DE3806762C2 - - Google Patents

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DE3806762C2
DE3806762C2 DE19883806762 DE3806762A DE3806762C2 DE 3806762 C2 DE3806762 C2 DE 3806762C2 DE 19883806762 DE19883806762 DE 19883806762 DE 3806762 A DE3806762 A DE 3806762A DE 3806762 C2 DE3806762 C2 DE 3806762C2
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silicon membrane
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silicon
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DE19883806762
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German (de)
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DE3806762A1 (de
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Juergen Dipl.-Phys. Chlebek
Doris Dipl.-Ing. Erbar (Univ.)
Hans-Ludwig Dipl.-Phys. Dr.Rer.Nat. 1000 Berlin De Huber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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DE2922416A1 (de) * 1979-06-01 1980-12-11 Ibm Deutschland Schattenwurfmaske zum strukturieren von oberflaechenbereichen und verfahren zu ihrer herstellung
DE3338717A1 (de) * 1983-10-25 1985-05-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung einer roentgenmaske mit metalltraegerfolie

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