DE2554770A1 - Transistor-gegentaktverstaerker - Google Patents

Transistor-gegentaktverstaerker

Info

Publication number
DE2554770A1
DE2554770A1 DE19752554770 DE2554770A DE2554770A1 DE 2554770 A1 DE2554770 A1 DE 2554770A1 DE 19752554770 DE19752554770 DE 19752554770 DE 2554770 A DE2554770 A DE 2554770A DE 2554770 A1 DE2554770 A1 DE 2554770A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
push
transistors
pull
transistor
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19752554770
Other languages
English (en)
Other versions
DE2554770C2 (de
Inventor
Omar Dipl Ing Bitar
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19752554770 priority Critical patent/DE2554770C2/de
Publication of DE2554770A1 publication Critical patent/DE2554770A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2554770C2 publication Critical patent/DE2554770C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3066Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output
    • H03F3/3067Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output with asymmetrical driving of the end stage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Transistor-Gegentaktverstärker
  • Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor-Gegentaktverstärker zum Verstärken von Wechselstrom- oder Impulssignalen mit einer Gegentakt-Treiberstufe und einer Gegentakt-Endstufe, wobei die Treiberstufe und die Endstufe je zwei mit ihren-Emitter-Kollektorstrecken gleichstrommäßig in Reihe und für die zu verstärkenden Signale parallel liegende Transistoren haben.
  • Als Leistungsendverstärker zum Verstärken von Wechselstrom-oder Impulssignalen werden häufig Gegentaktverstärker eingesetzt. Diese üblicherweise mit Transistoren aufgebauten Verstärker haben zum Beispiel eine Gegentakt-Treiberstufe mit zwei komplementären Transistoren und eine Gegentakt-Endstufe, die ebenfalls zwei komplementäre Transistoren enthält; vgl.
  • Tietze und Schenk "Halbleiter-Schaltungstechnik", Springer-Verlag, 1969, Seite 241. Bei einer bekannten Schaltung bilden die beiden Transistoren eines jeden Gegentaktzweiges je eine komplementäre Darlington-Schaltung. Ausgangsseitig sind die Darlington-Schaltungen über zwei in Serie geschaltete Widerstände verbunden, zwischen deren gemeinsamen Anschluß und zum Beispiel Masse das verstärkte Signal abgenommen werden kann.
  • Soll die Ausgangsleistung P bei einer gegebenen Betriebsspannung UB möglichst groß seinj so muß aufgrund der Beziehung P AR t worin UA die Ausgangs spannung des Verstärkers und R der Widerstandswert der Last ist, dafür gesorgt werden, daß der bei der Aussteuerung der Endstufe erzielbare größte Amplitudenwert der Ausgangsspannung möglichst nahe an die Betriebsspannung herankommt.
  • Um dieses Ziel zu erreichen, kann man auf die erwähnte Reihenschaltung der beiden Widerstände zwischen den beiden Endstufen-Transistoren verzichten. Dann ergibt sich je Gegentaktzweig aber immer noch an den Transistoren jeder Darlington-Schaltung ein Spannungsabfall, der sich aus der Basis-Emitterspannung UBE des Transistors der Endstufe und der dazu wechselstrommäßig in Reihe liegenden Kollektor-Emitterspannung UCE des Transistors der Treiberstufe zusanmensetzt. Für den bekannten Transistor-Gegentaktverstärker gilt die Beziehung U - 2(UBE + UCE)' wobei U den Spannungs-+ISS A55 wert der Ausgangsspannung von Spitze zu Spitze gemessen bezeichnet.
  • Da die Spannung UBE bei Transistoren einen annähernd konstanten Wert von etwa 0,7 V hat, während die Spannung UCE von der jeweiligen Aussteuerung des Transistors abhängt, ist die Ausgangsspannung U also immer mindestens um 2 0,7 V = 1,4 V kleiner als die A55 Betriebsspannung UB. Der Spannungsabfall von 1,4 V kann bei höheren Betriebsspannungen vernachlässigt werden. Liegt die Betriebsspannung aber beispielsweise bei nur etwa 3 V, dann ist der Spannungsabfall von 1,4 V keinesfalls mehr vernachlässigbar.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Transistor-Gegentaktverstärker zu schaffen, dessen Ausgangsspannung bzw. Ausgangsleistung bei einer gegebenen Betriebsspannung größer ist als bei den bisher bekanntgewordenen Gegentaktverstärkern.
  • Erf indungsgemäß Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem Transistor-Gegentaktverstärker nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs dadurch gelöst, daß ein Schaltungspunkt zwischen den einander zugekehrten Anschlüssen der Transistoren der Treiberstufe erstens über einen für die zu verstärkenden Signale eine geringe Impedanz aufweisenden Kondensator mit einem festen Bezugspotential, zum Beispiel dem Massepotential, und zweitens über einen Widerstand, dessen Widerstandswert so gewählt ist, daß die Transistoren des Gegentaktverstärkers den gewünschten Arbeitspunkt haben, mit einem Schaltungspunkt zwischen den einander zugekehrten Anschlüssen der Transistoren der Endstufe verbunden ist.
  • Bei einem derartigen Verstärker gilt für die größtmögliche Ausgangsspannung die Beziehung U - U - 2U , wobei mit A55 die Beziehung UASS UB CEsätt.
  • UcEsätt. die Kollektor-Emitterspannung der in den Sättigungszustand gesteuerten Endstufen-Transistoren bedeutet. Die Sättigungsspannung UCE beträgt bei Transistoren beispielsweise sätt.
  • etwa 100 mV, so daß bei einem mit zum Beispiel 3 V betriebenen Transistor-Gegentaktverstärker die Ausgangsspannung UA einen SS Wert von 2,8 V erreichen kann. Ein derart hoher Wert ist mit den bekannten Transistor-Gegentaktverstärkern nicht erreichbar.
  • Zweckmäßige Ausgestaltungen und vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen. Im folgenden wird die Erfindung an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. In der Zeichnung bedeuten: Fig. 1 Fig. 1 ein Schaltbild eines Transistor-Gegentaktverstärkers in einer ersten Ausführungsform und Fig. 2 ein Schaltbild eines Transistor-Gegentaktverstärkers in einer zweiten Ausführungsform.
  • Ein Transistor-Gegentaktverstärker nach Fig. 1 hat zwei Anschlüsse 1, 2 zum Zuführen von mit dem Verstärker zu verstärkenden Wechselstromsignalen der Spannung UE. Mit dem Gegentaktverstärker können aber nicht nur Wechselstromsignale, sondern auch impulsförmige Signale verstärkt werden. Der Anschluß 1 steht über einen Kondensator 3 mit der Basis eines Transistors 4 in Verbindung, dessen Emitter auf dem Massepotential liegt und dessen Kollektor erstens mit der Basis eines Transistors 5 und zweitens über zwei in Reihe geschaltete Dioden 6, 7 mit der Basis eines Transistors 8 verbunden ist. Die Transistoren 5 und 8 bilden eine komplementäre Gegentakt-Treiberstufe. Die Basis des Transistors 8 steht außerdem über einen Widerstand 9 mit einem Anschluß 10 einer Betriebsspannungsquelle in Verbindung, die eine Gleichspannung UB von zum Beispiel 3 V liefert.
  • Während die Emitter der Transistoren 5 und 8 der Treiberstufe unmittelbar miteinander verbunden sind (= Schaltungspunkt-A), schließt sich an den Kollektor des Transistors 5 die Basis eines Leistungstransistors 11 und an den Kollektor des Transistors 8 die Basis eines Leistungstransistors 12 an. Die Leistungstransistoren 11 und 12 bilden eine komplementäre Gegentakt-Endstufe, wobei die Kollektoren der beiden Leistungstransistoren unmittelbar miteinander verbunden sind (= Schaltungspunkt B>, punkt B), während der Emitter des Transistors 11 auf dem Massepotential und der Emitter des Leistungstransistors 12 auf dem, zum Beispiel positiven, Betriebspotential des Anschlusses 10 liegt.
  • Die beiden miteinander verbundenen Kollektoren der Leistungstransistoren 11 und 12 stehen erstens über einen Kondensator 13 mit einem Anschluß 14 in Verbindung, der zusammen mit einem auf dem Massepotential liegenden Anschluß 15 den Ausgang des Gegentaktverstärkers bildet. Zweitens steht der Verbindungspunkt zwischen den Kollektoren der Leistungstransistoren über einen Widerstand 16 mit der Basis des Transistors 4 und einen in Reihe zu dem Widerstand 16 liegenden weiteren Widerstand 17 mit Masse in Verbindung.
  • Außer den komplementären Transistoren -5 und 8 bzw. 17 und 12 in der Treiberstufe und in der Gegentakt-Endstufe sind auch die Transistoren 8 und 12 bzw. 5 und 11 zueinander komplementär.
  • Auf diese Weise entstehen, sofern der Emitter der Transistoren 5 und 8 und die Kollektoren der Leistungstransistoren 11 und 12 miteinander galvanisch verbunden wären, zwei komplementäre Darlington-Schaltungen.
  • Der vorstehend beschriebene Teil der Gegentaktverstärker-Schaltung mit zwei komplementären Darlington-Schaltungen ist bekannt. Die Eingangsspannung UEr das ist zum Beispiel eine Wechselspannung 18, erscheint an dem Kollektor des Transistors 4 als gegenphasige Spannung 19, die den Basen der Transistoren 5 und 8 und 8 gleichphasig zugeführt wird. Die Komplementär-Darlington Schaltungen mit den Transistoren 5, 11 bzw. 8, 12 bilden für die Wechselspannung 19 parallele Verstärkungswege, die ausgangsseitig zusammengeführt sind. Das verstärkte Wechselstromsignal kann dann zwischen den Anschlüssen 14, 15 abgenommen werden.
  • Bei der soweit beschriebenen und in ihrer Funktion erläuterten bekannten Schaltung kann die Ausgangsspannung UASS nur einen solchen Wert haben, der gleich der Betriebsspannung UB vermindert um die Spannungen UBE der Leistungstransistoren 11 und 12 und vermindert um die Spannungen UCE der Transistoren 5 und 8 ist.
  • Wie bereits weiter oben erwähnt, hat in diesem Falle die Ausgangsspannung UA höchstens einen Wert, der um 1,4 V kleiner SS ist als die Betriebsspannung UB. Um zu einer höheren Ausgangsspannung UA zu kommen, wird nach Fig. 1 auf die bekannte gal-SS vanische Verbindung zwischen den Schaltungspunkten A und B verzichtet. Der Schaltungspunkt A steht vielmehr erstens über einen Kondensator 20 mit Masse und zweitens über einen Widerstand 21 mit dem Schaltungspunkt B in Verbindung. Auf diese Weise bilden die Transistoren 8 und 12 bzw. 5 und 11 keine komplementären Darlington-Schaltungen mehr.
  • Die Ansteuerung der Leistungstransistoren 11 bis 12 geschieht nun über die Transistoren 5 bzw. 8 und den Kondensator 20. Da die Schaltungspunkte A und B über den Widerstand 21 verbunden sind, kann Punkt B andere Spannungswerte annehmen als Punkt A.
  • Der Kondensator 26 hat wechselspannungsmäßig eine sehr kleine Impedanz.
  • Impedanz. Dadurch erhalten die Leistungstransistoren einen genügend hohen Steuerstrom, so daß sie bis in den oberen Sättigungsbereich hinein ausgesteuert werden-kdnnen.
  • Durch den Widerstand 21 werden die Gleichspannungsverhältnisse des Verstärkers eingestellt.
  • Dem Widerstand 21 kann ein- Kondensator 22 parallel geschaltet sein, der durch eine Wechselspannungsgegenkopplung verhindert, daß der Verstärker zu schwingen beginnt. Der Kapazitätswert des Kondensators 22 muß zu diesem Zweck kleiner sein als der Kapazitätswert des Kondensators 20; Die mit dem Verstärker erzieL-bare Verstärkung ist frequenzunabhängig und hängt von dem-Verhältnis der Kapagitätswerte der Kondensatoren 20 und 22 ab.
  • Für die neue Schaltung mit dem Widerstand 21 und dem Kondensator 20 und gegebenenfalls dem zusätzlichen Kondensator 22 gilt die-Beziehung UA8S = UB - 2UCEsätt.r wobei mit UCEsätt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung der Transistoren 11 bzw. 12 bezeichnet ist.
  • Ein Vergleich mit der für die bekannte komplementäre Gegentaktverstärker-Schaltung geltende Beziehungzeigt, daß-die neue Schaltung eine um 2UBE größere Ausgangs spannung U abgeben ASS-kann. Bei einer Betriebs spannung UB von zum Beispiel 3 V kann also die Ausgangsspannung UA Werte bis zu 2,8 V haben. Da SS zwischen Ausgangsleistung- und Ausgangs spannung eine-quadrati-sche Beziehung besteht, ist auch die erzielbare Ausgangsleistung-erheblich höher.
  • Die Die in Fig. 1 angegebenen Werte für die Kondensatoren 20 und 22 und den Widerstand 21 haben sich bei einem Gegentaktverstärker für niederfrequente Wechselströme bewährt. Allgemein liegt der Widerstandswert des Widerstandes 19 vorzugsweise zwischen einigen hundert Ohm und einigen Kilo-Ohm.
  • In einer Schaltungsvariante zu Fig. 1 liegt nach dem Schaltbild in Fig. 2 zwischen dem Schaltungspunkt A und Masse eine Reihenschaltung aus einem Widerstand 23 und einem Kondensator 24 sowie zwischen den Schaltungspunkten A und B ein Widerstand 25. Eine Voraussetzung für das Funktionieren der Schaltung nach Fig. 2 besteht darin, daß die Impedanz des Kondensators 24 erheblich kleiner sein muß als der Widerstandswert des Widerstandes 23.
  • Der Widerstand 25 hat in dieser Schaltung die gleiche Funktion wie der Widerstand 21 in dem Schaltbild nach Fig. 1.
  • Es sei noch erwähnt, daß der Kondensator 20 bzw. 24 auch zwischen dem Schaltungspunkt A und dem Anschluß 10 liegen kann; vgl. gestrichelte Linien in Fig. 1.
  • Patentansprüche

Claims (5)

  1. Patentansprüche Transistor-Gegentaktverstärker zum Verstärken von Wechselstrom- oder Impuls signalen mit einer Gegentakt-Treiberstufe und einer Gegentakt-Endstufe, wobei die Treiberstufe und die Endstufe je zwei mit ihren Emitter-Kollektorstrecken gleichstrommäßig in Reihe und für die zu verstärkenden Signale parallel liegende Transistoren haben, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schaltungspunkt (A) zwischen den einander zugekehrten Anschlüssen der Transistoren (5, 8) der Treiberstufe erstens über einen für die zu verstärkenden Signale eine geringe Impedanz aufweisenden Kondensator (20) mit einem festen Bezugspotential, zum Beispiel dem Massepotential, und zweitens über einen Widerstand (21), dessen Widerstandswert so gewählt ist, daß die Transistoren des Gegentaktverstärkers den gewünschten Arbeitspunkt haben, mit einem Schaltungspunkt (B) zwischen den einander zugekehrten Anschlüssen der Transistoren (11, 12) der Endstufe yerbunden ist.
  2. 2. Transistor-Gegentaktverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegentakt-Treiberstufe und die Gegentakt-Endstufe je zwei komplementäre Transistoren (5, 8; 11,12) haben.
  3. 3. Transistor-Gegentaktverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zu einem Gegentaktzweig gehörenden Transistoren (5, 11; 8, 12) von Treiberstufe und Endstufe vom entgegengesetzten Leitungstyp sind.
  4. 4. Transistor-Gegentaktverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (21) durch einen eine Wechselspannungsgegenkopplung bewirkenden weiteren Kondensator (22) überbrückt ist.
  5. 5. Transistor-Gegentaktverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Schaltungspunkt (A) und dem mit Masse verbundenen Kondensator (20, 24) ein zusätzlicher Widerstand (23) liegt.
DE19752554770 1975-12-05 1975-12-05 Transistor-Gegentaktverstärker Expired DE2554770C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752554770 DE2554770C2 (de) 1975-12-05 1975-12-05 Transistor-Gegentaktverstärker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752554770 DE2554770C2 (de) 1975-12-05 1975-12-05 Transistor-Gegentaktverstärker

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2554770A1 true DE2554770A1 (de) 1977-06-16
DE2554770C2 DE2554770C2 (de) 1984-12-06

Family

ID=5963582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752554770 Expired DE2554770C2 (de) 1975-12-05 1975-12-05 Transistor-Gegentaktverstärker

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2554770C2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2508252A1 (fr) * 1981-06-22 1982-12-24 Telex Communications Amplificateur de puissance
EP0304680A2 (de) * 1987-08-22 1989-03-01 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Integrierte komplementäre Gegentakt-B-Endstufe
DE102011122077B4 (de) 2010-12-20 2020-01-09 Dmos Gmbh Ausgangsstufenschaltung mit erweitertem Ausgangsaussteuerbereich

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3732872C1 (de) * 1987-09-30 1989-06-01 Telefunken Electronic Gmbh Integrierter Transistor-Gegentaktverstaerker

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2883479A (en) * 1955-07-28 1959-04-21 Rca Corp Class b amplifier biasing circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2883479A (en) * 1955-07-28 1959-04-21 Rca Corp Class b amplifier biasing circuit

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Valvo Berichte", Bd. XI, H.2, Mai 1965, S. 44 *
Tietze und Schenk: "Halbleiter-Schaltungstechnik" Springer Verlag, 1969, S. 241 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2508252A1 (fr) * 1981-06-22 1982-12-24 Telex Communications Amplificateur de puissance
EP0304680A2 (de) * 1987-08-22 1989-03-01 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Integrierte komplementäre Gegentakt-B-Endstufe
US4879522A (en) * 1987-08-22 1989-11-07 Telefunken Electronic Gmbh Integrated complementary push-pull B final stage
EP0304680A3 (de) * 1987-08-22 1991-01-09 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Integrierte komplementäre Gegentakt-B-Endstufe
DE102011122077B4 (de) 2010-12-20 2020-01-09 Dmos Gmbh Ausgangsstufenschaltung mit erweitertem Ausgangsaussteuerbereich

Also Published As

Publication number Publication date
DE2554770C2 (de) 1984-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1915005B2 (de) B transistorleistungsverstaerker
DE1487397A1 (de) Schaltanordnung zum Erzeugen von Vorspannungen
DE2529966C3 (de) Transistorverstärker
DE1909721B2 (de) Schaltungsanordnung zur gleichspannungsteilung
DE10344876B3 (de) Signalverarbeitungseinrichtung, insbesondere für den Mobilfunk
DE2530601C3 (de) Verstärkerschaltung
DE2554770C2 (de) Transistor-Gegentaktverstärker
DE3034940A1 (de) Signalwandlerschaltung
DE2409929B2 (de) Verzerrungsarmer, niederfrequenter Gegentakt-Leistungsverstärker
DE2142817C3 (de) Gleichspannungsgekoppelter Verstärker
DE2557512C3 (de) PDM-Verstärker
EP0133618A1 (de) Monolithisch integrierte Transistor-Hochfreqzenz-Quarzoszillatorschaltung
DE1905718C3 (de) Schaltungsanordnung zur Produkt- und/ oder Quotientenbildung
DE3120689A1 (de) "gegentaktendstufe"
DE1814887C3 (de) Transistorverstärker
DE2908741A1 (de) Hf-breitbandverstaerker
DE1816034A1 (de) Regelbare Verstaerkerstufe
DE2720614B2 (de) Breitbandverstärker für Fotodioden
DE2912433C3 (de) Linearer Transistor-Wechselstromverstärker
DE1815203A1 (de) Schaltungsanordnung zur UEbertragung von Signalen zwischen unterschiedlichen Gleichspannungspegeln
DE1562218C (de) Differenzverstärker mit symmetrischem Eingang und unsymmetrischem Ausgang
DE2139594C2 (de) Phasenmodulator
EP0448828B1 (de) Emitterfolger-Schaltungsanordnung
DE3852310T2 (de) Ausgangsverstärker.
DE1487367C (de) Komplementärsymmetrische Gegentaktverstärkerschaltung mit Schutz der Ausgangstransistoren

Legal Events

Date Code Title Description
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee