärker der im
Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Art durch die im
kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannte Erfin
dung gelöst. An ihren Eingängen parallel geschaltete Diffe
renzverstärker sind einfach integrierbar und äußerst
rauscharm.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen
näher erläutert. Es zeigen im einzelnen:
Fig. 1 Blockschaltbild eines breitbandigen Operations
verstärkers mit drei Differenzverstärkern,
Fig. 2 Frequenzgang des Operationsverstärkers nach Fig. 1,
Fig. 3 Blockschaltbild eines breitbandigen Operations
verstärkers mit zwei Differenzverstärkern,
Fig. 4 Schaltung eines Ausführungsbeispiels gemäß dem
Blockschaltbild nach Fig. 3.
In Fig. 1 sind die Eingänge von drei Differenzverstärkern 1,
2 und 3 unterschiedlicher Bandbreite und Leerlaufverstärkung
parallel geschaltet und mit den Eingangsklemmen E 1 und E 2
des Operationsverstärkers verbunden. Die Ausgänge der Diffe
renzverstärker sind an einem Stromverstärker 4 angeschlos
sen. Vom Ausgang des Stromverstärkers 4, der gleichzeitig
Ausgang A des Operationsverstärkers ist, ist eine Gegenkopp
lung 5 zum Eingang der Differenzverstärker vorgesehen. Der
Differenzverstärker 1 hat eine Verstärkung für den Bereich
von 0 bis 20 MHz, der Differenzverstärker 2 eine Verstärkung
von 0 bis 1 kHz und der dritte eine Verstärkung von 0 bis
10 Hz. Der Frequenzgang (Bode-Diagramm) der drei Differenz
verstärker ist in Fig. 2 dargestellt. Die Gegenkopplung wird
jeweils durch den Verstärker mit der höchsten Verstärkung
bestimmt, und zwar im Bereich bis 30 Hz vom Differenzverstär
ker 3, im Bereich bis 200 kHz vom Differenzverstärker 2 und
im Bereich über 1 MHz vom Differenzverstärker 1. Da bei der
sogenannten 1-Verstärkung der Differenzverstärker 2 und 3
der Verstärker 1 noch 30 dB verstärkt, wird die Gegenkopp
lung von dem Differenzverstärker 1 bestimmt. Dadurch können
die Differenzverstärker 2 und 3 unkompensiert betrieben
werden und entsprechend höhere Bandbreiten haben.
Die Phase des Gesamtverstärkers wird ausschließlich vom
Differenzverstärker 1 bestimmt, wodurch im Bereich von 0 bis
100 kHz keine Phasenverschiebungen auftreten. Die Kompensa
tionskapazität für den Differenzverstärker 1 beträgt ledig
lich etwa 1/100 der notwendigen Kompensationskapazität
handelsüblicher Operationsverstärker. Andererseits wird die
offene Verstärkung des Differenzverstärkers 1 durch die
Tatsache, daß der Differenzverstärker 3 die Offsetspannungen
von 20 mV auf unter 0,2 mV verringert und die Eingangsimpe
danz am Eingang des Stromverstärkers 4 erhöht, entsprechend
vergrößert.
Dadurch, daß die Differenzverstärker 1 bis 3 mit hohem
Differenzstrom betrieben werden können, wird das Kollek
torstromrauschen entsprechend gering. Die Eingangsoffset
spannung wird durch die Parallelschaltung der n Differenz
verstärkerstufen - im Ausführungsbeispiel ist n=2 - auf
√ reduziert. Infolge der großen Bandbreite und Phasen
starre der offenen Verstärkung und der geringen Offsetspan
nung von <0,2 mV wird die Gleichtaktunterdrückung und die
Versorgungsunterdrückung entsprechend breitbandig und ist je
nach Frequenzbereich wesentlich größer als bei bisher er
hältlichen Operationsverstärkern.
In Fig. 3 ist ein Blockschaltbild eines breitbandigen Opera
tionsverstärkers mit lediglich einem Differenzverstärker 1
für die HF-Verstärkung und einem schmalbandigen Differenz
verstärker 2 mit hoher Verstärkung, jedoch einer Bandbreite
von 0 bis etwa 10 Hz, dargestellt, dem zur Vermeidung der
Ableitung der oberen Frequenzen des HF-Verstärkers ein
Trennverstärker 6 nachgeschaltet ist. Über einen Stromver
stärker 4, der mit dem Ausgang A des breitbandigen Opera
tionsverstärkers verbunden ist, führt eine Gegenkopplung 5
zum Eingang des Differenzverstärkers zurück.
In Fig. 4 ist ein Ausführungsbeispiel des in Fig. 3 ge
zeigten Blockschaltbildes dargestellt. Die Bezeichnungen
sind so gewählt, daß AiK ein Bauelement des Blockes i von
Fig. 3 ist. Damit sind T 11 und T 12 die beiden NPN-Transi
storen des Differenzverstärkers 1 für die Verstärkung der
HF-Signale. Die Emitterzuleitungen der Transistoren T 11 und
T 12 sind zusammengeschaltet und über eine Stromquelle, in
Fig. 4 als Widerstand R 11 dargestellt, mit der Klemme K 1 für
die Betriebsspannung verbunden.
Als Lastwiderstände der Transistoren T 11 und T 12 ist eine
Stromspiegelschaltung mit den Transistoren T 13 und T 14
vorgesehen, deren Ausgang mit dem Ausgang P des HF-Ver
stärkers verbunden ist.
Der Kondensator C 1 zwischen Kollektor und Basis des Tran
sistors T 12 hat eine Kapazität in der Größenordnung von 1 pF
und dient zur Phasenkompensation.
Parallel zu den Eingangsklemmen des Differenzverstärkers 1
liegen die Eingangsklemmen des Differenzverstärkers 2 in
Gestalt der Basisanschlüsse der Transistoren T 21 und T 22. Er
ist in gleicher Weise geschaltet wie der Differenzverstärker
1. Am Ausgang des kollektorseitigen Stromspiegels, bestehend
aus den Transistoren T 23 und T 24, ist jedoch ein Trennver
stärker, bestehend aus einem Transistor T 6, in Emitterschal
tung vorgesehen, dessen Kollektor mit dem Ausgang P des
Differenzverstärkers 1 verbunden ist. Am Punkt P findet
somit eine Summierung der NF- und HF-Signale der beiden
Differenzverstärker statt. Der Stromverstärker, bestehend
aus dem Transistor T 4, der mit seiner Basis am Punkt P
angeschlossen ist, wird in Kollektorschaltung betrieben.
Sein Emitter ist sowohl mit dem Ausgang A des breitbandigen
Operationsverstärkers als auch mit einer Gegenkopplung,
bestehend aus den Widerständen R 51 bis R 53, verbunden. Dabei
sind die Widerstände R 51 und R 52 als Spannungsteiler ge
schaltet, so daß lediglich ein Teil der am Ausgang A stehen
den Ausgangsspannung zum Eingang, dem Basisanschluß des
Transistors T 12 des Differenzverstärkers 1 und damit auch
zum Basisanschluß des Transistors T 22 des Differenzverstär
kers 2 zurückgeführt wird. Zur Verbesserung der oberen
Grenzfrequenz des breitbandigen Operationsverstärkers ist
der Spannungsteilerpunkt der Gegenkopplung über den Wider
stand R 53 mit den Basisanschlüssen der Transistoren T 12 und
T 22 verbunden.
Im Ausführungsbeispiel ist lediglich ein Eingang E 1 vor
gesehen. Selbstverständlich kann eine weitere Eingangsklemme
E 2 zur symmetrischen Ansteuerung des breitbandigen Opera
tionsverstärkers, in gleicher Weise wie die Eingangsklemme
E 1 mit der Basis des Transistors T 11, über einen Widerstand
mit der Basis des Transistors T 12 verbunden werden.
Zur Vollständigkeit sei vermerkt, daß die Transistoren T 13,
T 14, T 23, T 24 und T 6 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp
sind wie die Transistoren T 4, T 11, T 12, T 21 und T 22. Ihre
Emitter sind mit der anderen Klemme K 2 der Betriebsspannung
verbunden.
Es ist vorteilhaft, bei einer Verwendung des breitbandigen
Operationsverstärkers als Regelverstärker eines Spannungs
reglers den Stromverstärker 4 als Emitterfolger oder Dar
lingtontransistor auszubilden.
Claims (3)
1. Operationsverstärker hoher Bandbreite, dadurch gekenn
zeichnet,
daß die Eingänge mindestens zweier Differenzverstärker (1, 2, 3) unterschiedlicher Bandbreite und Leerlaufverstärkung parallel geschaltet sind und die Eingangsklemmen (E 1, E 2) des Operationsverstärkers darstellen,
daß die Ausgänge der Differenzverstärker an einen Stromver stärker (4) angeschlossen sind, und
daß vom Ausgang des Stromverstärkers (4), der gleichzeitig Ausgang (A) des Opertionsverstärkers ist, eine Gegenkopplung (5) zu einem Eingang der Differenzverstärker (1, 2, 3) vorgesehen ist.
daß die Eingänge mindestens zweier Differenzverstärker (1, 2, 3) unterschiedlicher Bandbreite und Leerlaufverstärkung parallel geschaltet sind und die Eingangsklemmen (E 1, E 2) des Operationsverstärkers darstellen,
daß die Ausgänge der Differenzverstärker an einen Stromver stärker (4) angeschlossen sind, und
daß vom Ausgang des Stromverstärkers (4), der gleichzeitig Ausgang (A) des Opertionsverstärkers ist, eine Gegenkopplung (5) zu einem Eingang der Differenzverstärker (1, 2, 3) vorgesehen ist.
2. Operationsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß bei seiner Verwendung als Regelverstärker
eines Spannungsreglers der Stromverstärker (4) als Emitter
folger oder Darlingtontransistor ausgebildet ist.
3. Operationsverstärker nach einem der vorangegangenen
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß insgesamt zwei Diffe
renzverstärker (1, 2) vorgesehen sind, dessen erster Diffe
renzverstärker (1) ein Differenzverstärker hoher Gleichspan
nungsverstärkung mit nachfolgendem Trennverstärker (6) und
dessen zweiter Differenzverstärker (2) ein HF-Verstärker mit
hoher Bandbreite ist.
Priority Applications (1)
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Publications (2)
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DE3829135C2 DE3829135C2 (de) | 1995-03-23 |
Family
ID=6361735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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DE (1) | DE3829135C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0499308A1 (de) * | 1991-02-11 | 1992-08-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Frequenzkompensierter Mehrstufenverstärker mit verschachtelter kapazitiver Neutralisierung und innerer Mehrweg-Vorwärtssteuerung |
EP0805550A1 (de) * | 1996-05-03 | 1997-11-05 | Robert Bosch Gmbh | Gleichstromgekoppelter Breitbandverstärker mit geringem Offset |
WO2000007295A1 (en) * | 1998-07-28 | 2000-02-10 | Trevor Newlin | A nonlinear transconductance amplifier |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19959646B4 (de) * | 1999-04-07 | 2012-06-21 | Lantiq Deutschland Gmbh | Spannungs-Strom-Wandlungsschaltung und Verfahren zum Betreiben einer Spannungs-Strom-Wandlungsschaltung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3477031A (en) * | 1966-09-09 | 1969-11-04 | Hitachi Ltd | Differential amplifier circuit employing multiple differential amplifier stages |
DE3446660A1 (de) * | 1984-12-18 | 1986-06-26 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Breitbandiger verstaerker, insbesondere messverstaerker |
DE3522416A1 (de) * | 1985-06-22 | 1987-01-02 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Regelbare breitbandverstaerkerschaltung |
-
1988
- 1988-08-27 DE DE19883829135 patent/DE3829135C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3477031A (en) * | 1966-09-09 | 1969-11-04 | Hitachi Ltd | Differential amplifier circuit employing multiple differential amplifier stages |
DE3446660A1 (de) * | 1984-12-18 | 1986-06-26 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Breitbandiger verstaerker, insbesondere messverstaerker |
DE3522416A1 (de) * | 1985-06-22 | 1987-01-02 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Regelbare breitbandverstaerkerschaltung |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
BECHEN: Monolithischer Opertationsverstärker dringt in GHz-Bereich vor. In: Elektronik 1979, Nr. 6, S. 75-76 * |
JP 62-82703 A. In: Patents Abstr. of Japan, Sect. E, Vol. 11 (1987), Nr. 284 (E-540) * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0499308A1 (de) * | 1991-02-11 | 1992-08-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Frequenzkompensierter Mehrstufenverstärker mit verschachtelter kapazitiver Neutralisierung und innerer Mehrweg-Vorwärtssteuerung |
US5155447A (en) * | 1991-02-11 | 1992-10-13 | Signetics Company | Multi-stage amplifier with capacitive nesting and multi-path forward feeding for frequency compensation |
EP0805550A1 (de) * | 1996-05-03 | 1997-11-05 | Robert Bosch Gmbh | Gleichstromgekoppelter Breitbandverstärker mit geringem Offset |
WO2000007295A1 (en) * | 1998-07-28 | 2000-02-10 | Trevor Newlin | A nonlinear transconductance amplifier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3829135C2 (de) | 1995-03-23 |
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D2 | Grant after examination | ||
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8320 | Willingness to grant licenses declared (paragraph 23) | ||
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Owner name: TEMIC SEMICONDUCTOR GMBH, 74072 HEILBRONN, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ATMEL GERMANY GMBH, 74072 HEILBRONN, DE |