DE3827614A1 - Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements

Info

Publication number
DE3827614A1
DE3827614A1 DE3827614A DE3827614A DE3827614A1 DE 3827614 A1 DE3827614 A1 DE 3827614A1 DE 3827614 A DE3827614 A DE 3827614A DE 3827614 A DE3827614 A DE 3827614A DE 3827614 A1 DE3827614 A1 DE 3827614A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
additional layer
metal atoms
coating
planar structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE3827614A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3827614C2 (enExample
Inventor
Josef Lutz
Ernst Kuttruf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron GmbH and Co KG, Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Priority to DE3827614A priority Critical patent/DE3827614A1/de
Publication of DE3827614A1 publication Critical patent/DE3827614A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3827614C2 publication Critical patent/DE3827614C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
    • H10W74/147—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations being multilayered
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
    • H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/18—Diffusion lifetime killers

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
DE3827614A 1988-08-13 1988-08-13 Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements Granted DE3827614A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3827614A DE3827614A1 (de) 1988-08-13 1988-08-13 Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3827614A DE3827614A1 (de) 1988-08-13 1988-08-13 Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3827614A1 true DE3827614A1 (de) 1990-02-15
DE3827614C2 DE3827614C2 (enExample) 1992-04-23

Family

ID=6360855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3827614A Granted DE3827614A1 (de) 1988-08-13 1988-08-13 Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3827614A1 (enExample)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Halbleiter Elektronik, Bd. 19, Technologie hochintegrierter Schaltungen, 1988, S. 232 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE3827614C2 (enExample) 1992-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2718894C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1614283C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE19704996C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines IGBT-Bauelementes
DE2160427C3 (enExample)
DE2523307C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2805442A1 (de) Verfahren zum herstellen eines schottky-sperrschicht-halbleiterbauelementes
EP0557318B1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen, insbesondere von dioden
DE2357376A1 (de) Mesa-thyristor und verfahren zum herstellen von mesa-thyristoren
DE1489240B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE19947020A1 (de) Kompensationsbauelement mit variabler Ladungsbilanz
DE2500775C3 (de) Hochspannungsfestes planeres Halbleiterbauelement
DE1803024A1 (de) Integriertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2031082C2 (de) Planares Halbleiterbauelement
DE19837944A1 (de) Verfahren zur Fertigung eines Halbleiterbauelements
DE2951916A1 (de) Lichtsteuerbarer thyristor
DE2517252A1 (de) Halbleiterelement
DE2625856B2 (enExample)
DE3328521A1 (de) Epitaxialdiode fuer hohe sperrspannung
DE2230749C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE3839210A1 (de) Verfahren zum axialen einstellen der traegerlebensdauer
DE3827614C2 (enExample)
DE2649134A1 (de) Verfahren zur ionenimplantation in halbleitersubstrate
DE2139631C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, bei dem der Rand einer Diffusionszone auf den Rand einer polykristallinen Siliciumelektrode ausgerichtet ist
CH635958A5 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterkoerpern mit definiertem, durch aetzen erzielten und mit einem glas abgedeckten randprofil.
DE2209534A1 (de) Micro-Alloy-Epitaxie-Varactor und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG, 90431 NUERNBERG,